显示装置的制作方法

文档序号:26590164发布日期:2021-09-10 20:38
显示装置的制作方法
显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年3月10日向韩国知识产权局递交的第10

2020

0029701号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开的实施例的方面涉及显示装置。


背景技术:

4.显示装置可以包括各种电子部件,诸如显示面板、电子模块等。电子模块可以包括相机、红外检测传感器或接近传感器等。电子模块可以在显示面板下方设置(或排列)。显示面板的部分区(或一部分)的透射率可以大于显示面板的其它部分区(或其它部分)的透射率。电子模块可以通过显示面板的部分区接收外部输入,或者可以通过显示面板的部分区提供输出。


技术实现要素:

5.本公开的实施例提供了具有改进的显示质量的显示装置。
6.本公开的实施例提供了一种显示装置,包括:显示面板,具有第一区和第二区,第二区比第一区具有更高的分辨率,第一区具有第一子区和第二子区;以及电子模块,在显示面板的第一区下方。显示面板包括:在第一子区中的第一发射层;和在第一子区中并且与第一发射层间隔开的第二发射层。第一发射层具有第一发光部分和在第一方向上与第一发光部分邻近的第二发光部分,并且第二发射层具有第三发光部分和在第一方向上与第三发光部分邻近的第四发光部分。第一发光部分从第二发光部分朝向显示面板的下表面倾斜,并且第四发光部分从第三发光部分朝向显示面板的上表面倾斜。
7.第一发光部分可以比第二发光部分更靠近第二子区;并且第四发光部分可以比第三发光部分更靠近第二子区。
8.显示面板可以进一步包括在第一子区中的第三发射层。第三发射层可以在与第一方向交叉的第二方向上与第二发射层间隔开,第三发射层可以具有第五发光部分和在第一方向上与第五发光部分邻近的第六发光部分,并且第五发光部分可以从第六发光部分朝向显示面板的上表面倾斜。
9.第一发射层可以被配置成发射蓝光或红光,并且第二发射层和第三发射层可以被配置成发射绿光。
10.第三发光部分与第四发光部分之间的角度和第五发光部分与第六发光部分之间的角度可以基本上相同。
11.第一发射层可以被配置成发射绿光,第二发射层可以被配置成发射蓝光,并且第三发射层可以被配置成发射红光。
12.第三发光部分与第四发光部分之间的角度可以不同于第五发光部分与第六发光
部分之间的角度。
13.第一发光部分的上表面与第二发光部分的上表面之间的角度可以大于大约180度;并且第三发光部分的上表面与第四发光部分的上表面之间的角度可以小于大约180度。
14.显示面板可以进一步包括:第一中间绝缘层,在第一子区中;和第二中间绝缘层,在第一子区中并且在第一中间绝缘层与第一发射层之间以及在第一中间绝缘层与第二发射层之间。
15.当在平面中观察时,第一中间绝缘层和第二中间绝缘层可以与第二子区间隔开。
16.第一中间绝缘层可以具有:在第一发光部分下方的第一绝缘部分;在第二发光部分下方的第二绝缘部分;在第三发光部分下方的第三绝缘部分;以及在第四发光部分下方的第四绝缘部分。第二中间绝缘层可以具有:在第一发光部分下方的第五绝缘部分;在第二发光部分下方的第六绝缘部分;在第三发光部分下方的第七绝缘部分;以及在第四发光部分下方的第八绝缘部分。第一绝缘部分至第八绝缘部分中的任何一个可以具有与第一绝缘部分至第八绝缘部分中的另一个不同的厚度。
17.第一绝缘部分的厚度可以小于第四绝缘部分的厚度。
18.第五绝缘部分的厚度可以小于第八绝缘部分的厚度。
19.第一绝缘部分的厚度可以小于第四绝缘部分的厚度,并且第五绝缘部分的厚度可以小于第八绝缘部分的厚度。
20.显示面板可以进一步包括在第四绝缘部分与第八绝缘部分之间的第一金属图案。
21.显示面板可以进一步包括在第四绝缘部分下方的第二金属图案,并且第四绝缘部分可以在第一金属图案与第二金属图案之间。
22.显示面板可以进一步包括在第四绝缘部分下方的金属图案。
23.第二子区的透射率可以高于第一子区的透射率,并且电子模块可以是相机模块。
24.本公开的另一实施例提供了一种显示装置,包括:显示面板,具有有效区和围绕有效区的外围延伸的透射区;以及电子模块,在显示面板下方。显示面板包括:第一发射层,具有第一发光部分和第二发光部分,第一发光部分在有效区中并且与透射区邻近;和第二发射层,在有效区中并且具有与透射区邻近的第三发光部分和第四发光部分。第一发光部分的上表面与第二发光部分的上表面之间的角度大于大约180度,并且第三发光部分的上表面与第四发光部分的上表面之间的角度小于大约180度。
25.显示面板可以进一步包括:第一中间绝缘层,在有效区中;和第二中间绝缘层,在有效区中、在第一中间绝缘层与第一发射层之间以及在第一中间绝缘层与第二发射层之间。从第一中间绝缘层的下表面到第一发光部分的厚度可以小于从第一中间绝缘层的下表面到第四发光部分的厚度。
26.本公开的另一实施例提供了一种显示装置,包括:基底层;电路层,在基底层上;第一电极,在电路层上;以及第二电极,在电路层上并且与第一电极间隔开。第一电极具有第一部分和第二部分,第二部分与第一部分形成大于大约180度的第一角度;并且第二电极具有第三部分和第四部分,第四部分与第三部分形成小于大约180度的第二角度。
27.与第一部分重叠的电路层的厚度可以小于与第四部分重叠的电路层的厚度。
附图说明
28.附图被包括以提供对本公开的进一步理解,并且被并入本说明书中并形成本说明书的一部分。附图图示了本公开的实施例,并且与说明书一起解释了本公开的方面和特征。在附图中:
29.图1是根据本公开的实施例的显示装置的透视图;
30.图2是图示了图1中所示的显示装置的一些部件的分解透视图;
31.图3a是图示了根据本公开的实施例的显示面板的截面图;
32.图3b是根据本公开的实施例的显示面板的截面图;
33.图4a是根据本公开的实施例的显示面板的平面图;
34.图4b是根据本公开的实施例的显示面板的平面图;
35.图4c是根据本公开的实施例的显示面板的平面图;
36.图5是图示了图4a的区aa’的放大平面图;
37.图6是根据本公开的实施例的显示面板的截面图;
38.图7是根据本公开的实施例的显示面板的一些部件的平面图;
39.图8a至图8g是图示了图4a的区bb’的放大平面图;
40.图9是图示了根据本公开的实施例的显示面板的一些部件的平面图;
41.图10a是根据本公开的实施例的沿着图9中的线i

i’截取的截面图;
42.图10b是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图;
43.图11a是根据本公开的实施例的沿着图9中的线i

i’截取的截面图;
44.图11b是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图;
45.图11c是根据本公开的实施例的沿着图9中的线iii

iii’截取的截面图;
46.图12是根据本公开的实施例的沿着图9中的线i

i’截取的截面图;
47.图13是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图;
48.图14是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图;
49.图15是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图;
50.图16是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图;
51.图17是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图;并且
52.图18是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图。
具体实施方式
53.将理解,当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时,它可以直接在另一元件或层上、连接到或耦接到另一元件或层,或者也可以存在一个或多个中间元件或层。当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时,不存在中间元件或层。例如,当第一元件被描述为“耦接”或“连接”到第二元件时,第一元件可以直接耦接或连接到第二元件,或者第一元件可以经由一个或多个中间元件间接耦接或连接到第二元件。
54.在附图中,为了图示清楚,可以夸大各种元件、层等的尺寸。相同的附图标记表示相同的元件。如本文中所使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关联的列出的项目的任何和所有组合。进一步地,当描述本公开的实施例时,“可以”的使用涉及“本公开的一个或多
个实施例”。当诸如
“……
中的至少一个”的表达在元素列表之后时,修饰整个元素列表而不是修饰列表的个别元素。如本文中所使用的,术语“使用”可以被认为与术语“利用”同义。如本文中所使用的,术语“基本上”、“大约”以及类似的术语被用作近似的术语而不是程度的术语,并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。
55.将理解,尽管术语第一、第二、第三等在本文中可以被用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分,但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分。因此,下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可以被称为第二元件、部件、区、层或部分,而不脱离示例实施例的教导。
56.为了便于描述,在本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”和“上”等的空间相对术语,以描述如附图中所图示的一个元件或特征与另一个或另一些元件或特征的关系。将理解,空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的方位之外装置在使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的装置被翻转,则被描述为在另一元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向为在另一元件或特征“上方”或“之上”。因此,术语“下方”可以涵盖上方和下方两种方位。装置可以被另外定向(例如,旋转90度或在其它方位),并且本文中所使用的空间相对描述符应被相应地解释。
57.除非另外定义,否则说明书中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还将进一步理解,诸如那些在常用字典里定义的术语应被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义,并且不应以理想化的或过于正式的方式来解释,除非本文中如此定义。
58.本文中所使用的术语用于描述本发明的特定示例实施例的目的,而不旨在限制所描述的本发明的示例实施例。如本文中所使用的,单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式,除非上下文另外明确地指示。将进一步理解,当在本说明书中使用时,术语“包含”和/或“包括”表明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但是不排除一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或添加。
59.在下文中,将参考附图描述本公开的实施例。
60.图1是根据本公开的实施例的显示装置的透视图。
61.参考图1,显示装置1000可以是响应于电信号而被激活的装置。例如,显示装置1000可以是便携式电话、平板电脑、汽车导航系统、游戏机和/或可穿戴装置(或者可以是便携式电话、平板电脑、汽车导航系统、游戏机和/或可穿戴装置的一部分),但是本公开不限于此。图1图示了显示装置1000是便携式电话(或者是便携式电话的一部分)。
62.显示装置1000可以在活跃区(active region)1000a处显示图像。活跃区1000a可以是由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面。活跃区1000a可以具有分别从平面的至少两个轴弯折远离的弯曲表面(例如,相对于第一方向dr1和第二方向dr2弯折或弯曲)。然而,活跃区1000a的形状不限于此。例如,活跃区1000a可以是平面的(或仅是平面的),或者活跃区1000a可以进一步包括分别从两个或更多个(例如,四个)轴弯折远离的一个或多个(例如,四个)弯曲表面。
63.感测区1000sa可以被限定在显示装置1000的活跃区1000a内部。图1图示了单个感测区1000sa,但是感测区1000sa的数量不限于此。感测区1000sa可以是活跃区1000a的一部
分。因此,显示装置1000可以在感测区1000sa处显示图像。
64.例如相机模块或接近照度传感器的电子模块可以被设置在与感测区1000sa重叠(例如,与感测区1000sa对准)的区中。电子模块可以接收通过感测区1000sa传输的外部输入(例如,光)和/或可以通过感测区1000sa提供输出。
65.显示装置1000的厚度方向可以平行于与第一方向dr1和第二方向dr2交叉的第三方向dr3。因此,显示装置1000的部件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)可以相对于第三方向dr3来限定。
66.图2是图示了图1中所示的显示装置的一些部件的分解透视图。
67.参考图2,显示装置1000可以包括显示面板100和电子模块200。显示面板100可以是生成图像并检测从外部施加的输入的部件。电子模块200被设置在显示面板100下方,并且可以是例如相机模块。
68.显示面板100可以具有活跃区100a和外围区100na。活跃区100a可以对应于活跃区1000a,并且外围区100na可以对应于图1中所图示的外围区1000na。
69.与电子模块200重叠的感测区100sa可以是活跃区100a的一部分(例如,可以在活跃区100a中或被活跃区100a沿着外围围绕)。例如,感测区100sa可以显示图像并传输由电子模块200接收的输入和/或来自电子模块200的输出。
70.图3a是图示了根据本公开的实施例的显示面板的截面图。
71.参考图3a,显示面板100可以包括显示层110和传感器层120。
72.显示层110可以是实质上生成图像的部件。显示层110可以是发光显示层,例如,有机发光显示层、量子点显示层或微型led显示层。
73.显示层110可以包括基底层111、电路层112、发光元件层113和封装层114。
74.基底层111可以包括合成树脂层。合成树脂层可以包括热固性树脂。基底层111可以具有多层结构。例如,基底层111可以具有合成树脂层、粘合层和合成树脂层的三层结构。例如,合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层,但是其材料没有特别限制。合成树脂层可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂和苝树脂中的任何一种。在其它实施例中,基底层111可以包括玻璃基板或有机/无机复合材料基板等。
75.电路层112可以被设置在基底层111上。电路层112可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线等。绝缘层、半导体层和导电层可以通过诸如涂覆或沉积等的方法形成在基底层111上,并且随后,绝缘层、半导体层和导电层可以通过多个光刻工艺而被选择性地图案化。随后,可以形成被包括在电路层112中的半导体图案、导电图案和信号线。
76.发光元件层113可以被设置在电路层112上。发光元件层113可以包括发光元件。例如,发光元件层113可以包括有机发光材料、量子点、量子棒或微型led。
77.封装层114可以被设置在发光元件层113上。封装层114可以包括顺序地层叠的无机层、有机层和无机层,但是构成封装层114的层不限于此。
78.当封装层114具有顺序地层叠的结构时,一个或一些无机层可以保护发光元件层113不受水和氧气的影响,并且一个或一些有机层可以保护发光元件层113不受诸如灰尘颗粒的异物的影响。一个或一些无机层可以包括氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层等,并且一个或一些有机层可以包括丙烯酸有机层。然而,本公开不限于这些示
例。
79.传感器层120可以被设置在显示层110上。传感器层120可以检测从外部施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可以指各种类型的外部输入,诸如用户的一部分、光、热、笔或压力。
80.传感器层120可以通过连续过程被设置在显示层110上。在这样的实施例中,传感器层120可以被直接设置在显示层110上。如本文中所使用的,“直接设置”指示在传感器层120与显示层110之间未设置第三部件(例如,单独的粘合构件)。
81.在另一实施例中,传感器层120可以通过粘合构件耦接到显示层110。粘合构件可以包括通用胶粘剂或粘合剂。
82.图3b是根据本公开的实施例的显示面板的截面图。
83.参考图3b,当与相对于图3a描述的显示面板100相比时,显示面板100

1可以进一步包括抗反射层130。
84.抗反射层130可以减小从外部入射在显示面板100

1上的外部光的反射率。
85.抗反射层130可以被设置在传感器层120上。然而,抗反射层130的位置不限于此。例如,抗反射层130可以被设置在传感器层120与显示层110之间。
86.在一个实施例中,抗反射层130可以包括滤色器。滤色器可以具有阵列(例如,预定阵列)(或者可以被布置在阵列中)。可以考虑被包括在显示层110中的像素的发光颜色来确定滤色器的阵列。另外,抗反射层130可以进一步包括与滤色器邻近的黑矩阵。
87.在一个实施例中,抗反射层130可以包括(或者可以具有)相消干涉结构。例如,相消干涉结构可以包括被设置在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光束和第二反射光束可以被相消干涉,并且因此,可以降低外部光反射率。
88.根据实施例的抗反射层130可以包括可拉伸的合成膜。例如,抗反射层130可以通过用碘化合物对聚乙烯醇膜(pva膜)进行染色来提供。
89.图4a是根据本公开的实施例的显示面板的平面图。
90.参考图4a,显示面板100的活跃区100a可以具有第一区100a1和第二区100a2。第一区100a1和第二区100a2的透射率可以彼此不同。例如,第一区100a1的透射率可以高于第二区100a2的透射率。
91.为了确保第一区100a1的透射率高于第二区100a2的透射率,一些部件可以不被设置在第一区100a1中(例如,可以从第一区100a1省略)。例如,每单位面积在第一区100a1中可以设置比在第二区100a2中更少的像素,使得第一区100a1中的分辨率可以低于第二区100a2中的分辨率。
92.第一区100a1可以对应于感测区100sa。在这样的实施例中,具有相对低的分辨率的第一区100a1的面积可以被最小化(例如,可以相对小或在实践中尽可能小)。
93.图4b是根据本公开的实施例的显示面板的平面图。
94.参考图4b,显示面板100aa的活跃区100aa可以具有第一区100a1a和第二区100a2a。第一区100a1a的透射率可以高于第二区100a2a的透射率。另外,第一区100a1a中的分辨率可以低于第二区100a2a中的分辨率。
95.第一区100a1a的面积可以大于感测区100sa的面积。例如,当电子模块200是相机
模块(参见例如图2)时,感测区100sa可以被限定为相机模块的视角内部的区。第一区100a1a可以包括感测区100sa,并且可以包括与感测区100sa邻近的区域的一部分(例如,第一区100a1a可以大于感测区100sa)。
96.第一区100a1a可以具有矩形形状。第一区100a1a的至少三个侧可以接触第二区100a2a。然而,本公开不限于此。例如,当电子模块200是相机模块(参见例如图2)时,第一区100a1a可以被第二区100a2a完全围绕(例如,第二区100a2a可以完全围绕第一区100a1a的外围延伸)。
97.第一区100a1a在第一方向dr1上的最大宽度wt11可以小于第二区100a2a在第一方向dr1上的最大宽度wt21。另外,第一区100a1a在第二方向dr2上的最大宽度wt12可以小于第二区100a2a在第二方向dr2上的最大宽度wt22。第二区100a2a的最大宽度wt21可以是活跃区100aa在第一方向dr1上的最大宽度,并且第二区100a2a的最大宽度wt22可以是活跃区100aa在第二方向dr2上的最大宽度。
98.图4c是根据本公开的实施例的显示面板的平面图。
99.参考图4c,显示面板100bb的活跃区100ab可以具有第一区100a1b和第二区100a2b。第一区100a1b的透射率可以高于第二区100a2b的透射率。另外,第一区100a1b的分辨率可以低于第二区100a2b的分辨率。
100.第一区100a1b的面积可以大于感测区100sa的面积。第一区100a1b与第二区100a2b之间的边界100bl可以在第一方向dr1上延伸。第一区100a1b在第一方向dr1上的最大宽度wt11b可以与第二区100a2b在第一方向dr1上的最大宽度wt21b基本上相同。
101.图5是图示了图4a的区aa’的放大平面图。
102.参考图4a和图5,第二区100a2可以被划分成多个子区ar1(在下文中被称为“子区”)。至少一个子像素可以被设置在子区ar1中的每一个中。子区ar1可以在第一方向dr1和第二方向dr2上排列。
103.图6是根据本公开的实施例的显示面板的截面图。
104.参考图6,显示层110可以包括半导体图案、导电图案、信号线和多个绝缘层等。绝缘层、半导体层和导电层通过诸如涂覆或沉积的方法形成。接下来,绝缘层、半导体层和导电层可以通过光刻方法而被选择性地图案化。通过这样的方法,包括半导体图案、导电图案和信号线等的电路层112被形成。接下来,发光元件层113和覆盖发光元件层113的封装层114可以被形成。
105.无机层形成在基底层111的上表面上。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层可以包括多个层(例如,可以具有多层结构)。当无机层包括多个层时,无机层可以包括阻挡层和/或缓冲层。在该实施例中,显示层110被图示为包括缓冲层bfl。
106.缓冲层bfl可以改进基底层111与半导体图案之间的耦接能力。缓冲层bfl可以包括氧化硅层和氮化硅层,并且氧化硅层和氮化硅层可以交替地层叠。
107.半导体图案可以被设置在缓冲层bfl上。半导体图案可以包括多晶硅。然而,本公开不限于此,并且半导体图案还可以包括非晶硅或氧化物半导体。
108.图6图示了半导体图案的一部分,并且半导体图案可以被进一步设置在另一区中。半导体图案可以遍及像素设置,并且半导体图案可以具有包括特定规则的形状。半导体图
案可以根据其是否经过掺杂(例如,半导体图案是否被掺杂)而具有不同的电特性。例如,半导体图案可以包括掺杂区和非掺杂区。掺杂区可以掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。p型晶体管可以包括掺杂有p型掺杂剂的掺杂区,而n型晶体管可以包括掺杂有n型掺杂剂的掺杂区。
109.掺杂区比非掺杂区具有更大的导电性,并且可以用作电极或信号线。非掺杂区可以基本上对应于晶体管的有源区(或沟道)。例如,半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区,半导体图案的另一部分可以是晶体管的源极或漏极,并且半导体图案的又一部分可以是连接电极或连接信号线。
110.在一些实施例中,像素中的每一个可以具有包括七个晶体管、电容器(例如,单个电容器)和发光元件的等效电路,但是像素可以具有其它合适的等效电路设计。图6图示了均被包括在像素中的晶体管100pc和发光元件100pe。
111.晶体管100pc的源极(例如,源电极或源极区)s1、有源区a1和漏极(例如,漏电极或漏极区)d1可以形成为半导体图案。源极s1和漏极d1可以在彼此相反的方向上从有源区a1延伸。图6图示了由半导体图案形成的连接信号线scl的一部分。连接信号线scl可以在平面上连接到晶体管100pc的漏极d1。
112.第一绝缘层10可以被设置在缓冲层bfl上。第一绝缘层10可以与多个像素共同地重叠(例如,第一绝缘层10可以延伸通过多个像素)并且可以覆盖半导体图案。第一绝缘层10可以包括无机层和/或有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在所图示的实施例中,第一绝缘层10是单层的氧化硅层,但是本公开不限于此。在下面更详细描述的电路层112可以包括无机层和/或有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括以上描述的材料中的至少一种,但是本公开不限于此。
113.晶体管100pc的栅极(例如,栅电极)g1被设置在第一绝缘层10上。栅极g1可以是金属图案的一部分。栅极g1与有源区a1重叠。栅极g1可以在掺杂半导体图案的过程中通过掩模形成。
114.第二绝缘层20被设置在第一绝缘层10上并且可以覆盖栅极g1。第二绝缘层20可以与多个像素共同地重叠。第二绝缘层20可以包括无机层和/或有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。在所图示的实施例中,第二绝缘层20是单层的氧化硅层,但是本公开不限于此。
115.第三绝缘层30可以被设置在第二绝缘层20上,并且在所图示的实施例中,第三绝缘层30是单层的氧化硅层。然而,本公开不限于此。
116.第一连接电极cne1可以被设置在第三绝缘层30上。第一连接电极cne1可以通过穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30的接触开口(例如,接触孔)cnt

1连接到连接信号线scl。
117.第四绝缘层40可以被设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以是无机层(例如,单层的氧化硅层)。第五绝缘层50可以被设置在第四绝缘层40上。第五绝缘层50可以是有机层。
118.第二连接电极cne2可以被设置在第五绝缘层50上。第二连接电极cne2可以通过穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触开口(例如,接触孔)cnt

2连接到第一连接电极cne1。
119.第二连接电极cne2的第一厚度tkx(例如,第二连接电极cne2的在第五绝缘层50上方的厚度)可以大于栅极g1的第二厚度tky。例如,第一厚度tkx可以是第二厚度tky的大约三倍。第一厚度tkx可以是大约6,000埃,而第二厚度tky可以是大约2,000埃。第二连接电极cne2的第一厚度tkx可以与第一连接电极cne1的厚度(例如,第一连接电极cne1的在第三绝缘层30上方的厚度)相同或基本上相同。
120.第六绝缘层60被设置在第五绝缘层50上并且可以覆盖第二连接电极cne2。第六绝缘层60可以是有机层。
121.包括发光元件100pe的发光元件层113可以被设置在电路层112上。发光元件100pe可以包括第一电极ae、发射层el和第二电极ce。
122.第一电极ae可以被设置在第六绝缘层60上。第一电极ae可以通过穿过第六绝缘层60的接触开口(例如,接触孔)cnt

3连接到第二连接电极cne2。
123.像素限定膜70被设置在第六绝缘层60上并且可以不覆盖第一电极ae的一部分(例如,可以仅覆盖第一电极ae的一部分或边缘部分)。可以在像素限定膜70中限定开口(例如,开口部分)70

op。像素限定膜70中的开口70

op暴露第一电极ae的至少一部分(例如,中心部分)。
124.如图6中所图示的,活跃区100a(参见例如图2)可以包括像素区pxa和与像素区pxa邻近的非像素区npxa。非像素区npxa可以围绕像素区pxa(例如,可以围绕像素区pxa的外围延伸)。在所图示的实施例中,像素区pxa被限定为与第一电极ae的由像素限定膜70中的开口70

op暴露的一部分相对应。
125.发射层el可以被设置在第一电极ae上。发射层el可以被设置在与像素限定膜70中的开口70

op相对应的区中。例如,发射层el可以被形成以便被分布到像素中的每一个(例如,可以在每个像素中形成单独的或单个的发射层el)。当发射层el被分布到像素中的每一个时,发射层el中的每一个可以发射具有蓝色、红色和绿色中的至少一种颜色的光。然而,本公开不限于此,并且发射层el可以连接到像素并且也可以被共同地提供(例如,单个发射层el可以遍及多个像素或像素中的全部延伸)。在这样的实施例中,发射层el可以提供蓝光或白光。
126.第二电极ce可以被设置在发射层el上。第二电极ce可以具有一体的形状并且被共同地设置到多个像素(例如,第二电极ce可以遍及多个像素或像素中的全部共同地设置)。
127.空穴控制层可以被设置在第一电极ae与发射层el之间。空穴控制层可以被设置在像素区pxa和非像素区npxa中。空穴控制层可以包括空穴传输层,并且可以进一步包括空穴注入层。电子控制层可以被设置在发射层el与第二电极ce之间。电子控制层可以包括电子传输层,并且可以进一步包括电子注入层。可以使用开放掩模在多个像素中形成空穴控制层和电子控制层。
128.封装层114可以被设置在发光元件层113上。封装层114可以保护发光元件层113不受诸如水、氧气或灰尘颗粒的异物的影响。
129.传感器层120可以包括基底绝缘层121、第一导电层122、检测绝缘层123、第二导电层124和覆盖绝缘层125。
130.基底绝缘层121可以是包括氮化硅、氧氮化硅和氧化硅中的任何一种的无机层。在其它实施例中,基底绝缘层121可以是包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺树脂的有机层。
基底绝缘层121可以具有在第三方向dr3上层叠(例如,堆叠)的单层结构或多层结构。
131.第一导电层122和第二导电层124中的每一个可以具有在第三方向dr3上层叠的单层结构或多层结构。
132.单层的第一导电层122和单层的第二导电层124可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、钛、铜、铝或其合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)或氧化铟锌锡(izto)的透明导电氧化物。透明导电层还可以包括诸如pedot的导电聚合物、金属纳米线或石墨烯。
133.多层的第一导电层122和多层的第二导电层124可以包括金属层。金属层可以具有例如包括钛/铝/钛的三层结构。多层的第一导电层122和多层的第二导电层124可以包括金属层和透明导电层。
134.传感器层120可以通过互静电电容的变化获取关于(或来自)外部输入的信息,和/或可以通过自静电电容的变化获取关于(或来自)外部输入的信息。例如,传感器层120可以包括检测图案和电桥图案。检测图案和电桥图案中的至少一部分可以被包括在第一导电层122中,并且检测图案和电桥图案中的至少一部分可以被包括在第二导电层124中。检测绝缘层123和/或覆盖绝缘层125可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
135.检测绝缘层123和/或覆盖绝缘层125可以包括有机层。有机层可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂和苝树脂中的任何一种。
136.图7是图示了根据本公开的实施例的显示面板的一些部件的平面图。图7图示了两个子区ar1以及被设置在两个子区ar1中的发射层el1、el2和el3。
137.参考图5至图7,八个发射层el1、el2和el3可以被设置在子区ar1中的每一个中。例如,两个第一发射层el1、四个第二发射层el2和两个第三发射层el3可以被设置在单个子区ar1中。例如,第一发射层el1可以是发射蓝光的发射层,第二发射层el2可以是发射绿光的发射层,并且第三发射层el3可以是发射红光的发射层。
138.第一发射层el1中的每一个的面积可以大于第二发射层el2中的每一个的面积和第三发射层el3中的每一个的面积,并且第二发射层el2中的每一个的面积可以小于第三发射层el3中的每一个的面积。
139.第一发射层el1和第三发射层el3可以沿着第一方向dr1和第二方向dr2中的每一个一个接一个交替地布置。第二发射层el2可以在第一方向dr1和第二方向dr2上布置。一个第二发射层el2可以被设置在彼此最邻近的两个第一发射层el1之间或彼此最邻近的两个第三发射层el3之间。彼此邻近的两个第一发射层el1可以在第一方向dr1与第二方向dr2之间的方向上(例如,在从第一方向dr1和第二方向dr2都偏移大约45度的方向上)彼此间隔开。第一至第三发射层el1、el2和el3的布置形式可以被称为蜂窝(pentile)结构。
140.被设置在各个子区ar1中的第一至第三发射层el1、el2和el3的数量、形状以及布置形式不限于图7中所图示的示例。第一至第三发射层el1、el2和el3的数量可以大于或小于所图示的示例中的数量。第一至第三发射层el1、el2和el3的形状可以被不同地修改成不是菱形形状或结构的矩形、多边形或圆形。第一至第三发射层el1、el2和el3的布置形式可以是不是pentile结构的条纹结构。
141.图8a至图8g是图示了图4a的区bb’的放大平面图。也就是说,图8a至图8g是图示了图4a中所示的第一区100a1的区的放大平面图。
142.第一区100a1可以包括第一子区ar1’和第二子区ar2。第一子区ar1’和第二子区ar2中的每一个可以被提供为多个。第一子区ar1’和第二子区ar2可以根据规则或图案(例如,预定规则或图案)布置。
143.像素可以被设置在第一子区ar1’中,并且第一子区ar1’可以是图像被提供在其处的区。因此,第一子区ar1’中的每一个可以被称为有效区(effective region)。
144.第二子区ar2中的透射率可以高于第一子区ar1’中的透射率。第二子区ar2可以各自被称为透射区、非显示区、半透射区、开口区或开放区。
145.像素可以不被设置在第二子区ar2中。因此,包括第一子区ar1’和第二子区ar2的第一区100a1的分辨率可以低于第二区100a2(参见例如图4a)的分辨率。
146.图8a至图8g图示了第一子区ar1’与第二子区ar2之间的布置关系。然而,本公开不限于此。当第一区100a1包括第一子区ar1’和第二子区ar2两者时,第一子区ar1’和第二子区ar2的布置关系可以被不同地改变。
147.参考图8a,第一子区ar1’和第二子区ar2可以在第一方向dr1和第二方向dr2上交替地布置。例如,单个第一子区ar1’和单个第二子区ar2可以交替地布置。
148.参考图8b,第一子区ar1’可以各自被第二子区ar2围绕(例如,每个第一子区ar1’可以被第二子区ar2沿着外围围绕)。例如,子区的第一行和子区的第二行可以在第二方向dr2上交替地布置。子区的第一行可以是其中单个第一子区ar1’和单个第二子区ar2在第一方向dr1上布置(例如,交替地布置)的行。子区的第二行可以是其中第二子区ar2在第一方向dr1上布置的行(例如,子区的第二行可以仅包括第二子区ar2)。
149.因为图8b中的每单位面积的第二子区ar2的数量比图8a中的大,所以图8b中的分辨率可以低于图8a中的分辨率,并且图8b中的透射率可以高于图8a中的透射率。
150.参考图8c,第一子区ar1’可以各自被第二子区ar2围绕(例如,沿着外围围绕)。例如,子区的第一列、第二列、第三列和第二列可以在第一方向dr1上交替地(例如,彼此邻近)布置。子区的第一列可以是其中单个第一子区ar1’和单个第二子区ar2在第二方向dr2上布置(例如,交替地布置)的列。子区的第二列可以是其中第二子区ar2在第二方向dr2上布置的列(例如,子区的第二列可以仅包括第二子区ar2)。子区的第三列可以是其中单个第一子区ar1’和单个第二子区ar2在第二方向dr2上交替地布置的列。当子区的第一列中的偶数编号的子区是第二子区ar2时,子区的第三列中的偶数编号的子区可以是第一子区ar1’。
151.参考图8d,子区的第一列和第二列可以在第一方向dr1上交替地(例如,彼此邻近)布置。子区的第一列可以是其中第一子区ar1’在第二方向dr2上布置的列(例如,子区的第一列可以仅包括第一子区ar1’)。子区的第二列可以是其中第二子区ar2在第二方向dr2上布置的列(例如,子区的第二列可以仅包括第二子区ar2)。
152.参考图8e,子区的第一列、第二列和第三列可以在第一方向dr1上交替地(例如,彼此邻近)布置。子区的第一列和第二列可以各自是其中单个第一子区ar1’和单个第二子区ar2在第二方向dr2上布置(例如,交替地布置)的列。子区的第三列可以是其中第二子区ar2在第二方向dr2上布置的列(例如,子区的第三列可以仅包括第二子区ar2)。当子区的第一列中的偶数编号的子区是第二子区ar2时,子区的第二列中的偶数编号的子区可以是第一
子区ar1’。
153.参考图8f,子区的第二行和两个第一行可以在第二方向dr2上交替地布置。子区的两个第一行可以各自是其中单个第一子区ar1’和单个第二子区ar2在第一方向dr1上布置(例如,交替地布置)的行。子区的第二行可以是其中第二子区ar2(例如,仅第二子区ar2)在第一方向dr1上布置的行。
154.参考图8g,子区的第二列和两个第一列可以在第一方向dr1上交替地布置。子区的两个第一列可以各自是其中单个第一子区ar1’和单个第二子区ar2在第二方向dr2上布置(例如,交替地布置)的列。子区的第二列可以是其中第二子区ar2在第二方向dr2上布置的列(例如,子区的第二列可以仅包括第二子区ar2)。
155.图9是图示了根据本公开的实施例的显示面板的一些部件的平面图。
156.参考图9,图示了第二子区ar21的一部分、另一第二子区ar22的一部分以及第一子区ar1’。第二子区ar21和第二子区ar22可以彼此间隔开,并且第一子区ar1’介于它们之间。第二子区ar21和第二子区ar22可以在第一方向dr1上彼此间隔开。
157.发射层el1、el1a、el2、el2a、el2a1、el3和el3a可以被设置在第一子区ar1’中。第一发射层el1和el1a可以是发射蓝光的发射层,第二发射层el2、el2a和el2a1可以是发射绿光的发射层,并且第三发射层el3和el3a可以是发射红光的发射层。
158.第一发射层el1和el1a、第二发射层el2、el2a和el2a1以及第三发射层el3和el3a的一部分可以被设置成与第二子区ar21或第二子区ar22邻近。图9分别图示了被设置成与第二子区ar21或第二子区ar22邻近的发射层el1a、el2a、el2a1和el3a的附图标记。
159.第一发射层el1a可以包括第一发光部分el11和第二发光部分el12。第二发射层el2a可以包括第三发光部分el23和第四发光部分el24。第二发射层el2a1可以包括第三发光部分el231和第四发光部分el241。第三发射层el3a可以包括第五发光部分el35和第六发光部分el36。
160.像素可以不被设置在第二子区ar21和ar22中。在第一子区ar1’中,配线可以不被设置在与第二子区ar21和ar22邻近的一些区中。
161.图9图示了被设置在与第一连接电极cne1(参见例如图6)相同的层上的图案cne1p。图案cne1p可以各自是形成扫描线、数据线或发光控制线的一部分的导电图案。图案cne1p可以不被设置在与第二子区ar21和ar22邻近的一些区中。
162.第一至第三发射层el1a、el2a、el2a1和el3a可以包括不与图案cne1p重叠(例如,可以不完全重叠)的一些部分。例如,第一发光部分el11、第四发光部分el24、第四发光部分el241和第五发光部分el35可以不与图案cne1p重叠。
163.根据本公开的实施例,白角差(wad)特性可以通过调节被设置在第一发光部分el11、第四发光部分el24、第四发光部分el241和第五发光部分el35下方的层的厚度来改进。wad是用于根据视角评估白角差的变化的方法。例如,wad特性可以通过测量根据视角的亮度的量的变化和在垂直于屏幕的方向(例如,第三方向dr3)上观察到的色坐标的量的变化来评估。当wad特性被改进时,显示装置1000(参见例如图1)的显示质量可以被改进。
164.图10a是根据本公开的实施例的沿着图9中的线i

i’截取的截面图,并且图10b是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图。
165.参考图10a,图示了第一发射层el1a和被设置在第一发射层el1a下方的第一电极
ae1a。参考图10b,图示了第二发射层el2a和被设置在第二发射层el2a下方的第一电极ae2a(在下文中,被称为“第二第一电极”)。
166.参考图10a和图10b,电路层112的厚度可以根据位置而变化(例如,可以沿着第一方向dr1和/或第二方向dr2变化)。电路层112的厚度可以与从基底层111的上表面到电路层112的上表面的距离相对应,并且可以在平行于第三方向dr3的方向上测量该距离。
167.电路层112可以在第一子区ar1’内具有第一厚度tk1,并且可以在第二子区ar21和ar22内具有第二厚度tk2。在第二子区ar21和ar22中,可以省略构成电路层112的层中的至少一部分,并且因此,第二子区ar21和ar22的透射率可以高于第一子区ar1’的透射率。
168.在第一子区ar1’的与第二子区ar21和ar22邻近的一部分处的电路层112的厚度tk1a和tk1b可以朝向第二子区ar21和ar22逐渐减小或逐渐增大。
169.调节电路层112的厚度tk1a和tk1b,使得当在特定方向上观察时,特定颜色可以不被强烈地观察到(例如,可以不太可见)。例如,显示装置1000(参见例如图1)的wad特性可以通过调节电路层112的厚度tk1a和tk1b来改进。例如,随着电路层112的厚度tk1a逐渐减小,第一发射层el1a的第一发光部分el11的一部分可以具有朝向显示面板100的下表面100bs倾斜的形状(例如,可以具有下降的形状)。因此,为了补偿由于倾斜部分而导致的下降的wad特性,可以如下面更详细地描述的那样调节另一发射层的斜率。
170.第一电极ae1a和第二第一电极ae2a可以被设置在电路层112上。第一电极ae1a可以具有第一部分ae11和第二部分ae12(参见例如图10a),并且第二第一电极ae2a可以包括第三部分ae23和第四部分ae24(参见例如图10b)。第一部分ae11和第二部分ae12可以彼此连接并且具有一体的形状(例如,可以彼此是一体的),并且第三部分ae23和第四部分ae24可以彼此连接并且具有一体的形状(例如,可以彼此是一体的)。
171.与第一部分ae11重叠(例如,在第一部分ae11下方)的电路层112的厚度tk1a可以小于与第四部分ae24重叠(例如,在第四部分ae24下方)的电路层112的厚度tk1b。随着电路层112的厚度tk1a和tk1b被调节,第一部分ae11与第二部分ae12之间的第一角度ag1和第三部分ae23与第四部分ae24之间的第二角度ag2可以彼此不同。例如,第一角度ag1可以大于大约180度(例如,可以是优角),并且第二角度ag2可以小于大约180度(例如,可以是钝角)。
172.第一发射层el1a被设置在第一电极ae1a上,并且第二发射层el2a可以被设置在第二第一电极ae2a上。第一发射层el1a可以包括第一发光部分el11和第二发光部分el12,并且第二发射层el2a可以包括第三发光部分el23和第四发光部分el24。
173.第一发光部分el11和第二发光部分el12可以在第一方向dr1上彼此间隔开(例如,可以彼此邻近)。另外,第一发光部分el11和第二发光部分el12可以具有彼此连接的一体的形状。第三发光部分el23和第四发光部分el24可以在第一方向dr1上彼此邻近。另外,第三发光部分el23和第四发光部分el24可以具有彼此连接的一体的形状。
174.第一发光部分el11可以比第二发光部分el12进一步邻近(或更接近)第二子区ar21,并且第四发光部分el24可以比第三发光部分el23进一步邻近(或更接近)第二子区ar22。越靠近第二子区ar21,被设置在第一发光部分el11下方的电路层112的厚度tk1a可以越小,并且越靠近第二子区ar22,被设置在第四发光部分el24下方的电路层112的厚度tk1b可以越大(例如,电路层112的厚度tk1a可以随着它接近第二子区ar21而减小,并且电路层112的厚度tk1b可以随着它接近第二子区ar22而增大)。
175.第一发光部分el11可以被设置在第一部分ae11上,第二发光部分el12可以被设置在第二部分ae12上,第三发光部分el23可以被设置在第三部分ae23上,并且第四发光部分el24可以被设置在第四部分ae24上。因此,在第一发光部分el11与第二发光部分el12之间形成的第一角度ag1a(例如,第一发光部分el11的上表面与第二发光部分el12的上表面之间的角度)和在第三发光部分el23与第四发光部分el24之间形成的第二角度ag2a(例如,第三发光部分el23的上表面与第四发光部分el24的上表面之间的角度)可以彼此不同。例如,第一角度ag1a可以大于大约180度,并且第二角度ag2a可以小于大约180度。
176.第一发光部分el11可以在从第二发光部分el12朝向显示面板100的下表面100bs的方向上倾斜。第四发光部分el24可以在从第三发光部分el23朝向显示面板100的上表面100us的方向上倾斜。
177.第二发射层el2a1(参见例如图9)可以在第二方向dr2上与第二发射层el2a间隔开。第二发射层el2a1可以与第二发射层el2a发射相同的颜色的光。例如,第二发射层el2al可以发射绿光。第二发射层el2a、el2a1中的一个可以被称为第二发射层,并且另一个可以被称为第三发射层。由第三发光部分el231和第四发光部分el241形成的角度可以与由第三发光部分el23和第四发光部分el24形成的角度基本上相同。
178.第三发射层el3a的第五发光部分el35和第六发光部分el36(参见例如图9)可以具有与如图10a中所示的第一发射层el1a的第一发光部分el11和第二发光部分el12基本上相对应的形状。第五发光部分el35可以从第六发光部分el36延伸,并且可以朝向显示面板100的下表面100bs倾斜。例如,第一发光部分el11可以对应于第五发光部分el35,并且第二发光部分el12可以对应于第六发光部分el36。因此,可以省略对第三发射层el3a的详细描述。
179.根据本公开的实施例,第一发光部分el11和第五发光部分el35可以倾斜以在第一方向l1上提供光。第四发光部分el24可以倾斜以在第二方向l2上提供光。第一方向l1和第二方向l2可以是基本上相同的方向。因此,当在方向drx上观察时,色坐标的变化由于提供蓝光的第一发光部分el11、提供绿光的第四发光部分el24和提供红光的第五发光部分el35而可以减少。因此,随着显示装置1000(参见例如图1)的wad特性被改进,显示装置1000的显示质量可以被改进。
180.图11a是根据本公开的实施例的沿着图9中的线i

i’截取的截面图,图11b是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图,并且图11c是根据本公开的实施例的沿着图9中的线iii

iii’截取的截面图。
181.参考图11a,图示了第一发射层el1b和被设置在第一发射层el1b下方的第一电极ae1b。参考图11b,图示了第二发射层el2b和被设置在第二发射层el2b下方的第一电极ae2b(在下文中,被称为“第二第一电极”)。参考图11c,图示了第三发射层el3b和被设置在第三发射层el3b下方的第一电极ae3b(在下文中,被称为“第三第一电极”)。
182.被设置在第一子区ar1’的与第二子区ar21和ar22邻近的一部分处的电路层112的厚度tk1a1、tk1a2和tk1b1可以朝向第二子区ar21和ar22逐渐减小或逐渐增大。
183.随着电路层112接近第二子区ar21,被设置在第一发光部分el11b下方的电路层112的厚度tk1a1可以增加。随着电路层112接近第二子区ar22,被设置在第四发光部分el24b下方的电路层112的厚度tk1b1可以减小。随着电路层112接近第二子区ar21,被设置在第五发光部分el35b下方的电路层112的厚度tk1a2可以增加。
184.在本公开的实施例中,wad特性可以通过调节第一发射层el1b下方的电路层112的一部分和第三发射层el3b下方的电路层112的一部分的厚度来改进。例如,可以调节第一发光部分el11b的斜率和第五发光部分el35b的斜率以在与第四发光部分el24b相似的方向上提供光。
185.第一发射层el1b可以是发射蓝光的层,第二发射层el2b可以是发射绿光的层,并且第三发射层el3b可以是发射红光的层。对于每种颜色,根据视角的亮度比的变化可以不同。因此,可以将第一发光部分el11b的斜率和第五发光部分el35b的斜率调节成彼此不同。
186.例如,根据视角的亮度比的变化对于蓝光可以比对于红光更大。因此,可以将第一发光部分el11b的斜率调节成大于第五发光部分el35b的斜率。第一发光部分el11b与第二发光部分el12b之间的第一角度ag1b可以小于第五发光部分el35b与第六发光部分el36b之间的第二角度ag2b。然而,这仅是示例,并且可以适当地修改这些角度。
187.图12是根据本公开的实施例的沿着图9中的线i

i’截取的截面图。更详细地,图12是图示了图10a中所图示的显示层110的层叠关系的图。图13是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图。更详细地,图13是图示了图10b中所图示的显示层110的层叠关系的图。
188.参考图12,第一子区ar1’可以包括与第二子区ar21邻近的邻近区ar1’a。在第二子区ar21中,可以仅设置电路层112中的缓冲层bfl和第一绝缘层10,但是本公开不限于此。另外,图12和图13各自图示了第二电极ce被设置在第二子区ar21和ar22中,但是本公开不限于此。例如,可以去除第二电极ce的被设置在第二子区ar21和ar22中的一部分(例如,可以从第二子区ar21和ar22中省略第二电极ce)。在这样的实施例中,第二子区ar21和ar22的透射率与第二电极ce存在于第二子区ar21和ar22中的实施例相比可以被改进。
189.图案cne1p可以不被设置在邻近区ar1’a中。电路层112的上表面112usa可以具有倾斜形状,在该倾斜形状处(例如,在邻近区ar1’a中)省略了图案cne1p。
190.被设置在邻近区ar1’a中的第一部分ae11和第一发光部分el11可以具有相对于第二部分ae12和第二发光部分el12中的每一个倾斜的形状。
191.参考图13,第一子区ar1’可以进一步包括与第二子区ar22邻近的邻近区ar1’b。电路层112的在邻近区ar1’b中的上表面112usb可以具有倾斜形状。
192.在本公开的实施例中,电路层112的在邻近区ar1’a中的上表面112usa可以朝向基底层111倾斜,并且电路层112的在邻近区ar1’b中的上表面112usb可以远离基底层111倾斜。因此,第一发光部分el11和第四发光部分el24在相似的方向上提供光,使得显示装置1000(参见例如图1)的wad特性可以被改进。
193.为了调节电路层112的上表面112usb的斜率,电路层112的层(例如,层中的至少一些)中的至少一部分可以被使用(例如,可以被形成得更厚或更薄)。例如,第五绝缘层50和第六绝缘层60中的任何一个可以被使用。在下文中,第五绝缘层50被称为第一中间绝缘层50,并且第六绝缘层60被称为第二中间绝缘层60。
194.第一中间绝缘层50和第二中间绝缘层60可以是被设置在第一子区ar1’中的层。第一中间绝缘层50可以被设置在第一发射层el1a和第二发射层el2a下方,并且第二中间绝缘层60可以被设置在第一中间绝缘层50上。另外,第二中间绝缘层60可以被设置在第一中间绝缘层50与第一发射层el1a之间以及在第一中间绝缘层50与第二发射层el2a之间。当在平
面中观察时,第一中间绝缘层50和第二中间绝缘层60可以各自与第二子区ar21和ar22间隔开(例如,可以不被设置在第二子区ar21和ar22中)。短语“在平面中观察”指示在显示层110的厚度方向上观察,并且还可以指示“在第三方向dr3上观察”。
195.第一中间绝缘层50可以包括:被设置在第一发光部分el11下方的第一绝缘部分51、被设置在第二发光部分el12下方的第二绝缘部分52、被设置在第三发光部分el23下方的第三绝缘部分53以及被设置在第四发光部分el24下方的第四绝缘部分54。第二中间绝缘层60可以包括:被设置在第一发光部分el11下方的第五绝缘部分61、被设置在第二发光部分el12下方的第六绝缘部分62、被设置在第三发光部分el23下方的第七绝缘部分63以及被设置在第四发光部分el24下方的第八绝缘部分64。
196.根据本公开的实施例,第四发光部分el24的斜率可以通过将第一至第八绝缘部分51、52、53、54、61、62、63和64中的至少任何一个形成为具有大于另一部分的厚度的厚度来调节。例如,第四发光部分el24的斜率可以通过调节第八绝缘部分64的厚度tk64来调节。第八绝缘部分64的厚度tk64可以大于第五至第七绝缘部分61、62和63的相应厚度tk61、tk62和tk63。
197.第一中间绝缘层50可以通过使用二元掩模形成,并且第二中间绝缘层60可以通过使用半色调掩模形成。例如,第二中间绝缘层60可以包括正型光刻胶材料。半色调掩模可以包括:具有最高透射率的透射部分、具有最低透光率的遮光部分以及具有中等透射率的半透射部分。透射部分可以被设置成与第二子区ar21和ar22相对应,半透射部分可以被设置成与第一子区ar1’的排除邻近区ar1’b(例如,除了邻近区ar1’b之外)的一部分相对应,并且遮光部分可以被设置成与邻近区ar1’b相对应。第八绝缘部分64可以通过调节半透射部分和遮光部分的区域或位置来形成。
198.图14是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图。更详细地,图14是图示了图10b中所图示的显示层110的层叠关系的图。在描述图14时,与上面相对于图13描述的那些部件相同的部件由相同的符号或附图标记指代,并且图14的描述可以集中于与图13中所示的实施例的差异。
199.参考图12和图14,第一中间绝缘层50可以包括:被设置在第一发光部分el11下方的第一绝缘部分51、被设置在第二发光部分el12下方的第二绝缘部分52、被设置在第三发光部分el23下方的第三绝缘部分53以及被设置在第四发光部分el24下方的第四绝缘部分54a。第二中间绝缘层60可以包括:被设置在第一发光部分el11下方的第五绝缘部分61、被设置在第二发光部分el12下方的第六绝缘部分62、被设置在第三发光部分el23下方的第七绝缘部分63以及被设置在第四发光部分el24下方的第八绝缘部分64a。
200.根据本公开的实施例,第四发光部分el24的斜率可以通过将第一至第八绝缘部分51、52、53、54a、61、62、63和64a中的至少任何一个形成为具有大于另一部分的厚度的厚度来调节。例如,第四发光部分el24的斜率可以通过调节第四绝缘部分54a的厚度tk54来调节。第四绝缘部分54a的厚度tk54可以大于第一至第三绝缘部分51、52和53的相应厚度tk51、tk52和tk53。
201.图15是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图。更详细地,图15是图示了图10b中所图示的显示层110的层叠关系的图。在描述图15时,与图13中描述的部件相同的部件由相同的符号或附图标记指代,并且图15的描述可以集中于与前面描述的
实施例的差异。
202.参考图12和图15,第一中间绝缘层50可以包括:被设置在第一发光部分el11下方的第一绝缘部分51、被设置在第二发光部分el12下方的第二绝缘部分52、被设置在第三发光部分el23下方的第三绝缘部分53以及被设置在第四发光部分el24下方的第四绝缘部分54b。第二中间绝缘层60可以包括:被设置在第一发光部分el11下方的第五绝缘部分61、被设置在第二发光部分el12下方的第六绝缘部分62、被设置在第三发光部分el23下方的第七绝缘部分63以及被布置在第四发光部分el24下方的第八绝缘部分64b。
203.根据本公开的实施例,第四发光部分el24的斜率可以通过将第一至第八绝缘部分51、52、53、54b、61、62、63和64b中的至少任何一个形成为具有大于另一部分的厚度的厚度来调节。例如,第四发光部分el24的斜率可以通过调节第四绝缘部分54b的厚度tk54b和第八绝缘部分64b的厚度tk64b来调节。第四绝缘部分54b的厚度tk54b可以大于第一至第三绝缘部分51、52和53的相应厚度tk51、tk52和tk53,并且第八绝缘部分64a的厚度tk64b可以大于第五至第七绝缘部分61、62和63的相应厚度tk61、tk62和tk63。在实施例中,从第一中间绝缘层50的下表面到第一发光部分el11的厚度小于从第一中间绝缘层50的下表面到第四发光部分el24的厚度。
204.在本公开的实施例中,第一中间绝缘层50和第二中间绝缘层60可以通过使用半色调掩模形成。透射部分可以被设置成与第二子区ar21和ar22相对应,半透射部分可以被设置成与第一子区ar1’的除邻近区ar1’b之外的一部分相对应,并且遮光部分可以被设置成与邻近区ar1’b相对应。第四绝缘部分54b和第八绝缘部分64b可以通过调节半透射部分和遮光部分的区域或位置来各自形成。
205.图16是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图。更详细地,图16是图示了图10b中所图示的显示层110的层叠关系的图。在描述图16时,与图13中描述的部件相同的部件由相同的符号或附图标记指代,并且图16的描述可以集中于与前面描述的实施例的差异。
206.参考图16,除了调节第一中间绝缘层50的厚度和/或第二中间绝缘层60的厚度的方法之外,还可以使用向邻近区ar1’b添加图案的方法。例如,图案可以通过使用金属层中具有相对大的厚度的层来添加。
207.在本公开的实施例中,第一金属图案cne11可以被进一步设置在第四绝缘部分54与第八绝缘部分64之间。第一金属图案cne11可以是被设置在与第二连接电极cne2(参见例如图6)相同的层上的图案。例如,第一金属图案cne11的厚度可以是大约6,000埃,但是本公开不限于此。
208.图17是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图。更详细地,图17是图示了图10b中所图示的显示层110的层叠关系的图。在描述图17时,与图13中描述的部件相同的部件由相同的符号或附图标记指代,并且图17的描述可以集中于与前面描述的实施例的差异。
209.参考图17,第二金属图案cne22可以被设置在第四绝缘部分54下方。第二金属图案cne22可以是被设置在与第一连接电极cne1(参见例如图6)相同的层上的图案。例如,第二金属图案cne22的厚度可以是大约6,000埃,但是本公开不限于此。
210.图18是根据本公开的实施例的沿着图9中的线ii

ii’截取的截面图。更详细地,图
18是图示了图10b中所图示的显示层110的层叠关系的图。在描述图18时,与图13中描述的部件相同的部件由相同的符号或附图标记指代,并且图18的描述可以集中于与前面描述的实施例的差异。
211.参考图18,第一金属图案cne11被设置在第四绝缘部分54与第八绝缘部分64之间,并且第二金属图案cne22可以被设置在第四绝缘部分54下方。图16至图18图示了其中第一金属图案cne11和第二金属图案cne22中的至少一个被添加到图13中所图示的结构的配置,但是本公开的实施例不限于此。例如,第一金属图案cne11和第二金属图案cne22中的至少一个也可以被添加到图14和图15中所图示的结构。
212.如以上所描述的,显示装置的wad特性可以通过调节被设置在显示面板的发光部分下方的层中的一部分的厚度来改进。随着wad特性被改进,显示装置的显示质量可以被改进。
213.已经参考实施例描述了本公开。然而,本领域普通技术人员将理解,可以对本公开进行各种修改和变更而不脱离权利要求及其等效物中阐述的本公开的精神和技术领域。因此,本公开的范围应由所附权利要求及其等效物的技术范围来确定。
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