显示面板的制造方法及其光罩与流程

本申请涉及显示领域，特别是涉及一种显示面板的制造方法及其光罩。

背景技术：

tft-lcd(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示装置)，具有低成本、低功耗和高性能的优点，在电子、数码产品等领域有着广泛的运用，是现代it、视讯产品中重要的显示平台。tft-lcd中像素单元的驱动，则需通过栅极驱动电路和源极驱动电路驱动相应的扫描线和数据线加以实现。随着面板尺寸，解析度，及大视角影像品质的需求提高，并进一步提高用户体验及节约成本，各产商开发了很多有关显示领域的制造技术。

四道光罩(4mask)制程，相对于五道光罩(5mask)制程，可以减少一道光刻工艺，缩短主动开关的制程时间，其对光阻的图案化有全曝光和半曝光等方式。半曝光可通过半色调光罩(htm，halftonemask)的方式实现，然而由于形成主动开关需要经过两道干刻和两道湿刻的制程工艺，由此方法形成的主动开关，其沟道区的宽度较大，不利于后续制程的开展，且会导致tft的开态电流(ion)较小，容易引起显示面板充电不足，主动开关性能缺失或漏电等问题。

技术实现要素：

本申请的目的在于，提供一种显示面板的制造方法及其光罩。

本申请提出的一种显示面板的制造方法，包括：提供第一基板；在所述第一基板上设置栅极层；在所述第一基板和所述栅极层上设置栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上设置源极层和漏极层；通过一光罩，在所述源极层和漏极层之间形成沟道区；其中，所述光罩具有沟道区图案，其对应于所述源极层和所述漏极层至少之一的位置具有补光图案，通过所述补光图案，所述光罩的光线可达到所述沟道区。

在本申请的一实施例中，所述沟道区的宽度介于4微米到4.5微米之间。

在本申请的一实施例中，所述补光图案的宽度介于0.1微米到1.6微米之间。

在本申请的一实施例中，所述补光图案的宽度为0.5微米，1.0微米或1.5微米。

在本申请的一实施例中，所述补光图案为镂空结构的图案或透明结构的图案。

在本申请的一实施例中，所述透明结构的图案的厚度等于或小于所述光罩其他区域的厚度。

在本申请的一实施例中，所述光罩对应于所述源极层和所述漏极层的位置均具有所述补光图案。

本申请的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

本申请的另一目的为一种制造显示面板的光罩，包括：多个主动开关图案，每一所述主动开关图案包括：源极层图案；漏极层图案；以及沟道区图案，位于所述源极层图案和所述漏极层图案之间；其中，所述源极层图案和所述漏极层图案中至少之一的图案具有补光图案，所述补光图案为镂空结构的图案或透明结构的图案。

在本申请的一实施例中，所述补光图案位于所述源极层图案或所述漏极层图案的中部。

在本申请的一实施例中，所述补光图案的宽度介于0.1微米到1.6微米之间。

在本申请的一实施例中，所述补光图案的宽度为0.5微米，1.0微米或1.5微米。

在本申请的一实施例中，所述补光图案为相对于源极层图案对称的多个补光图案。

在本申请的一实施例中，所述补光图案为两个相对于所述源极层图案对称的矩形形状的补光图案。

本申请的又一目的为一种显示面板的制造方法，包括：提供第一基板；在所述第一基板上设置栅极层；在所述第一基板和所述栅极层上设置栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上设置源极层和漏极层；通过一光罩，在所述源极层和漏极层之间形成沟道区；其中，所述光罩具有沟道区图案，其对应于所述源极层和所述漏极层的位置均具有补光图案，通过所述补光图案，使得沟道区的宽度介于4微米到4.5微米之间；其中，所述补光图案的宽度介于0.1微米到1.6微米之间。

本申请通过对光罩的源极层图案和漏极层图案的设计，可以不改变光罩的沟道区图案的宽度，而调整沟道区的曝光程度，可以在不增大沟道区的蚀刻宽度的前提下，增大沟道区的蚀刻深度。

附图说明

图1为范例性的显示面板局部示意图。

图2a至图2b为范例性的显示面板制程示意图。

图3为本申请一实施例的光罩示意图。

图4为本申请一实施例的显示面板制程示意图。

图5为本申请一实施例的显示面板示意图。

图6a至图6b为本申请一实施例的光罩示意图。

图7为本申请一实施例的光罩示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。

附图和说明被认为在本质上是示出性的，而不是限制性的。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。另外，为了理解和便于描述，附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申请不限于此。

在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当例如层、膜、区域或基底的组件被称作“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者也可以存在中间组件。

另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。此外，在说明书中，“在......上”意指位于目标组件上方或者下方，而不意指必须位于基于重力方向的顶部上。

为更进一步阐述本申请为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及具体的实施例，对依据本申请提出的一种显示面板的制造方法及其光罩，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

图1为范例性的显示面板局部示意图。请参考图1，一种范例性的显示面板10，包括：设置第一基板100，在所述第一基板上设置栅极层110；在所述第一基板100和所述栅极层110上设置栅极绝缘层120，所述栅极绝缘层120覆盖所述栅极层110；在所述栅极绝缘层120上设置第一介质层131；在所述第一介质层131上设置第二介质层132；在所述第二介质层132上设置源极层151和漏极层152，其中，源极层151和漏极层152之间形成沟道区140；设置保护层(图未示)于源极层151和漏极层152上。

图2a至图2b为范例性的显示面板制程示意图。在范例性的四道光罩(4mask)的制程中，会先在各个层级结构之上设置一层光阻(或光刻胶)160，并通过光罩的曝光，干刻和湿刻等制程工艺，逐步完成各个层级结构的图案化。但是，主动开关需要经过两道干刻和两道湿刻的制程工艺，在第一次曝光后，所述光阻160会形成一个光阻开口165，所述光阻开口165的宽度和深度对后续层级结构曝光所形成的沟道区有很大影响，如对有源层150的曝光形成源极层151和漏极层152的影响。若是曝光后形成的光阻开口165较为平缓，即开口165的深度不够(如图2b所示)，残留的光阻160较多，则不利于后续制程的开展。为弥补光阻开口165较为平缓的问题，而调整对应所述光阻开口165位置的光罩，则会导致光阻开口165的宽度较大，最终使得形成的主动开关的沟道区140的宽度较大(如图1所示)。

图3为本申请一实施例的光罩示意图，图4为本申请一实施例的显示面板制程示意图及图5为本申请一实施例的显示面板示意图。请同时参考图3至图5，在本申请的一实施例中，一种显示面板30的制造方法，包括：提供第一基板100；在所述第一基板100上设置栅极层110；在所述第一基板100和所述栅极层110上设置栅极绝缘层120；在所述栅极绝缘层120上设置第一介质层131和第二介质层132；在所述第二介质层132上设置源极层151和漏极层152；通过一光罩21，在所述源极层151和漏极层152之间形成沟道区140；其中，所述光罩21具有漏极层图案210，源极层图案230和沟道区图案220，其对应于所述源极层151和所述漏极层152之一的位置具有补光图案240，通过所述补光图案240，所述光罩的光线可达到所述沟道区。

在本申请的一实施例中，主动开关的沟道区140的宽度受所述补光图案240的调节而介于4微米到4.5微米之间，或是小于4微米。

在本申请的一实施例中，所述补光图案240可以是位于所述源极层图案230的边界区域，或是位于所述源极层图案230的中部区域。

在本申请的一实施例中，所述补光图案240的宽度可例如介于0.1微米到1.6微米之间，其宽度可例如为0.5微米，1.0微米或是1.5微米。

在本申请的一实施例中，所述补光图案240可例如为镂空结构的图案或透明结构的图案。此两种类型均可以使得光通过，以辅助主动开关的沟道区进行曝光。

在本申请的一实施例中，当所述补光图案240为透明结构的图案时，所述补光图案240的厚度等于或小于所述光罩21对应于主动开关的其他区域(如漏极层图案)的厚度。

请再参考图3至图5，在本申请的一实施例中，一种制造显示面板30的光罩21，包括：多个主动开关图案，每一所述主动开关图案包括：漏极层图案210；源极层图案230；以及沟道区图案220，位于所述源极层图案230和所述漏极层图案210之间；其中，所述源极层图案210具有一补光图案240，所述补光图案240可例如为镂空结构的图案或透明结构的图案。

在本申请的一实施例中，所述补光图案240可以是位于所述源极层图案230的边缘区域，或是位于所述源极层图案230的中部区域。

在本申请的一实施例中，所述补光图案240的宽度可例如介于0.1微米到1.6微米之间，其宽度可例如为0.5微米，1.0微米或是1.5微米。

在本申请的一实施例中，通过所述补光图案240，使得主动开关的沟道区140的宽度可介于4微米到4.5微米之间，或是小于4微米。

图6a至图6b为本申请一实施例的光罩示意图。请同时参考图3至图6b，在本申请的一实施例中，一种制造显示面板的光罩22，包括：多个主动开关图案，每一所述主动开关图案包括：漏极层图案210；源极层图案230；以及沟道区图案220，位于所述源极层图案230和所述漏极层图案210之间；其中，所述漏极层图案210具有一补光图案240，所述补光图案240可例如为镂空结构的图案或透明结构的图案。

在本申请的一实施例中，所述补光图案240可以是位于所述漏极层图案210内，如位于所述漏极层图案210的边界区域，或是位于所述漏极层图案210的中部区域。

在本申请的一实施例中，所述补光图案240依据所述漏极层图案210的形状而对应设置，其如图6a的光罩22所示。

在本申请的一实施例中，所述补光图案240可例如为相对于源极层图案230对称的多个补光图案240。如图6b的光罩23所示，所述补光图案例示为两个相对于所述源极层图案230对称的矩形形状的补光图案，但不以此加以限制补光图案的形状和个数。

图7为本申请一实施例的光罩示意图。请同时参考图2至图7，在本申请的一实施例中，一种制造显示面板的光罩24，包括：多个主动开关图案，每一所述主动开关图案包括：漏极层图案210；源极层图案230；以及沟道区图案220，位于所述源极层图案230和所述漏极层图案210之间；其中，所述漏极层图案210和所述源极层图案230的位置均具有补光图案240，所述补光图案240可例如为镂空结构的图案或透明结构的图案。

在本申请的一实施例中，所述补光图案240可以是位于所述漏极层图案210内，如位于所述漏极层图案210的边界区域，或是位于所述漏极层图案210的中部区域。

在本申请的一实施例中，所述补光图案240可以是位于所述源极层图案230的边界区域，或是位于所述源极层图案230的中部区域。

在本申请的一实施例中，所述补光图案240位于所述漏极层图案210内或所述源极层图案230内，或是位于所述漏极层图案210或所述源极层图案230的中部区域。

在一些实施例中，通过所述补光图案240，并利用光的干涉作用，可以改变沟道区140的曝光量，调整对应于沟道区140及其上的光阻层(或是光刻胶)160的曝光程度。该些光罩设计可以在不改变光罩(21，22，23，24)的沟道区图案220的面积或宽度的条件之下，增大光阻层(或是光刻胶)160的蚀刻(干刻或湿刻)的深度，且不会增大光阻层(或是光刻胶)160的蚀刻宽度。

在一些实施例中，所述补光图案240，可以是包括多个多个补光图案240，并通过多个补光图案240的干涉作用，以此调整对应于沟道区140及其上的光阻层(或是光刻胶)160的曝光程度。

在一些实施例中，所述补光图案240设置于所述沟道区图案220的周边区域，可例如设置于所述漏极层图案210或所述源极层图案230内。

在一些实施例中，本申请的显示面板可例如为液晶显示面板，然不限于此，其亦可为oled(organiclight-emittingdiode，有机发光二极管)显示面板，w-oled(white-organiclight-emittingdiode，白色有机发光二极管)显示面板，qled(quantumdotlightemittingdiodes，量子点发光二极管)显示面板，等离子体显示面板，曲面型显示面板或其他类型显示面板。

本申请通过对光罩(21，22，23，24)的漏极层图案210和源极层图案230的设计，可以不改变光罩(21，22，23，24)的沟道区图案220的宽度，而调整沟道区的曝光程度，可以在不增大沟道区的蚀刻宽度的前提下，增大沟道区的蚀刻深度，以方便后续其他层级结构的制程的开展。

“在一些实施例中”及“在各种实施例中”等用语被重复地使用。所述用语通常不是指相同的实施例；但它也可以是指相同的实施例。“包含”、“具有”及“包括”等用词是同义词，除非其前后文意显示出其它意思。

以上所述，仅是本申请的实施例，并非对本申请作任何形式上的限制，虽然本申请已以具体的实施例揭露如上，然而并非用以限定本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本申请技术方案的范围内。