一种镍锌材质EPC磁芯成型模具的制作方法

本实用新型属于高频导磁材料加工技术领域，尤其是涉及一种镍锌材质EPC磁芯成型模具。

背景技术：

磁芯是指由各种氧化铁混合物组成的一种烧结磁性金属氧化物。如锰-锌铁氧体和镍-锌铁氧体是典型的磁芯体材料。锰-锌铁氧体具有高磁导率和高磁通密度的特点，且具有较低损耗的特性。镍-锌铁氧体具有极高的阻抗率、不到几百的低磁导率等特性。铁氧体磁芯用于各种电子设备的线圈和变压器中。影响磁芯性能的因素有很多，如材料、结构等，而磁芯设计时考虑的性能主要有有效面积，绕线的稳定性、磁导率以及散热性能等。现有的磁芯在绕线的稳定性和散热性上都还有待提高，基于此，本公司开发了带有锥度绕线柱和散热孔的磁芯，提高了磁芯的绕线稳定性和散热性，但基于此，磁芯成型时，其锥度的存在导致了脱模困难。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种镍锌材质EPC磁芯成型模具。

本实用新型完整的技术方案包括：

一种镍锌材质EPC磁芯成型模具，包括上模和下模，所述的上模和下模均有外模壁，上模侧方设有对称的上侧板散热孔芯，前方设有上前板散热孔芯，上侧板散热孔芯和上前板散热孔芯的过渡部设有上过渡板散热孔芯，各散热孔芯和上内隔板连接，上内隔板与外模壁围成上侧板成型腔，上前板成型腔和过渡板成型腔，上内隔板围成上绕线柱成型腔；

下模侧方设有对称的下侧板散热孔芯，前方设有下前板散热孔芯，下侧板散热孔芯和下前板散热孔芯的过渡部设有下过渡板散热孔芯，各散热孔芯和下内隔板连接，下内隔板与外模壁围成下侧板成型腔，下前板成型腔和过渡板成型腔，下内隔板围成下绕线柱成型腔，下模底部设有底板成型腔；

上绕线柱成型腔和下绕线柱成型腔的高度相同，锥度均为＝1:9。

本实用新型相对于现有技术的改进为：通过将左右开模的方式改为上下开模，适应了具有锥度绕线柱的磁芯的压制成型方式，提高了压制精度和生产效率，带有锥度的成型腔开模方便，不会损坏磁芯坯子，解决了工业生产的问题。

附图说明

图1为本实用新型所公开磁芯成型模具的正向剖面图。

图2为本实用新型所公开磁芯成型模具的俯视剖面图。

图3为利用该模具成型的磁芯正视图。

图4为利用该模具成型的磁芯俯视图。

图中：1-上模，2-下模，3-上侧板散热孔芯，4-上过渡板散热孔芯，5-上前板散热孔芯，6-下侧板散热孔芯，7-下过渡板散热孔芯，8-下前板散热孔芯，9-绕线柱成型腔，10-侧板成型腔，11-前板成型腔，12-上内隔板。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。

如图1所示，一种镍锌材质EPC磁芯成型模具，包括上模1和下模2，所述的上模和下模均有外模壁，上模侧方设有对称的上侧板散热孔芯3，前方设有上前板散热孔芯5，上侧板散热孔芯和上前板散热孔芯的过渡部设有上过渡板散热孔芯4，各散热孔芯和上内隔板12连接，上内隔板与外模壁围成上侧板成型腔，上前板成型腔和过渡板成型腔。上内隔板围成上绕线柱成型腔。

下模侧方设有对称的下侧板散热孔芯6，前方设有下前板散热孔芯8，下侧板散热孔芯和下前板散热孔芯的过渡部设有下过渡板散热孔芯7，各散热孔芯和下内隔板连接，下内隔板与外模壁围成下侧板成型腔，下前板成型腔和过渡板成型腔。下内隔板围成下绕线柱成型腔。下模底部设有底板成型腔。

上绕线柱成型腔和下绕线柱成型腔的高度相同，锥度均为＝1:9。

成型时，将上下模合模，上绕线柱成型腔和下绕线柱成型腔合成整个的绕线柱成型腔9。上下侧板成型腔合成整个侧板成型腔10，上下前板成型腔合成整个下前板成型腔11，上下过渡板成型腔合成整个过渡板成型腔，上下侧板散热孔芯合成整个侧板散热孔芯，上下前板散热孔芯合成整个下前板散热孔芯，上下过渡板散热孔芯合成整个过渡板散热孔芯，形成各自散热孔的形状；注入粉末并进行压制，完成后开模时将上模移走，形成磁芯。

上模上还设有粉末入口和对粉末进行挤压的压孔等，此为现有技术，在此不再赘述。

同时本实用新型的上模和下面也均可以设置成左右对称的分体模具结构，即分成左右对称的上左模和上右模，左右对称的下左模和下右模，整个模具分为四个部分，合模后形成整个模具。

图3和图4是本模具形成的磁芯的正视和俯视示意图，可以看出，形成的磁芯包括底座，所述底座为近似长方形结构，底座的中央一侧有绕线柱，底座的两侧设有对称的侧板，底座相对绕线柱的一侧设有前板，侧板和前板通过过渡板连接；

侧板上设有侧板散热孔，过渡板上设有过渡板散热孔，前板上设有前板散热孔；

散热孔为斜向设置并穿过侧板的通孔，其横向长度与纵向高度的比值为1:2；

所述的绕线柱包括上细下粗的绕线柱下部和上粗下细的绕线柱上部，上部和下部的高度相同，上部和下部的锥度均为＝1:9。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型作任何限制，凡是根据本实用新型技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围内。