本实用新型涉及一种封装结构,属于半导体封装技术领域。
背景技术:
随着5g通讯的商用以及物联网的高速发展,sip封装中采用溅渡金属层形成屏蔽结构,产品其emc的设计要求越来越苛刻,而sip模组中基板端侧壁接地结构是阻碍屏蔽效果的障碍。现有sip模组产品需要通过屏蔽层与基板侧壁上的接地端接触,形成一个单独的屏蔽腔体,以防止产品自身信号对其他芯片的干扰,亦防止其他电磁信号对自身的影响。
sip模组中屏蔽罩仅能防护基板表面器件,对于基板侧面及基板底面的泄露无能为力,而现有的溅射产品由于接地效能不良亦会导致屏蔽效果不佳等问题,实际商用推广并不理想。为使得屏蔽效果更加优良,要求基板侧壁接地端更多的露出,现有sip模组侧壁露出的叠层结构采用接地层加金属柱加接地层的结构,由于生产工艺的限制,普通基板设计金属柱之间需要有一定间距,该设计就会导致基板侧壁金属柱间存在间隙,导致信号泄漏。若改成其他设计增加基板侧壁露铜量会使得切割应力增大,基板侧壁中层间金属和通孔形变导致基板侧壁存在分层,严重影响产品品质。
技术实现要素:
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种封装结构,其通过阶梯式结构可将基板侧壁接地露铜面积提高至90%以上,减少电磁信号透过基板侧壁的泄漏,提高封装结构的整体屏蔽效果。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种封装结构,它包括基板,所述基板上贴装有若干电子元件,所述电子元件外围包封有塑封料,所述塑封料表面覆盖有屏蔽层,所述基板整体呈自上而下依次内缩的多级阶梯式结构。
可选的,所述基板包括自上而下依次布置的多级阶梯,其中奇数级阶梯外侧设置有层间接地层,偶数级阶梯外侧设置有金属柱层,相邻两个层间接地层之间通过金属柱层相连接,所述屏蔽层延伸至第一级阶梯上层间接地层的外侧面。
可选的,第二级阶梯上的金属柱层距离切割道至少50um。
可选的,下一级阶梯的层间接地层外侧面与上一级阶梯的金属柱层外侧面齐平。
可选的,下一级阶梯的层间接地层外侧面相对于上一级阶梯的金属柱层外侧面向产品中心内偏移。
可选的,下一级阶梯的层间接地层外侧面相对于上一级阶梯的金属柱层外侧面内缩不超过25um。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:
本实用新型一种封装结构,其通过阶梯式结构可将基板侧壁接地露铜面积提高至90%以上,减少电磁信号透过基板侧壁的泄漏,提高封装结构的整体屏蔽效果。
附图说明
图1为本实用新型一种封装结构的示意图。
其中:
基板1
多级阶梯11
层间接地层12
金属柱层13
电子元件2
塑封料3
屏蔽层4。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1所示,本实用新型涉及的一种封装结构,它包括基板1,所述基板1上贴装有若干电子元件2,所述电子元件2外围包封有塑封料3,所述塑封料3表面覆盖有屏蔽层4,所述基板1整体呈自上而下依次内缩的多级阶梯式结构;
所述基板1包括自上而下依次布置的多级阶梯11,其中奇数级阶梯11外侧设置有层间接地层12,偶数级阶梯11外侧设置有金属柱层13,相邻两个层间接地层12之间通过金属柱层13相连接,所述屏蔽层4延伸至第一级阶梯11上层间接地层12的外侧面;
第二级阶梯11上的金属柱层13距离切割道(产品侧壁)至少50um,确保切割时切割刀片不接触到该金属柱层13;
下一级阶梯的层间接地层12外侧面与上一级阶梯的金属柱层13外侧面齐平或向产品中心内偏移;
下一级阶梯的层间接地层12外侧面相对于上一级阶梯的金属柱层13外侧面内缩不超过25um。
上述实施例外,本实用新型还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
1.一种封装结构,其特征在于:它包括基板(1),所述基板(1)上贴装有若干电子元件(2),所述电子元件(2)外围包封有塑封料(3),所述塑封料(3)表面覆盖有屏蔽层(4),所述基板(1)整体呈自上而下依次内缩的多级阶梯式结构。
2.根据权利要求1所述的一种封装结构,其特征在于:所述基板(1)包括自上而下依次布置的多级阶梯(11),其中奇数级阶梯(11)外侧设置有层间接地层(12),偶数级阶梯(11)外侧设置有金属柱层(13),相邻两个层间接地层(12)之间通过金属柱层(13)相连接,所述屏蔽层(4)延伸至第一级阶梯(11)上层间接地层(12)的外侧面。
3.根据权利要求2所述的一种封装结构,其特征在于:下一级阶梯的层间接地层(12)外侧面与上一级阶梯的金属柱层(13)外侧面齐平。
4.根据权利要求2所述的一种封装结构,其特征在于:下一级阶梯的层间接地层(12)外侧面相对于上一级阶梯的金属柱层(13)外侧面向产品中心内偏移。
5.根据权利要求4所述的一种封装结构,其特征在于:下一级阶梯的层间接地层(12)外侧面相对于上一级阶梯的金属柱层(13)外侧面内缩距离小于25um。