等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环的制作方法

本实用新型属于等离子刻蚀技术领域，具体涉及一种等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环。

背景技术：

等离子体处理装置，通常将反应气体引入到反应腔内生成等离子体，用来对反应腔内放置的晶圆进行等离子沉积、蚀刻等处理。

由于长期处于等离子刻蚀环境中，反应腔内环绕基座的边缘环随着刻蚀时间的增加也会被逐渐侵蚀，因而需要定期对边缘环进行更换。现有的维护方法需要打开等离子体处理装置的反应腔室、通过人工手动更换边缘环，该过程消耗大量的人力和时间，降低了设备工作效率、提高了设备使用成本。

技术实现要素：

本实用新型提供了一种等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环，能够通过末端执行器运载边缘环进出反应腔，无需打开等离子体处理装置的反应腔室，而能够实现对边缘环的更换。

为了实现上述目的，本实用新型的一个技术方案是提供一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包含：

反应腔，所述反应腔的腔壁设有开口；

基座，位于所述反应腔内，用于承载晶圆；

边缘环，在所述反应腔内环绕所述基座设置；所述边缘环设有容纳部；

末端执行器，穿过所述反应腔腔壁的开口进出所述反应腔；所述末端执行器包括晶圆承载部和边缘环承载部；所述晶圆承载部包含晶圆承载面，通过所述晶圆承载面运载晶圆进出所述反应腔；所述边缘环承载部包含边缘环承载面，通过所述边缘环承载面与所述边缘环的容纳部配合，运载所述边缘环进出所述反应腔。

可选地，所述边缘环承载部位于所述晶圆承载部的两侧。

可选地，当所述末端执行器在水平方向进出反应腔时，所述晶圆承载面不低于所述边缘环承载面。

可选地，所述末端执行器同时运载所述晶圆和所述边缘环进出所述反应腔。

可选地，所述末端执行器运载所述晶圆或所述边缘环进出所述反应腔。

可选地，所述边缘环承载部穿入所述边缘环的容纳部，所述边缘环承载面对所述边缘环进行承载。

可选地，所述边缘环承载部与所述边缘环上相应地设有定位机构，包含：

所述边缘环承载面设有定位销，所述容纳部内壁上对应定位销的位置开设有定位槽；

或者，所述容纳部内壁设有定位销，所述边缘环承载面上对应定位销的位置开设有定位槽；

或者，所述边缘环和所述边缘环承载部内部设有磁铁，且至少所述边缘环或所述边缘环承载部内的磁铁为电磁铁，通过电流通断控制电磁铁的磁性有无，实现所述边缘环的取放。

可选地，所述末端执行器通过升高或降低在不同的高度进出所述反应腔。

可选地，所述边缘环为聚焦环。

本实用新型的另一个技术方案是提供了一种末端执行器，适用于上述任意一种所述等离子体处理装置；所述末端执行器包括执行器本体，所述执行器本体与外部机械手臂配合，通过所述机械手臂驱动所述末端执行器，其特征在于，

所述末端执行器还包括晶圆承载部和边缘环承载部；

所述晶圆承载部包含晶圆承载面，通过所述晶圆承载面运载晶圆进出所述处理装置反应腔；

所述边缘环承载部包含边缘环承载面，通过所述边缘环承载面与边缘环的容纳部配合，运载所述边缘环进出所述处理装置反应腔。

可选地，所述晶圆承载部设置于所述执行器本体远离机械手臂的一端，所述晶圆承载部的两侧分别设置有所述边缘环承载部。

可选地，所述边缘环承载部上设有第一定位机构，与所述边缘环上相应的定位机构配合，在取放所述边缘环时进行定位。

可选地，所述第一定位机构包含：设置于所述边缘环承载面的定位销或定位槽，或设置于所述边缘环承载部内的磁铁。

本实用新型的另一个技术方案是提供了一种边缘环，其在上述任意一种所述等离子体处理装置的反应腔内，环绕基座设置；所述边缘环设有容纳部；所述处理装置的末端执行器将边缘环承载部穿入所述边缘环的容纳部，通过边缘环承载面与所述边缘环的容纳部配合，运载所述边缘环进出所述处理装置的反应腔。

可选地，所述容纳部为环形凹槽，或非连续凹槽或通孔。

可选地，所述容纳部开设在所述边缘环的外壁上；

或者，所述容纳部设置于第二凸台，所述第二凸台位于所述边缘环的顶面；

或者，所述容纳部位于一遮盖环与第一凸台之间，所述遮盖环在所述第一凸台下方、环绕所述边缘环设置；所述第一凸台位于所述边缘环外壁。

可选地，所述边缘环上设有第二定位机构，与所述边缘环承载部上相应的定位机构配合，在取放所述边缘环时进行定位。

可选地，所述定位机构包含：设置于所述容纳部内壁上的定位销或定位槽，或设置于所述边缘环内的磁铁。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

所述等离子体处理装置中的末端执行器能够同时运载晶圆和边缘环进出反应腔，也能够单独运载晶圆进出反应腔进行传片，或单独运载边缘环进出反应腔进行边缘环更换；所述等离子体处理装置中的边缘环设有容纳部，通过与所述末端执行器配合，实现在不打开反应腔的情况下更换所述边缘环，显著地提高了设备工作效率，节省了大量的人力和时间，有效地降低了设备的使用成本。

附图说明

图1为电感耦合型等离子体处理装置的纵剖视图；

图2为聚焦环在等离子体处理装置中的局部放大图；

图3为实施例一中开设有凹槽的聚焦环在等离子体处理装置中的局部放大图；

图4为实施例一中开设有凹槽的聚焦环与末端执行器配合的俯视图；

图5为实施例一中开设有通孔的聚焦环在等离子体处理装置中的局部放大图；

图6为实施例二中设有第一凸台的聚焦环在等离子体处理装置中的局部放大图；

图7为实施例三中设有第二凸台的聚焦环在等离子体处理装置中的局部放大图；

图8为实施例四中所述末端执行器的结构示意图；

图9为实施例四中所述末端执行器在等离子体处理装置中的俯视图；

图10为图9的纵剖视图；

图11为图10的局部放大图；

图12为实施例五中所述末端执行器的结构示意图；

图13为实施例五中所述末端执行器在等离子体处理装置中的俯视图；

图14为图13的纵剖视图；

图15为实施例六中所述末端执行器的结构示意图；

图16为实施例六中所述末端执行器在等离子体处理装置中的俯视图；

图17为图16的纵剖视图；

图18为设有定位机构的末端执行器与聚焦环配合结构示意图。

具体实施方式

配合参见图1所示，本实用新型提供的等离子体处理装置，设有真空的反应腔100；该反应腔的腔壁150上开设有开口，末端执行器400在外部机械手臂(图中未显示)的驱动下穿过该开口进出反应腔100；在反应腔100内，腔底位置上设置有一基座200，用来支撑固定待处理的晶圆；环绕所述基座设有至少一边缘环，用于调节晶圆边缘区域的温度、气流或等离子体的分布，具有提高等离子体处理装置晶圆处理性能的作用。边缘环包括聚焦环、遮盖环、隔离环中的至少一个。下文以聚焦环为例进行说明。

本实用新型提供的等离子体处理装置可以是电感耦合型等离子体处理装置(icp装置)，也可以是电容耦合型等离子体处理装置(ccp装置)，本文以icp装置为具体实施例，对本实用新型装置进行详细的说明介绍。具体的，如图1所示，真空反应腔100的腔壁150上开设有一开口，末端执行器400穿过该开口进出反应腔；所述真空反应腔100内，其底部位置上设置有一基座200，用来支撑固定待处理的晶圆；基座200四周环绕设置有聚焦环300；反应腔腔壁150上端设置有一绝缘窗500，绝缘窗500上方设置有电感耦合线圈550；反应腔腔壁150上端或绝缘窗500中心位置开设有气体注入口600，用以将反应气体注入真空反应腔100中。将射频功率源的射频电压施加到电感耦合线圈550上，电感耦合线圈550在反应腔内耦合产生交变电场，使反应气体激发产生等离子体；所述反应腔腔壁150内侧设有内衬650，用以保护反应腔壁150不被等离子体腐蚀。等离子体中的活性粒子在待处理晶圆表面发生物理和化学反应，改变晶圆表面的形貌、完成刻蚀过程。

图2为聚焦环在等离子体处理装置中的局部放大图。如图2所示，所述聚焦环300下方设置有下接地环700和屏蔽环750；其中，所述下接地环700用于在反应腔内形成射频接地回路；所述屏蔽环750用于将施加到基座200上的射频信号屏蔽在基座内；所述聚焦环300外侧环绕设置有遮盖环800。

为了实现在不打开反应腔的情况下、自动更换聚焦环，提高设备工作效率，本实用新型提供的等离子体处理装置中，所述末端执行器400包括晶圆承载部和聚焦环承载部；所述末端执行器400通过晶圆承载部携载晶圆沿水平方向进出反应腔100，通过聚焦环承载部在竖直方向提起聚焦环、并沿水平方向进入或退出反应腔100后卸下聚焦环。所述聚焦环承载部设置于所述晶圆承载部的两侧；所述晶圆承载部进一步包含晶圆承载面，用来承载晶圆；所述聚焦环承载部进一步包含聚焦环承载面，用来承载所述聚焦环300；所述晶圆承载面不低于所述聚焦环承载面。所述聚焦环300设置有容纳部，用来与所述聚焦环承载部配合，具体的，所述聚焦环承载部穿入容纳部中，通过聚焦环承载面承载所述聚焦环300。所述容纳部可以为环形凹槽结构，或非连续凹槽结构，或通孔结构，但不限于此，特此说明。

下文以本实用新型提供的等离子体处理装置中的聚焦环为实施例，对其容纳部的设置进行详细说明介绍。

实施例一

图3为实施例一中开设有凹槽的聚焦环在等离子体处理装置中的局部放大图。如图3所示，所述聚焦环310环绕基座200设置，所述聚焦环310下方设置有下接地环700和屏蔽环750；其中，所述下接地环700用于在反应腔内形成射频接地回路；所述屏蔽环750用于将施加到基座200上的射频信号屏蔽在基座内；所述聚焦环300外侧环绕设置有遮盖环800。

如图3所示，本实施例中所述聚焦环310的外壁上开设有环形凹槽作为容纳部311；所述末端执行器包括边缘环承载部，本实施例中为聚焦环承载部a，水平移动，并穿入环形凹槽中，所述聚焦环承载部a位于聚焦环310两侧，如图4所示，在外部机械手臂850的驱动下所述末端执行器400升高，从而将所述聚焦环310提起(如图3中箭头所示方向)，使所述聚焦环310随所述末端执行器400移动。图4为实施例一中开设有凹槽的聚焦环与末端执行器配合的俯视图。

或者，在所述聚焦环310两侧外壁上分别开设一段凹槽作为容纳部311，该段凹槽沿聚焦环壁面圆周方向设置；所述聚焦环承载部a，水平移动，并穿入对应的凹槽段中，所述聚焦环承载部位于聚焦环310两侧，实现所述聚焦环与末端执行器的配合。两侧开设凹槽段作为容纳部311的聚焦环310，其与末端执行器配合的俯视图，亦如图4所示。

本实施例中所述聚焦环310，还可以在其两侧腔壁上分别开设通孔作为容纳部311，该通孔水平设置，与所述末端执行器的水平移动方向相对应，所述聚焦环承载部a，水平移动，并穿入对应的通孔中，如图5所示；所述聚焦环承载部a位于聚焦环310两侧，实现所述聚焦环与末端执行器的配合。图5为实施例一中开设有通孔的聚焦环在等离子体处理装置中的局部放大图。

实施例二

图6为实施例二中设有第一凸台的聚焦环在等离子体处理装置中的局部放大图。如图6所示，本实施例中所述聚焦环320的环体外壁上设置环形的第一凸台322，第一凸台322伸出聚焦环环体外壁，且位于遮盖环800上方，第一凸台322与所述遮盖环800之间形成环形间隙作为容纳部321；所述聚焦环承载部a水平移动，并穿入该环形间隙中；所述聚焦环承载部a位于聚焦环320两侧，在外部机械手臂850的驱动下所述末端执行器400升高，从而将所述聚焦环320提起(如图6中箭头所示方向)，使所述聚焦环320随所述末端执行器400移动，实现所述聚焦环与末端执行器的配合。

或者，在所述聚焦环320的两侧外壁上分别设置一段第一凸台322，与所述遮盖环800之间形成两段间隙作为容纳部321，所述聚焦环承载部a水平移动，并穿入对应的间隙中，实现所述聚焦环与末端执行器的配合，如图6所示。

结合实施例一和实施例二，本实用新型中实施例一中，作为容纳部的凹槽还可以开设在第一凸台的外壁上。

实施例三

图7为实施例三中设有第二凸台的聚焦环在等离子体处理装置中的局部放大图。如图7所示，本实施例中所述聚焦环330的环体顶面设置有两个第二凸台332，两个第二凸台332分布于聚焦环330两侧(图7为其中一侧结构放大图)，每个第二凸台332上开设有通孔，该通孔沿水平方向设置，对应于所述末端执行器的水平移动方向；所述聚焦环承载部a，水平移动，并穿入对应的通孔中，在外部机械手臂的驱动下所述末端执行器400升高，从而将所述聚焦环330提起(如图中箭头所示方向)，使所述聚焦环330随所述末端执行器400移动，实现所述聚焦环与末端执行器的配合。

下文以本实用新型提供的等离子体处理装置中的末端执行器为实施例，对其聚焦环承载部结构进行详细说明介绍。

实施例四

图8为实施例四中所述末端执行器的结构示意图。如图8所示，本实施例中所述末端执行器410包含执行器本体411，所述执行器本体411一端与外部机械手臂连接，通过所述机械手臂驱动所述末端执行器。

所述末端执行器410还包含晶圆承载部412；所述晶圆承载部412设置于执行器本体411远离机械手臂的一端，以其上表面作为晶圆承载面α1用来承载晶圆，如图8所示。

所述末端执行器410还包含聚焦环承载部413，所述聚焦环承载部413设置于所述晶圆承载部412两侧。所述聚焦环承载部413进一步包含嵌入件4130和连接件4131；所述嵌入件4130用来穿入聚焦环300的容纳部中，本实施例中嵌入件4130的上表面为所述聚焦环承载面β1用来承载聚焦环；所述连接件4131用来连接嵌入件4130和所述晶圆承载部412。

本实施例的聚焦环承载部413中，所述连接件4131前部和嵌入件4130形成类似凹槽结构，两侧的聚焦环承载部413槽口相对设置；所述凹槽结构的上槽壁和侧壁属于所述连接件4131，且连接件4131的后部是上槽壁的延伸段，该延伸段连接晶圆承载部412的一端曲臂型设计，使聚焦环承载部413伸出晶圆承载部412、分布在所述晶圆承载部412两侧；所述凹槽结构的下槽壁作为所述嵌入件4130，所述聚焦环承载面β1低于所述晶圆承载面α1，所述末端执行器410适用于电感耦合型等离子体处理装置(icp装置)中取放晶圆和/或聚焦环，或电容耦合型等离子体处理装置(ccp装置)中取放晶圆和/或聚焦环。

在icp装置或ccp装置中，本实施例中的末端执行器410用于更换实施例一中开设凹槽作为容纳部的聚焦环310或实施例二中所述设置第一凸台与遮盖环形成间隙作为容纳部的聚焦环320；图9为实施例四中所述末端执行器在等离子体处理装置中的俯视图，取放晶圆900时，晶圆900置于末端执行器410的上表面；图10为图9中a-a方向的剖视图，即纵剖视图，晶圆900通过顶针950的升起或降落完成在末端执行器410与基座200之间的转移(下文详述)；图11为图10的局部放大图。

实施例五

本实用新型对连接件的具体结构不做限制，实际应用中可根据需要进行调整。

图12为实施例五中所述末端执行器的结构示意图。如图12所示，本实施例中所述末端执行器420包含执行器本体421、晶圆承载部422以及聚焦环承载部423；所述晶圆承载部422以其上表面为晶圆承载面α2用来承载晶圆。

所述聚焦环承载部423包含嵌入件4230和连接件4231；所述嵌入件4230用来穿入聚焦环300的容纳部中，所示嵌入件4230以其上表面为所述聚焦环承载面β2用来承载聚焦环，如图12所示。

所述连接件4231为l型，其上板与所述晶圆承载部422连接，侧板向下，与所述嵌入件4230连接，所述聚焦环承载面β2低于所述晶圆承载面α1，所述末端执行器420适用于电感耦合型等离子体处理装置(icp装置)中取放晶圆和/或聚焦环，或电容耦合型等离子体处理装置(ccp装置)中取放晶圆和/或聚焦环。

在icp装置或ccp装置中，本实施例中的末端执行器420用于更换实施例一中开设凹槽作为容纳部的聚焦环310或实施例二中所述设置第一凸台与遮盖环形成间隙作为容纳部的聚焦环320；图13为实施例五中所述末端执行器在等离子体处理装置中的俯视图；图14为图13的纵剖视图。

实施例六

图15为实施例六中所述末端执行器的结构示意图，相对应实施例四，本实施所述末端执行器对晶圆承载部和聚焦环承载部进行了调整。如图15所示，本实施例中所述末端执行器430的执行器本体431，其一端与外部机械手臂连接，通过所述机械手臂驱动所述末端执行器；所述执行器本体431的另一端与晶圆承载部432连接。

所述晶圆承载部432为l型，包含第一部分4320和第二部分4321。第一部分4320，其上表面为晶圆承载面α3，用来承载晶圆，如图15所示。第一部分4320和所述执行器本体431通过第二部分4321连接。

聚焦环承载部433，其连接执行器本体431后部曲臂型设计，用来使聚焦环承载部433伸出执行器本体、分布于所述晶圆承载部432两侧；其前部长条型设计，用来穿入聚焦环容纳部；所述聚焦环承载部433前部，其上表面为聚焦环承载面β3，用来承载聚焦环。

本实施例中，第二部分4321可以竖直向上设置，也可以斜向上设置，第一部分4320连接于第二部分4321的上端，所述执行器本体431连接于第二部分4321的下端，第一部分4320高于所述执行器本体431，进而所述晶圆承载面α3高于所述聚焦环承载面β3，所述末端执行器430适用于电感耦合型等离子体处理装置(icp装置)中取放晶圆和/或聚焦环，或电容耦合型等离子体处理装置(ccp装置)中取放晶圆和/或聚焦环。

本实施例中，所述聚焦环承载部433，其前部长条型设计，提高了末端执行器与聚焦环的匹配能力，适用范围广。在icp装置或ccp装置中，本实施例中的末端执行器410可用于更换实施例一、二、三中所述的任意一种聚焦环；图16为实施例六中所述末端执行器在等离子体处理装置中的俯视图；

图17为图16的纵剖视图。

以上是对本实用新型提供的等离子体处理装置中的聚焦环和末端执行器结构的具体介绍。本实用新型中，所述聚焦环300和末端执行器400还相应地设有定位机构，用来方便所述末端执行器定位，具体的，如图18所示，在所述聚焦环承载面设有定位销1000，所述容纳部内壁上对应定位销的位置开设有定位槽(图中未显示)；或者，所述容纳部内壁设有定位销1000，所述聚焦环承载面上对应定位销的位置开设有定位槽；或者，所述边缘环内部设有磁铁，所述边缘环承载部内部相应位置设有电磁铁，电磁铁通电时具有磁性，与磁铁吸合，所述边缘环承载部将所述边缘环取起，电磁铁断电时磁性消失，与磁铁分离，所述边缘环承载部将所述边缘环放下；同样的，所述边缘环内部设电磁铁，所述边缘环承载部内部相应位置设磁铁也能实现上述效果。图18为设有定位机构的末端执行器与聚焦环配合结构示意图。

本实用新型提供的等离子体处理装置处理晶圆过程中，其设置的末端执行器400对晶圆900的取放方法如下：

将晶圆900放入所述反应腔100的过程包含：通过外壁机械手臂调整所述末端执行器400的高度，使所述末端执行器400进入反应腔100时，晶圆承载部将位于基座200上方，且聚焦环承载部能够水平穿入所述聚焦环的容纳部；将晶圆900置于晶圆承载面上，所述末端执行器400携载晶圆900，沿水平方向穿过所述反应腔腔壁150上的开口、进入所述反应腔100；所述聚焦环承载部穿入所述聚焦环的容纳部，顶针950升起、从所述晶圆承载面上顶起所述晶圆900；所述末端执行器400沿水平方向后退，使所述聚焦环承载部退出所述聚焦环容纳部，所述末端执行器400退出所述反应腔100；所述顶针950下降，将所述晶圆900放置到所述基座200上，所述末端执行器400将晶圆900放入所述处理装置。

将晶圆900取出所述反应腔100的过程包含：在所述反应腔100内，所述顶针950升起，从而将所述基座200上的晶圆900顶起；通过外壁机械手臂调整所述末端执行器400的高度，使所述末端执行器400进入反应腔100时，晶圆承载部将位于基座200与被顶起的晶圆900之间，聚焦环承载部能够水平穿入所述聚焦环的容纳部；所述末端执行器400沿水平方向穿过所述反应腔腔壁150上的开口、进入所述反应腔100，所述末端执行器400的聚焦环承载部穿入所述聚焦环的容纳部，所述晶圆承载面位于被顶针顶起的晶圆900下方，降下所述顶针950、所述晶圆900落在所述晶圆承载面上；所述末端执行器400沿水平方向后退，所述聚焦环承载部退出所述聚焦环容纳部，所述末端执行器400携载所述晶圆900退出所述反应腔100，所述末端执行器400将晶圆900取出所述处理装置。

通过所述末端执行器400将晶圆900送入所述处理装置的反应腔100内，并在所述反应腔100内对所述晶圆900进行等离子体处理；监测所述反应腔内聚焦环300对所述晶圆900处理结果的影响，或监测聚焦环300被侵蚀后的几何尺寸变化程度，判断是否更换所述聚焦环300；如果所述晶圆900处理结果良好或聚焦环300的几何尺寸变化微小，则暂不需要更换聚焦环300；如果所述晶圆900处理结果不符合要求或聚焦环300的几何尺寸变化明显，则需要及时更换聚焦环300。

本实用新型提供的等离子体处理装置，其设置的末端执行器400与聚焦环300相匹配，能够对聚焦环300进行更换，而无需打开反应腔；其设置的末端执行器400对所述聚焦环300的更换方法如下：

将聚焦环300取出所述反应腔100的过程包含：外部机械手臂调整所述末端执行器400的高度，使所述末端执行器400进入反应腔100时，聚焦环承载部能够水平穿入所述聚焦环的容纳部；所述末端执行器400水平穿过所述反应腔腔壁150上的开口、进入所述反应腔100，所述聚焦环承载部穿入所述聚焦环的容纳部；所述末端执行器400升高，使所述聚焦环承载面承载所述聚焦环、将所述聚焦环提起，所述聚焦环300位于所述基座200的上表面上方；所述末端执行器400携载所述聚焦环300沿水平方向穿过所述反应腔壁150上的开口、退出所述反应腔100，所述末端执行器400将所述聚焦环300取出所述处理装置。

将聚焦环300放入所述反应腔100的过程包含：外壁机械手臂调整所述末端执行器400的高度，使所述末端执行器400进入反应腔100时，所携载聚焦环300能够位于所述基座200的上表面上方；所述聚焦环承载部穿入所述聚焦环的容纳部中，末端执行器400携载所述聚焦环沿水平方向穿过所述反应腔壁150上的开口、进入所述反应腔100；所述末端执行器100降低，将所述聚焦环300放到环绕所述基座外围的位置；所述末端执行器400沿水平方向后退，所述聚焦环承载部退出所述聚焦环容纳部、所述末端执行器400退出所述反应腔100，所述末端执行器400将所述聚焦环300放入所述处理装置。

本实用新型提供的等离子体处理装置，其设置的与聚焦环300相匹配的末端执行器400，可以单独取放晶圆或聚焦环，且还能够同时将聚焦环300和晶圆900取出或放入所述处理装置，而无需打开反应腔；其设置的末端执行器400将所述聚焦环300和晶圆900同时取出所述反应腔100的方法如下：

在所述反应腔100内，所述顶针950升起，从而将所述基座200上的晶圆900顶起；外壁机械手臂调整所述末端执行器400的高度，使所述末端执行器400进入反应腔100时，晶圆承载部将位于基座200与被顶起的晶圆900之间，聚焦环承载部能够水平穿入所述聚焦环的容纳部；所述末端执行器400沿水平方向穿过所述反应腔壁150上的开口、进入所述反应腔100，所述聚焦环承载部穿入所述聚焦环的容纳部、所述晶圆承载部位于被顶针950顶起的晶圆900下方，降下所述顶针950、所述晶圆900落在所述晶圆承载面上；所述末端执行器400升高，使所述聚焦环承载面承载所述聚焦环300、将所述聚焦环300提起，所述聚焦环300位于所述基座200的上表面上方；所述末端执行器400携载所述聚焦环300和所述晶圆900沿水平方向退出所述反应腔100，所述末端执行器400将所述聚焦环300和所述晶圆900同时取出所述处理装置。

本实用新型提供的等离子体处理装置，其设置的末端执行器400将所述聚焦环300和晶圆900同时放入所述反应腔100的方法如下：

将晶圆900置于晶圆承载面上，所述聚焦环承载部穿入所述聚焦环的容纳部中；外部机械手臂调整所述末端执行器400高度，使进入反应腔100时，所述聚焦环300位于所述基座200的上表面上方；所述末端执行器400携载聚焦环300和晶圆900沿水平方向穿过所述反应腔壁150上的开口、进入所述反应腔100；所述末端执行器400降低，将所述聚焦环300放到环绕基座200外围的位置；顶针950升起、从所述晶圆承载面上顶起所述晶圆900；所述末端执行器400沿水平方向后退，所述聚焦环承载部退出所述聚焦环容纳部，所述末端执行器400退出所述反应腔100；所述顶针950下降，将所述晶圆900放置到所述基座200上，所述末端执行器400将所述聚焦环300和所述晶圆900同时放入所述处理装置。

上文所述的聚焦环结构同样适用于其他环绕基座设置的边缘环，当某一边缘环需要定期或不定期进行更换，可以在所述边缘环上设置如上文所述的聚焦环容纳部，配合上文描述的末端执行器实现对边缘环在不打开反应腔前提下的自动切换。

尽管本实用新型的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本实用新型的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本实用新型的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本实用新型的保护范围应由所附的权利要求来限定。