用于增进热均匀性的具有多层加热器的陶瓷基座的制作方法

文档序号:26010470发布日期:2021-07-23 21:30阅读:100来源:国知局
用于增进热均匀性的具有多层加热器的陶瓷基座的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月30日申请的美国临时申请no.62/773,601的优先权。上述引用的申请其全部公开内容通过引用合并于此。

本公开内容涉及用于ald衬底处理室的温度可调基座。



背景技术:

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

衬底处理系统可用于处理诸如半导体晶片的类的衬底。衬底处理的示例包含:蚀刻、沉积、光致抗蚀剂移除等等。在处理过程中将衬底设置于诸如静电卡盘之类的衬底支撑件上,且可将一或更多处理气体引入处理室中。

可以通过气体输送系统将一或更多处理气体输送至处理室。在某些系统中,气体输送系统包含由一或更多导管连接至位于处理室中的喷头的歧管。在某些示例中,工艺使用原子层沉积(ald)以将薄膜沉积于衬底上。



技术实现要素:

一种用于被设置成在衬底上执行沉积工艺的衬底处理系统的衬底支撑件包含:基座,其具有被设置成支撑衬底的上表面;以及n个加热层,其中所述n个加热层在所述基座内在所述上表面下方竖直堆叠。所述n个加热层中的每一者包含各自的电阻加热元件。在所述n个加热层中的至少一者中的所述电阻加热元件的瓦特密度在所述衬底支撑件的至少一径向区中相对于所述衬底支撑件的其他径向区而变化。

在其他特征中,所述电阻加热元件中的每一者包含电阻线圈。所述电阻线圈中的至少一者具有与所述电阻线圈中的其他不同的间距。所述电阻线圈中的每一者具有相同的间距。在所述n个加热层中的至少两者中的所述电阻加热元件在竖直方向上对准。所述瓦特密度在所述衬底支撑件的外部区中变化。所述瓦特密度在所述衬底支撑件的内部区中变化。

在其他特征中,所述电阻加热元件中的每一者被设置成接收提供至所有的所述n个加热层的整体功率总和的1/n。所述各自的电阻加热元件中的每一者的直径是所述衬底支撑件的所述上表面的直径的90-99%。一种系统包含所述的衬底支撑件并且还包含控制器,所述控制器被设置成基于在所述n个加热层中的相应的加热层之间的所期望的功率比来控制提供到所述n个加热层的功率。

一种系统包含衬底支撑件,其被设置成在沉积工艺期间支撑衬底。所述衬底支撑件包含:基座,其具有被设置成支撑衬底的上表面;以及n个加热层,所述n个加热层在所述基座内在所述上表面下方竖直堆叠。所述n个加热层中的每一者包含各自的电阻加热元件。一种控制器被设置成基于在所述n个加热层中的相应的加热层之间的所期望的功率比来控制提供到所述n个加热层的功率。

在其他特征中,所述电阻加热元件中的每一者包含电阻线圈。所述电阻线圈中的至少一者具有与所述电阻线圈中的其他不同的间距。所述电阻线圈中的每一者具有相同间距。在所述n个加热层中的至少两者中的所述电阻加热元件在竖直方向上对准。在所述n个加热层中的至少一者中的所述电阻加热元件的瓦特密度在所述衬底支撑件的至少一径向区中相对于所述衬底支撑件的其他径向区而变化。所述瓦特密度在所述衬底支撑件的外部区中变化。所述瓦特密度在所述衬底支撑件的内部区中变化。

在其他特征中,所述电阻加热元件中的每一者被设置成接收提供至所有的所述n个加热层的整体功率总和的1/n。所述各自的电阻加热元件中的每一者的直径是所述衬底支撑件的所述上表面的直径的90-99%。

根据详细描述、权利要求和附图,本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的,并非意在限制本公开的范围。

附图说明

根据详细描述和附图将更充分地理解本公开,其中:

图1a为根据本公开内容的衬底处理系统的示例的功能性框图;

图1b为根据本公开内容的示例性衬底支撑件;

图1c为图1b的衬底支撑件的另一示例;

图1d为根据本公开内容的衬底支撑件的电阻加热元件的示例;

图2为衬底支撑件的上表面的示例热图;

图3为根据本公开内容的原理的示例性温度控制器;以及

图4描绘根据本公开内容的原理,控制衬底支撑件的温度的示例性方法。

在附图中,可以重复使用附图标记标识相似和/或相同的元件。

具体实施方式

在诸如原子层沉积(ald)(或者,在某些示例中为:化学气相沉积(cvd))之类的膜沉积工艺中,沉积的膜的各种性质在整个空间(意即水平面上的x-y坐标)分布上变化。举例而言,衬底处理工具可针对膜厚不均匀性(nu)具有相应的规格,这些规格可测量为在半导体衬底的表面上的预定位置进行的测量组的全范围、半范围和/或标准偏差。在某些示例中,nu可通过例如处理nu的直接原因和/或引入补偿并抵销现存nu的反作用nu而降低。在其他示例中,可将材料有意不均匀地沉积和/或移除以补偿在工艺中的其他(例如先前的或后续的)步骤的已知不均匀性。在这些示例中,可计算并使用预定的不均匀沉积/移除轮廓。

沉积的膜的各种特性会受到在沉积过程中的衬底温度的影响。举例而言,在沉积工艺(例如氧化膜的沉积)过程中,将衬底设置于诸如ald基座的衬底支撑件上。在沉积工艺过程中可调整基座温度以控制衬底温度,以试图补偿nu。举例而言,基座可包含受控制的电阻加热元件以控制衬底温度。

基座的结构及控制限制条件限制了在处理过程中补偿所有热nu(例如生产制造的各种不可重复的效应所导致的热nu)的能力。举例而言,ald基座可只包含单一区(即单一可调温度区域)。在其他示例中,ald基座可包含两个区(例如中央区以及围绕该中央区的环状外部区)。然而,调节整个基座和/或衬底的温度可能无法补偿遍布衬底表面的温度nu。

在其他示例中,生产和/或设计的限制会造成在基座的结构中的nu。举例而言,在设置以用于在非常高的温度下进行的沉积处理的基座(例如氮化铝(aln)陶瓷基座)中,电阻加热元件被设置成在400-800℃或更高的温度下运行。由于与在这些高温下运行相关联的限制(例如由辐射损失所造成的热通量、aln的热传导(例如50-60瓦/m-k)等等),因此需要在电阻加热元件的运行特性(例如:瓦特密度、热生成均匀性等等)上的更高精度。加热元件的物理特性以及各种类型的缺陷会影响热生成均匀性。

一般来说,加热元件是在单一区或多区基座内的单一层中提供。在根据本公开内容的原理的基座(例如aln基座)中,加热元件竖直堆叠以形成在相应加热层中的多个区(例如n个加热层)。因此,对于基座的给定区域的热生成分布遍及多个加热元件。以此方式,将与在给定区域中的加热元件中的任一者相关联的不均匀性降低。

举例而言,通过将多个加热元件在彼此上下竖直堆叠,到达衬底的离散区域的热通量是由多个加热元件所提供的。在具有n个(例如三个)加热元件的情况下,供应至加热元件中的每一个的功率降低到供应至只具有单一层的加热元件的基座的加热元件的功率的1/n。如果在相应层中的每一者中的加热元件具有与在常规单一层的基座中的加热元件相同的热nu,且在各个加热元件中的热nu不在竖直方向上对准(即热nu并不直接彼此上下堆叠),则在衬底的净热nu将降低至1/n。举例而言,在三个加热元件以竖直堆叠设置的情况下,6℃的热nu将降低至2℃。

在某些示例中,n层可设置成在不同径向区域中具有瓦特密度偏差以促进对在基座内部及外部区域之间的功率比的控制。举例而言,在有三层的情况下,可将顶层施加偏置以在外部区域具有较高的瓦特密度(例如大30%),中间层可具有对应于预测的热边界条件的瓦特密度,而底层可在内部区域具有较高的瓦特密度(例如大30%)。由于每一区(即层)基本上是基座的全尺寸(例如直径的90-99%),因此更容易实现所需的电阻范围。此外,在标称操作条件下,可实现在这些区之间1:1:1的功率比。因此,热均匀性增加且促进精确及有效率的区比率的控制。

现在参考图1a、1b、1c和1d,显示了根据本公开内容,包含衬底支撑件(例如alnald基座)104的衬底处理系统100的示例。衬底支撑件104被配置在处理室108中。在处理过程中衬底112被放置在衬底支撑件104上。图1b的衬底处理系统100仅为了示例的目的而显示,且衬底支撑件104可在其他衬底处理系统配置内实现。

气体输送系统120包含气体源122-1、122-2、……以及122-n(统称为气体源122),其连接至阀124-1、124-2、……以及124-n(统称为阀124)以及质量流量控制器126-1、126-2、……以及126-n(统称为mfc126)。mfc126控制从该气体源122到歧管128的气体的流动,其中气体在歧管128混合。经由任选的压力调节器132将歧管128的输出供应至歧管136。歧管136的输出被输入至多注射器喷头140。尽管显示歧管128及136,但可使用单一歧管。

衬底支撑件104包含多个竖直堆叠区(即呈多层布置的n个区)。如图所示,衬底支撑件104包含在衬底支撑件104的相应的竖直层(例如n=3)中的下部区144、中间区148和上部区152。举例而言,各区可包含可单独控制的电阻加热元件156。举例而言,电阻加热元件156中的每一者可对应于电阻加热线圈,如在图1d中更详细显示的。加热元件156中的每一者具有只稍微小于衬底支撑件104的上表面106的直径的直径。举例而言,加热元件156的直径可为上表面106的直径的90-99%。

在某些示例中,压力传感器168、170可分别配置在歧管128或歧管136中以测量压力。可使用阀172和泵174以将反应物从处理室108抽空和/或控制在处理室108内的压力。

控制器176可控制由多注射器喷头140所提供的配料。控制器176还控制来自气体输送系统120的气体输送。控制器176使用阀172和泵174控制处理室中的压力和/或反应物的抽空。控制器176还设置成基于温度反馈(例如来自衬底支撑件中的一或更多传感器(未显示)、温度计算模块等等)控制衬底支撑件104以及衬底112的温度。举例而言,控制器176可包含设置成通过将功率分别提供至配置在相应的区144、148和152中的电组加热元件156来控制衬底支撑件104的温度的温度控制器178,如下文所更详细描述的。尽管显示为与控制器176整合,但在其他示例中温度控制器178可与控制器176分开。

现在参考图2,显示了衬底支撑件208的上表面204的示例性热图200。如图所示,在上表面204上的热生成是不均匀的,从而导致热nu。加热元件的热生成(即功率输出或生成)的不均匀性是加热元件的电阻不均匀性的函数。随着加热元件电阻在整个线圈的变化,功率输出(且因此热输出)随之变化。在一个示例中,整个上表面204的温度可从在第一区域212的平均509℃变化到在第二区域216的平均515℃(即6℃的差异)。整个上表面204的平均温度可为512℃。在其他示例中,温度差可能大于或小于6℃。

来自上表面204的大部分的功率损失可归属于辐射损失、从第二区域216到第一区域212在功率通量的百分比差异等等。相对低功率输出差异(例如低于5%)可对应于在对应区域212和216中在上表面204的温度方面的相对显著的差异(例如5-15℃)。

根据(p=r×i2),加热元件的功率生成(p)与加热元件的电阻r直接且线性相关,其中i为通过加热元件的电流。因此,随着在加热元件的不同区域中的电阻变化,电流(且因此功率输出)也在不同区域中变化,从而使热生成变化。加热元件的电阻的变化的原因包含但不限于:在材料中的其他缺陷或污染、电线直径的变化、电阻率变化(例如由氧化、化学性变化、电线密度上的变化等等所造成)、几何形状上的变化(例如加热器线圈的放置位置、加热元件图案的位置或形状等等)和/或基座的材料的变化(例如aln陶瓷板的厚度的变化、aln的热传导性的变化等等)。这些和其他变化可造成在加热元件的不同区域之间的电阻变化。此外,在不同基座之间在电阻上可能有额外变化。

再次参考图1a-1d,衬底支撑件104的给定区域的热生成被分布遍及配置于相应的区144、148和152的多个电阻加热元件156。举例而言,如果衬底支撑件104包含n个竖直堆叠的加热元件156且总功率p被供应至加热元件156,供应至加热元件中的每一者的功率(例如响应于来自控制器176的指令)是(l/n)*p。另外,如果在加热元件156中的一者的给定区域中的热nu是10%,则归属于该加热元件156的对应热生成nu是(l/n)*p的10%。相反,如果衬底支撑件104只包含加热元件156中的一者,则加热元件156将接收总功率p且归属于该加热元件的对应热生成nu将为p的10%。因此,通过提供n个加热元件156,将热生成nu显著降低(例如降低2/n)。

上述在热生成nu的降低会假设最佳情况,其中只有在给定区域中的加热元件156中的一者具有热nu。换句话说,2/n的理想降低可对应于只有一个加热元件156具有10%的热nu且剩余的加热器元件156各自具有0%的热nu的设置。在其他示例中,剩余的加热器元件156可具有高于0%但低于10%的热nu。在最糟的情况下,n个加热元件中的每一者会具有10%的热nu。然而,即使在最糟的情况下,整体热nu将是p的10%,或者与具有10%的热nu的只有一个加热器元件156的设置的nu相同。

以此方式,由于n个加热元件156中的每一者在给定区域中具有相同热nu的设置在统计学上是不可能的,因此,将整个衬底支撑件104的热生成nu的幅值显著地降低。

在某些示例中,n层可设置成在衬底支撑件104的不同径向区域(例如“径向区”)中具有瓦特密度偏差,以促进在衬底支撑件104的内部及外部径向区之间的功率比的控制。瓦特密度对应于加热元件功率除以有源加热的表面积。举例而言,如图1a、1c和1d中所示,衬底支撑件104可具有多个(例如两或三个)径向区,诸如内部区180-1、中间区180-2和外部区180-3,其统称为径向区180。加热元件156的相应的线圈的参数(例如间距)可在整个径向区180变化以在不同径向区180中提供不同的热生成。

在一个示例中,在区144、148和152中的第一者(例如上部区152)中的加热元件156可在外部区180-3中具有更高的瓦特密度(例如大20-40%)。举例而言,在外部区180-3中的加热元件156的线圈的间距可比在该加热元件156其他区域中的间距更大,以增加在外部区180-3中的瓦特密度偏差。相对窄的外部区180-3宽度(例如相对于衬底支撑件104的整体直径)促进在衬底112的外缘的温度的微调(例如在衬底支撑件104直径大于9.0”(228.6毫米)、9.5”(241.3毫米)、10.0”(254毫米)、10.5”(266.7毫米)等等之处)。

在这些区180中的第二者中的加热元件156(例如中间区180-2)可具有对应于衬底支撑件104的预测的热边界条件的瓦特密度。举例而言,在中间区180-2中的加热元件156的线圈的间距可根据在衬底支撑件104的表面中预测的热变化而变化。

在第三层(例如下部区144)中的加热元件可在内部区180-1中具有更高的瓦特密度(例如大20-40%)。举例而言,在内部区180-1(例如在直径小于3”或76.2毫米处)中加热元件156的线圈的间距可能比加热元件156其他区域的间距更大以增加在内部区180-1中的瓦特密度偏差。

在某些示例中,区144、148和152的一或更多加热元件156可包括两或更多可独立控制的径向区。

在某些示例中,供应至区144、148、152中的每一者的功率是(1/n)*p(即1:1:1的功率比)。换句话说,供应至这些区中的每一者的功率是相等的。在其他示例中,可对区144、148、152中的每一者供应不同功率。举例而言,功率比可以是1:1:2、2:1:1、1:2:1等等。

在一些示例中,在相应的区144、148和152中的加热元件156的线圈可能不在竖直方向上对准。举例而言,如图1a和1c中在182所示,上部区152和下部区144的加热元件156在竖直方向上对准。换句话说,区144和152的加热元件156的相应线圈在竖直方向上对准。反之,中间区148的加热元件156的线圈与区144以及152的加热元件156有偏差(不与其竖直对准)。因此,可将任何加热元件156的热nu影响进行分散。

现在参考图3,根据本公开内容的原理的示例性温度控制器300(例如对应于图1b的温度控制器178)包含:加热层控制器304、温度计算模块308、存储器312和接口316。接口316被设置成接收输入,这些输入包含,例如:来自控制器176的输入、使用者输入、衬底处理系统100的各种传感器、温度和功率反馈等等。仅举例而言,存储器312可包含诸如闪存的非挥发性存储器。

温度计算模块308基于经由接口316所接收的输入和储存在存储器312中的数据来计算温度,这些温度包含,例如:加热层/元件的相应温度、加热层中的每一者的不同区域中的温度、在整个衬底不同区域的温度等等。举例而言,存储器312可储存数据,该数据包括但不限于:表示热图200的数据;表示在加热元件的电阻、温度和功率之间的关系的数据;表示衬底支撑件104的热nu的数据;表示在衬底支撑件104的相应的径向区域中的瓦特密度偏差的数据;用于基于各种反馈测量结果计算温度的模型等等。温度计算模块308将所计算的温度值提供至加热层控制器304。

加热层控制器304被设置成接收所计算的温度值,并且因此选择性地且独立地控制加热层的相应的加热元件156。举例而言,加热层控制器304接收所计算的温度值、工艺设定点温度(例如:所期望的设定点温度、对相应时间区间和/或工艺步骤的相应设定点温度等等)和/或来自控制器176经由接口316的其他参数、以及来自存储器312的数据。工艺设定点温度可包含:针对加热元件156中的每一者的单一设定点温度和/或针对相应的元件156中的每一者的不同工艺设定点温度。加热层控制器304控制供应至加热元件156的功率,以维持和/或调整所期望的温度,并维持所期望的区比率。

图4的根据本公开内容的原理用于控制衬底支撑件的温度的示例性方法400从404处开始。在408,方法400(例如温度计算模块308)接收表示关于衬底支撑件的温度的一或更多输入。在412,方法400(例如温度计算模块308)计算关于衬底支撑件的各种温度,包含但不限于:各个加热元件的温度、在衬底支撑件的各个区域或区中的温度、以及在衬底支撑件上被处理的整个衬底的温度。温度计算模块308可以被配置成基于以下信息来计算温度:直接温度反馈(例如来自配置成测量温度的多个传感器的信号、来自衬底支撑件的中央区域中的单一温度传感器的信号等等)、对应于关于温度的其他参数(例如加热元件的电阻、供应至加热元件的功率和/或电流等等)的输入和/或测量、设置成根据各种输入计算温度的一或更多模型、和/或其组合。

在416,方法400(例如加热层控制器304)接收输入,该输入包含但不限于:计算的温度值、设定点温度、以及根据所计算的温度值以及设定点温度用于确定对各个加热层进行控制的相关数据(例如来自存储器312)。在420,方法400(例如加热层控制器304)根据以下信息来控制供应至各个加热层的功率:所计算的温度值、设定点温度、供应至各个加热层的功率的所期望的关系(例如比率)、在衬底支撑件的内部及外部径向区之间的功率比和/或在加热层中的每一者的不同区域中的相应的瓦特偏差密度。

例如,如果衬底支撑件104包含n个竖直堆叠的加热元件156,且将总功率p供应至加热元件156,则加热层控制器可根据(1/n)*p将功率供应至加热元件156中的每一者,其中p是根据所计算的温度值和设定点温度所计算。换言之,p可以对应于实现设定点温度所需的总功率,且将该功率的均等部分供应至n个加热元件156中的每一者。在其他示例中,可将总功率p的不同部分供应至加热元件156中的不同的加热元件。在一些示例中,加热层控制器304实现被设置成控制加热层的控制循环(例如pid循环)以维持所期望的温度,如上文所述。方法400在424结束。

前面的描述本质上仅仅是说明性的,并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此,虽然本公开包括特定示例,但是本公开的真实范围不应当被如此限制,因为在研究附图、说明书和所附权利要求时,其他修改将变得显而易见。应当理解,在不改变本公开的原理的情况下,方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外,虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征,但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个,可以在任何其他实施方案的特征中实现和/或与任何其他实施方案的特征组合,即使该组合没有明确描述。换句话说,所描述的实施方案不是相互排斥的,并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。

使用各种术语来描述元件之间(例如,模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系,各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”,否则在上述公开中描述这种关系时,该关系可以是直接关系,其中在第一和第二元件之间不存在其他中间元件,但是也可以是间接关系,其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的,短语“a、b和c中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(or)的逻辑(a或b或c),并且不应被解释为表示“a中的至少一个、b中的至少一个和c中的至少一个”。

在一些实现方式中,控制器是系统的一部分,该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备,半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”,其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型,控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺,包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(rf)产生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。

概括地说,控制器可以定义为电子器件,电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如,软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令,单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方案中,操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分,以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。

在一些实现方式中,控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其他方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如,控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分,其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准,改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。在一些示例中,远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面,然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中,控制器接收数据形式的指令,其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解,参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型,控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此,如上所述,控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路,其组合以控制在室上的工艺。

示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其他半导体处理系统。

如上所述,根据将由工具执行的一个或多个处理步骤,控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其他工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。

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