包括基板孔的显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示装置，并且更具体地，涉及包括穿透区域的显示装置，穿透区域中设置有穿透基板的基板孔。


背景技术：

2.近来，随着我们的社会朝向面向信息的社会发展，用于在视觉上表达电信息信号的显示装置的领域已经快速发展。相应地正在开发在薄度、亮度和低功耗方面具有优异性能的各种显示装置。
3.通常，诸如监视器、tv、膝上型计算机和数码相机之类的电子装置包括实现图像的显示装置。例如，显示装置可以包括发光元件。每个发光元件可以发出具有特定颜色的光。例如，每个发光元件可以包括位于第一电极和第二电极之间的发光层。
4.显示装置可以具有内置的外围装置，诸如相机、扬声器和传感器。例如，显示装置可以包括穿透支撑发光元件的元件基板的基板孔。基板孔可以位于发光元件之间。外围装置可以插入到基板孔中。


技术实现要素：

5.本技术的发明人新认识到：在显示装置中，外部湿气可能穿透基板孔。穿透基板孔的外部湿气可以通过发光层移动到与基板孔相邻的发光元件。因此，在显示装置中，与基板孔相邻的发光元件可能被穿透基板孔的外部湿气损坏。本公开的一个方面是提供一种显示装置，其能够防止由于穿透基板孔的外部湿气导致的发光元件的损坏。
6.本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员根据下面的描述可以清楚地理解上述的其它目的。
7.根据本公开的示例性实施方式的显示装置可以包括基板，其包括显示区域和至少一个非显示区域。发光元件可以设置在基板上的显示区域中。至少一个薄膜晶体管可以被包括在显示区域中。穿透区域和分隔区域可以位于至少一个非显示区域中。可以包括位于分隔区域中并被设置为断开发光元件的有机发光层的分隔结构。不均匀图案可以被包括在分隔结构下方并且与分隔结构交叠。不均匀图案可以具有比分隔结构的宽度小的宽度。
8.示例性实施方式的其它详细内容包括在具体实施方式和附图中。
9.在根据本公开的示例性实施方式的显示装置中，分隔结构上的发光堆叠体可以通过在基板孔区域的分隔区域中将不均匀图案设置在分隔结构下方而完全分离。通过分离作为湿气穿透的路径的发光堆叠体，可以降低或最小化由于湿气导致的显示区域的发光元件中的缺陷的发生。因此，可以提高显示装置的可靠性，使得可以提供高质量的显示装置。
10.由于本说明书中上述的要解决的技术问题、问题解决手段和效果并不旨在限制权利要求的实质特征。因此，权利要求的范围不受本说明书中描述的内容的限制。
附图说明
11.图1是示意性地例示根据本公开的示例性实施方式的显示装置的图，并且是例示根据本公开的示例性实施方式的显示面板的前表面的图。
12.图2是例示通过放大图1的区域a的显示区域的一部分的平面图。
13.图3是沿着图2的线i-i’截取的子像素的截面图。
14.图4是通过放大图1的区域b示出的相机孔的平面图。
15.图5是沿着图4的线ii-iv截取的相机孔的区域的截面图。
16.图6是例示根据本公开的示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图，并且是图5的区域d的放大图。
17.图7是例示根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图，并且是图5的区域d的放大图。
18.图8是例示根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图，并且是图5的区域d的放大图。
具体实施方式
19.通过参照下面与附图一起详细描述的示例性实施方式，本公开的优点和特性以及实现优点和特性的方法将是清楚的。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。仅通过示例的方式提供了示例性实施方式，使得本领域技术人员可以完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
20.在用于描述本公开的示例性实施方式的附图中例示的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细解释以避免不必要地模糊本公开的主题。本文使用的诸如“包括”、“具有”和“由
…
组成”之类的术语通常旨在允许添加其它组件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。
21.即使没有明确说明，组件也被解释为包括通常的误差范围。
22.当使用诸如“在
…
上”、“在
…
上方”、“在
…
下方”和“挨着
…”
之类的术语来描述两个部件之间的位置关系时，一个或更多个部件可以位于两个部件之间，除非这些术语与术语“立即”或“直接”一起使用。
23.当使用诸如“在
…
之后”、“跟随在
…
之后”、“下一个”和“在
…
之前”之类的术语来描述两个或更多个事件之间的时间顺序时，两个或更多个事件可以是不连续的，除非这些术语与术语“立即”或“直接”一起使用。
24.尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种组件，但是这些组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与其它组件区分开。因此，下面要提到的第一组件可以是本公开的技术构思中的第二组件。
25.在描述本公开的元件时，可以使用诸如“第一”、“第二”、“a”、“b”、“(a)”和“(b)”之类的术语。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开，并且对应的元件的实质、顺序、次序或数量不受术语的限制。将理解的是，当元件被描述为“连接”、“联接”或“粘附”到另一
元件时，元件可直接连接或粘附到另一元件或层，但其它元件或层可以“设置”在这些元件之间，或这些元件可以通过其它元件彼此“连接”、“联接”或“粘附”。
26.本文的“显示装置”可以用于涵盖狭义上的包括显示面板和用于驱动显示面板的驱动单元的显示装置，诸如液晶模块(lcm)、有机发光二极管(oled)模块和量子点(qd)模块。另外，本文中的显示装置还可以包括装备显示装置，其包括包含lcm、oled、qd模块等的完整产品或最终产品，例如，笔记本计算机、电视机、计算机监视器、汽车显示器或车辆的其它显示器，以及诸如智能电话或电子平板之类的成套电子装置或成套设备(成套装置)。
27.因此，本文的显示装置可以包括诸如包括lcm、oled和qd模块的最终产品之类的应用产品或成套设备以及诸如lcm、oled和qd模块之类的狭义上的显示装置本身。
28.如果需要，设置有显示面板、驱动单元等的lcm、oled和qd模块可以表示为狭义上的“显示装置”，并且作为包括lcm、oled和qd模块的最终产品的电子装置可以表示为“成套设备”。例如，诸如lcd、oled和qd模块之类的狭义上的显示装置可以包括显示面板以及与用于驱动显示面板的控制单元对应的源印刷电路板(源pcb)。此外，在成套设备的情况下，它可以包括对应于与源pcb电连接的成套控制单元的成套pcb，从而控制整个成套设备。
29.应用于本公开的示例性实施方式的显示面板可以使用任何类型的显示面板，诸如液晶显示面板、有机发光二极管(oled)显示面板、量子点(qd)显示面板和电致发光显示面板。本实施方式的显示面板不限于包括用于oled显示面板的柔性基板和基板下方的背板支撑结构并且能够弯曲边框的特定显示面板。此外，应用于根据本公开的示例性实施方式的显示装置的显示面板不限于其形状或尺寸。
30.更具体地，如果显示面板是oled显示面板，则显示面板可以包括多条选通线、多条数据线和分别形成在选通线和数据线的交叉中的多个像素。另外，显示面板可以包括：阵列，其包括被配置为将电压选择性地施加到每个像素的薄膜晶体管；在阵列上的oled层、设置于阵列上以覆盖oled层的封装基板或封装层等。封装层可以保护薄膜晶体管和oled层免受外部冲击并抑制湿气和氧渗透到oled层中。此外，在阵列上形成的层可以包括诸如纳米尺寸材料层或量子点之类的无机发光层。
31.本文的图1例示了可以并入到显示装置中的示例性有机电致发光显示器(oled)面板100。
32.图1是根据本公开的示例性实施方式的显示面板100的平面图。图1例示了可以并入到显示装置中的示例性有机电致发光显示器(oled)面板100。参照图1，在有机电致发光显示器(oled)面板100中，相机和传感器的孔ch设置在显示区域da内部，使得可以减小非显示区域的边框区域，并且可以增加或最大化显示区域da。具有增加或最大化显示区域da的设计的产品可以增加或最大化用户的画面沉浸感，因此在美学上可以是更优选的。
33.相机和传感器的孔ch可以是如图1所示的一个孔，但不限于此，并且可以以各种方式设置。例如，一个或两个孔可以设置在显示区域da内部，并且相机可以设置在第一孔中，并且距离检测传感器或面部识别传感器和广角相机可以设置在第二孔中。
34.图2是区域a的放大图，区域a是图1的显示面板100的显示区域da的一部分，并且例示了设置在显示区域da中的子像素的平面形状。
35.在图2中，多个阳极电极151设置在显示区域da中，并且堤部154可以填充在阳极电极151和阳极电极151之间的区域中。堤部154可以设置为覆盖阳极电极151的边缘，并且可
以仅允许阳极电极151的中央区域与有机发光堆叠体接触，由此用来限定子像素的发光区域。间隔件155可以设置在其中设置有堤部154的区域的一部分中。间隔件155可以设置为在整个显示面板100中具有恒定的密度。间隔件155可以用来支撑掩模，以使得当执行沉积工艺以形成有机发光堆叠体时，覆盖或打开每个子像素中的有机层的沉积掩模不直接接触显示面板100。尽管图2例示了其中子像素以点形状设置的pentile型平面结构，但本公开不限于此，并且也可以使用诸如真实rgb类型的平面结构之类的其它平面结构。
36.图3示出了图2的线i-i’的子像素的截面结构。
37.参照图3，可以提供基板101、多缓冲层102和下缓冲层103，并且第一薄膜晶体管120可以设置在下缓冲层103上。第一薄膜晶体管120由第一半导体层123和第一栅电极122构成，并且下栅极绝缘层104可以设置在第一半导体层123上以用于使第一半导体层123和第一栅电极122绝缘。第一下层间绝缘层105和第二下层间绝缘层106可以顺序地设置在第一栅电极122上，并且上缓冲层107可以设置在第二下层间绝缘层106上。
38.多缓冲层102可以延迟渗透到基板101中的湿气或氧气的扩散，并且可以通过至少一次交替堆叠硅氮化物(sinx)和硅氧化物(siox)来形成。
39.下缓冲层103保护第一半导体层123并阻挡从基板引入的各种类型的缺陷。下缓冲层103可以由a-si、硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)形成。
40.第一薄膜晶体管120的第一半导体层123可以由多晶半导体材料形成并且形成为多晶半导体层，并且第一半导体层123可以包括沟道区域、源极区域和漏极区域。
41.由于与非晶半导体层和氧化物半导体层相比，多晶半导体层具有更高的迁移率，所以它具有低的能量消耗和优异的可靠性。由于这些优点，多晶半导体层可以用于驱动晶体管。
42.第一栅电极122可以设置在下栅绝缘层104上，并且可以设置为与第一半导体层123交叠。
43.第二薄膜晶体管130可以设置在上缓冲层107上，并且光阻挡层136可以设置在与第二薄膜晶体管130对应的区域下方。参照图3，光阻挡层136设置在与第二薄膜晶体管130对应的区域中的第一下层间绝缘层105上，并且第二薄膜晶体管130的第二半导体层133可以设置在第二下层间绝缘层106和上缓冲层107上，以覆盖光阻挡层136。用于使第二栅电极132和第二半导体层133绝缘的上栅极绝缘层137可以设置在第二半导体层133上，然后，第一上层间绝缘层108可以设置在第二栅电极132上。第二上层间绝缘层109可以设置在第一上层间绝缘层108上。第一栅电极122和第二栅电极132可以是由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)或其合金中的任何一种形成的单层或多层，但本公开不限于此。
44.与第一上层间绝缘层108相比，第一下层间绝缘层105和第二下层间绝缘层106可以由具有更高的氢粒子含量的无机层形成。例如，第一下层间绝缘层105和第二下层间绝缘层106可以由通过使用nh3气体的沉积工艺形成的硅氮化物(sinx)形成，并且第一上层间绝缘层108可以由硅氧化物(siox)形成。包括在第一下层间绝缘层105和第二下层间绝缘层106中的氢粒子可以在氢化工艺期间扩散到多晶半导体层中以用氢填充多晶半导体层中的空隙。因此，多晶半导体层可以被稳定化，由此防止第一薄膜晶体管120的特性劣化。在第一薄膜晶体管120的第一半导体层123的激活和氢化工艺之后，可以形成第二薄膜晶体管130
的第二半导体层133，并且在这种情况下，第二半导体层133可以由氧化物半导体形成。由于第二半导体层133不暴露于第一半导体层123的激活和氢化工艺的高温气氛，所以可以防止对第二半导体层133的损坏并且可以提高可靠性。第二上层间绝缘层109可以位于第一上层间绝缘层108上。第二上层间绝缘层109可以包括绝缘材料。第二上层间绝缘层109可以包括与第一上层间绝缘层108的材料不同的材料。例如，第二上层间绝缘层109可以包括基于硅氮化物(sinx)的材料。在设置第一上层间绝缘层108和第二上层间绝缘层109之后，第一源极接触孔125s和第一漏极接触孔125d可以形成为与第一薄膜晶体管120的源极区域和漏极区域对应，并且第二源极接触孔135s和第二漏极接触孔135d可以形成为与第二薄膜晶体管130的源极区域和漏极区域对应。参照图3，形成第一源极接触孔125s和第一漏极接触孔125d以使得可以从第二上层间绝缘层109到下栅极绝缘层104连续地形成孔。此外，在第二薄膜晶体管130中，也可以形成第二源极接触孔135s和第二漏极接触孔135d。可以同时形成与第一薄膜晶体管120对应的第一源电极121和第一漏电极124以及与第二薄膜晶体管130对应的第二源电极131和第二漏电极134，使得可以减少用于形成第一薄膜晶体管120和第二薄膜晶体管130中的每一个的源电极和漏电极的工艺的数量。
45.第一源电极121和第一漏电极124以及第二源电极131和第二漏电极134可以是由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)或其合金中的任何一种形成的单层或多层，但本公开不限于此。
46.存储电容器140可以设置在第一薄膜晶体管120和第二薄膜晶体管130之间。如图3所示，可以通过使存储下电极141和存储上电极142交叠且第一下层间绝缘层105插入于期间来形成存储电容器140。
47.存储下电极141位于下栅极绝缘层104上，并且可以与第一栅电极122形成在同一层上并且由相同的材料形成。存储上电极142可以通过存储供应线143电连接到像素电路。存储上电极142可以由与光阻挡层136相同的材料形成。存储上电极142通过穿透第二下层间绝缘层106、上缓冲层107、上栅极绝缘层137、第一上层间绝缘层108和第二上层间绝缘层109的存储接触孔144而暴露，并且连接到存储供应线143。针对另一示例，尽管存储上电极142如图3所示与光阻挡层136间隔开，但是它们可以形成为其中它们彼此连接的集成体。存储供应线143可以与第一源电极121和第一漏电极124以及第二源电极131和第二漏电极134形成在同一层上并且由与第一源电极121和第一漏电极124以及第二源电极131和第二漏电极134相同的材料形成，使得可以通过与第一源电极121和第一漏电极124以及第二源电极131和第二漏电极134相同的掩模工艺同时形成存储供应线143。
48.通过在其上形成有第一源电极121和第一漏电极124、第二源电极131和第二漏电极134以及存储供应线143的基板101上沉积诸如sinx或siox之类的无机绝缘材料，可以形成钝化层110。可以在其上形成有钝化层110的基板101上形成第一平坦化层111。具体地，可以通过将诸如丙烯酸树脂之类的有机绝缘材料施加到其上形成有钝化层110的基板101的整个表面来设置第一平坦化层111。
49.钝化层110和第一平坦化层111被设置，并且可以通过光刻工艺形成暴露第一薄膜晶体管120的第一源电极121或第一漏电极124的接触孔。如图3所示，由mo、ti、cu、al、nd、ni或cr或其合金形成的材料所形成的连接电极145可以设置在暴露第一漏电极124的接触孔的区域中。
50.第二平坦化层112可以设置在连接电极145上，并且用于暴露连接电极145的接触孔形成在第二平坦化层112中，使得可以设置连接到第一薄膜晶体管120的发光元件150。
51.发光元件150可以包括连接到第一薄膜晶体管120的第一漏电极124的阳极电极151、形成在阳极电极151上的至少一个发光堆叠体152和形成在发光堆叠体152上的阴极电极153。
52.发光堆叠体152可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，并且在多个发光层交叠的串联结构中，电荷产生层可以附加地设置在发光层和发光层之间。在发光层的情况下，它们可以在相应的子像素中发出不同的颜色。例如，可以针对每个子像素分离地形成红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。然而，在没有针对每个像素的颜色区分的情况下，形成公共发光层以发出白光，并且可以分离地提供用于区分颜色的滤色器。除了形成单独的发光层之外，发光堆叠体152通常被设置为公共层并且可以同等地设置在每个子像素中。
53.阳极电极151可以连接到通过穿透第二平坦化层112的接触孔暴露的连接电极145。阳极电极151可以形成为包括透明导电层和具有高反射效率的不透明导电层的多层结构中。透明导电层由诸如铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)之类的具有相对大的功函数值的材料形成，并且不透明导电层由包含al、ag、cu、pb、mo或ti或其合金的单层或多层结构形成。例如，阳极电极151可以形成为其中顺序地堆叠有透明导电层、不透明导电层和透明导电层的结构，或者形成为其中顺序地堆叠有透明导电层和不透明导电层的结构。阳极电极151设置在第二平坦化层112上，以与通过堤部154设置的发光区域以及其中设置有第一薄膜晶体管120和第二薄膜晶体管130以及存储电容器140的像素电路区域交叠，由此允许发光区域的增加。
54.发光堆叠体152可以通过在阳极电极151上按此顺序或按相反的顺序堆叠空穴传输层、有机发光层和电子传输层而形成。此外，发光堆叠体152还可以包括面向彼此的第一发光堆叠体和第二发光堆叠体并且其间具有电荷产生层。
55.可以形成堤部154以暴露阳极电极151。堤部154可以由诸如光丙烯酸之类的有机材料形成，并且可以由半透明材料形成，但其不限于此并且可以由不透明材料形成以防止子像素之间的光干扰。
56.阴极电极153可以形成在发光堆叠体152的上表面上以面对阳极电极151并且发光堆叠体152插置于其间。当将阴极电极153施加到顶部发光型有机发光显示装置时，可以通过薄地形成铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)或镁银(mg-ag)来形成透明导电层。
57.为了防止发光材料和电极材料的氧化，防止氧气和湿气从外部渗透的封装层170可以设置在阴极电极153上。当发光堆叠体152暴露于湿气或氧气时，可以在发光区域中发生发光区域减小或暗点的像素收缩现象。封装层可以是由玻璃、金属或铝氧化物(alox)或基于硅(si)的材料形成的无机层所形成的，或者可以具有其中有机层和无机层交替堆叠的结构。在这种情况下，第一无机绝缘层171和第二无机绝缘层173用来阻挡湿气或氧气的渗透，并且有机层172用来平坦化第一无机绝缘层171和第二无机绝缘层173的表面。有机层172可以被称为异物补偿层。当封装层形成为多层薄膜时，与封装层形成为单层的情况相比，湿气或氧气的移动路径更长并且更复杂，使得湿气/氧气难以穿透到有机发光元件。
58.屏障膜可以位于封装层170上并且封装整个基板101。屏障膜可以是相位差膜
(retardation flim)或光各向同性膜。在这种情况下，粘合层可以位于屏障膜和封装层170之间。粘合层接合封装层170和屏障膜。粘合层可以是热可固化粘合剂或可自然固化粘合剂。例如，粘合剂层可以由诸如屏障压敏粘合剂(b-psa)之类的材料形成。
59.要注意的是，图3所示的子像素的结构仅用于例示性的目的，并且本公开的实施方式不限于此。例如，第一薄膜晶体管120和第二薄膜晶体管130可以形成在同一平面上并且具有相同的半导体层。在此情况下，可以省略上缓冲层107、上栅极绝缘层137和/或第一上层间绝缘层108。
60.图4是与图1的相机孔ch的区域(在下文中称为“相机孔ch区域”)对应的区域b的放大平面图。参照图4，在中央存在大的圆形空间，并且相机模块可以设置在其中。相机孔ch区域可以在面板完成阶段中用激光去除。因此，在相机孔ch区域中，可以去除除了相机孔ch区域的一部分之外的基板101。非显示区域na可以设置在相机孔ch区域和显示区域aa之间。坝结构300和分隔结构200可以设置在相机孔ch区域周围的非显示区域na中。参照图4，坝结构300可以由第一坝301和第二坝302构成，并且分隔结构200可以由第一分隔单元201和第二分隔单元202构成。第一坝301、第一分隔单元201、第二坝302和第二分隔单元202可以顺序地设置在相机孔ch区域周围。通常，坝结构防止作为封装层的一部分的异物补偿层172在显示面板100的外部处向下流动到显示面板100的外部的端部，并且因此，它可以用于维持构成显示面板100的上基板和下基板之间的粘合。相机孔ch区域周围的坝结构300可以由诸如第一坝301和第二坝302之类的多个结构形成以保护发光元件150，例如，防止封装层170的异物补偿层172被引入或泄漏到相机孔ch区域。尽管本公开已经提出了两个坝，但本公开不限于此，并且根据空间的布置，附加的坝布置也可以是可能的。参照图4，第一分隔单元201可以设置在第一坝301的内侧上，并且第二分隔单元202可以设置在第二坝302的内侧上。第一分隔单元201和第二分隔单元202可以设置为保护显示区域的发光元件150免受可能从相机孔ch区域引入的湿气或氧气的影响。发光元件150的发光堆叠体152可以沉积在显示面板100的前表面上，并且也可以均匀地沉积在相机孔ch区域上。发光堆叠体152可能将湿气和氧气传送到显示区域aa的发光元件150，因为发光堆叠体152由于有机材料的特性而对湿气和氧气具有高的反应性和传播特性。为了防止这一点，第一分隔单元201和第二分隔单元202可以允许发光堆叠体152部分地分离。将参照将在后面描述的图6至图8来描述其详细描述。本说明书描述了两个分隔结构，但不限于此。
61.在相机孔ch区域附近的非显示区域na中，除了坝结构300和分隔结构200之外，可以设置各种线。由于相机孔ch区域的布置，在与其对应的区域中的发光元件150和像素电路被去除，但是设置在相机孔ch区域的顶侧、底侧、左侧和右侧的发光元件150和像素电路应当被电连接。为此，在靠近相机孔ch区域的非显示区域na中，可以设置高电位电源线pl和选通线sl以绕过相机孔ch区域并且垂直和水平地连接。
62.图5是例示图4的线ii-iv的结构的截面图。第一坝301和第二坝302设置为围绕相机孔ch区域的闭路形式，并且第一分隔单元201可以设置为第一坝301与第二坝302之间的闭路形式。当观察相机孔ch区域附近的截面时，可以设置存在于显示区域aa中的各种绝缘层和基板101。例如，多缓冲层102、下缓冲层103、下栅极绝缘层104、第一下层间绝缘层105、第二下层间绝缘层106、上缓冲层107、上栅极绝缘层137、第一上层间绝缘层108和第二上层间绝缘层109可以顺序地堆叠在基板101上。相机孔ch区域可以根据要应用于产品的相机的
尺寸而变化，并且尽管对应的区域被示出为空的空间，但是一些绝缘层或线结构可以设置在其中。然而，当利用激光器去除相机孔ch区域时，由于它是不保留在成品中的虚拟区域，所以省略了单独的表述。可以沿着相机孔ch区域的形状以圆形或椭圆形形状照射激光，并且可以通过激光照射去除基板的上部的所有区域(包括基板101)。实际的相机孔ch区域和激光照射区域之间可以存在差异，例如，激光照射区域可以是从相机孔ch区域向内大约100μm的内部的区域。以这种方式，当在激光照射区域和相机孔ch区域之间存在差异时，相机孔ch区域的绝缘层在激光照射期间可以不被损坏。激光器可以是皮秒激光器或飞秒激光器，但不限于此。激光器使用通过对特定材料施加能量而产生的光进行放大而引发和发出的光。激光具有与电磁波相同的特性，并且对单色光具有方向性，因此其用于通信、医疗和工业目的。如果使用激光器，则可以在期望区域上形成图案或者可以容易地去除特定区域。可以基于激光的照射时间对上述皮秒激光器和飞秒激光器进行分类。皮秒和飞秒是时间单位。皮秒是一万亿分之一秒(10-12
秒)的一万亿次，并且飞秒是1000万亿分之一秒(10-15
秒)，它们是人类难以感知的非常短的时间段。按时间单位对激光进行分类的原因在于，皮秒激光器的一个脉冲的照射时间是一秒的一万亿分之一，并且飞秒激光器的一个脉冲的照射时间是一秒的1000万亿分之一秒。激光器使用能量来形成或去除图案，并且当激光能量被照射至对象时，热能使对象熔化以形成图案。随着脉冲被照射更长时间时，可以发生传送到形成图案的部分附近的热效应。此热效应可以导致围绕对象的激光照射区域的热积累，并且直到比设定图案更大的邻近区域可以通过热量而燃烧或变形。由于激光的这些特性，如果激光被照射的区域与绝缘层交叠或相邻，则激光的热能也可能导致绝缘层的变形。可能由于绝缘层的变形而发生裂纹，并且裂纹可以传播穿过绝缘层以导致湿气和氧气的脱层或渗透。例如，为了防止诸如多缓冲层102、下缓冲层103、第一下层间绝缘层105、第二下层间绝缘层106、上缓冲层107、第一上层间绝缘层108和第二上层间绝缘层109之类的绝缘层的变形或脱层，可以在离激光照射位置约100μm的距离处去除所有绝缘层。参照图6，第一坝301和第二坝302可以具有约50μm的总宽度，并且可以具有其中左侧表面和右侧表面具有平缓的斜率但是中央区域具有陡峭的斜率的帽结构。例如，坝的宽度可以是约30至60μm，但不限于此。在这种情况下，具有陡峭的斜率的中央区域的宽度可以是约25μm，但不限于此。第一坝301和第二坝302可以通过堆叠第二平坦化层112、堤部154和间隔件155而形成，但不限于此，且它还可以包括第一平坦化层111或可以设置成包括另一层。
63.封装层170可以以与在显示区域aa中相同的方式设置在其中设置有第一坝301和第二坝302以及第一分隔单元201的区域上，并且可以包括第一无机绝缘层171、异物补偿层172和第二无机绝缘层173。然而，异物补偿层172可以仅存在于与第二坝302相邻的区域的一部分中，并且可以不被设置直至第一坝301的区域。
64.图6是例示根据本公开的示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图，并且是图5的区域d的放大图。
65.参照图6，分隔区域可以位于显示区域和相机所位于的穿透区域之间。分隔结构312可以位于分隔区域中。
66.分隔结构312被设置以断开发光堆叠体152。这是因为当发光堆叠体152暴露于外部时，它可能成为湿气的穿透路径。由于发光堆叠体152可以在分隔区域中暴露于外部，所以需要分隔结构312。
67.分隔结构312可以由与用于平坦化第二薄膜晶体管130的上部的第二平坦化层112相同的材料形成。例如，分隔结构312可以在第二上层间绝缘层109上用第二平坦化层112形成为柱状形状。然后，可以去除分隔结构312的外部下方的第二上层间绝缘层109。可以通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺来执行去除工艺。
68.当分隔结构312的外部下方的第二上层间绝缘层109被底切以便向内去除时，沉积在分隔结构312上的层(例如，发光堆叠体152)不完全覆盖分隔结构312的外部的下部，并且其连接被破坏，如图所示。通过使用这种现象，可以通过部分地去除分隔结构312下方的层来分离特定层。如上所述，由于发光堆叠体152用作湿气的传送路径并且可能导致显示装置中的缺陷，因此重要的是完全分离发光堆叠体152。为了完全分离发光堆叠体152，如上所述，需要通过部分地去除分隔结构312下方的第二上层间绝缘层109来实现底切。此外，随着底切结构的高度增加，发光堆叠体152的分离可以是有利的。例如，可以增加第二上层间绝缘层109的厚度以增加底切结构的高度。然而，在显示区域aa中，当位于第二薄膜晶体管130的第二半导体层133上的第二上层间绝缘层109的厚度被形成为足以在分隔区域中分离发光堆叠体152时，第二薄膜晶体管130的第二半导体层133可能会劣化。例如，当包括基于硅氮化物(sinx)材料的第二上层间绝缘层109的厚度增加时，第二上层间绝缘层109的氢粒子含量增加，使得第二薄膜晶体管130的由氧化物半导体形成的第二半导体层133劣化。因此，存在通过增加第二上层间绝缘层109的厚度来增加分隔结构312的下表面与第一上层间绝缘层108的上表面之间的距离的限制。
69.在本公开的示例性实施方式中，不均匀图案332可以设置在第一上层间绝缘层108的下部上，以增加分隔结构312的下表面与第一上层间绝缘层108的上表面之间的距离。
70.不均匀图案332可以位于第一上层间绝缘层108和上栅极绝缘层137之间。不均匀图案332可以通过与设置在显示区域aa中的第二薄膜晶体管130的第二栅电极132相同的掩模工艺形成。例如，不均匀图案332可以由与第二栅电极132相同的相同材料形成在同一平面上。例如，不均匀图案332可以是由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)或其合金中的任何一种形成的单层或多层，但本公开不限于此。
71.不均匀图案332可以形成为具有与设置在其上方的第二上层间绝缘层109的尺寸相对应的尺寸。由于不均匀图案332用于补偿第二上层间绝缘层109的厚度，因此不均匀图案332可以具有等于或小于第二上层间绝缘层109的宽度的宽度。例如，优选的是，不均匀图案332形成为不与分隔结构312的不接触第二上层间绝缘层109的下表面交叠。当不均匀图案332位于与分隔结构312的不接触第二上层间绝缘层109的下表面交叠时，分隔结构312的下表面与第一上层间绝缘层108的上表面之间的距离可能不增加。例如，不均匀图案332可以设置为与第二上层间绝缘层109交叠。当分隔结构312被设置为围绕穿透区域(参见图4所示的分隔结构200)时，不均匀图案332和/或不均匀图案332下方的第二上层间绝缘层109也可以相应地设置为围绕穿透区域。
72.如上所述，通过在分隔结构312下方设置与第二薄膜晶体管130的第二栅电极相同的平面上的不均匀图案332来增加分隔结构312的下表面与第一上层间绝缘层108的上表面之间的距离，使得形成在分隔结构312的上部上的发光堆叠体152可以完全断开。当发光堆叠体152完全断开时，湿气的传送路径被切断，由此防止显示装置中的缺陷。
73.图7是例示根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图，并
且是图5的区域d的放大图。
74.这将结合附图6一起描述，并且将省略或简要描述冗余描述。例如，基板101、多缓冲层102、下缓冲层103、下栅极绝缘层104、第一下层间绝缘层105、第二下层间绝缘层106、上缓冲层107、第一上层间绝缘层108、第二上层间绝缘层109、第一平坦化层111、第二平坦化层112、上栅极绝缘层137、发光堆叠体152、阴极电极153和封装层170基本相同。因此，将省略或简要描述与图6的配置基本相同的图7的配置的冗余描述。
75.参照图7，根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置可以包括基板101、多缓冲层102、下缓冲层103、下栅极绝缘层104、第一下层间绝缘层105、第二下层间绝缘层106、上缓冲层107、第一上层间绝缘层108、第二上层间绝缘层109、上栅极绝缘层137、第一平坦化层111、第二平坦化层112、发光堆叠体152、阴极电极153、封装层170和不均匀图案336。
76.不均匀图案336可以设置在第一上层间绝缘层108下方以增加分隔结构312的下表面与第一上层间绝缘层108的上表面之间的距离。
77.不均匀图案336可以位于第一下层间绝缘层105和第二下层间绝缘层106之间。可以通过与显示区域aa中设置的设置在第二薄膜晶体管130下方的光阻挡层136或存储电容器140的上电极142相同的掩模工艺形成不均匀图案336。例如，不均匀图案336可以由与存储电容器140的上电极142或光阻挡层136相同的材料形成在同一平面上。例如，不平坦图案336可以是由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)或其合金中的任何一种形成的单层或多层，但本公开不限于此。
78.不均匀图案336可以形成为具有与设置在其上方的第二上层间绝缘层109的尺寸相对应的尺寸。由于不均匀图案336用于补偿第二上层间绝缘层109的厚度，因此不均匀图案336可以具有等于或小于第二上层间绝缘层109的宽度的宽度。例如，优选的是，不均匀图案336形成为不与分隔结构312的不接触第二上层间绝缘层109的下表面交叠。当不均匀图案336位于与分隔结构312的不接触第二上层间绝缘层109的下表面交叠时，分隔结构312的下表面与第一上层间绝缘层108的上表面之间的距离可能不增加。
79.如上所述，通过在分隔结构312下方设置与存储电容器140的上电极142或光阻挡层136在同一平面上的不均匀图案336来增加分隔结构312的下表面与第一上间绝缘层108的上表面之间的距离，使得形成在分隔结构312的上部上的发光堆叠体152可以完全断开。随着发光堆叠体152完全断开，湿气的传送路径被切断，由此防止显示装置中的缺陷并提高显示装置的可靠性。
80.图8是例示根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图，并且是图5的区域d的放大图。
81.这将结合附图6一起描述，并且将省略或简要描述冗余描述。例如，基板101、多缓冲层102、下缓冲层103、下栅极绝缘层104、第一下层间绝缘层105、第二下层间绝缘层106、上缓冲层107、第一上层间绝缘层108、第二上层间绝缘层109、第一平坦化层111、第二平坦化层112、上栅极绝缘层137、发光堆叠体152、阴极电极153和封装层170基本相同。因此，将省略或简要描述与图6的配置基本相同的图8的配置的冗余描述。
82.参照图8，根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置可以包括基板101、多缓冲层102、下缓冲层103、下栅极绝缘层104、第一下层间绝缘层105、第二下层间绝缘层106、上缓冲层107、第一上层间绝缘层108、第二上层间绝缘层109、上栅极绝缘层137、第一平坦
化层111、第二平坦化层112、发光堆叠体152、阴极电极153、封装层170和不均匀图案322。
83.不均匀图案322可以设置在第一上层间绝缘层108下方以增加分隔结构312的下表面与第一上层间绝缘层108的上表面之间的距离。不均匀图案322可以位于下栅极绝缘层104和第一下层间绝缘层105之间。不均匀图案322可以通过与设置在显示区域aa中的第一薄膜晶体管120的第一栅电极122相同的掩模工艺形成。例如，不均匀图案322可以由与第一薄膜晶体管120的第一栅电极122相同的材料形成在同一平面上。例如，不平坦图案322可以是由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)或其合金中的任何一种形成的单层或多层，但本公开不限于此。
84.不均匀图案322可以形成为具有与设置在其上方的第二上层间绝缘层109的尺寸相对应的尺寸。由于不均匀图案322用于补偿第二上层间绝缘层109的厚度，因此不均匀图案322可以具有等于或小于第二上层间绝缘层109的宽度的宽度。例如，优选的是，不均匀图案322形成为不与分隔结构312的不接触第二上层间绝缘层109的下表面交叠。当不均匀图案322位于与分隔结构312的不接触第二上层间绝缘层109的下表面交叠时，分隔结构312的下表面与第一上层间绝缘层108的上表面之间的距离可能不增加。
85.如上所述，通过在分隔结构312下方设置与第二薄膜晶体管130的第二栅电极在同一平面上的不均匀图案322来增加分隔结构312的下表面与第一上层间绝缘层108的上表面之间的距离，使得形成在分隔结构312的上部上的发光堆叠体152可以完全断开。随着发光堆叠体152完全分离，湿气的传送路径被切断，由此防止显示装置中的缺陷并提高显示装置的可靠性。
86.本公开的示例性实施方式也可以描述如下：
87.根据本公开的一个方面，一种显示装置，其包括：基板，穿透区域和分隔区域位于基板中，基板包括至少一个非显示区域和显示区域；发光元件，其设置在基板上的显示区域中；至少一个薄膜晶体管，其设置在显示区域中；分隔结构，其位于分隔区域中并且设置为断开发光元件的有机发光层；以及不均匀图案，其设置在分隔结构下方并且与分隔结构交叠；其中，不均匀图案具有比分隔结构的宽度小的宽度。
88.显示区域可以围绕穿透区域和分隔区域，并且分隔区域可以位于显示区域和穿透区域之间。
89.穿透基板的基板孔可以被设置在穿透区域中。
90.显示装置还可以包括坝结构，其位于分隔区域中，坝结构包括第一坝和第二坝，其中，分隔结构包括第一分隔单元和第二分隔单元。
91.第一分隔单元可以被设置在第一坝和第二坝之间，并且第二坝可以被设置在第一分隔单元和第二分隔单元之间。
92.第一坝、第二坝、第一分隔单元和第二分隔单元中的每一个可以被设置为围绕穿透区域。
93.显示装置还可以包括设置在至少一个薄膜晶体管上的第一平坦化层；以及在第一平坦化层上的第二平坦化层。
94.分隔结构可以包括与第二平坦化层相同的材料。
95.至少一个薄膜晶体管可以包括：第一薄膜晶体管，其设置在显示区域中；以及第二薄膜晶体管，其位于第一薄膜晶体管上，并且其中，第一平坦化层可以被设置在第二薄膜晶
体管上。
96.显示装置还可以包括：第一上层间绝缘层，其设置在第二薄膜晶体管的第二栅电极上并且延伸至分隔区域；第二上层间绝缘层，其设置在第一上层间绝缘层上；以及上栅极绝缘层，其设置在第二栅电极下方并且设置在第二薄膜晶体管的第二半导体层上方。
97.第二半导体层可以由氧化物半导体形成。
98.不均匀图案可以被设置在第一上层间绝缘层和上栅极绝缘层之间。
99.不均匀图案可以由与第二栅电极相同的材料形成。
100.显示装置还可以包括：下栅极绝缘层，其位于第一薄膜晶体管的第一栅电极和第一半导体层之间；以及第一下层间绝缘层，其覆盖第一栅电极。
101.第一半导体层可以是多晶半导体层。
102.不均匀图案可以被设置在下栅极绝缘层和第一下层间绝缘层之间。
103.不均匀图案可以由与第一栅电极相同的材料形成。
104.显示装置还可以包括：存储电容器，其设置在第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管之间并且包括上电极和下电极，并且第一下层间绝缘层插置于上电极与下电极之间。
105.显示装置还可以包括：第二下层间绝缘层，其覆盖上电极。
106.第一下层间绝缘层和第二下层间绝缘层中的每一个的氢粒子含量可以高于第一上层间绝缘层的氢粒子含量。
107.不均匀图案可以位于第一下层间绝缘层和第二下层间绝缘层之间。
108.不均匀图案可以由与上电极相同的材料形成。
109.第二上层间绝缘层在分隔结构下方的宽度可以小于分隔结构的宽度。
110.分隔结构可以被设置为围绕穿透区域。
111.不均匀图案可以被设置为围绕穿透区域。
112.显示装置还可以包括：封装层，其覆盖显示区域和分隔区域，并且包括第一无机绝缘层、异物补偿层和第二无机绝缘层。
113.尽管已经参照附图详细描述了本公开的实施方式，但是要理解的是，本公开不限于这些实施方式，并且可以在不脱离本公开的范围的情况下做出各种改变和修改。因此，本公开中公开的实施方式旨在例示而不是限制本公开的范围，并且本公开的技术思想的范围不限于这些实施方式。本公开的各种实施方式的每个特征可以部分地或全部地组合或彼此组合，各种互锁和驱动在技术上是可能的，并且每个实施方式可以彼此独立地实现，或者可以以关联关系一起实现。本公开的保护范围应当由所附权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术思想都应当被解释为包括在本公开的范围内。
114.相关申请的交叉引用
115.本技术要求于2020年12月24日在韩国提交的韩国专利申请no.10-2020-0183327的权益和优先权，其全部内容在此通过引用明确地并入本技术中。