一种适用于150um金带焊接的芯片电容器的制作方法

本申请涉及电子产品技术领域，具体而言，涉及一种适用于150um金带焊接的芯片电容器。

背景技术：

随着微波电路集成化不断提高，要求元件的体积越来越小，相应的，元件焊接区域面积也越来越小，为了保证在较小的焊接区域内元件连接的可靠性，元器件之间越来越多的采用金带焊接的方式来替代金丝键合进行元件连接。但是对于现在的芯片电容器，主要适用于金丝键合，当使用金带进行元件连接后，存在以下问题，1：芯片电容器的电极层不能有效地阻挡金带焊接时压力及能量冲击，导致电极层下瓷体介质体损伤；2：电极层与陶瓷介质体结合力不足，导致使用金带焊接时电极层剥离。

技术实现要素：

本申请的目的在于提供一种适用于150μm金带焊接芯片电容器，用以解决上述问题。

本申请的实施例通过以下技术方案实现：一种适用于150um金带焊接的芯片电容器，包括陶瓷介质，陶瓷介质的表面设有活化层；电极层，电极层包括端电极层、阻挡电极层和粘接电极层。

进一步的，活化层包括高温加热层和射频等离子清洗层。

进一步的，端电极层的厚度≥4.0μm，端电极层材料为纯金且纯度≥99.99％；阻挡电极层的厚度为0.5～1.0μm，阻挡电极层材料为铂且铂纯度≥99.99％；粘接电极层的厚度为0.05～0.20μm，粘接电极层材料为钛钨且钛钨合金纯度≥99.99％。

进一步的，电极层包括上电极层和下电极层，上电极层设置于陶瓷介质的上表面，下电极层设置于陶瓷电极的下表面，上电极层和下电极层都由端电极层、阻挡电极层和粘接电极层组成，上电极层上设有若干环状凸起，下电极设有若干环状凹陷，环状凸起和环状凹陷一一对应设置。

进一步的，环状凸起和环状凹陷的横街面都呈弧形设置，且两者横截面弧形一致。

进一步的，还设有伞裙，伞裙设置于上电极层和下电极层的环侧，伞裙为若干缺口。

进一步的，伞裙包括若干环状缺口，环状缺口的边缘设有圆角。

进一步的，伞裙包括若干多边形缺口，多边形切口的边缘设有圆角。

进一步的，还设有内电极层，内电极层设置于陶瓷介质内。

进一步的，电极层上设有豁口，豁口设置于所述内电极层的竖直上方，豁口贯穿所述电极层。

本申请实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果：

1：通过对陶瓷介质体表面进行活化处理，增加了陶瓷介质体表面吸附性，增强了陶瓷介质体与电极层的结合力。

2：通过在端电极层、阻挡电极层与陶瓷介质体之间增加粘接电极层，增加了电极层与陶瓷介质体的连接强度。

3：通过在端电极层与陶瓷介质体之间增加致密度较高的阻挡电极层，增强了电极层对焊接时压力及超声能量的阻挡能力，避免了陶瓷介质体的损伤，提高了元件焊接的可靠性。

4：将端金电极层的厚度改为大于等于4μm，增加了与150μm金带的焊接强度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例1提供的一种适用于150um金带焊接的芯片电容器的结构示意图；

图2为本申请实施例1提供的一种适用于150um金带焊接的芯片电容器中电极层的结构示意图；

图3为本申请实施例1提供的一种适用于150um金带焊接的芯片电容器中电极层中内电极层的结构示意图；

图4为本申请实施例2提供的一种适用于150um金带焊接的芯片电容器的结构示意图；

图标：10-陶瓷介质，20-电极层，21-活化层，22-粘接电极层，23-阻挡电极层，24-端电极层，30-内电极层，40-伞裙，50-环状凸起。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本申请的描述中，需要说明的是，若出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

实施例一

一种适用于150um金带焊接的芯片电容器，包括陶瓷介质10和电极层20。

陶瓷介质10的表面设有活化层21，具体的，在本实施例中，活化层21包括高温加热层和射频等离子清洗层，其中陶瓷介质10体表面高温处理增加陶瓷介质10体表面活化能，处理温度为陶瓷介质10体表面液相温度；陶瓷介质10体表面射频(微波)等离子清洗，活化离子为等离子体的“活性”组成分离子、电子、原子、活性基团等；通过设置活化层21来增加了陶瓷介质10体表面吸附性，增强了陶瓷介质10体与电极层20的结合力。

电极层20包括端电极层24、阻挡电极层23和粘接电极层22；其中端电极层24的厚度≥4.0μm，端电极层24材料为纯金且纯度≥99.99％；阻挡电极层23的厚度为0.5～1.0μm，阻挡电极层23材料为铂且铂纯度≥99.99％；粘接电极层22的厚度为0.05～0.20μm，粘接电极层22材料为钛钨且钛钨合金纯度≥99.99％；通过在端电极层24、阻挡电极层23与陶瓷介质10体之间增加粘接电极层22，增加了电极层20与陶瓷介质10体的连接强度；并且通过在端电极层24与陶瓷介质10体之间增加致密度较高的阻挡电极层23，增强了电极层20对焊接时压力及超声能量的阻挡能力，避免了陶瓷介质10体的损伤，提高了元件焊接的可靠性；再者将端金电极层20的厚度改为大于等于4μm，增加了与150μm金带的焊接强度。

对上述设定，分别对9个待测位置进行了三次试验，结果如下：

通过上述试验可知，本实施例满足150μm金带的焊接要求。

还需要说明的是，在一些实施例中，还设有内电极层30来提供三个接口，如图3所示，电极层包括上设有豁口，豁口设置于内电极层的竖直上方，豁口贯穿电极层，此时，陶瓷介质下方的电极层用以安装，豁口两侧的电极层配合内电极层实现三个通路，并且左侧电极层和内电极层形成一个电容，右侧电极层和内电极层形成一个电容。

实施例二

在本实施例中，主要结构和实施例一致，区别点在于，电极层20包括上电极层20和下电极层20，上电极层20设置于陶瓷介质10的上表面，下电极层20设置于陶瓷电极的下表面，上电极层20和下电极层20都由端电极层24、阻挡电极层23和粘接电极层22组成，上电极层20上设有若干环状凸起50，下电极设有若干环状凹陷，环状凸起50和环状凹陷一一对应设置，并且环状凸起50和所述环状凹陷的横街面都呈弧形设置，且两者横截面弧形一致。

此种设定的目的在于利用上下端面的起伏结构来增加了表面，从而提高了带电量，和电容电量。

需要说明的是，在本实施例中为了避免尖端效应，在拐角处都应设置圆角或者弧形结构。

利用活化层21和粘接电极层22增加了电极层20和陶瓷介质10之间的结合强度，进一步的提高了了环状凸起50和环状凹陷中结合强度，增加了使用寿命。

在一些实施例中，还设有伞裙40，伞裙40设置于上电极层20和下电极层20的环侧，伞裙40为若干缺口；利用伞裙40的设置增加了电机边缘长度，避免了电源击穿的情况，提高了使用寿命。另一方面，配合环状凸起50和环状凹陷的设置，能进一步增加电容和耐压强度。

其中，伞裙40的缺口包括但不限于以下两种，其一，伞裙40包括若干环状缺口，环状缺口的边缘设有圆角；其二，伞裙40包括若干多边形缺口，多边形切口的边缘设有圆角。

以上仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。