1.一种发光元件，包括：
堆叠结构，在堆叠状态下，所述堆叠结构包括：
第一光反射层，在所述第一光反射层中堆叠有多个薄膜，
发光结构，以及
第二光反射层，在所述第二光反射层中堆叠有多个薄膜，
其中，所述发光结构包括：
第一化合物半导体层，
有源层，以及
第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层从所述第一光反射层侧堆叠，
所述发光结构通过光吸收材料层形成，所述光吸收材料层平行于由所述有源层占据的虚拟平面，并且
假设从所述有源层发射的且具有最大强度的光的波长为λ0，假设占据从所述有源层到所述光吸收材料层的范围的层的层等效折射率是neq，假设从所述有源层到所述光吸收材料层的光学距离是lop，并且假设λ≡{(2m+1)λ0}/(4neq)(其中，m是等于或大于0的整数)，则
lop的值是不同于λ的值，并且
所述光吸收材料层所在的一侧的光反射层的厚度tave是不同于厚度tdbr的值，
其中，假设构成所述光吸收材料层所在的一侧的光反射层的薄膜的折射率为ni，并且假设薄膜的总数为l，则
tdbr＝∑(λ0/4ni)，
i＝1,2,3,…,l，并且
∑表示从i＝1到i＝l的总和。
2.根据权利要求1所述的发光元件，
其中，lop的值为
0.95×λ≤lop≤0.99×λ
并且
tdbr<tave。
3.根据权利要求1所述的发光元件，
其中，lop的值为
0.95×λ≤lop≤0.99×λ
并且
所述光吸收材料层所在的一侧的光反射层的阻带中心的波长大于λ0。
4.根据权利要求1所述的发光元件，
其中，lop的值为
1.01×λ≤lop≤1.05×λ
并且
tave<tdbr。
5.根据权利要求1所述的发光元件，
其中，lop的值为
1.01×λ≤lop≤1.05×λ
并且
所述光吸收材料层所在的一侧的光反射层的阻带中心的波长小于λ0。
6.一种发光元件，包括：
堆叠结构，在堆叠状态下，所述堆叠结构包括：
第一光反射层，
发光结构，以及
第二光反射层，
其中，所述发光结构包括：
第一化合物半导体层，
有源层，以及
第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层从所述第一光反射层侧堆叠，
所述发光结构在所述发光结构的端部形成有光吸收材料层，所述光吸收材料层平行于由所述有源层占据的虚拟平面，
在所述光吸收材料层和所述光吸收材料层所在的一侧上的光反射层之间形成有介电层，并且
假设从所述有源层发射的具有最大强度的光的波长是λ0，假设占据从所述有源层到所述光吸收材料层的范围的层的层等效折射率是neq，假设从所述有源层到所述光吸收材料层的光学距离是lop，假设所述介电层的折射率是ndel，假设从所述光吸收材料层到所述光吸收材料层所在的一侧的所述光反射层和介电层之间的界面的光学距离为ldel，并假设λ≡{(2m+1)λ0}/(4neq)(其中，m是等于或大于0的整数)，那么
lop的值是不同于λ的值，并且
ldel≠λ0/(4ndel)。
7.根据权利要求6所述的发光元件，
其中，lop的值为
0.95×λ≤lop≤0.99×λ
并且
λ0/(4ndel)<ldel。
8.根据权利要求6所述的发光元件，
其中，lop的值为
1.01×λ≤lop≤1.05×λ
并且
ldel<λ0/(4ndel)。
9.根据权利要求1或6所述的发光元件，
其中，所述光吸收材料层位于在所述堆叠结构内部形成的光的驻波中生成的最小振幅部分的附近。
10.根据权利要求1或6所述的发光元件，
其中，所述有源层位于在所述堆叠结构内部形成的光的驻波中生成的最大振幅部分的附近。
11.根据权利要求1或6所述的发光元件，
其中，所述光吸收材料层的光吸收系数等于或大于构成所述发光结构的化合物半导体的光吸收系数的两倍。
12.根据权利要求1或6所述的发光元件，
其中，所述光吸收材料层包括选自包括以下项的组的至少一种材料：带隙比构成所述发光结构的化合物半导体窄的化合物半导体材料、掺杂有杂质的化合物半导体材料、透明导电材料和具有光吸收特性的介电材料。
13.根据权利要求1或6所述的发光元件，
其中，所述第一化合物半导体层、所述有源层和所述第二化合物半导体层包括gan基化合物半导体材料。