一种阵列基板及显示装置的制作方法

文档序号:26080512发布日期:2021-07-30 13:30阅读:44来源:国知局
一种阵列基板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。



背景技术:

有机发光二极管(organiclightemittingdiode)oled的显示装置具备低功耗,宽视角,响应速度快,超轻期薄,抗震性好等特点,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。在随着市场的需求和人们视觉感官效果的提高,透明oled的显示装置作为可以显示画面后方背景的显示技术,满足虚拟显示和真实环境之间交互的需求。

透明的oled显示装置以薄膜晶体管(thinfilmtransistor,tft)为基础,薄膜晶体管的材料多采用金属氧化物,例如有源层大多采用铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide,igzo)来制备。因为透明的oled显示装置中各种基材均采用高透过率的材料,但是igzo的有源层对光线很敏感。不裸露的有源层在被不同波长的光照射,薄膜晶体管会发生不同程度的退化,例如:裸露的有源层被红光照射后,薄膜晶体管的阈值电压vth偏移量最小;裸露的有源层被绿光或者蓝光照射后,薄膜晶体管的阈值电压vth的偏移量较大;并且在相同光强下,蓝光的光子能量更强,薄膜晶体管退化的程度最严重。这会影响到薄膜晶体管的电子迁移率,导致显示装置的亮度在发光时不均匀,屏幕会出现失真等问题。



技术实现要素:

为此,需要提供一种阵列基板及显示装置,解决薄膜晶体管被光照所影响,导致薄膜晶体管的性能出现不稳定的问题。

为实现上述目的,本申请提供了一种阵列基板,包括薄膜晶体管、滤光层和光反射层;

所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极,所述有源层分别与所述源极和所述漏极连接,所述有源层和所述栅极之间设置有栅极绝缘层,所述滤光层设置在所述有源层远离所述栅极的一侧,所述有源层的投影位于所述滤光层的投影内,所述投影的方向为垂直于有源层,所述滤光层用于过滤进入到有源层处的光线,所述光反射层设置在所述滤光层上,所述光反射层位于所述滤光层远离有源层的一侧,所述光反射层包括多个凸起,所述光反射层用于把光线反射到远离有源层的方向。

进一步地,还包括缓冲层;

所述栅极设置在基板上;

所述栅极绝缘层设置在所述栅极上;

所述有源层设置在所述栅极绝缘层上;

所述漏极设置在有源层上,所述漏极与所述有源层的一侧连接,所述源极设置在有源层上,所述源极与所述有源层的另一侧连接;

所述缓冲层覆盖所述有源层、所述漏极和所述源极,所述缓冲层的顶部用于设置所述滤光层。

进一步地,还包括蚀刻阻挡层;

所述源极和所述漏极分别通过所述蚀刻阻挡层设置在所述有源层上,所述蚀刻阻挡层设置有第一孔和第二孔,所述漏极通过所述第一孔与所述有源层的一侧连接,所述源极通过所述第二孔与所述有源层的另一侧连接。

进一步地,还包括平坦层和电极层;

所述平坦层设置在所述光反射层和所述薄膜晶体管上;

所述电极层设置在所述平坦层上,所述电极层通过平坦层上的孔连接源极或者漏极。

进一步地,所述凸起的形状为锥体;或者:所述凸起的形状为锥体,且锥体的顶部为弧形。

进一步地,所述凸起的侧壁与所述有源层之间的夹角为a,15°≤a≤90°。

进一步地,所述光反射层整面设置在所述滤光层上。

进一步地,所述有源层为氧化物半导体的有源层,所述基板为柔性基板。

本申请还提供一种显示装置,包括上述任意一项实施例所述的一种阵列基板。

区别于现有技术,上述技术方案通过光反射层先把要射入有源层的光线反射掉,接着滤光层进一步对没有被光反射层反射掉的光线进行过滤,比如过滤掉蓝光或者绿光。同时,滤光层还可以过滤一定的光强。上述技术方案将来自不同方向的光均反射到显示屏的方向,避免光线对有源层的侵害,保证薄膜晶体管的稳定性,提高薄膜晶体管的性能,增大透明区域的面积,增大显示装置的发光亮度,实现高亮度显示装置的高透明显示效果。

附图说明

图1为本实施例在基板上制作栅极和栅极绝缘层的剖面结构示意图;

图2为本实施例在基板上制作有源层和蚀刻阻挡层的剖面结构示意图;

图3为本实施例在基板上制作源极、漏极和缓冲层的剖面结构示意图;

图4为本实施例在基板上制作滤光层、光反射层、平坦层和电极层的剖面结构示意图;

图5为本实施例所述滤光层和光反射层反射光线的剖面结构示意图。

附图标记说明:

1、基板;

2、薄膜晶体管;

21、栅极;22、栅极绝缘层;23、有源层;24、蚀刻阻挡层;25、漏极;26、源极;

3、缓冲层;

4、滤光层;

5、光反射层;

6、平坦层;

7、电极层。

具体实施方式

为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合具体实施例并配合附图详予说明。

请参阅图4和图5,本申请提供一种阵列基板,包括薄膜晶体管2、滤光层4和光反射层5。所述薄膜晶体管2包括栅极21、有源层23、源极26和漏极25,所述薄膜晶体管2作为开关来驱动像素点可以达到高速度、高亮度、高对比度的特点。所述有源层分别与所述源极26和所述漏极25连接,所述有源层和所述栅极21之间设置有栅极绝缘层22。要说明的是,所述薄膜晶体管2可以是顶栅结构或者底栅结构。所述滤光层4设置在所述有源层23远离所述栅极21的一侧,所述有源层23的投影位于所述滤光层4的投影内,所述投影的方向为垂直于有源层23,所述滤光层4用于过滤进入到有源层23处的光线。所述光反射层5设置在所述滤光层4上,所述光反射层5位于所述滤光层4远离有源层23的一侧,所述光反射层5包括多个凸起,所述光反射层5用于把光线反射到远离有源层23的方向。

上述技术方案通过光反射层先把要射入有源层的光线反射掉,接着滤光层进一步对没有被光反射层反射掉的光线进行过滤,比如过滤掉蓝光或者绿光。同时,滤光层还可以过滤一定的光强。上述技术方案将来自不同方向的光均反射到显示屏的方向,避免光线对有源层的侵害,保证薄膜晶体管的稳定性,提高薄膜晶体管的性能,增大透明区域的面积,增大显示装置的发光亮度,实现高亮度显示装置的高透明显示效果。

在本实施例中,所述滤光层的厚度为0.1um(微米)~0.3um(微米)。优选的,所述滤光层的厚度为0.2um(微米)。所述滤光层可以是全遮光的,使得所有的光线均无法透过滤光层到有源层处。滤光层材料不限于pet光学薄膜、碳酸脂和蓝光吸收剂的混合有机薄膜。滤光层的材料还可以为导电性遮光材料或非导电性遮光材料,非导电性遮光材料可以考虑黑色树脂、遮光胶带等,也可以根据实际情况选择。而导电性遮光材料可以为不透光金属材料,如铜、铝等材料。

在本实施例中,光反射层5是有多个的凸起排布而成,结构如图4和图5所示。相邻两个凸起的中心之间的距离为5um~200um,凸起一个的高为0.2um~0.5um。光反射层5的多个凸起可以是连续规律性的排列,也可以是相邻两个凸起之间的间隔不一样。所述光反射层为纳米sinx、纳米sio2、纳米al2o3等,但不局限于此。优选的,所述光反射层整面设置在所述滤光层上,使得滤光层是位于光反射层的反射区域内。

在本实施例中,所述凸起的侧壁与所述有源层之间的夹角为a,15°≤a≤90°。所述凸起的形状为锥体(如圆锥、棱锥等)、柱体(如三棱柱、四棱柱、五棱柱等)等。当凸起的顶部为尖锐的结构时,尖锐的结构与上层的膜层接触易形成的穿刺缺陷。所以凸起的顶部最好不是尖锐的结构,例如所述凸起的形状为锥体时,且锥体的顶部为弧形或者半球面,使得光反射层与膜层之间是稳定的,同时光反射层更为容易地沉积在微结构层。

在本实施例中,所述薄膜晶体管为底栅结构,结构如图4所示。所述栅极21设置在基板1上。所述基板1可以是玻璃基板,基板1用于承载各个膜层。所述栅极绝缘层22设置在所述栅极上,所述栅极绝缘层22起到隔离栅极和其他金属膜层之间的电连接。所述有源层23设置在所述栅极绝缘层22上。所述漏极25和所述源极26是同层设置,所述漏极25设置在有源层23上,所述漏极25与所述有源层23的一侧连接,所述源极26设置在有源层23上,所述源极26与所述有源层23的另一侧连接。源极26与有源层23之间形成肖特基欧姆接触,漏极与有源层23之间形成肖特基欧姆接触。

在本实施例中,所述栅极的材料可以是al/mo的组合、cu/moti的组合等,但不局限于此。如果栅极的材料是al/mo的组合,al/mo结构中al(铝)的膜层厚度为0.3um(微米)~0.4um(微米)。优选的,al/mo结构中al(铝)的膜层厚度为0.33um。al/mo结构中mo(钼)的膜层厚度为0.02(微米)~0.08(微米)。优选的,al/mo结构中mo(钼)的膜层厚度为0.06um。如果极的材料是cu/moti的组合,cu/moti结构中cu(铜)的膜层厚度为0.4um(微米)~0.6um(微米)。优选的,cu/moti结构中cu(铜)的膜层厚度为0.42um。cu/moti结构中moti的膜层厚度为0.2um(微米)~0.4um(微米)。优选的,cu/moti结构中moti的膜层厚度为0.3um。要说明的是,源极26的材料可以与栅极的材料相同,漏极的材料可以与栅极的材料相同。

在本实施例中,栅极绝缘层是绝缘的材料,如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等,但不局限于此。栅极绝缘层的厚度为0.2um(微米)~0.4um(微米)。优选的,栅极绝缘层的厚度为0.3um。

在本实施例中,有源层的厚度为0.03um(微米)~0.06um(微米)。优选的,有源层的厚度为0.04um。所述有源层为氧化物半导体的有源层,即有源层的材料为氧化物半导体,例如铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide,igzo)、铟锌锡氧化物(indiumzinctinoxide,izto)、铟镓锌钛氧化物(indiumgalliumzinctioxide,igzto)等,但不局限于此。

当有源层的材料为氧化物半导体时,所述基板1为柔性基板,使得阵列基板能够应用于柔性的显示装置中。柔性的显示装置例如oled显示装置,oled显示装置具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高等特点,能满足消费者对显示技术的新需求。

在底栅结构中,漏极和源极之间的有源层是裸露的,有源层对于光线十分敏感,裸露的有源层在被不同波长的光照射,薄膜晶体管会发生不同程度的退化,例如:裸露的有源层被红光照射后,薄膜晶体管的阈值电压vth偏移量最小;裸露的有源层被绿光或者蓝光照射后,薄膜晶体管的阈值电压vth的偏移量较大;并且在相同光强下,蓝光的光子能量更强,薄膜晶体管退化的程度最严重。这会影响到薄膜晶体管的电子迁移率,导致显示装置的亮度在发光时不均匀,屏幕会出现失真等问题。

在底栅结构中,还包括蚀刻阻挡层24,使得薄膜晶体管为esl蚀刻阻挡型,结构如图4所示。所述源极26和所述漏极25分别通过所述蚀刻阻挡层24设置在所述有源层上,所述蚀刻阻挡层24设置有第一孔和第二孔,所述漏极25通过所述第一孔与所述有源层的一侧连接,所述源极26通过所述第二孔与所述有源层的另一侧连接。蚀刻阻挡层是绝缘的材料,如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等,但不局限于此。蚀刻阻挡层的厚度范围为0.15um(微米)~0.3um(微米)。优选的,蚀刻阻挡层的厚度为0.2um(微米)。在某些实施例中,蚀刻阻挡层24可以无需设置。

在底栅结构中,裸露的有源层是位于薄膜晶体管的上部分,结构如图4所示,所以滤光层4和光反射层5是设置在薄膜晶体管的上方,首先光反射层5先把要射入有源层的光线反射掉,即入射光线遇到光反射层5的凸起和平坦层6的接触面时,入射光线会发生全反射并形成反射光线,反射光线反射回远离基板的方向,结构如图5所示,图5上的箭头代表着光线。接着滤光层4进一步对没有被光反射层5反射掉的光线进行过滤,比如过滤掉蓝光或者绿光。同时,滤光层4还可以过滤一定的光强。保证薄膜晶体管的稳定性,增大透明区域的面积,增大oled显示装置的发光亮度,实现高亮度oled显示装置的高透明显示效果。

在某些实施例中,所述薄膜晶体管为顶栅结构,附图未展示该顶栅结构。有源层设置在基板上,而后有源层上设置有栅极绝缘层,栅极绝缘层上设置有栅极、漏极和源极。漏极和源极分别通过栅极绝缘层上的孔连接有源层。因为有源层是位于薄膜晶体管的下部分,甚至是位于薄膜晶体管的底部,所述有源层的底部是裸露的。那么将滤光层和光反射层是设置在薄膜晶体管和基板之间即可,此时光反射层就是把从基板方向射进来的光线反射。具体的,所述光反射层先设置在基板上,光反射层的凸起是朝向基板。光反射层的顶部设置有滤光层,滤光层的顶部设置有薄膜晶体管的有源层。

在本实施例中,为了避免滤光层和薄膜晶体管之间发生电连接,还包括缓冲层3,结构如图4所示。缓冲层3不仅起到隔离的作用,还起到缓冲的作用。所述缓冲层3覆盖所述有源层、所述漏极和所述源极,所述缓冲层3的顶部用于设置所述滤光层。所述缓冲层是绝缘的材料,如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等,但不局限于此。所述缓冲层的厚度为0.15um(微米)~0.3um(微米)。优选的,所述缓冲层的厚度为0.2um。

在本实施例中,为了补平高低不平的基板,还包括平坦层6,结构如图4所示。所述平坦层6设置在所述光反射层5和所述薄膜晶体管2上,所述平坦层6覆盖下方的膜层。所述平坦层是绝缘的材料,如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等,平坦层可以是单层的氮化物或者氧化物,平坦层还可以是氮化物与氧化物的叠层结构。其中,一层的氮化物或者氧化物的厚度为0.15um(微米)~0.3um(微米)。优选的,一层的氮化物或者氧化物的厚度为为0.2um。

在本实施例中,为了起到连接薄膜晶体管和外部元件,还包括电极层7,结构如图4所示。这些外部元件可以是阳极等。所述电极层7设置在所述平坦层6上,所述电极层7通过平坦层6上的孔连接源极或者漏极。电极层可以是氧化铟锡(ito)等金属氧化物,电极层的厚度为0.06um(微米)~0.08um(微米)。优选的,电极层的厚度为0.075um。

本实施例提供一种显示装置,包括上述任意一项实施例所述的一种阵列基板。显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相机或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

请参阅图1至图5,本实施例提供一种阵列基板制作方法,该制作方法在基板1上进行制作,所述基板1可以是玻璃基板,基板1用于承载各个膜层。如果基板1为柔性基板,可以使显示装置为oled显示装置。以制作底栅结构的薄膜晶体管为例,一种阵列基板制作方法包括:在基板1上制作栅极21,结构如图1所示。具体的,首先在基板上涂布光阻,其次对光阻进行曝光和显影,使得要制作栅极21的部位开口,接着镀上栅极金属到基板上,从而在基板上形成栅极21。要说明的是,栅极金属的沉积可以通过物理气相沉积法的方式。在栅极21形成完毕后,清除光阻。

在本实施例中,所述栅极的材料可以是al/mo的组合、cu/moti的组合等,但不局限于此。如果栅极的材料是al/mo的组合,al/mo结构中al(铝)的膜层厚度为0.3um(微米)~0.4um(微米)。优选的,al/mo结构中al(铝)的膜层厚度为0.33um。al/mo结构中mo(钼)的膜层厚度为0.02(微米)~0.08(微米)。优选的,al/mo结构中mo(钼)的膜层厚度为0.06um。如果极的材料是cu/moti的组合,cu/moti结构中cu(铜)的膜层厚度为0.4um(微米)~0.6um(微米)。优选的,cu/moti结构中cu(铜)的膜层厚度为0.42um。cu/moti结构中moti的膜层厚度为0.2um(微米)~0.4um(微米)。优选的,cu/moti结构中moti的膜层厚度为0.3um。

栅极21制作完毕后,为了实现栅极21与有源层23之间的隔离,在栅极21上制作栅极绝缘层22,结构如图1所示。具体的,可以在栅极上采用等离子体增强化学气相淀积法镀上绝缘材料,而后通过蚀刻得到适宜的栅极绝缘层22。为了起到有效的隔离作用,栅极绝缘层22是覆盖栅极的。其中,绝缘材料如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等,但不局限于此。栅极绝缘层的厚度为0.2um(微米)~0.4um(微米)。优选的,栅极绝缘层的厚度为0.3um。

栅极绝缘层22制作完毕后,在栅极绝缘层22上制作有源层23,结构如图2所示。有源层的厚度为0.03um(微米)~0.06um(微米)。优选的,有源层的厚度为0.04um。所述有源层为氧化物半导体的有源层,即有源层的材料为氧化物半导体,例如铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide,igzo)、铟锌锡氧化物(indiumzinctinoxide,izto)、铟镓锌钛氧化物(indiumgalliumzinctioxide,igzto)等,但不局限于此。

有源层制作完毕后,为了避免有源层23在制程中受到损坏,在有源层23上制作蚀刻阻挡层24,也使得薄膜晶体管为esl蚀刻阻挡型,结构如图2所示。具体的,可以在栅极上采用等离子体增强化学气相淀积法镀上绝缘材料,而后通过蚀刻得到适宜的蚀刻阻挡层24。为了起到有效的保护作用,蚀刻阻挡层24覆盖有源层,还可以覆盖栅极绝缘层。其中,绝缘材料如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等,但不局限于此。蚀刻阻挡层的厚度范围为0.15um(微米)~0.3um(微米)。优选的,蚀刻阻挡层的厚度为0.2um(微米)。在某些实施例中,蚀刻阻挡层24可以无需设置。

在制作蚀刻阻挡层的时候,还可以在蚀刻阻挡层上制作第一孔和第二孔,第一孔用于作为漏极和有源层的连接点,第二孔用于作为源极和有源层的连接点。具体的,先涂布光阻可以是先,通过图形化使得蚀刻阻挡层上要制作第一孔和第二孔的部位开口,而后以光阻为掩膜蚀刻开口处的蚀刻阻挡层,以形成第一孔和第二孔。第一孔的底部为有源层,第二孔的底部为有源层。第一孔和第二孔形成完毕后,清除光阻。

蚀刻阻挡层24制作完毕后,进行漏极25和源极26的制作,结构如图3所示。具体的,先在基板上涂布光阻,通过图形化使得要制作漏极25和源极的部位开口,接着镀上源漏极金属到基板上,从而在基板上形成漏极25和源极。所述漏极25和所述源极是同层设置,所述漏极25设置在有源层上,所述漏极25通过第一孔与所述有源层的一侧连接,所述源极设置在有源层上,所述源极通过第二孔与所述有源层的另一侧连接。要说明的是,源极的材料可以与栅极的材料相同,漏极25的材料可以与栅极的材料相同。源极与有源层之间形成肖特基欧姆接触,漏极25与有源层之间形成肖特基欧姆接触。

在漏极25和源极26制作完毕后,为了避免滤光层4和薄膜晶体管2之间发生电连接,在薄膜晶体管2上制作缓冲层3,结构如图3所示。具体的,可以在源极、漏极和有源层上采用等离子体增强化学气相淀积法镀上绝缘材料,而后通过蚀刻得到适宜的蚀刻阻挡层。绝缘材料如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等,但不局限于此。缓冲层3不仅起到隔离的作用,还起到缓冲的作用。所述缓冲层3覆盖所述有源层、所述漏极和所述源极,所述缓冲层3的顶部用于设置所述滤光层4。所述缓冲层的厚度为0.15um(微米)~0.3um(微米)。优选的,所述缓冲层的厚度为0.2um。

缓冲层3制作完毕后,在缓冲层3上制作滤光层4,滤光层4用于过滤进入到有源层处的光线,结构如图4所示。所述有源层的投影位于所述滤光层4的投影内,所述投影的方向为垂直于有源层,即滤光层4的横向宽度大于有源层的横向宽度。所述滤光层的厚度为0.1um(微米)~0.3um(微米)。优选的,所述滤光层的厚度为0.2um(微米)。所述滤光层可以是仅过滤掉对有源层损害较大的蓝光或者绿光,滤光层材料不限于pet光学薄膜、碳酸脂和蓝光吸收剂的混合有机薄膜。所述滤光层还可以是全遮光的,使得所有的光线均无法透过滤光层到有源层处,此时滤光层的材料可以为导电性遮光材料或非导电性遮光材料,非导电性遮光材料可以考虑黑色树脂、遮光胶带等,也可以根据实际情况选择。而导电性遮光材料可以为不透光金属材料,如铜、铝等材料。

滤光层4制作完毕后,在滤光层上制作光反射层5,光反射层5用于把光线反射到远离有源层的方向,结构如图4所示。所述光反射层5设置在所述滤光层上。所述光反射层5位于所述滤光层远离有源层的一侧,所述光反射层5包括多个凸起。光反射层5是有多个的凸起排布而成,相邻两个凸起的中心之间的距离为5um~200um,凸起一个的高为0.2um~0.5um。光反射层5的多个凸起可以是连续规律性的排列,也可以是相邻两个凸起之间的间隔不一样。所述光反射层为纳米sinx、纳米sio2、纳米al2o3等,但不局限于此。优选的,所述光反射层整面设置在所述滤光层上,使得滤光层是位于光反射层的反射区域内。

所述凸起的侧壁与所述有源层之间的夹角为a,15°≤a≤90°。所述凸起的形状为锥体(如圆锥、棱锥等)、柱体(如三棱柱、四棱柱、五棱柱等)等。当凸起的顶部为尖锐的结构时,尖锐的结构与上层的膜层接触易形成的穿刺缺陷。所以凸起的顶部最好不是尖锐的结构,例如所述凸起的形状为锥体时,且锥体的顶部为弧形或者半球面,使得光反射层与膜层之间是稳定的,同时光反射层更为容易地沉积在微结构层。

光反射层制作完毕后,为了补平高低不平的基板,在薄膜晶体管2和光反射层5上制作平坦层6,结构如图4所示。具体的,可以在基板上采用等离子体增强化学气相淀积法镀上绝缘材料,而后通过蚀刻得到适宜的蚀平坦层6。所述平坦层6设置在所述光反射层和所述薄膜晶体管上,所述平坦层6覆盖下方的膜层。所述平坦层是绝缘的材料,如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等,平坦层可以是单层的氮化物或者氧化物,平坦层还可以是氮化物与氧化物的叠层结构。其中,一层的氮化物或者氧化物的厚度为0.15um(微米)~0.3um(微米)。优选的,一层的氮化物或者氧化物的厚度为为0.2um。

平坦层6制作完毕后,在平坦层6上制作电极层7,电极层7起到连接薄膜晶体管和外部元件,结构如图4所示。这些外部元件可以是阳极等。电极层7可以通过pvd溅射形成。所述电极层7设置在所述平坦层6上,所述电极层7通过平坦层6上的孔连接源极或者漏极。电极层可以是氧化铟锡(ito)等金属氧化物,电极层的厚度为0.06um(微米)~0.08um(微米)。优选的,电极层的厚度为0.075um。

该制作方法以底栅结构的薄膜晶体管为例,漏极和源极之间的有源层是裸露的,有源层对于光线十分敏感,裸露的有源层在被不同波长的光照射,薄膜晶体管会发生不同程度的退化,例如:裸露的有源层被红光照射后,薄膜晶体管的阈值电压vth偏移量最小;裸露的有源层被绿光或者蓝光照射后,薄膜晶体管的阈值电压vth的偏移量较大;并且在相同光强下,蓝光的光子能量更强,薄膜晶体管退化的程度最严重。这会影响到薄膜晶体管的电子迁移率,导致显示装置的亮度在发光时不均匀,屏幕会出现失真等问题。

上述技术方案通过光反射层先把要射入有源层的光线反射掉,结构如图5所示。接着滤光层进一步对没有被光反射层反射掉的光线进行过滤,比如过滤掉蓝光或者绿光。同时,滤光层还可以过滤一定的光强。上述技术方案将来自不同方向的光均反射到显示屏的方向,避免光线对有源层的侵害,保证薄膜晶体管的稳定性,提高薄膜晶体管的性能,增大透明区域的面积,增大显示装置的发光亮度,实现高亮度显示装置的高透明显示效果。

在某些实施例中,该制作方法可以在顶栅结构的薄膜晶体管上来制作,附图未展示。在顶栅结构中,有源层设置在基板上,而后有源层上设置有栅极绝缘层,栅极绝缘层上设置有栅极、漏极和源极。漏极和源极分别通过栅极绝缘层上的孔连接有源层。因为有源层是位于薄膜晶体管的下部分,甚至是位于薄膜晶体管的底部,所述有源层的底部是裸露的。那么将滤光层和光反射层是设置在薄膜晶体管和基板之间即可,此时光反射层就是把从基板方向射进来的光线反射。具体的,首先在基板上制作一层支撑层,而后在支撑层上进行蚀刻,使支撑层的上部分的形状和光反射层的凸起的形状相适配的。其次在支撑层上制作光反射层,光反射层的凸起是朝向基板。接着在光反射层的顶部上制作滤光层。最后在滤光层的顶部上制作薄膜晶体管的有源层等膜层。

本实施例提供一种显示装置制作方法,该制作方法包括本申请任意一项实施例所述的一种阵列基板制作方法,例如在阵列基板上继续制作阳极、像素定义层、oled发光层、阴极等膜层,就可以形成oled显示装置。显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相机或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

需要说明的是,尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述,但并非因此限制本实用新型的专利保护范围。因此,基于本实用新型的创新理念,对本文所述实施例进行的变更和修改,或利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域,均包括在本实用新型专利的保护范围之内。

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