一种柔性连接线缆的结构、制备方法及脑电极器件与流程

1.本发明涉及微电子封装互连技术领域，尤其涉及一种柔性连接线缆的结构、制备方法及脑电极器件。


背景技术：

2.随着脑科学技术的发展，高质量、高密度的脑电信号的采集成为精密解读脑科学必不可少的条件。近年来，脑电极通道的数量从个位数发展至千量级，由于脑电极前期开发一般选取小鼠、大鼠或猴作为实验对象，其后端电路需要小型化处理，因此对于前端信号采集器件与后端电路的连接要求较为严格，需要在实现高通道连接的同时达到较小的体积，即需要兼顾通道数的增加和间距的缩小。图1是现有前端信号采集器件与后端电路的连接示意图一，图2是现有前端信号采集器件与后端电路的连接示意图二，图3是图2中a的局部放大图。图4是一种现有脑电极的平面示意图，图5是图4中b的局部放大图。如图5所示，后端电路中焊接孔间的间距已经达到250μm量级，普通的印制电路板已经无法满足前端信号采集器件的连接需求。这种需求和微电子封装互连技术的发展需求是一致的，在摩尔定律的引领下，集成电路的特征尺寸逐渐减小，晶体管的数量逐渐增大，随之而来的是越来越多的引脚数量，这对封装互连技术的要求也逐渐提升。
3.图6是现有技术中一种现有脑电极器件的结构示意图，图中可以采用彼此绝缘的微线束作为前端脑电信号采集器件，采用cmos芯片作为后端电路。将cmos芯片的栅极作为微线束的压焊连接点，cmos芯片极高的集成度可以与微线束之间的微米级间距匹配，并且利用cmos芯片可以在实现信号连出的同时进行信号的后续处理，如放大、滤波等。然而，该脑电极器件需要耗费大量的人力和财力来设计加工cmos芯片，并且该 cmos芯片仅可适用于微线束的前端脑电信号采集器件，难以应用于其他脑电信号采集器件，不具备适普性。
4.图7是现有技术中另一种现有脑电极器件的结构示意图，图中a为前端信号采集器件，b为聚酰亚胺制成柔性连接电缆，c为印制电路板，连接电缆作为前端信号采集器件和印制电路板的连接板，可以解决印制电路板无法达到前端脑电信号采集器件压焊点高密度连接的问题，并且可以为后续的动物实验提供很大的便利。但是，该柔性连接电缆的单根可以连出的通道数为256，如需满足千量级的脑电极通道的需求，则需要数个脑电信号采集器件、数个柔性连接电缆和数个印制电路板组装，该种组装方式集成度较低，体积较大，重量较重，将对实验造成很大的影响。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供了一种柔性连接线缆的结构、制备方法及脑电极器件，可以在较低的焊接温度下的将高密度脑电信号采集器件、柔性连接线缆与柔性电子电路连接，可以保证脑电极器件的性能不被损坏，且可以提高脑电极器件的连接稳定性，此外还可以在柔性电子电路的加工能力下实现千量级的脑电极信号的连接。
6.本技术实施例提供了一种柔性连接线缆，包括：
7.牺牲层；
8.设置在牺牲层上的第一绝缘层，第一绝缘层包括第一待布线区域；
9.设置在第一待布线区域的第一金属层和第一连接焊盘；第一金属层和第一连接焊盘间隔设置；
10.设置在第一绝缘层上的第二绝缘层；第二绝缘层覆盖第一金属层和第一连接焊盘，第二绝缘层包括第二待布线区域；
11.设置在第二待布线区域的第二金属层和第二连接焊盘；第二金属层和第二连接焊盘间隔设置；
12.设置在第二绝缘层上的第三绝缘层；第三绝缘层覆盖第二金属层和第二连接焊盘，第三绝缘层对应第一连接焊盘与第二连接焊盘的区域均开设有开孔。
13.进一步地，第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的材料均为聚酰亚胺。
14.进一步地，第一金属层包括粘附层；
15.阻挡层，阻挡层设置在粘附层上表面；
16.抗氧化层，抗氧化层设置在阻挡层上。
17.进一步地，粘附层的材料为铬，阻挡层的材料为镍，抗氧化层的材料为金。
18.进一步地，粘附层的材料为钛，阻挡层的材料为钨，抗氧化层的材料为金。
19.进一步地，牺牲层的材料为铝。
20.相应地，本技术实施例提供了一种柔性连接线缆的制备方法，包括：
21.获取基底；
22.在基底上制备牺牲层；
23.在牺牲层上制备第一绝缘层；
24.对第一绝缘层进行刻蚀处理，使得在第一绝缘层形成第一待布线区域；
25.在第一待布线区域制备第一金属层和第一连接焊盘；
26.在第一绝缘层上制备第二绝缘层，使得第二绝缘层覆盖第一金属层和第一连接焊盘；
27.对第二绝缘层进行刻蚀处理，使得在第二绝缘层形成第二待布线区域；
28.在第二待布线区域制备第二金属层和第二连接焊盘；第一金属层、第一连接焊盘、第二金属层和第二连接焊盘间隔设置；
29.在第二绝缘层上制备第三绝缘层，使得第三绝缘层覆盖第二金属层和第二连接焊盘；
30.对第三绝缘层进行刻蚀处理，使得在第一连接焊盘和第二连接焊盘上形成开孔，得到柔性连接线缆。
31.进一步地，对第三绝缘层进行刻蚀处理，使得在第一连接焊盘和第二连接焊盘上形成开孔，得到柔性连接线缆，包括：
32.在第三绝缘层上设置掩膜层；
33.利用干法刻蚀对第三绝缘层进行刻蚀处理，使得在第一连接焊盘和第二连接焊盘上形成开孔，释放基底，得到柔性连接线缆。
34.进一步地，基底的材料为硅。
35.相应地，本技术实施例提供了一种脑电极器件，包括柔性连接线缆以及脑电信号
采集器件、柔性电子电路；
36.柔性连接线缆包括第一连接焊盘和第二连接焊盘；
37.柔性连接线缆通过第一连接焊盘与脑电信号采集器件连接，柔性连接线缆通过的第二连接焊盘与柔性电子电路连接。
38.本技术实施例具有如下有益效果：
39.本技术实施例所公开的一种柔性连接线缆的结构、制备方法及脑电极器件，包括牺牲层，设置在牺牲层上的第一绝缘层，该第一绝缘层包括第一待布线区域，设置在第一待布线区域的第一金属层和第一连接焊盘，该第一金属层和第一连接焊盘间隔设置，设置在第一绝缘层上的第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖第一金属层和第一连接焊盘，第二绝缘层包括第二待布线区域，设置在第二待布线区域的第二金属层和第二连接焊盘，该第二金属层和第二连接焊盘间隔设置，设置在第二绝缘层上的第三绝缘层，该第三绝缘层覆盖第二金属层和第二连接焊盘，第三绝缘层对应第一连接焊盘与第二连接焊盘的区域均开设有开孔。基于本技术实施例采用激光植球技术和倒扣焊接技术，可以在较低的焊接温度下的将高密度脑电信号采集器件、柔性连接线缆与柔性电子电路连接，可以保证脑电极器件的性能不被损坏，且可以提高脑电极器件的连接稳定性，此外还可以在柔性电子电路的加工能力下实现千量级的脑电极信号的连接。
附图说明
40.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案和优点，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。
41.图1是现有脑电信号采集器件与后端电路的连接示意图一；
42.图2是现有脑电信号采集器件与后端电路的连接示意图二；
43.图3是图2中a的局部放大图；
44.图4是一种现有脑电极器件的平面示意图；
45.图5是图4中b的局部放大图；
46.图6是现有技术中一种现有脑电极器件的结构示意图；
47.图7是现有技术中另一种现有脑电极器件的结构示意图；
48.图8是本技术实施例提供的一种柔性连接线缆的结构示意图；
49.图9是本技术实施例提供的一种柔性连接线缆的制备方法的流程图；
50.图10是本技术实施例提供的一种柔性连接线缆的制备方法的示意图；
51.图11是本技术实施例提供的一种脑电极器件的制备方法的示意图；
52.图12是本技术实施例提供的一种脑电极器件的示意图。
53.附图说明：100-牺牲层，200-第一绝缘层，210-第一金属层，220-第一连接焊盘，300-第二绝缘层，310-第二金属层，320-第二连接焊盘，400-第三绝缘层。
具体实施方式
54.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施例
作进一步地详细描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一个实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
55.此处所称的“实施例”是指可包含于本技术至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。术语“第一”、“第二”和“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”和“第三”的特征可以明示或者隐含的包括一个或者更多个该特征。而且，术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术实施例能够以除了在这里图示或描述以外的顺序实施。此外，术语“包括”、“具有”和“为”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
56.下面介绍本技术一种柔性连接线缆的具体实施例，图8是本技术实施例提供的一种柔性连接线缆的结构示意图，本说明书提供了如实施例或示意图所示的组成结构，但基于常规或者无创造性的劳动可以包括更多或者更少的组成结构。实施例中列举的组成结构仅仅为众多组成结构中的一种方式，不代表唯一的组成结构，在实际执行时，可以按照实施例或者附图所示的组成结构执行。
57.具体的如图8所示，该柔性连接线缆可以包括牺牲层100、设置在牺牲层100上的第一绝缘层200、设置在第一绝缘层200上的第一金属层210和第一连接焊盘220、设置在第一金属层210和第一连接焊盘220上的第二绝缘层300、设置在第二绝缘层300上的第二金属层310和第二连接焊盘320，以及设置在第二金属层310和第二连接焊盘320上的第三绝缘400，第三绝缘400对应第一连接焊盘220与第二连接焊盘320的区域均开设有开孔。
58.在一种可选的实施方式中，牺牲层的材料可以为铝al。
59.本技术实施例中，第一绝缘层可以包括多个第一布线区域，该第一布线区域可以通过对第一绝缘层进行刻蚀处理得到，第一金属层和第一连接焊盘可以设置在第一布线区域，其中，第一金属层和第一连接焊盘可以间隔设置。
60.在一种可选的实施方式中，第一绝缘层的材料可以是聚酰亚胺。
61.本技术实施例中，第一金属层可以包括粘附层、阻挡层和抗氧化层，其中，粘附层可以设置在阻挡层上，抗氧化层可以设置在阻挡层上。即在第一布线区间内可以自下而上依次制备粘附层、阻挡层和抗氧化层。其中，粘附层的作用是增加第一金属层与第一绝缘层的粘附性，阻挡层的作用是用于与后续焊接过程中的焊球材料—锡形成合金，得到较好的焊接连接强度，抗氧化层的作用是防止阻挡层氧化。
62.在一种可选的实施方式中，粘附层可以是铬cr，阻挡层的材料可以是镍ni，抗氧化层的材料可以是金au。也即是，铬cr、镍ni和金au自下而上依次叠放设置在第一布线区域。
63.在另一种可选的实施方式，粘附层可以是钛ti，阻挡层的材料可以是钨w，抗氧化层的材料可以是金au。也即是，钛ti、钨w和金au自下而上依次叠放设置在第一布线区域。
64.本技术实施例中，第一绝缘层上可以设置第二绝缘层，该第二绝缘层可以覆盖第
一金属层、第一连接焊盘和未被刻蚀的第一绝缘层的部分区域。该第二绝缘层可以包括多个第二布线区域，该第二布线区域可以通过对第二绝缘层进行刻蚀处理得到，第二金属层和第二连接焊盘可以设置在第二布线区域，其中，第二金属层和第二连接焊盘可以间隔设置。
65.在一种可选的实施方式中，第二绝缘层的材料可以是聚酰亚胺。
66.本技术实施例中，本技术实施例中，第二金属层可以包括粘附层、阻挡层和抗氧化层，其中，粘附层可以设置在阻挡层上，抗氧化层可以设置在阻挡层上。即在第二布线区间内可以自下而上依次制备粘附层、阻挡层和抗氧化层。其中，粘附层的作用是增加第二金属层与第二绝缘层的粘附性，阻挡层的作用是用于与后续焊接过程中的焊球材料—锡形成合金，得到较好的焊接连接强度，抗氧化层的作用是防止阻挡层氧化。
67.在一种可选的实施方式中，粘附层可以是铬cr，阻挡层的材料可以是镍ni，抗氧化层的材料可以是金au。也即是，铬cr、镍ni和金au自下而上依次叠放设置在第二布线区域。
68.在另一种可选的实施方式，粘附层可以是钛ti，阻挡层的材料可以是钨w，抗氧化层的材料可以是金au。也即是，钛ti、钨w和金au自下而上依次叠放设置在第二布线区域。
69.本技术实施例中，第二绝缘层上可以设置第三绝缘层，该第三绝缘层可以覆盖第二金属层、第二连接焊盘和未被刻蚀的第二绝缘层的部分区域。
70.在一种可选的实施方式中，第三绝缘层的材料可以是聚酰亚胺。
71.本技术实施例中，第三绝缘层上对应第一连接焊盘的区域可以开设有开孔，以使得柔性连接线缆可以通过第一连接焊盘与脑电信号采集器件连接。第二绝缘层上对应第二连接焊盘的区域可以开设有开孔，以使得柔性连接线缆可以通过第二连接焊盘与柔性电子电路连接。
72.采用本技术实施例提供的柔性连接线缆，可以将高密度脑电信号采集器件与柔性电子电路连接，在现有柔性电子电路的加工能力下可以实现高达千道脑电极信号的连接。
73.下面介绍本技术一种柔性连接线缆的具体实施例，图9是本技术实施例提供的一种柔性连接线缆的制备方法的流程图，图10是本技术实施例提供的一种柔性连接线缆的制备方法的示意图。本说明书提供了如实施例或示意图所示的组成结构，但基于常规或者无创造性的劳动可以包括更多或者更少的方法或步骤。实施例中列举的方法或步骤仅仅为众多方法步骤中的一种方式，不代表唯一的方法步骤，在实际执行时，可以按照实施例或者附图所示的方法步骤执行或者并行执行。
74.具体如图9和图10所示，该柔性连接线缆的制备方法可以包括：
75.s901:获取基底。
76.本技术实施例中，基底的材料可以是硅，其形状可以是圆形薄片，也可以是正方形薄片，具体形状本技术实施例不作具体限定。图10a示例了基底。
77.s902:在基底上制备牺牲层；
78.本技术实施例中，牺牲层的材料可以是铝al。图10b示例了在基底上制备的牺牲层。
79.s903:在牺牲层上制备第一绝缘层。
80.本技术实施例中，可以在牺牲层上制备第一绝缘层，该第一绝缘层的材料可以是聚酰亚胺。也即是，可以在设置有牺牲层的硅片上旋涂底层聚酰亚胺。图10c示例了在基底
上制备的第一绝缘层。
81.s904:对第一绝缘层进行刻蚀处理，使得在第一绝缘层形成第一待布线区域。
82.本技术实施例中，在牺牲层上制备第一绝缘层之后，可以对第一绝缘层进行刻蚀处理，使得在第一绝缘层形成多个第一待布线区域，多个第一待布线区域可以包括用于设置金属层的区域和用于设置焊盘的区域，即刻蚀出金属布线图案和pad的金属图案。其中，用于设置金属层的区域和用于设置焊盘的区域间隔设置，即用于设置金属层的区域和用于设置焊盘的区域之间不连通。
83.可选地，可以在第一绝缘层上制备光刻胶，并对第一绝缘层进行刻蚀处理，进而蒸发并剥离光刻胶，使得在第一绝缘层形成金属布线图案和pad 的金属图案。
84.s905:在第一待布线区域制备第一金属层和第一连接焊盘；第一金属层和第一连接焊盘间隔设置。
85.本技术实施例中，在得到第一布线区域之后，可以在用于设置金属层的区域制备第一金属层，以及在用于设置焊盘的区域设置第一连接焊盘，第一金属层和第一连接焊盘间隔设置。图10d示例了在第一绝缘层上制备的第一金属层和第一连接焊盘。
86.本技术实施例中，本技术实施例中，第一金属层可以包括粘附层、阻挡层和抗氧化层，其中，粘附层可以设置在阻挡层上，抗氧化层可以设置在阻挡层上。即在第一布线区间内可以自下而上依次制备粘附层、阻挡层和抗氧化层。其中，粘附层的作用是增加第一金属层与第一绝缘层的粘附性，阻挡层的作用是用于与后续焊接过程中的焊球材料—锡形成合金，得到较好的焊接连接强度，抗氧化层的作用是防止阻挡层氧化。
87.在一种可选的实施方式中，粘附层可以是铬cr，阻挡层的材料可以是镍ni，抗氧化层的材料可以是金au。也即是，铬cr、镍ni和金au自下而上依次叠放设置在第一布线区域。
88.在另一种可选的实施方式，粘附层可以是钛ti，阻挡层的材料可以是钨w，抗氧化层的材料可以是金au。也即是，钛ti、钨w和金au自下而上依次叠放设置在第一布线区域。
89.s906:在第一绝缘层上制备第二绝缘层，使得第二绝缘层覆盖第一金属层和第一连接焊盘。
90.本技术实施例中，在第一绝缘层设置第一金属层和第一连接焊盘之后，可以在第一绝缘层上制备第二绝缘层，使得第二绝缘层可以覆盖第一金属层、第一连接焊盘以及未被刻蚀的第一绝缘层的部分区域，即使得第二绝缘层可以完全覆盖第一绝缘层。可选地，可以在设置有牺牲层和底层聚酰亚胺的硅片上旋涂中层聚酰亚胺。图10e示例了在第一绝缘层上制备的第二绝缘层。
91.s907:对第二绝缘层进行刻蚀处理，使得在第二绝缘层形成第二待布线区域。
92.本技术实施例中，在第一绝缘层上制备第二绝缘层之后，可以对第二绝缘层进行刻蚀处理，使得在第二绝缘层形成多个第二待布线区域，多个第二待布线区域可以包括用于设置金属层的区域和用于设置焊盘的区域，即刻蚀出金属布线图案和pad的金属图案。其中，用于设置金属层的区域和用于设置焊盘的区域间隔设置，即用于设置金属层的区域和用于设置焊盘的区域之间不连通。
93.可选地，可以在第二绝缘层上制备光刻胶，并对第二绝缘层进行刻蚀处理，进而蒸发并剥离光刻胶，使得在第一绝缘层形成金属布线图案和pad 的金属图案。
94.s908:在第二待布线区域制备第二金属层和第二连接焊盘；第二金属层和第二连
接焊盘间隔设置。
95.本技术实施例中，在得到第二布线区域之后，可以在用于设置金属层的区域制备第二金属层，以及在用于设置焊盘的区域设置第二连接焊盘，第二金属层和第二连接焊盘间隔设置。图10f示例了在第二绝缘层上制备的第二金属层和第二连接焊盘。
96.本技术实施例中，本技术实施例中，第二金属层可以包括粘附层、阻挡层和抗氧化层，其中，粘附层可以设置在阻挡层上，抗氧化层可以设置在阻挡层上。即在第二布线区间内可以自下而上依次制备粘附层、阻挡层和抗氧化层。其中，粘附层的作用是增加第二金属层与第二绝缘层的粘附性，阻挡层的作用是用于与后续焊接过程中的焊球材料—锡形成合金，得到较好的焊接连接强度，抗氧化层的作用是防止阻挡层氧化。
97.在一种可选的实施方式中，粘附层可以是铬cr，阻挡层的材料可以是镍ni，抗氧化层的材料可以是金au。也即是，铬cr、镍ni和金au自下而上依次叠放设置在第二布线区域。
98.在另一种可选的实施方式，粘附层可以是钛ti，阻挡层的材料可以是钨w，抗氧化层的材料可以是金au。也即是，钛ti、钨w和金au自下而上依次叠放设置在第二布线区域。
99.s909:在第二绝缘层上制备第三绝缘层，使得第三绝缘层覆盖第二金属层和第二连接焊盘。
100.本技术实施例中，在第二绝缘层设置第二金属层和第二连接焊盘之后，可以在第二绝缘层上制备第三绝缘层，使得第三绝缘层可以覆盖第二金属层、第二连接焊盘以及未被刻蚀的第二绝缘层的部分区域，即使得第三绝缘层可以完全覆盖第二绝缘层。即可以在设置有牺牲层、底层聚酰亚胺和中层聚酰亚胺的硅片上旋涂顶层聚酰亚胺。图10g示例了在第二绝缘层上制备的第三绝缘层。
101.s910:对第三绝缘层进行刻蚀处理，使得在第一连接焊盘和第二连接焊盘上形成开孔，得到柔性连接线缆。
102.本技术实施例中，第三绝缘层上对应第一连接焊盘的区域可以开设有开孔，以使得柔性连接线缆可以通过第一连接焊盘与脑电信号采集器件连接。可选地，可以在第三绝缘层上设置掩膜层，进而可以利用干法刻蚀对第三绝缘层进行刻蚀处理，在第三绝缘层上第一连接焊盘对应的区域和第二连接焊盘对应的区域形成开孔，使得第一连接焊盘和第二连接焊盘暴露于空气，并利用激光划片定义聚酰亚胺柔性连接线缆的外形，之后可以释放基底，得到柔性连接线缆。第一连接焊盘可以用于与脑电信号采集器件连接，第二连接焊盘可以用于与柔性电子电路连接。图10h示例了柔性连接线缆。
103.采用本技术实施例所提供的柔性连接线缆的制备方法，制备得到的柔性连接线缆，可以将高密度脑电信号采集器件与柔性电子电路连接，在现有柔性电子电路的加工能力下可以实现高达千道脑电极信号的连接。
104.本技术实施例，脑电极器件可以包括脑电信号采集器件、柔性连接线缆和柔性电子电路。柔性连接线缆可以包括第一连接焊盘和第二连接焊盘，柔性连接线缆可以通过第一连接焊盘与脑电信号采集器件连接，柔性连接线缆可以通过第二连接焊盘与柔性电子电路连接。
105.在一种可选的实施方式中，第一连接焊盘的焊点间距可以为200μm，第二连接焊盘的焊点间距可以为600μm，第一金属层和第二金属层自下而上均可以为厚度为5nm铬cr、厚度为100nm的镍ni、厚度为100nm的金 au。
106.图11是本技术实施例提供的一种脑电极器件的制备方法的示意图，图 12是本技术实施例提供的一种脑电极器件的示意图。可选地，可以采用图 11所示的步骤制备脑电极器件，具体步骤如下：
107.步骤一：对脑电信号采集器件的第一焊接区域进行植球处理，得到第一植球，该第一植球的尺寸可以与第一焊接区域的尺寸匹配。可选地，可以利用激光植球对第一焊接区域进行植球处理，得到第一植球，在激光植球的焊料选择中，可以选用与第一焊接区域大小相匹配的sac305焊球。图11中a示例了对第一焊接区域进行植球的示意图。
108.步骤二：将第一植球与柔性连接线缆的第一连接焊盘接触，使得柔性连接线缆与脑电信号采集器件连接。
109.近年来，凸点焊接的倒装芯片技术(fc,flip chip)的发展越来越成熟。倒装芯片技术是一种将半导体裸芯片的焊接面向下与封装基板或者芯片载体直接键合的技术，该技术能够缩短互联线长度，进而减小产生的互联电阻、电感以及杂散电容，适用于高频、高速的电子产品。对于高密度脑电极信号的采集而言，电极检测到的动作电位幅度一般在μv量级，阻值的减小有利于降低噪声。并且，由于是直接在焊接面上焊接，因此安装互联所占据的封装基板或者芯片载体的面积约等于裸芯片的大小，并且焊接面的尺寸小，间隔小，具有非常高的封装密度，适用于高密度引脚数的芯片封装互联，对于目前千道脑电极，甚至后续发展的万道脑电极的封装互联都是适用的。
110.本技术实施例中，可以倒扣脑电信号采集器件，将第一植球与第一连接焊盘接触，使得柔性连接线缆与脑电信号采集器件连接。也即是，可以采用倒扣焊机将柔性连接线缆与脑电信号采集器件进行热压焊接。图11中 b示例了一种将柔性连接线缆与脑电信号采集器件连接的示意图。
111.步骤三：对柔性电子电路的第二焊接区域进行植球处理，得到第二植球，该第二植球的尺寸可以与第二焊接区域的尺寸匹配，且第二植球的熔点低于第一植球的熔点。
112.本技术实施例中，可以利用激光植球对第二焊接区域进行植球处理，得到第二植球。在激光植球的焊料选择中，第二焊球可以选择熔点为138℃、型号为sn42bi58的焊球。也即是，可以选用与第二焊接区域大小相匹配的 sn42bi58焊球，利用激光植球技术在转接板的第二待连接区域上进行植球。图11中c示例了一种在第二焊接区域进行植球处理的示意图。
113.在一种可选的实施方式中，第二焊球可以选择熔点远低于第一焊球的熔点的其他焊球，以使得第二次焊接的温度远低于第一焊接的温度，进而可以保证第一次焊接形成的焊点的稳定性，即可以保证脑电信号采集器件与柔性连接线缆的连接稳定性。
114.步骤四：将第二植球与第二连接焊盘接触，使得柔性连接线缆与柔性电子电路连接，得到脑电极器件。
115.本技术实施例中，可以倒扣转接板，将第二植球与第二连接焊盘接触，使得柔性连接线缆与柔性电子电路连接，得到脑电极器件。也即是，可以采用倒扣焊机将脑电信号采集器件与已经热压焊接的柔性连接线缆与柔性电子电路进行热压焊接。图11中d示例了一种将柔性连接线缆与柔性电子电路板连接的示意图。该脑电极器件可以实现2640通道的连接。
116.本技术实施例采用激光植球技术和倒扣焊接技术，可以在较低的焊接温度下的将
高密度脑电信号采集器件、柔性连接线缆与柔性电子电路连接，可以保证脑电极器件的性能不被损坏，且可以提高脑电极器件的连接稳定性，此外还可以在柔性电子电路的加工能力下实现千量级的脑电极信号的连接。
117.由上述本技术提供的柔性连接线缆、柔性连接线缆的制备方法或脑电极器件的实施例可见，本技术中柔性连接线缆包括牺牲层，设置在牺牲层上的第一绝缘层，该第一绝缘层包括第一待布线区域，设置在第一待布线区域的第一金属层和第一连接焊盘，该第一金属层和第一连接焊盘间隔设置，设置在第一绝缘层上的第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖第一金属层和第一连接焊盘，第二绝缘层包括第二待布线区域，设置在第二待布线区域的第二金属层和第二连接焊盘，该第二金属层和第二连接焊盘间隔设置，设置在第二绝缘层上的第三绝缘层，该第三绝缘层覆盖第二金属层和第二连接焊盘，第三绝缘层对应第一连接焊盘与第二连接焊盘的区域均开设有开孔。基于本技术实施例采用激光植球技术和倒扣焊接技术，可以在较低的焊接温度下的将高密度脑电信号采集器件、柔性连接线缆与柔性电子电路连接，可以保证脑电极器件的性能不被损坏，且可以提高脑电极器件的连接稳定性，此外还可以在柔性电子电路的加工能力下实现千量级的脑电极信号的连接。
118.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的相连或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
119.需要说明的是：上述本技术实施例的先后顺序仅仅为了描述，不代表实施例的优劣，且上述本说明书对特定的实施例进行了描述，其他实施例也在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或者步骤可以按照不同的实施例中的顺序来执行并且能够实现预期的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出特定顺序或者而连接顺序才能够实现期望的结果，在某些实施方式中，多任务并行处理也是可以的或者可能是有利的。
120.本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的均为与其他实施例的不同之处。尤其，对于制备方法的实施例而言，由于其基于相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
121.以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。