工件加工用片的制作方法

文档序号：23068262发布日期：2020-11-25 17:55阅读：94来源：国知局

本发明涉及一种工件加工用片，特别是涉及一种能够适于工件进行激光打标时的工件加工用片。

背景技术：

近年来，利用被称作倒装(facedown)方式的安装法制造半导体装置。该方法中，在安装具有形成有凸块(bump)等电极的电路面的半导体芯片时，将半导体芯片的电路面侧接合于引线框架等的芯片搭载部。因此，成为半导体芯片的未形成电路的背面侧露出的结构。

因此，为了保护半导体芯片，多在半导体芯片的背面侧上形成硬质的由有机材料构成的保护膜。此处，例如，专利文献1中公开了一种将可形成上述保护膜的保护膜形成层形成于切割片上而成的保护膜形成兼切割用片。根据该保护膜形成兼切割用片，可在半导体晶圆上形成保护膜后，继续进行切割，从而得到带保护膜的半导体芯片。

另外，上述切割片本身具备基材及设置于其单面的粘着剂层。作为粘着剂层的粘着剂，为了提高带保护膜的半导体芯片在拾取时的剥离性，有时会使用通过紫外线照射而降低粘着力的紫外线固化性的粘着剂。

通常为了显示该半导体芯片的产品编号等，会在上述保护膜上进行印字。作为该印字方法，通常为对保护膜照射激光的激光打标(lasermarking)法。在对保护膜实施激光打标时，隔着保护膜形成兼切割用片的切割片对保护膜照射激光。

上述保护膜通常由黑色的树脂组合物构成，在对该保护膜实施激光打标时，通常即使激光输出较弱，也能良好地在保护膜上印字。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-140348号公报

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题

近年来提出了一种对作为工件的半导体晶圆或玻璃板实施激光打标的方案。在如此对无机材料实施激光打标时，容易发生无法良好地进行印字、所形成的印字变粗糙、印字的精度变低的问题。

此外，在以上述方式对无机材料实施激光打标时，激光的输出需要变得较大，因此切割片的基材容易烧焦。如此，其烧焦部分的透光率降低，无法良好地视认形成在工件上的印字。此外，当切割片的粘着剂层为紫外线固化性时，在使该粘着剂层紫外线固化时，基材的烧焦部分的紫外线透射性变差，其结果，该部分的粘着剂层未能充分固化，产生粘着剂附着在经拾取的芯片上的残胶的问题。

本发明鉴于上述实际情况而成，其目的在于提供一种激光打标性优异且同时对激光具有耐受性的工件加工用片。

解决技术问题的技术手段

为了达成上述目的，第一，本发明提供一种工件加工用片，其至少具备基材与层叠于所述基材的第一面侧的粘着剂层，所述工件加工用片的特征在于，所述基材的第二面的算术平均粗糙度(ra)为0.01μm以上、0.4μm以下，所述基材的第二面的最大高度粗糙度(rz)为0.01μm以上、2.5μm以下，所述基材的波长532nm的透光率为40％以上(发明1)。

在上述发明(发明1)中，通过使基材的物性如上所述，激光打标所使用的激光、特别是波长532nm的激光容易透射基材及工件加工用片。由此，可对工件良好地进行基于激光打标的印字，可形成精度高的印字。此外，基材不易吸收激光的能量，可抑制基材被烧焦或被印字。因此，不会发生基材的起因于烧焦的透光性的下降，可隔着工件加工用片良好地视认形成于工件上的印字。

在上述发明(发明1)中，优选所述基材的波长400nm的透光率为40％以上(发明2)。

在上述发明(发明1、2)中，优选所述基材的波长800nm的透光率为45％以上(发明3)。

上述发明(发明1～3)中的工件加工用片优选用于包含隔着所述工件加工用片对工件进行激光打标的工序的用途(发明4)。

上述发明(发明1～4)中的工件加工用片优选用于切割(发明5)。

上述发明(发明5)中的工件加工用片优选用于隐形切割(发明6)。

发明效果

本发明的工件加工用片不仅激光打标性优异，且同时对激光具有耐受性。

附图说明

图1为本发明的一个实施方式的工件加工用片的截面图。

图2为本发明的一个实施方式的工件加工用片的使用例，具体而言为表示层叠结构体的截面图。

具体实施方式

以下对本发明的实施方式进行说明。

图1为本发明的一个实施方式的工件加工用片的截面图。如图1所示，本实施方式的工件加工用片1由具备基材2、层叠在基材2的第一面侧(图1中的上方侧)的粘着剂层3、以及层叠在粘着剂层3上的剥离片6而构成。剥离片6在使用工件加工用片1时被剥离去，其在此之前对粘着剂层3进行保护，也可从本实施方式的工件加工用片1中省略剥离片6。在此，将基材2中的粘着剂层3侧的面称为“第一面”，将其相反侧的面(图1中的下表面)称为“第二面”。

作为一个实例，本实施方式的工件加工用片1可用于在针对作为工件的半导体晶圆或玻璃板的激光打标工序及切割工序中保持工件，但不仅限于此。

此外，除了半导体晶圆或玻璃板等由无机材料构成的构件以外，层叠于其之上的保护膜或粘合剂层、或者封装的表层等由有机材料构成的构件也可以成为本实施方式的激光打标的对象。

本实施方式的工件加工用片1通常形成为长条状并被卷成卷状，以卷对卷(roll-to-roll)方式进行使用。

1.工件加工用片的构成构件

(1)基材

(1-1)物性

基材2的第二面(以下有时称为“基材2的背面”)的算术平均粗糙度(ra)为0.01μm以上、0.4μm以下，最大高度粗糙度(rz)为0.01μm以上、2.5μm以下。此外，基材2的波长532nm的透光率为40％以上。本说明书中的算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz)为根据jisb0601：1999所测定的值。此外，本说明书中的透光率通过使用分光光度度计作为测定仪器，并以直接受光法而测定。测定方法的详细内容均如后述的试验例所示。

通过使基材2的第二面的算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz)在上述范围，且基材2的波长532nm的透光率为上述范围，激光打标所使用的激光、特别是波长532nm的激光容易透射基材2及工件加工用片1。由此，可对工件良好地进行基于激光打标的印字，可形成精度高的印字。此外，基材2不易吸收激光的能量，可抑制基材2被烧焦或被印字。因此，不会发生基材2的起因于烧焦的透光性的下降，可以隔着工件加工用片1良好地视认形成在工件上的印字。进一步，当粘着剂层3由紫外线固化性粘着剂构成时，在隔着基材2对粘着剂层3照射紫外线时，该紫外线毫无问题地到达粘着剂层3，粘着剂层3得以良好地固化。因此，不易发生粘着剂附着在经拾取的芯片上的残胶的问题。即，本实施方式的工件加工用片1的激光打标性优异且同时对激光具有耐受性。

进一步，通过使基材2满足上述物性，在隐形切割中使用的激光的透射性也变得良好，隐形切割的加工性优异。

此外，通过使基材2的第二面的算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz)在上述范围，也可抑制工件加工用片1的粘连。即，可良好地进行从工件加工用片1的卷绕体的放卷，且放卷时不易发生意外的在界面上的剥离。

如上所述，基材2的背面的算术平均粗糙度(ra)的上限值为0.4μm以下，优选为0.2μm以下，特别优选小于0.1μm。若算术平均粗糙度(ra)超过0.4μm，则基材2的背面的凹凸会妨碍激光的透射。另一方面，从防止粘连的角度出发，算术平均粗糙度(ra)的下限值为0.01μm以上，优选为0.015μm以上。

此外，如上所述，基材2的背面的最大高度粗糙度(rz)为2.5μm以下，优选为1.5μm以下，特别优选为0.5μm以下。若最大高度粗糙度(rz)超过2.5μm，则基材2的背面的凹凸会妨碍激光的透射。另一方面，从防止粘连的角度出发，最大高度粗糙度(rz)的下限值为0.01μm以上，优选为0.013μm以上，特别优选为0.1μm以上。

由于在基材2的第一面(以下有时称为“基材2的正面”)上层叠有粘着剂层3，基材2的正面的凹凸被粘着剂层3填埋，因此基材2的正面的算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz)没有特别限定。然而，若算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz)的值过大，则有时可能基材2的正面的凹凸未能被粘着剂层3填埋，因此基材2的正面的算术平均粗糙度(ra)的上限值优选为2.5μm以下。基材2的正面的算术平均粗糙度(ra)的下限值没有特别限定，但在膜的制膜方法中，通常为0.01μm以上。此外，根据上述理由，以上限值计，基材2的正面的最大高度粗糙度(rz)优选为2.5μm以下。基材2的正面的最大高度粗糙度(rz)的下限值没有特别限定，但在膜的制膜方法中，通常为0.01μm以上。

如上所述，基材2的波长532nm的透光率为40％以上，优选为50％以上，特别优选为60％以上，进一步优选为75％以上。若波长532nm的透光率小于40％，则激光打标中主要使用的激光(特别是波长532nm的激光)的能量被基材2吸收，基材2容易烧焦。另外，波长532nm的透光率的上限值没有特别限定，也可以为100％。

此外，基材2的波长400nm的透光率优选为40％以上，更优选为45％以上，特别优选为50％以上，进一步优选为75％以上。通过使波长400nm的透光率为40％以上，可见光容易透射，因此，可隔着基材2及工件加工用片1更良好地视认形成于工件上的印字。

进一步，基材2的波长800nm的透光率优选为45％以上，更优选为55％以上，特别优选为65％以上，进一步优选为75％以上。通过使波长800nm的透光率为45％以上，可见光容易透射，因此，可隔着基材2及工件加工用片1更良好地视认形成于工件上的印字。

(1-2)厚度

只要能够在使用工件加工用片1的各工序中适当地发挥功能，则基材2的厚度没有特别限定。具体而言，基材2的厚度优选为20μm以上，特别优选为25μm以上，进一步优选为50μm以上。此外，基材2的厚度优选为450μm以下，特别优选为400μm以下，进一步优选为350μm以下。通过使基材2的厚度在上述范围，可良好地维持工件的加工性及激光的透射性。

(1-3)材料

基材2优选由树脂膜构成。作为构成基材2的树脂膜的具体实例，例如可列举出低密度聚乙烯(ldpe)膜、线性低密度聚乙烯(lldpe)膜、高密度聚乙烯(hdpe)膜等聚乙烯膜；聚丙烯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯树脂膜等聚烯烃类膜；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等乙烯类共聚膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯类膜；聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚对苯二甲酸丁二酯膜等聚酯类膜；聚氨酯膜；聚酰亚胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸酯膜；氟树脂膜等。此外，也可使用上述膜的交联膜、离聚物膜这样的改性膜。进一步，也可以为层叠多个相同种类或不同种类的上述膜而成的层叠膜。另外，本说明书中的“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸及甲基丙烯酸。其他类似用语也相同。

上述之中，优选聚烯烃类膜、聚氯乙烯类膜及乙烯类共聚膜。聚烯烃类膜之中，优选聚乙烯膜，特别优选低密度聚乙烯(ldpe)膜。此外，聚氯乙烯类膜之中，特别优选聚氯乙烯膜，乙烯类共聚膜之中，特别优选乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜。若为这些树脂膜，则易于满足上述物性。此外，从扩展性、工件贴附性、芯片剥离性等角度出发，也优选上述树脂膜。

对于上述树脂膜，出于提高与层叠于其表面的粘着剂层3的密合性的目的，可根据需要在其单面或两面上实施基于氧化法或凹凸化法等的表面处理、或者底涂处理(primertreatment)。作为上述氧化法，例如可列举出电晕放电处理、等离子体放电处理、铬氧化处理(湿式)、火焰处理、热风处理、臭氧、紫外线照射处理等，此外，作为凹凸化法，例如可列举出喷砂法、热喷镀处理法等。

另外，基材2的上述树脂膜中也可含有着色剂、阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、润滑剂、填料等各种添加剂。

(1-4)制造方法

构成基材2的树脂膜可通过对应于树脂膜的种类的制造方法而制造，主要通过挤出成型的t型模头(t-die)法而制造。为了制造具有上述的算术平均粗糙度(ra)、最大高度粗糙度(rz)及透光率的树脂膜，在对树脂膜进行制膜时需要不卷入空气(气泡)。例如，通过在减压下、真空下等进行挤出成型，能够抑制上述空气的卷入，制造没有气泡痕迹的树脂膜。此外，通过调节在制膜时的冷却辊等各工序辊的表面粗糙度，还可以制造没有气泡痕迹的树脂膜。然而，具有上述算术平均粗糙度(ra)、最大高度粗糙度(rz)及透光率的树脂膜的制造方法不仅限于此。

(2)粘着剂层

本实施方式的工件加工用片1所具备的粘着剂层3可以由非活性能量射线固化性粘着剂构成，也可以由活性能量射线固化性粘着剂构成。作为非活性能量射线固化性粘着剂，优选具有所需的粘着力及再剥离性，例如可使用丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂、硅酮类粘着剂、氨基甲酸乙酯类粘着剂、聚酯类粘着剂、聚乙烯醚类粘着剂等。其中，优选在切割工序等中可有效地抑制工件或加工物的脱落的丙烯酸类粘着剂。

另一方面，活性能量射线固化性粘着剂由于可通过活性能量射线照射而降低粘着力，因此在想要分离工件或加工物与工件加工用片1时，可通过活性能量射线照射而容易地分离。本实施方式中，上述活性能量射线固化性粘着剂优选为紫外线固化性粘着剂。由此，表现并发挥出上述残胶的抑制效果。

构成粘着剂层3的活性能量射线固化性粘着剂可以以具有活性能量射线固化性的聚合物作为主要成分，也可以以不具有活性能量射线固化性的聚合物与活性能量射线固化性的多官能度单体和/或低聚物的混合物作为主要成分。

以下，对活性能量射线固化性粘着剂以具有活性能量射线固化性的聚合物作为主要成分的情况进行说明。

优选具有活性能量射线固化性的聚合物为在侧链导入有具有活性能量射线固化性的官能团(活性能量射线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物(a)(以下有时称为“活性能量射线固化性聚合物(a)”)。该活性能量射线固化型聚合物(a)优选通过使具有含官能团单体单元的(甲基)丙烯酸类共聚物(a1)与具有与该官能团进行键合的取代基的含不饱和基团化合物(a2)进行反应而得到。

丙烯酸类共聚物(a1)由衍生自含官能团单体的结构单元和衍生自(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元而构成。

作为丙烯酸类共聚物(a1)的结构单元的含官能团单体，优选在分子内具有聚合性的双键、与羟基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的单体。

作为上述含官能团单体的更具体的实例，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等，上述含官能团单体可单独使用或组合使用两种以上。

作为构成丙烯酸类共聚物(a1)的(甲基)丙烯酸酯单体，可使用烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸苄基酯。其中，特别优选使用烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。

丙烯酸类共聚物(a1)通常以3～100质量％、优选以5～40质量％的比例含有衍生自上述含官能团单体的结构单元，通常以0～97质量％、优选以60～95质量％的比例含有衍生自(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元。

丙烯酸类共聚物(a1)可通过使用通常方法将上述含官能团单体、(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物进行共聚而得到，但除了上述单体以外，也可共聚有二甲基丙烯酰胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。

通过使具有上述含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(a1)与具有与该官能团进行键合的取代基的含不饱和基团化合物(a2)进行反应，可得到活性能量射线固化性聚合物(a)。

含不饱和基团化合物(a2)所具有的取代基可根据丙烯酸类共聚物(a1)所具有的含官能团单体单元的官能团种类而适当选择。例如，当官能团为羟基、氨基或取代氨基时，作为取代基，优选异氰酸酯基或环氧基，当官能团为环氧基时，作为取代基，优选氨基、羧基或氮丙啶基。

此外，含不饱和基团化合物(a2)在一分子中含有1～5个、优选含有1～2个活性能量射线聚合性的碳碳双键。作为这种含不饱和基团化合物(a2)的具体实例，例如可列举出2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯、m-异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧甲基)乙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-异丙烯基-2-噁唑啉等。

相对于上述丙烯酸类共聚物(a1)的含官能团单体，通常以10～100mol％、优选以20～95mol％的比例使用含不饱和基团化合物(a2)。

在丙烯酸类共聚物(a1)与含不饱和基团化合物(a2)的反应中，可根据官能团和取代基的组合而适当选择反应的温度、压力、溶剂、时间、有无催化剂、催化剂的种类。由此，存在于丙烯酸类共聚物(a1)中的官能团与含不饱和基团化合物(a2)中的取代基反应，在丙烯酸类共聚物(a1)中的侧链上导入不饱和基团，得到活性能量射线固化性聚合物(a)。

以此方式得到的活性能量射线固化性聚合物(a)的重均分子量优选为1万以上，特别优选为15万～150万，进一步优选为20万～100万。另外，本说明书中的重均分子量(mw)为利用凝胶渗透色谱法(gpc法)测定的聚苯乙烯换算的值。

即使在活性能量射线固化性粘着剂以具有活性能量射线固化性的聚合物作为主要成分的情况下，活性能量射线固化性粘着剂也可进一步含有活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(b)。

作为活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(b)，例如可使用多元醇与(甲基)丙烯酸的酯等。

作为该活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(b)，例如可列举出(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等单官能度丙烯酸酯类；三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羟甲基三环癸烷二(甲基)丙烯酸酯等多官能度丙烯酸酯类；聚酯低聚(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯低聚(甲基)丙烯酸酯等。

当掺合活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(b)时，活性能量射线固化性粘着剂中的活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(b)的含量优选为5～80质量％，特别优选为20～60质量％。

在此，当使用紫外线作为用于使活性能量射线固化性树脂组合物固化的活性能量射线时，优选添加光聚合引发剂(c)，通过使用该光聚合引发剂(c)，可减少聚合固化时间及光线照射量。

作为光聚合引发剂(c)，具体而言，可列举出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮、2,4-二乙基噻吨酮、1-羟基环己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰、二苯偶酰、丁二酮、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)氧化膦、n,n-二乙基二硫代氨基甲酸-2-苯并噻唑酯、低聚{2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。这些光聚合引发剂可单独使用，也可同时使用两种以上。

相对于100质量份的活性能量射线固化性聚合物(a)(在掺合活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(b)时，活性能量射线固化性聚合物(a)及活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(b)的总量为100质量份)，优选以0.1～10质量份、特别优选以0.5～6质量份的范围的量使用光聚合引发剂(c)。

除上述成分以外，活性能量射线固化性粘着剂也可适当掺合其他成分。作为其他成分，例如可列举出不具有活性能量射线固化性的聚合物成分或低聚物成分(d)、交联剂(e)等。

作为不具有活性能量射线固化性的聚合物成分或低聚物成分(d)，例如可列举出聚丙烯酸酯、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚烯烃等，优选重均分子量(mw)为3000～250万的聚合物或低聚物。

作为交联剂(e)，可使用与活性能量射线固化性聚合物(a)等所具有的官能团具有反应性的多官能度化合物。作为这种多官能度化合物的实例，可列举出异氰酸酯化合物、环氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金属醇盐化合物、金属螯合化合物、金属盐、铵盐、反应性酚醛树脂等。

通过在活性能量射线固化性粘着剂中掺合上述其他成分(d)、(e)，可以改善固化前的粘着性及剥离性、固化后的强度、与其他层的粘合性、保存稳定性等。这些其他成分的掺合量没有特别限定，可在相对于100质量份的活性能量射线固化性聚合物(a)为0～40质量份的范围内适当确定。

接着，以下对活性能量射线固化性粘着剂以不具有活性能量射线固化性的聚合物成分与活性能量射线固化性的多官能度单体和/或低聚物的混合物作为主要成分的情况进行说明。

作为不具有活性能量射线固化性的聚合物成分，例如可使用与上述丙烯酸类共聚物(a1)相同的成分。活性能量射线固化性树脂组合物中的不具有活性能量射线固化性的聚合物成分的含量优选为20～99.9质量％，特别优选为30～80质量％。

作为活性能量射线固化性的多官能单体和/或低聚物，可选择与上述成分(b)相同的物质。对于不具有活性能量射线固化性的聚合物成分与活性能量射线固化性的多官能度单体和/或低聚物的掺合比例，相对于100质量份的聚合物成分，多官能度单体和/或低聚物优选为10～150质量份，特别优选为25～100质量份。

此时，与上述相同，可适当掺合光聚合引发剂(c)或交联剂(e)等。

只要能够在使用工件加工用片1的各工序中适当发挥功能，则粘着剂层3的厚度没有特别限定。具体而言，优选为1～50μm，特别优选为2～30μm，进一步优选为3～20μm。

(3)剥离片

本实施方式中的剥离片6在直至使用工件加工用片1的期间内保护粘着剂层3。本实施方式中的剥离片6直接层叠于粘着剂层3上，但并不仅限于此，也可以在粘着剂层3上层叠其他的层(固晶膜等)，并在该其他的层上层叠剥离片6。

剥离片6的构成为任意，例如可例示出利用剥离剂等对塑料膜进行了剥离处理的剥离片。作为塑料膜的具体实例，可列举出聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯膜；及聚丙烯或聚乙烯等聚烯烃膜。作为剥离剂，可使用硅酮类、氟类、长链烷基类等，其中，优选廉价且可得到稳定性能的硅酮类。剥离片的厚度没有特别限制，通常为20～250μm左右。

(4)其他的构件

在本实施方式的工件加工用片1中，也可在粘着剂层3的与基材2为相反侧的面(以下有时称为“粘着面”)上层叠粘合剂层。此时，通过使本实施方式的工件加工用片1具有上述粘合剂层，可用作切割-固晶片。将工件贴附于这种切割-固晶片的粘合剂层的与粘着剂层为相反侧的面上，同时切割该工件与粘合剂层，由此可得到层叠有被单颗化(singulation)的粘合剂层的芯片。该芯片可通过该被单颗化的粘合剂层容易地固定于搭载该芯片的对象上。作为构成上述粘合剂层的材料，优选使用含有热塑性树脂与低分子量的热固性粘合成分的材料、或含有b阶段(半固化状)的热固性粘合成分的材料等。

此外，在本实施方式的工件加工用片1中，也可以在粘着剂层3中的粘着面上层叠保护膜形成层。此时，本实施方式的工件加工用片1可用作保护膜形成兼切割用片。将工件贴附于这种保护膜形成兼切割用片的保护膜形成层的与粘着剂层为相反侧的面上，同时切割该工件与保护膜形成层，由此可得到层叠有被单颗化的保护膜形成层的芯片。作为该被切断物，优选使用在单面上形成有电路的工件，此时，通常在与形成有该电路的面为相反侧的面上层叠保护膜形成层。通过使被单颗化的保护膜形成层在规定的时间点(优选切割工序前)固化，能够在工件或芯片上形成具有充分耐久性的保护膜。优选保护膜形成层由未固化的固化性粘合剂构成。

在上述情况下，激光打标的对象不是工件本身，而是粘合剂层或保护膜。但是，即使在这样的情况下，也可同样得到上述优异的激光打标性和激光耐受性的效果。

2.工件加工用片的制造方法

为了制造工件加工用片1，作为一个实例，可在剥离片6的剥离面上涂布含有构成粘着剂层3的粘着剂、及根据需要而进一步含有溶剂的粘着剂层用的涂布剂，并使其干燥从而形成粘着剂层3。然后，将基材2压接于粘着剂层3的露出面上，得到由基材2、粘着剂层3及剥离片6构成的工件加工用片1。

优选本实施方式的粘着剂层3可贴附于引线框架等夹具上。此时，当粘着剂层3由活性能量射线固化性粘着剂构成时，优选不使活性能量射线固化性粘着剂固化。由此，可将对引线框架等夹具的粘合力维持得较高。

对于基材2及粘着剂层3的层叠体，可根据需要进行半切(half-cut)，也可以形成所需的形状、例如与工件(半导体晶圆)相对应的圆形等形状。此时，可适当去除经半切所产生的残余部分。

3.工件加工用片的使用方法

本实施方式的工件加工用片1优选用于切割。作为切割的种类，可列举出刀片切割、隐形切割、等离子体切割、激光切割、水切割等，其中，优选刀片切割及隐形切割。作为工件，除了由无机材料构成的半导体晶圆、玻璃板等以外，还可列举出例如各种封装等，但不仅限于此。

以下，作为一个实例，对使用本实施方式的工件加工用片1，并通过刀片切割或隐形切割由作为工件的半导体晶圆制造芯片的方法进行说明。

首先，对已卷取成卷状的工件加工用片1一边剥离剥离片6一边进行放卷，如图2所示，在工件加工用片1的粘着剂层3上贴附半导体晶圆7及引线框架8。由此得到具备在工件加工用片1的粘着剂层3侧的面上层叠有半导体晶圆7及引线框架8的结构的层叠结构体(以下有时称为“层叠结构体l”)。

然后，对层叠结构体l进行激光打标工序。具体而言，使用激光打标用的激光照射装置，隔着工件加工用片1对上述半导体晶圆7照射激光，在半导体晶圆7上实施所需的印字。作为激光，主要使用波长532nm的激光。

本实施方式的工件加工用片1中，通过将基材2的物性设定为上述，激光易于透射，因此可对工件良好地进行基于激光打标的印字，可形成精度高的印字。此外，由于基材2不易吸收激光的能量，因此可抑制基材2被烧焦。因此，不会发生基材2的起因于烧焦的透光性的下降，可隔着工件加工用片1良好地视认形成于工件上的印字。

接着，对层叠结构体l进行切割工序。在进行刀片切割的情况下，使用切割刀片，切断半导体晶圆7而将其分割，由此得到芯片。然后，通过实施拉伸工件加工用片1的扩展工序，扩大芯片间的间隔，以在后续拾取工序中易于拾取。

另一方面，在隐形切割时，使用分割加工用激光照射装置(激光切割机)，隔着工件加工用片1对上述半导体晶圆7照射激光，在半导体晶圆7内形成改质层。另外，通过将基材2的物性设定为上述，激光切割机的激光的透射性也优异。然后，通过实施拉伸工件加工用片1的扩展工序，对半导体晶圆7赋予力(主面内方向的拉力)。其结果，贴附于工件加工用片1上的半导体晶圆7被分割，从而得到芯片。

接着，使用拾取装置，从工件加工用片1上拾取芯片。在此，当工件加工用片1的粘着剂层3由活性能量射线固化性的粘着剂构成时，优选在上述拾取之前，隔着基材2对粘着剂层3照射活性能量射线。由此，可降低粘着剂层3的粘着力，能够易于进行芯片的拾取。作为上述活性能量射线，通常使用紫外线、电子束等，特别优选易于操作的紫外线。

上述紫外线的照射，可使用高压汞灯、融合灯(fusionlamp)、氙灯、led等进行，紫外线的照射量以照度计优选为50mw/cm²以上、1000mw/cm²以下。紫外线的光量优选为50mj/cm²以上，特别优选为80mj/cm²以上，进一步优选为100mj/cm²以上。此外，紫外线的光量优选为2000mj/cm²以下，特别优选为1000mj/cm²以下，进一步优选为500mj/cm²以下。

如上所述，由于激光打标引起的基材2的烧焦得以抑制，所以即使以上述方式隔着基材2对粘着剂层3照射紫外线，也可以使粘着剂层3良好地固化。因此，不易发生粘着剂附着于经拾取的芯片上的残胶的问题。

以上所说明的实施方式是为了易于理解本发明而记载的，并非是为了限定本发明而记载。因此，上述实施方式所公开的各要件也涵盖属于本发明技术范围内的所有设计变更或均等物。

例如，在工件加工用片1中的基材2和粘着剂层3之间、或基材2的与粘着剂层3为相反侧的面上也可以设有其他的层。

实施例

以下，利用实施例等对本发明进行更具体的说明，但本发明的范围并不受这些实施例等的限定。

[实施例1]

(1)基材的制作

利用小型t型模头挤出机(toyoseikico.,ltd.制造，产品名称“laboplastomill”)将低密度聚乙烯的树脂组合物挤出成型，制作厚度为80μm的由树脂膜构成的基材。利用后述方法测定所得到的基材的背面的表面粗糙度(算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz))，其结果如表1所示。

(2)粘着剂层用涂布剂的制备

将72质量份的丙烯酸丁酯与28质量份的丙烯酸2-羟基乙酯(hea)进行共聚，使所得到的共聚物与相对于共聚物的hea为80mol％的甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(moi)进行反应，得到侧链具有活性能量射线聚合性基团的活性能量射线固化性丙烯酸类聚合物(重均分子量50万)。

向100质量份(固体成分浓度；以下相同)的上述活性能量射线固化性丙烯酸类聚合物中掺合3.0质量份的光聚合引发剂(巴斯夫公司制造，产品名称“irgacure184”)及1.0质量份的异氰酸酯化合物(tosohcorporation制造，产品名称“coronatel”)，并用溶剂进行稀释，由此得到粘着剂层用涂布剂。

(3)工件加工用片的制造

准备在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜的单面上形成硅酮类的剥离剂层而成的剥离片(linteccorporation制造，产品名称“sp-pet381031”)，使用刮刀涂布机将上述粘着剂层用涂布剂涂布于该剥离片的剥离面上，使其干燥从而形成厚度为10μm的粘着剂层。将上述制作的基材的正面叠合在该粘着剂层上并将两者贴合，以得到由基材(80μm)/粘着剂层(10μm)/剥离片构成的层叠体。

从上述基材侧，以切断基材和粘着剂层的层叠体的方式对上述所得到的层叠体进行半切，形成直径为370mm的圆形的工件加工用片。

[实施例2]

利用小型t型模头挤出机(toyoseikico.,ltd.制造，产品名称“laboplastomill”)将聚氯乙烯的树脂组合物挤出成型，制作厚度为80μm的由树脂膜构成的基材。利用后述方法测定所得到的基材的背面的表面粗糙度(算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz))，其结果如表1所示。