一种基于类黑磷材料的太阳能电池及其制备方法

文档序号:26054767发布日期:2021-07-27 15:31阅读:109来源:国知局
一种基于类黑磷材料的太阳能电池及其制备方法

本发明涉及一种用少层gese堆垛和少层ges堆垛结构实现半导体太阳能电池的方法,属于半导体技术领域。



背景技术:

人类的发展史就是人类对于能量的利用历史。从原始社会的用木材燃烧提供能量,到18世纪发动机和蒸汽机等重型机械的发明,人类利用能源的方式越来越先进。随着人类社会的不断发展和进步,人类对能源的需求日趋增加,太阳能是生活中最常见的能源,更是地球上绝大多数可再生能源的来源,对太阳能的直接利用成为了人们探索的一个课题。

利用和开发太阳能的重要产品之一就是太阳能电池,其利用光生伏特效应,将电池暴露在阳光下的时候,其能吸收转化光子为电子,然后对电子进行输运收集,从而将太阳能转变为了电能。

具有原子层厚度的2d材料因其优越的的性质受到了人们的广泛研究,如石墨烯、mos2、黑磷烯等等。近期,新型的类黑磷烯材料受到了人们的关注。类黑磷材料和黑磷材料具有及其相似的性质,如高电子迁移率和优越的光学性质等等。且类黑磷烯相比于黑磷烯更加稳定。本文通过理论计算,选取2种稳定的类黑磷烯结构即双层gese-ad堆垛和双层旋转ges-ab堆垛。本文通过这2种结构构成ⅱ型半导体异质结来制造半导体太阳能电池。在白光照射下,本文提供的太阳能电池其开路电压理论上达到1.15v,短路电流密度达到299.13a/㎡,太阳能电池的am1.5能量转换效率高达22.44%。



技术实现要素:

技术问题:本发明的目的在于提供一种异质结太阳能电池及其制备方法,使用二维材料gese和ges的不同堆垛结构组成ⅱ型异质结制备太阳能电池,降低制备成本,且具有很高的光电转化效率。

技术方案:一种异质结薄膜太阳能电池,该异质结太阳能电池由下而上包括如下结构:最底层为衬底,第二层为阳极,第三层为双层ad堆垛的gese结构;第四层为双层旋转ab堆垛ges,最上层为阴极。

所述异质结太阳能电池中的双层ad堆垛的gese和双层旋转ab堆垛ges为双层,厚度为双层旋转ges-ab堆垛结构为:第一层相对于第二层进行了180°的旋转,且第一层结构相当于相对第二层沿a方向移动了约0.281个周期,而双层ges-ad堆垛的第二层相当于第一层沿b方向移动了半个周期的距离;ab堆垛双层薄膜和ad堆垛双层薄膜组成异质结,ad堆垛作为给体部分,ab堆垛作为受体部分,ad堆垛的gese和双层旋转ab堆垛ges构成了一个ⅱ型异质结。

所述异质结材料分别为双层ad堆垛的gese和双层旋转ab堆垛ges,这两种结构都是通过探针剥离法将初始结构进行错位得到得到的。

这里采用的阳极和衬底都为一体化的ito玻璃,阴极为金属层。

一种所述的异质结薄膜太阳能电池的制备方法,该制备方法包括以下步骤:

a.衬底和电极的制备:采用光刻法在衬底上制备阳极

b.用液相法分别制备gese薄膜和ges薄膜;

c.gese堆垛和ges堆垛制备:

1)将上述得到的ges膜,在电子显微镜下,通过探针剥离的方法,剥离得到双层的ges膜;

2)将1)得到的ges在电子显微镜下,使用探针移动层与层间的相对距离或进行层间的旋转变换,得到所要求的双层旋转ges-ab堆垛,最后再将二者通过层间的范德瓦尔斯力相互结合形成横向异质结;

3)经过步骤1)和2)相同的方法制备得到gese-ad堆垛;

d.器件组合:

将c得到的双层gese-ad堆垛通过二维材料转移装置转移到ito电极上方,然后将c得到的双层旋转ges-ab堆垛通过二维材料转移系统堆叠在ges-ad堆叠的上方,最后对得到的器件进行退火处理;

e.制备阴极:将d得到的器件,通过表面蒸镀法在表面蒸镀一层金属膜作为阴极。

衬底和电极的具体制备方法为:采用导电玻璃作为衬底和电极,首先在导电玻璃上涂上均匀的光刻胶,通过光刻技术得到对应电极图形的反图形,然后用刻蚀液腐蚀掉未被保护的部分,最后用丙酮溶液清洗掉多余的光刻胶,将得到的电极结构用酒精和去离子水进行超声清洗,然后用氮气吹干。

用液相法制备ges纳米薄膜,将计量比的锗氯化二噁烷络合物、硫脲、油酰胺0la分别在空气中轻微的磁力搅拌;将搅拌后的液体混合物超声处理,除去油胺中的空气;随后将反应容器连接到schlenk线,抽真空,除去水分和氧气;在磁力搅拌下通氮气进行惰性气体保护;将处理过后的液体混合物加热,随着温度的升高,液体逐渐变成了黄色透明溶液,反应混合物在氮气流下回流反应;反应结束将溶液冷却至室温,沉淀离心分离,洗涤,真空干燥获得样品。

用液相法制的gese,首先将化学计量比的se粉和油酰胺混合,在空气中轻微磁力搅拌,然后超声去除ola中的空气,把反应容器连接到schlenk线,抽真空以除去体系中的氧气和水份,磁力搅拌下再充入氮气;然后加热,溶液呈透明的棕色时,表明se完全溶解在ola中,向上述溶液中加入异丙醇锗,反应混合物在n2流中回流反应,反应结束冷却至室温,沉淀经离心分离,洗涤真空干燥获得样品。

有益效果:

1.本发明中选取的是二维材料,所述异质结材料分别为双层ad堆垛的gese和双层旋转ab堆垛ges,都为探针法剥离,这类材料的厚度能达到原子级别,这两种材料都为双层结构,厚度很薄,具有良好的透光性和导电性,所以可以将半导体太阳能电池制作的极薄。

2.本发明选用的阳极材料ito可以和功能材料欧姆接触,很好的消除了接触电阻。

3.本发明选用的材料堆叠形成ⅱ型半导体异质结太阳能电池,其具有极高的光电转化效率。所采用的异质结为ⅱ型异质结结构,所谓ⅱ型异质结通常定义为该异质结的能带结构表现为:δec(窄带与宽带导带底能量差)和δev(窄带与宽带价带顶能量差)的符号相同;因此本结构就定义为双层gese-ad堆垛的cbm(导带底)在双层旋转gese-ab堆垛的cbm之上,而双层gese-ad堆垛的vbm(价带顶)也在双层旋转gese-ab堆垛vbm之上。ⅱ型能带对准形成的内建电场能有效分离光生电子-空穴对,这对于光能量的收集是有利的。

附图说明:

图1为本发明提供的异质结太阳能电池的结构示意图。其中,衬底1,2为阳极,3为双层ad堆垛的gese结构;4为双层旋转ab堆垛ges,5为阴极。

图2为双层gese-ad堆垛和双层旋转ges-ab堆垛的能带分布图。

具体实施方式

本发明所述异质结薄膜太阳能电池,该异质结太阳能电池由下而上包括如下结构:最底层位玻璃衬底,第二层为导电玻璃电极,第三层为双层ad堆垛的gese结构;第四层为双层旋转ab堆垛ges,最上层为上电极。

本发明所述的异质结薄膜太阳能电池,所述异质结太阳能电池中的双层ad堆垛的gese和双层旋转ab堆垛ges厚度需要做到双层,厚度为双层旋转ges-ab堆垛结构为:第一层相对于第二层进行了180°的旋转,且第一层结构相当于相对第二层沿a方向移动了约0.281个周期,而双层ges-ad堆垛的第二层相当于第一层沿b方向移动了半个周期的距离;ab堆垛双层薄膜和ad堆垛双层薄膜组成异质结,ad堆垛作为给体部分,ab堆垛作为受体部分,ad堆垛的gese和双层旋转ab堆垛ges构成了一个ⅱ型异质结。

本发明所述的异质结薄膜太阳能电池,所述异质结材料分别为双层ad堆垛的gese和双层旋转ab堆垛ges,这两种结构都是通过探针剥离法得到的;这两种材料都为双层结构,厚度很薄,具有良好的透光性和导电性。

本发明所述的异质结半导体太阳能电池,双层ad型gese堆垛和双层旋转ab型ges堆垛通过探针剥离的方法将初始结构进行错位得到。

本发明所述的异质结薄膜太阳能电池,所采用的异质结为ⅱ型异质结结构,所谓ⅱ型异质结通常定义为该异质结的能带结构表现为:δec(窄带与宽带导带底能量差)和δev(窄带与宽带价带顶能量差)的符号相同;因此本结构就定义为双层gese-ad堆垛的cbm(导带底)在双层旋转gese-ab堆垛的cbm之上,而双层gese-ad堆垛的vbm(价带顶)也在双层旋转gese-ab堆垛vbm之上。ⅱ型能带对准形成的内建电场能有效分离光生电子-空穴对,这对于光能量的收集是有利的。

本发明所述的异质结太阳能电池,这里采用的阳极和衬底衬底可以选用一体化的铟锡氧化物玻璃(ito)、铝锌氧化物玻璃(azo)或铟锌氧化物玻璃(izo);其能和gese堆垛形成良好的欧姆接触,从而显著提升器件性能。可选地,阴极材料为业界常规选择,如可以使用金属铝。

本发明的异质结半导体太阳能电池的制备方法包括以下步骤:

a.衬底和电极的制备

本发明中采用导电玻璃作为衬底和电极,首先在导电玻璃上涂上均匀的光刻胶,通过光刻技术得到对应电极图形的反图形,然后用刻蚀液腐蚀掉未被保护的部分,最后用丙酮溶液清洗掉多余的光刻胶,将得到的电极结构用酒精和去离子水进行超声清洗,然后用氮气吹干。

b.gese薄膜和ges薄膜的制备

本发明使用液相法制备ges纳米片,将0.2g锗氯化二噁烷络合物、0.4g硫脲、20ml油酰胺0la分别加入到25ml的三颈瓶中,在空气中轻微的磁力搅拌;将搅拌后的液体混合物超声处理5min,除去油胺中的空气;随后将三颈瓶连接到schlenk线,抽真空30min,除去水分和氧气;在磁力搅拌下通氮气30min进行惰性气体保护;将处理过后的液体混合物加热至593k,随着温度的升高,液体逐渐变成了黄色透明溶液。反应混合物在氮气流中593k温度下回流4h;反应结束将溶液冷却至室温,沉淀离心分离,用去离子水和无水乙醇洗涤多次,在40℃真空干燥4h获得样品。

用类似方法制的gese,首先将0.4gse粉和20ml油酰胺加到25ml三颈瓶中,在空气中轻微磁力搅拌,然后将三颈瓶超声5分钟去除ola中的空气。把三颈瓶连接到schlenk线,抽真空30min以出去体系中的氧气和水份,磁力搅拌下再充入氮气30min;然后加热烧瓶到约120℃,溶液呈透明的棕色时,表明se完全溶解再ola中。向上述溶液中加入120ul异丙醇锗,反应混合物在n2流中320℃回流12h。反应结束冷却至室温,沉淀经离心分离,用去离子水和无水乙醇洗涤多次,在40℃真空干燥4h获得样品。

c.gese堆垛和ges堆垛制备

1)将上述得到的ges膜,在电子显微镜下,通过探针剥离的方法,剥离得到双层的ges膜;

2)将1)得到的ges在电子显微镜下,使用探针移动层与层间的相对距离或进行层间的旋转变换,得到我们所要求的双层旋转ges-ab堆垛。最后再将二者通过层间的范德瓦尔斯力相互结合形成横向异质结;

3)经过相同的方法可以制备得到gese-ad堆垛;

d.器件组合

将c得到的双层gese-ad堆垛通过二维材料转移装置转移到ito电极上方,然后将c得到的双层旋转gese-ab堆垛通过二维材料转移系统堆叠在ges-ad堆叠的上方,最后我们对得到的器件进行退火处理。

e.将d得到的器件,通过表面蒸镀金属再其表面蒸镀一层铝膜作为上电极。

图1中,双层ad型gese堆垛和双层旋转ab型ges堆垛组成的异质结为半导体太阳能电池的核心部分,在光照射的情况下,把光能转换为电能。其原因在于:当双层ad型gese与双层旋转ab型ges相接触时,由于两者的能带结构不同,两者导带底cbm和价带顶vbm的排列组成了ⅱ型半导体异质结,在接触界面形成耗尽层,在光照射的情况下,由于光生伏特效应,在异质结的两端会产生电势差,当接通电极两端时就会产生电流。

实施例

a.衬底和电极的制备

本发明中采用ito导电玻璃作为衬底和电极,首先在ito玻璃上涂上均匀的光刻胶,通过光刻技术得到对应电极图形的反图形,然后用ito刻蚀液腐蚀掉未被保护的ito,最后用丙酮溶液清洗掉多余的光刻胶,将得到的电极结构用酒精和去离子水进行超声清洗,然后用氮气吹干。

b.gese薄膜和ges薄膜的制备

本发明使用液相法制备ges纳米片,将0.2g锗氯化二噁烷络合物、0.4g硫脲、20ml油酰胺0la分别加入到25ml的三颈瓶中,在空气中轻微的磁力搅拌;将搅拌后的液体混合物超声处理5min,除去油胺中的空气;随后将三颈瓶连接到schlenk线,抽真空30min,除去水分和氧气;在磁力搅拌下通氮气30min进行惰性气体保护;将处理过后的液体混合物加热至593k,随着温度的升高,液体逐渐变成了黄色透明溶液。反应混合物在氮气流中593k温度下回流4h;反应结束将溶液冷却至室温,沉淀离心分离,用去离子水和无水乙醇洗涤多次,在40℃真空干燥4h获得样品。

用类似方法制的gese,首先将0.4gse粉和20ml油酰胺加到25ml三颈瓶中,在空气中轻微磁力搅拌,然后将三颈瓶超声5分钟去除ola中的空气。把三颈瓶连接到schlenk线,抽真空30min以出去体系中的氧气和水份,磁力搅拌下再充入氮气30min;然后加热烧瓶到约120℃,溶液呈透明的棕色时,表明se完全溶解再ola中。向上述溶液中加入120ul异丙醇锗,反应混合物在n2流中320℃回流12h。反应结束冷却至室温,沉淀经离心分离,用去离子水和无水乙醇洗涤多次,在40℃真空干燥4h获得样品。

c.gese堆垛和ges堆垛制备

1)将上述得到的ges膜,在电子显微镜下,通过探针剥离的方法,剥离得到双层的ges膜;

2)将1)得到的ges在电子显微镜下,使用探针移动层与层间的相对距离或进行层间的旋转变换,得到我们所要求的双层旋转ges-ab堆垛。最后再将二者通过层间的范德瓦尔斯力相互结合形成横向异质结;

3)经过相同的方法可以制备得到gese-ad堆垛;

d.器件组合

将c得到的双层gese-ad堆垛通过二维材料转移装置转移到ito电极上方,然后将c得到的双层旋转gese-ab堆垛通过二维材料转移系统堆叠在ges-ad堆叠的上方,最后我们对得到的器件进行退火处理。

e.将d得到的器件,通过表面蒸镀金属再其表面蒸镀一层铝膜作为上电极。

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