滤波器的制作方法

本发明涉及一种滤波器。

背景技术：

提出有在堆叠介电片而构成的叠层体基板的内部形成有多个谐振器的滤波器（日本特开2017-195565号公报）。在日本特开2017-195565号公报所述的滤波器中，借助利用结合调整线路而形成的电容器将一个谐振器和其他谐振器结合。

然而，在日本特开2017-195565号公报提出的滤波器中，若介电片的厚度不均匀，则电容器的容量不均匀，进而导致滤波器特性不均匀。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种能够抑制特性不均匀的滤波器。

本发明的一个方式的滤波器具有：多个谐振器，分别具有通路电极部和第一带状线路，所述通路电极部形成于电介质基板内，所述第一带状线路与多个遮蔽导体中的第一遮蔽导体对置并且与前述通路电极部的一端连接，所述多个遮蔽导体以包围前述通路电极部的方式形成；第一结合容量电极，配备于前述多个谐振器中的第一谐振器，具有包含多个第一电极的第一梳型电极；第二结合容量电极，配备于与前述第一谐振器邻接的第二谐振器，具有包含多个第二电极的第二梳型电极，与前述第一结合容量电极形成于相同的层；前述第一电极和前述第二电极以交替地相邻的方式被配置。

根据本发明，能够提供能够抑制特性不均匀的滤波器。

附图说明

图1是示出第一实施方式的滤波器的立体图。

图2a以及图2b是示出一实施方式的滤波器的剖视图。

图3是示出第一实施方式的滤波器的俯视图。

图4是示出参考例1的滤波器的俯视图。

图5a以及图5b是示出参考例1的滤波器的剖视图。

图6是示出参考例2的滤波器的俯视图。

图7a以及图7b是示出参考例2的滤波器的剖视图。

图8是示出第一实施方式的滤波器的等效电路的图。

图9a以及图9b是示出第一通路电极以及第二通路电极的布置的例子的俯视图。

图10是示出第二实施方式的滤波器的剖视图。

图11是示出第二实施方式的滤波器的俯视图。

图12a以及图12b是示出第三实施方式的滤波器的剖视图。

图13是示出第三实施方式的滤波器的俯视图。

具体实施方式

以下列举优选的实施方式并参照附图对本发明的滤波器详细地进行说明。

［第一实施方式］

利用附图对第一实施方式的滤波器进行说明。图1是示出本实施方式的滤波器的立体图。图2a以及图2b是示出本实施方式的滤波器的剖视图。图2a与图1的iia-iia线对应。图2b与图1的iib-iib线对应。图3是示出本实施方式的滤波器的俯视图。

如图1所示，本实施方式的滤波器10具有电介质基板14。电介质基板14形成为例如立方体状。电介质基板14通过将多个陶瓷片（电介质陶瓷片）进行叠层而构成。

在电介质基板14的一个主表面侧，即在图1中电介质基板14的上侧形成有上部遮蔽导体（遮蔽导体、第二遮蔽导体）12a。在电介质基板14中另一个主表面侧，即在图1中电介质基板14的下侧形成有下部遮蔽导体（遮蔽导体、第一遮蔽导体）12b。

在电介质基板14的四个侧表面中的第一侧表面14a形成有第一输入输出端子（输入输出端子）22a。在与第一侧表面14a对置的第二侧表面14b形成有第二输入输出端子（输入输出端子）22b。第一输入输出端子22a经由第一连接线路32a与上部遮蔽导体12a结合。此外，第二输入输出端子22b经由第二连接线路32b与上部遮蔽导体12a结合。

在电介质基板14的四个侧表面中的第三侧表面14c形成有第一侧表面遮蔽导体（遮蔽导体）12ca。在与第三侧表面14c对置的第四侧表面14d形成有第二侧表面遮蔽导体（遮蔽导体）12cb。

将第三侧表面14c以及第四侧表面14d的法线方向作为x方向（第一方向）。将第一侧表面14a以及第二侧表面14b的法线方向作为y方向（第二方向）。将电介质基板14的一个主表面以及另一个主表面的法线方向作为z方向。

在电介质基板14内形成有与下部遮蔽导体12b对置的带状线路（第一带状线路）18a。带状线路18a的长度方向是x方向。

在电介质基板14内还形成有通路电极部20。通路电极部20具有第一通路电极部（通路电极部）20a和第二通路电极部（通路电极部）20b。通路电极部20的一端连接至带状线路18a。通路电极部20的另一端连接至上部遮蔽导体12a。像这样，从带状线路18a到上部遮蔽导体12a形成有通路电极部20。通路电极部20的长度方向是z方向。由带状线路18a和通路电极部20构成构造体16。滤波器10具备分别包含构造体16的多个谐振器11a至11c。谐振器11a至11c沿y方向布置。

第一通路电极部20a由多个第一通路电极（通路电极）24a构成。第二通路电极部20b由多个第二通路电极（通路电极）24b构成。在电介质基板14内，第一通路电极部20a位于第一侧表面遮蔽导体12ca侧，第二通路电极部20b位于第二侧表面遮蔽导体12cb侧。在形成于电介质基板14的通路孔中分别埋入第一通路电极24a以及第二通路电极24b。在第一通路电极部20a和第二通路电极部20b之间不存在其他的通路电极部。

在电介质基板14内还形成有第一结合容量电极29a、第二结合容量电极29b、第三结合容量电极29c。第一结合容量电极（结合容量电极）29a配备于谐振器（第一谐振器）11a。第二结合容量电极（结合容量电极）29b配备于谐振器（第二谐振器）11b。第三结合容量电极（结合容量电极）29c配备于谐振器（第三谐振器）11c。第一结合容量电极29a和第二结合容量电极29b和第三结合容量电极29c形成于相同的层。换言之，第一结合容量电极29a和第二结合容量电极29b和第三结合容量电极29c形成在同一陶瓷片（未图示）上。结合容量电极29a至29c的长度方向是x方向。

第一结合容量电极29a连接至第一谐振器11a的通路电极部20。第一结合容量电极29a的上表面借助第一谐振器11a的通路电极部20中的上侧的部分连接至上部遮蔽导体12a。第一结合容量电极29a的下表面借助第一谐振器11a的通路电极部20中的下侧的部分连接至第一谐振器11a的带状线路18a。

第二结合容量电极29b连接至第二谐振器11b的通路电极部20。第二结合容量电极29b的上表面借助第二谐振器11b的通路电极部20中的上侧的部分连接至上部遮蔽导体12a。第二结合容量电极29b的下表面借助第二谐振器11b的通路电极部20中的下侧的部分连接至第二谐振器11b的带状线路18a。

第三结合容量电极29c连接至第三谐振器11c的通路电极部20。第三结合容量电极29c的上表面借助第三谐振器11c的通路电极部20中的上侧的部分连接至上部遮蔽导体12a。第三结合容量电极29c的下表面借助第三谐振器11c的通路电极部20中的下侧的部分连接至第三谐振器11c的带状线路18a。

第一结合容量电极29a具有包含多个第一电极31a的第一梳型电极33a。第一电极31a的长度方向是y方向。第一梳型电极33a位于第一结合容量电极29a中的第二结合容量电极29b侧。

第二结合容量电极29b具有包含多个第二电极31b的第二梳型电极33b。第二电极31b的长度方向是y方向。第二梳型电极33b位于第二结合容量电极29b中的第一结合容量电极29a侧。第二结合容量电极29b还具有包含多个第三电极31c的第三梳型电极33c。第三电极31c的长度方向是y方向。第三梳型电极33c位于第二结合容量电极29b中的第三结合容量电极29c侧。

第三结合容量电极29c具有包含多个第四电极31d的第四梳型电极33d。第四电极31d的长度方向是y方向。第四梳型电极33d位于第三结合容量电极29c中的第二结合容量电极29b侧。

构成第一梳型电极33a的多个第一电极（电极）31a和构成第二梳型电极33b的多个第二电极（电极）31b以交替地相邻的方式被配置。由于第一电极31a和第二电极31b以交替地相邻的方式被配置，所以第一梳型电极33a和第二梳型电极33b相互对置的面积被充分地保持为较大。因此，在第一结合容量电极29a和第二结合容量电极29b之间确保充分的静电电容。构成第三梳型电极33c的多个第三电极（电极）31c和构成第四梳型电极33d的多个第四电极（电极）31d以交替地相邻的方式被配置。由于第三电极31c和第四电极31d以交替地相邻的方式被配置，所以第三梳型电极33c和第四梳型电极33d相互对置的面积被充分地保持为较大。因此，在第二结合容量电极29b和第三结合容量电极29c之间确保充分的静电电容。

图4是示出参考例1的滤波器的俯视图。图5a以及图5b是示出参考例1的滤波器的剖视图。在参考例1的滤波器中，在覆盖谐振器11a至11c的各自的带状线路18a的陶瓷片（未图示）上形成有结合容量电极129a、129b。结合容量电极129a与第一谐振器11a的带状线路18a和第二谐振器11b的带状线路18a对置。结合容量电极129b与第二谐振器11b的带状线路18a和第三谐振器11c的带状线路18a对置。第一谐振器11a的带状线路18a和结合容量电极129a之间的静电电容由于被夹持在它们之间的陶瓷片的厚度的不均匀而不均匀。此外，第二谐振器11b的带状线路18a和结合容量电极129a之间的静电电容由于被夹持在它们之间的陶瓷片的厚度的不均匀而不均匀。此外，第二谐振器11b的带状线路18a和结合容量电极129b之间的静电电容由于被夹持在它们之间的陶瓷片的厚度的不均匀而不均匀。此外，第三谐振器11c的带状线路18a和结合容量电极129b之间的静电电容由于被夹持在它们之间的陶瓷片的厚度的不均匀而不均匀。像这样，参考例1的滤波器与陶瓷片的厚度的不均匀对应而静电电容产生不均匀。因此，在参考例1的滤波器中会产生某种程度的特性不均匀。

图6是示出参考例2的滤波器的俯视图。图7a以及图7b是示出参考例2的滤波器的剖视图。在参考例2的滤波器中，在覆盖谐振器11a至11c各自的带状线路18a的陶瓷片（未图示）上形成有结合容量电极129c。结合容量电极129c的一部分与第二谐振器11b的带状线路18a对置。结合容量电极129c连接在第二谐振器11b的通路电极部20。结合容量电极129c借助第二谐振器11b的通路电极部20中的下部以外的部分连接至上部遮蔽导体12a。结合容量电极129c借助第二谐振器11b的通路电极部20中的下部连接至第二谐振器11b的带状线路18a。结合容量电极129c从第二谐振器11b的带状线路18a的上方延伸至位于第一谐振器11a的第一通路电极部20a和第一谐振器11a的第二通路电极部20b之间的带状线路18a的上方。结合容量电极129c从第二谐振器11b的带状线路18a的上方延伸至位于第三谐振器11c的第一通路电极部20a和第三谐振器11c的第二通路电极部20b之间的带状线路18a的上方。第一谐振器11a的带状线路18a和结合容量电极129c之间的静电电容由于被夹持在它们之间的陶瓷片的厚度的不均匀而不均匀。此外，第三谐振器11c的带状线路18a和结合容量电极129c之间的静电电容由于被夹持在它们之间的陶瓷片的厚度的不均匀而不均匀。像这样，参考例2的滤波器也与陶瓷片的厚度的不均匀对应而静电电容产生不均匀。因此，在参考例2的滤波器中，也会产生某种程度的特性不均匀。

相对于此，在本实施方式中，在相同的层形成第一结合容量电极29a和第二结合容量电极29b。因此，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，第一结合容量电极29a和第二结合容量电极29b的位置关系也不会不均匀。此外，在本实施方式中，在相同的层形成第二结合容量电极29b和第三结合容量电极29c。因此，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，第二结合容量电极29b和第三结合容量电极29c的位置关系也不会不均匀。因而，根据本实施方式，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，也不会产生静电电容的不均匀。因此，根据本实施方式，能够提供能够抑制特性的不均匀的滤波器10。

此外，在参考例2的滤波器中，在结合容量电极129c例如相对于带状线路18a向y方向偏移地形成的情况下，出现如下的情况。即，在第一谐振器11a的带状线路18a与结合容量电极129c之间的静电电容、以及第三谐振器11c的带状线路18a与结合容量电极129c之间的静电电容之间产生区别。特别地，在高频率下，电场扩展至比结合容量电极129c的边缘以及带状线路18a的边缘更外侧，所以存在由位置偏移引起的静电电容的区别变得显著的问题。若第一谐振器11a的带状线路18a与结合容量电极129c之间的静电电容、或者第三谐振器11c的带状线路18a与结合容量电极129c之间的静电电容不均匀，则导致滤波器特性的不均匀。此外，在第一谐振器11a的带状线路18a与结合容量电极129c之间的静电电容、以及第三谐振器11c的带状线路18a与结合容量电极129c之间的静电电容存在较大区别的情况下，出现如下的情况。即，在像这样的情况下，存在通过带域中的反射特性劣化的问题。

相对于此，在本实施方式中，在相同的层相互地形成有第一结合容量电极29a和第二结合容量电极29b和第三结合容量电极29c。因此，在本实施方式中，在第一结合容量电极29a和第二结合容量电极29b和第三结合容量电极29c之间不会产生位置偏移。因此，在本实施方式中，第一结合容量电极29a与第二结合容量电极29b之间的静电电容、以及第二结合容量电极29b与第三结合容量电极29c之间的静电电容不会产生较大不均匀。因此，根据本实施方式，能够抑制滤波器特性的不均匀。此外，根据本实施方式，在第一结合容量电极29a与第二结合容量电极29b之间的静电电容、以及第二结合容量电极29b与第三结合容量电极29c之间的静电电容之间，不会产生较大的差异。因而，根据本实施方式，能够防止通过带域中的反射特性的劣化，能够提供具有良好的特性的滤波器10。

图8是示出本实施方式的滤波器10的等效电路的图。如图8所示，在第一谐振器11a和第二谐振器11b之间存在电容器35a。此外，如图8所示，在第二谐振器11b和第三谐振器11c之间存在电容器35b。如上所述，在本实施方式中，在相同的层形成有第一结合容量电极29a和第二结合容量电极29b。因此，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，第一结合容量电极29a与第二结合容量电极29b的位置关系也不会不均匀。因此，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，电容器35a的静电电容也不会不均匀。此外，在本实施方式中，在相同的层形成有第二结合容量电极29b和第三结合容量电极29c。因此，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，第二结合容量电极29b与第三结合容量电极29c的位置关系也不会不均匀。因此，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，电容器35b的静电电容也不会不均匀。即使陶瓷片的厚度产生不均匀，也不会产生静电电容的不均匀，所以根据本实施方式，能够提供能够抑制特性的不均匀的滤波器10。

图9a以及图9b是示出第一通路电极以及第二通路电极的布置的例子的俯视图。图9a示出以沿着虚拟的椭圆37的一部分的方式配置第一通路电极24a以及第二通路电极24b的例子。图9b示出以沿着虚拟的跑道形状38的一部分的方式配置第一通路电极24a以及第二通路电极24b的例子。所谓跑道形状是由对置的两个半圆部和连接这些半圆部的两条平行的直线部构成的形状。

在图9a所示的例子中，从上表面观察时，多个第一通路电极24a被沿构成虚拟的椭圆37的一部分的虚拟的第一弯曲线28a布置。此外，在图9a所示的例子中，从上表面观察时，多个第二通路电极24b被沿构成虚拟的椭圆37的一部分的虚拟的第二弯曲线28b布置。在图9b所示的例子中，从上表面观察时，多个第一通路电极24a被沿构成虚拟的跑道形状38的一部分的虚拟的第一弯曲线28a布置。此外，在图9b所示的例子中，从上表面观察时，多个第二通路电极24b被沿构成虚拟的跑道形状38的一部分的虚拟的第二弯曲线28b布置。

以沿虚拟的椭圆37或者虚拟的跑道形状38的方式布置第一通路电极24a以及第二通路电极24b是基于如下的原因。即，在将谐振器11a至11c多极化而构成滤波器10的情况下，若仅加大通路电极部20的直径，则会在谐振器11a至11c间产生电壁，导致q值的劣化。相对于此，若使通路电极部20成为虚拟的椭圆37而在该虚拟的椭圆37的短轴方向上将谐振器11a至11c多极化，则通路电极部20间的距离相互地变长，所以能够使q值提高。此外，若使通路电极部20成为虚拟的跑道形状38而在与该虚拟的跑道形状38的直线部的长度方向垂直的方向将谐振器11a至11c多极化，则通路电极部20间的距离相互地变长，所以能够使q值提高。根据像这样的原因，在本实施方式中，以沿虚拟的椭圆37或者虚拟的跑道形状38的方式布置第一通路电极24a以及第二通路电极24b。

此外，在虚拟的椭圆37的端部，即在虚拟的椭圆37中的曲率较大的两端部分别配置第一通路电极24a以及第二通路电极24b是基于如下的原因。此外，在虚拟的跑道形状38的半圆部分别配置第一通路电极24a以及第二通路电极24b是基于如下的原因。即，高频率电流集中于虚拟的椭圆37的端部，即虚拟的椭圆37中的曲率较大的两端部。此外，高频率电流集中于虚拟的跑道形状38的两端部，即虚拟的跑道形状38的半圆部。因此，即使在虚拟的椭圆37或者虚拟的跑道形状38的两端部以外的部分没有配置通路电极24a、24b，也不会导致高频率电流的大幅的降低。此外，若减少通路电极24a、24b的数量，则能够缩短为了形成通路电极24a、24b所需的时间，所以能够实现生产量的提高。此外，若减少通路电极24a、24b的数量，则能够减少被埋入通路电极24a、24b的银等的材料，所以也能够实现成本降低。此外，由于在第一通路电极部20a和第二通路电极部20b之间形成电磁场比较稀疏的区域，所以也能够在该区域形成用于结合调整等的带状线路。从这个角度出发，在本实施方式中，在虚拟的椭圆37或者虚拟的跑道形状38的两端部配置第一通路电极24a以及第二通路电极24b。

通路电极部20和第一侧表面遮蔽导体12ca以及第二侧表面遮蔽导体12cb如半同轴谐振器那样地动作。在通路电极部20流动的电流的方向和在第一侧表面遮蔽导体12ca流动的电流的方向为相反的方向，此外，在通路电极部20流动的电流的方向和在第二侧表面遮蔽导体12cb流动的电流的方向为相反的方向。因此，能够将电磁场限制在由遮蔽导体12a、12b、12ca、12cb包围的部分，能够减小由辐射导致的损耗，并且能够减小对外部的影响。在谐振时的某个时点，电流以从上部遮蔽导体12a的中心向上部遮蔽导体12a的表面整体扩散的方式流动。此时，电流在下部遮蔽导体12b以从下部遮蔽导体12b的表面整体朝向下部遮蔽导体12b的中心集中的方式流动。此外，在谐振时的其他的时点，电流以从下部遮蔽导体12b的中心向下部遮蔽导体12b的表面整体扩散的方式流动。此时，电流在上部遮蔽导体12a以从上部遮蔽导体12a的表面整体朝向上部遮蔽导体12a的中心集中的方式流动。以向上部遮蔽导体12a或者下部遮蔽导体12b的表面整体扩散的方式流动的电流原样地在第一侧表面遮蔽导体12ca以及第二侧表面遮蔽导体12cb同样地流动。即，电流在线宽较宽的导体流动。由于线宽较宽的导体电阻成分较少，所以q值的劣化较小。第一通路电极部20a以及第二通路电极部20b和遮蔽导体12a、12b、12ca、12cb一起实现tem波的谐振器，即，第一通路电极部20a以及第二通路电极部20b实现参照了遮蔽导体12a、12b、12ca、12cb的tem波的谐振器。带状线路18a起到形成开放端电容的作用。配备于滤波器10的各个谐振器11a至11c能够作为λ/4谐振器而动作。

像这样，在本实施方式中，结合容量电极29a至29c形成于相同的层。因此，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，结合容量电极29a和结合容量电极29b的位置关系也不会不均匀，结合容量电极29b和结合容量电极29c的位置关系也不会不均匀。因而，根据本实施方式，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，也不会产生静电电容的不均匀。因此，根据本实施方式，能够提供能够抑制特性的不均匀的滤波器10。

［第二实施方式］

利用图10以及图11说明第二实施方式的滤波器。图10是示出本实施方式的滤波器的剖视图。图11是示出本实施方式的滤波器的俯视图。

在本实施方式中，第一谐振器11a的带状线路18b、第二谐振器11b的带状线路18b以及第三谐振器11c的带状线路18b与上部遮蔽导体12a对置。

第一结合容量电极29a、第二结合容量电极29b以及第三结合容量电极29c位于比形成有带状线路18b的层靠下侧的层。第一结合容量电极29a和第二结合容量电极29b和第三结合容量电极29c形成于相同的层。

第一结合容量电极29a的上表面借助第一谐振器11a的通路电极部20中的上侧的部分连接至第一谐振器11a的带状线路18b。第一结合容量电极29a的下表面借助第一谐振器11a的通路电极部20中的下侧的部分连接至下部遮蔽导体12b。

第二结合容量电极29b的上表面借助第二谐振器11b的通路电极部20中的上侧的部分连接至第二谐振器11b的带状线路18b。第二结合容量电极29b的下表面借助第二谐振器11b的通路电极部20中的下侧的部分连接至下部遮蔽导体12b。

第三结合容量电极29c的上表面借助第三谐振器11c的通路电极部20中的上侧的部分连接至第三谐振器11c的带状线路18b。第三结合容量电极29c的下表面借助第三谐振器11c的通路电极部20中的下侧的部分连接至下部遮蔽导体12b。

第一谐振器11a的带状线路18b经由第一连接线路54a连接至第一输入输出端子22a。第三谐振器11c的带状线路18b经由第二连接线路54b连接至第二输入输出端子22b。

在本实施方式中，结合容量电极29a至29c也形成于相同的层。因此，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，结合容量电极29a和结合容量电极29b的位置关系也不会不均匀，结合容量电极29b和结合容量电极29c的位置关系不会不均匀。因而，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，也不会产生静电电容的不均匀。因此，在本实施方式中，也能够提供能够抑制特性的不均匀的滤波器10。

［第三实施方式］

利用图12a至图13对第三实施方式的滤波器进行说明。图12a以及图12b是示出本实施方式的滤波器的剖视图。图13是示出本实施方式的滤波器的俯视图。

在本实施方式中，与上部遮蔽导体12a对置的上部带状线路（带状线路）18b和与下部遮蔽导体12b对置的下部带状线路（带状线路）18a形成于电介质基板14内。

在本实施方式中，通路电极部20的一端被连接至上部带状线路18b，通路电极部20的另一端连接至下部带状线路18a。像这样，从上部带状线路18b到下部带状线路18a形成通路电极部20。由通路电极部20和带状线路18a、18b构成构造体16。

在本实施方式中，也和第一以及第二实施方式的滤波器10同样地在电介质基板14内形成有结合容量电极29a至29c。

通路电极部20和第一侧表面遮蔽导体12ca以及第二侧表面遮蔽导体12cb和第一以及第二实施方式的滤波器10的情况同样地，像半同轴谐振器那样动作。

在本实施方式中，通路电极部20不与上部遮蔽导体12a和下部遮蔽导体12b导通。在被连接至通路电极部20的上部带状线路18b和上部遮蔽导体12a之间存在静电电容（开放端电容）。此外，在被连接至通路电极部20的下部带状线路18a和下部遮蔽导体12b之间也存在静电电容。通路电极部20和上部带状线路18b以及下部带状线路18a一起构成λ/2谐振器。

在第一以及第二实施方式的滤波器10那样的λ/4谐振器中，在谐振时，电流集中于通路电极部和遮蔽导体相接的部分，即集中于短路部。通路电极部和遮蔽导体相接的部分是电流的路径垂直地弯曲的部分。电流集中于电流的路径较大地弯曲的位置时能够带来q值的降低。为了消除向短路部的电流的集中从而提高q值，可以考虑将电流路径的横截面积增大。例如，考虑增大通路直径、增加通路的数量。但是，在像这样的情况下，谐振器的尺寸变大，不能满足谐振器的小型化的要求。相对于此，在本实施方式中，通路电极部20不与上部遮蔽导体12a和下部遮蔽导体12b相接。即，在本实施方式中，构成为两端开放型的λ/2谐振器。因此，在本实施方式中，防止局部的电流集中产生于上部遮蔽导体12a以及下部遮蔽导体12b，另一方面，能够使电流集中于通路电极部20的中心附近。由于电流集中的位置仅为通路电极部20，即，电流集中于具有连续性（线性）的位置，所以根据本实施方式，能够使q值提高。

在本实施方式中，结合容量电极29a至29c也形成于相同的层。因此，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，结合容量电极29a和结合容量电极29b的位置关系也不会不均匀，结合容量电极29b和结合容量电极29c的位置关系也不会不均匀。因而，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，也不会产生静电电容的不均匀。因此，在本实施方式中，也能够提供能够抑制特性的不均匀的滤波器10。

在上述中，列举了优选的实施方式对本发明进行了说明，但本发明不被限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内，能够进行各种改变。

例如，在上述实施方式中，也可以在覆盖谐振器11a至11c各自的带状线路18a的陶瓷片（未图示）上进而形成如图6、图7a以及图7b所示的结合容量电极129c。

若总结上述实施方式则如下所述。

滤波器（10）具有：多个谐振器（11a至11c），分别具有通路电极部（20）和第一带状线路（18a），所述通路电极部（20）形成于电介质基板（14）内，所述第一带状线路（18a）与多个遮蔽导体（12a、12b、12ca、12cb）中的第一遮蔽导体（12b）对置并且与前述通路电极部的一端连接，所述多个遮蔽导体以包围通路电极部的方式形成；第一结合容量电极（29a），配备于前述多个谐振器中的第一谐振器（11a），具有包含多个第一电极（31a）的第一梳型电极（33a）；第二结合容量电极（29b），配备于与前述第一谐振器邻接的第二谐振器（11b），具有包含多个第二电极（31b）的第二梳型电极（33b），与前述第一结合容量电极形成于相同的层，前述第一电极和前述第二电极以交替地相邻的方式被配置。根据像这样的结构，第一结合容量电极和第二结合容量电极形成于相同的层。因此，即使构成电介质基板的陶瓷片的厚度产生不均匀，第一结合容量电极和第二结合容量电极的位置关系也不会不均匀。因而，根据像这样的结构，即使陶瓷片的厚度产生不均匀，也不会产生静电电容的不均匀。因此，根据像这样的结构，能够提供能够抑制特性的不均匀的滤波器。

也可以前述通路电极部的另一端连接至与前述第一遮蔽导体对置的第二遮蔽导体（12a）。

在前述电介质基板内，也可以还具有连接至前述通路电极部的另一端而对置于前述第一遮蔽导体对置的第二遮蔽导体对置的第二带状线路（18b）。根据像这样的结构，能够防止局部的电流集中产生于第一遮蔽导体以及第二遮蔽导体，能够使充分的电流集中于通路电极部的中心附近。因而，根据像这样的结构，能够获得q值良好的滤波器。

也可以还具有连接于前述第二遮蔽导体的输入输出端子（22a）。

前述通路电极部可以由多个通路电极（24a、24b）构成。

前述通路电极部可以具有邻接而形成的第一通路电极部（20a）和第二通路电极部（20b）。

前述第一通路电极部由多个第一通路电极（24a）构成，前述第二通路电极部由多个第二通路电极（24b）构成，在前述第一通路电极部和前述第二通路电极部之间可以不存在其他的通路电极部。根据像这样的结构，由于在第一通路电极部和第二通路电极部之间不存在其他的通路电极部，所以能够缩短为了形成通路所需的时间，进而能够实现生产量的提高。此外，根据像这样的结构，由于在第一通路电极部和第二通路电极部之间不存其他的通路电极部，所以向通路埋入的银等的材料较少即可，进而能够实现成本降低。此外，在第一通路电极部和第二通路电极部之间形成电磁场比较稀疏的区域，所以能够在该区域形成用于结合调整等的布局。

从上表面观察时，前述多个第一通路电极可以沿虚拟的第一弯曲线（28a）布置，从上表面观察时，前述多个第二通路电极可以沿虚拟的第二弯曲线（28b）布置。

前述第一弯曲线以及前述第二弯曲线可以构成一个虚拟的椭圆（37）的一部分或者一个虚拟的跑道形状（38）的一部分。

附图标记

10…滤波器

11a至11c…谐振器

12a…上部遮蔽导体

12b…下部遮蔽导体

12ca…第一侧表面遮蔽导体

12cb…第二侧表面遮蔽导体

14…电介质基板

16…构造体

18a、18b…带状线路

20…通路电极部

20a…第一通路电极部

20b…第二通路电极部

22a…第一输入输出端子

22b…第二输入输出端子

24a…第一通路电极

24b…第二通路电极

28a…虚拟的第一弯曲线

28b…虚拟的第二弯曲线

29a…第一结合容量电极

29b…第二结合容量电极

29c…第三结合容量电极

31a…第一电极

31b…第二电极

31c…第三电极

31d…第四电极

33a…第一梳型电极

33b…第二梳型电极

33c…第三梳型电极

33d…第四梳型电极

35a、35b…电容器

37…虚拟的椭圆

38…虚拟的跑道形状

129a至129c…结合容量电极。