技术特征：
1.一种传感器装置，包括：珀耳帖元件；热连接到所述珀耳帖元件的冷却面的传感器元件；和面对所述传感器元件的受光面并由硼硅酸盐玻璃制成的窗构件。2.根据权利要求1所述的传感器装置，其中在所述传感器元件的受光面上配置有接收来自所述窗构件的入射光的有效像素区域。3.根据权利要求2所述的传感器装置，还包括配置在所述传感器元件和所述窗构件之间的支撑构件，其中所述支撑构件具有允许入射光通过的开口部和支撑所述窗构件的框架部。4.根据权利要求3所述的传感器装置，其中所述框架部在平面图中配置在所述有效像素区域的外侧。5.根据权利要求3所述的传感器装置，其中所述开口部的面积大于所述有效像素区域的面积。6.根据权利要求3所述的传感器装置，其中所述窗构件被配置成覆盖所述开口部。7.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述珀耳帖元件的冷却面大于所述传感器元件的与所述受光面相对的面。8.根据权利要求1所述的传感器装置，还包括封装基板，所述封装基板热连接到所述珀耳帖元件的散热面并且收容所述珀耳帖元件和所述传感器元件。9.根据权利要求8所述的传感器装置，还包括中继基板，所述中继基板配置在所述珀耳帖元件的冷却面和所述传感器元件之间，并且对所述封装基板和所述传感器元件之间的电气连接进行中继。10.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述传感器元件是短波红外(swir)图像传感器。
技术总结
根据本公开的传感器装置(1)包括珀耳帖元件(20)；热连接到所述珀耳帖元件(20)的冷却面(21a)的传感器元件(10)；和面对所述传感器元件(10)的受光面(10a)并由硼硅酸盐玻璃制成的窗构件(60)。窗构件(60)。窗构件(60)。
技术研发人员：若林贵博 田口健一
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2020.12.21
技术公布日：2022/6/28