板上芯片封装发光二极管结构及照明装置的制作方法

本申请涉及发光二极管领域，特别是涉及板上芯片封装发光二极管结构及照明装置。

背景技术：

氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(al2o3)为主体的陶瓷材料，用于厚膜集成电路。氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。氧化铝陶瓷按照含量分为75瓷(75％)、92瓷(92％)、95瓷(95％)、96瓷(96％)、97瓷(97％)、99瓷(99％)以及995瓷(99.5％)和997瓷(99.7％)，不同含量比例具有相异的性能。

目前主流的led(lightemittingdiode，发光二极管)可调色温光源主要以贴片式的smd(surfacemounteddevices，表面贴装器件)为主，对于需要使用高密度的光线时，该smd封装形式的led起不到很好的效果。且通常使用多颗smd封装的led进行混光时，混出来的光斑比较差。

cob(chipsonboard，板上芯片封装)相比直插式和smd其特点是节约空间、简化封装作业，散热性能较好。

但是，由于传统cob封装结构的限制，导致传统的led光源存在小体积则难以设计的问题，难以实现对于照明的色温变化控制，容易造成光斑不均匀问题。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种板上芯片封装发光二极管结构及照明装置。

一种板上芯片封装发光二极管结构，其包括焊盘、线路层及96％瓷的氧化铝基板，所述线路层设置在所述氧化铝基板上，所述焊盘设置在所述线路层上；还包括设置在所述氧化铝基板上的围坝结构、led芯片及填充体；

所述围坝结构包括内围坝及外围坝，所述外围坝围绕所述内围坝设置，所述内围坝围合形成内围区，所述外围坝与所述内围坝之间围合形成外围区；

所述led芯片包括内芯片及外芯片，所述内芯片设置于所述内围区，所述外芯片设置于所述外围区；

所述线路层在所述氧化铝基板上形成连接线路，所述连接线路包括至少部分位于内围区中的内连接线路及至少部分位于外围区中的外连接线路，所述内连接线路连接所述内芯片，所述外连接线路连接所述外芯片；

所述填充体包括内填充体及外填充体，所述内填充体填设于所述内围区，所述外填充体填设于所述外围区；

其中，所述焊盘的数量为至少三个，所述内芯片及所述外芯片的第一电极共同连接第一个所述焊盘，所述内芯片的第二电极连接第二个所述焊盘，所述外芯片的第二电极连接第三个所述焊盘。

上述板上芯片封装发光二极管结构，一方面具有结构简单、设计紧凑的优点，结构设计不影响板上芯片封装工艺；另一方面具有良好的散热性能，有利于在保证正常照明寿命的前提下提高密集度且提升照明亮度；再一方面采用了两路电路配合至少三焊盘的设计，焊盘极性可以实现共阴或者共阳，易于配合驱动电源通过调节两路电路的电流大小及时间，实现对于照明的色温变化控制，可以应用于led照明领域如led筒灯、led射灯、led防火灯等所需的led光源，避免出现光斑不均匀问题。

在其中一个实施例中，所述线路层为银浆厚膜电路，所述板上芯片封装发光二极管结构还包括沉镀镍钯金层，所述沉镀镍钯金层覆盖在所述线路层上，且采用所述沉镀镍钯金层的预设位置作为所述焊盘。

在其中一个实施例中，所述线路层为银浆厚膜电路，且所述板上芯片封装发光二极管结构还包括玻璃釉层，所述玻璃釉层覆盖在所述线路层上且露出所述线路层的连接所述焊盘的位置。

在其中一个实施例中，所述线路层为银浆厚膜电路，所述板上芯片封装发光二极管结构还包括玻璃釉层，所述玻璃釉层覆盖在所述线路层上且露出所述线路层的连接所述焊盘的位置，且所述焊盘为沉镀镍钯金层。

在其中一个实施例中，所述线路层为铜箔镀金电路，所述板上芯片封装发光二极管结构还包括双马来酰亚胺三嗪树脂层，所述双马来酰亚胺三嗪树脂层设置在所述氧化铝基板上，所述线路层设置在所述双马来酰亚胺三嗪树脂层上。

在其中一个实施例中，所述焊盘的数量为三个，包括第一焊盘、第二焊盘及第三焊盘；

所述内芯片及所述外芯片的第一电极共同连接所述第一焊盘，所述内芯片的第二电极连接所述第二焊盘，所述外芯片的第二电极连接所述第三焊盘。

在其中一个实施例中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；或者，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。

在其中一个实施例中，所述内芯片的数量为多个，所述外芯片的数量为多个。

在其中一个实施例中，多个所述内芯片排列为完整或非完整的矩形阵列，或者至少一圆环形；多个所述外芯片排列为至少一圆环形。

在其中一个实施例中，所述内芯片分为至少二内芯片组，每一所述内芯片组中的内芯片相互串联且各所述内芯片组中的内芯片相互并联；或者，每一所述内芯片组中的内芯片相互并联且各所述内芯片组中的内芯片相互串联；及/或，

所述外芯片分为至少二外芯片组，每一所述外芯片组中的外芯片相互串联且各所述外芯片组中的外芯片相互并联；或者，每一所述外芯片组中的外芯片相互并联且各所述外芯片组中的外芯片相互串联。

在其中一个实施例中，所述内围区的形状为环形、圆形、椭圆形或正多边形；或者，相邻所述内芯片通过连接金线连接，相邻所述外芯片通过连接金线连接；或者，所述内芯片及所述外芯片的发光波长相异设置或所述内填充体及所述外填充体的荧光粉相异设置。

在其中一个实施例中，所述内连接线路及所述外连接线路分别具有圆弧形结构。

在其中一个实施例中，所述内连接线路具有至少二段相连接或者非连接的圆弧形结构；及/或，

所述外连接线路具有至少二段相连接或者非连接的圆弧形结构。

一种照明装置，其包括规则排列的至少二个任一项所述板上芯片封装发光二极管结构。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请板上芯片封装发光二极管结构一实施例的结构示意图。

图2为本申请板上芯片封装发光二极管结构另一实施例的结构示意图。

图3为本申请板上芯片封装发光二极管结构另一实施例的结构示意图。

图4为本申请板上芯片封装发光二极管结构另一实施例的结构示意图。

图5为本申请板上芯片封装发光二极管结构另一实施例的结构示意图。

图6为本申请板上芯片封装发光二极管结构另一实施例的部分结构示意图。

图7为图6所示实施例的规则排列生产设计结构示意图。

图8为图7所示实施例的增设焊盘的示意图。

图9为图8所示实施例的上玻璃釉保护线路的示意图。

图10为图9所示实施例的外芯片连接的示意图。

附图标记：

氧化铝基板100、线路层200、焊盘300、围坝结构400、led芯片500、连接线路600、填充体700；

第一焊盘位置线路210、第二焊盘位置线路220、第三焊盘位置线路230、第一焊盘310、第二焊盘320、第三焊盘330、内围坝410、外围坝420、内围区411、外围区421、内芯片510、外芯片520、内连接线路610、外连接线路620、连接金线630、内填充体710、外填充体720。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本申请的说明书所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”、“下”可以是第一特征直接和第二特征接触，或第一特征和第二特征间接地通过中间媒介接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

除非另有定义，本申请的说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。本申请的说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

在本申请一个实施例中，一种板上芯片封装发光二极管结构，其包括焊盘、线路层及96％瓷的氧化铝基板，所述线路层设置在所述氧化铝基板上，所述焊盘设置在所述线路层上；还包括设置在所述氧化铝基板上的围坝结构、led芯片(chip，亦称晶片或晶元)及填充体；所述围坝结构包括内围坝及外围坝，所述外围坝围绕所述内围坝设置，所述内围坝围合形成内围区，所述外围坝与所述内围坝之间围合形成外围区；所述led芯片包括内芯片及外芯片，所述内芯片设置于所述内围区，所述外芯片设置于所述外围区；所述线路层在所述氧化铝基板上形成连接线路，所述连接线路包括至少部分位于内围区中的内连接线路及至少部分位于外围区中的外连接线路，所述内连接线路连接所述内芯片，所述外连接线路连接所述外芯片；所述填充体包括内填充体及外填充体，所述内填充体填设于所述内围区，所述外填充体填设于所述外围区；其中，所述焊盘的数量为至少三个，所述内芯片及所述外芯片的第一电极共同连接第一个所述焊盘，所述内芯片的第二电极连接第二个所述焊盘，所述外芯片的第二电极连接第三个所述焊盘。上述板上芯片封装发光二极管结构，一方面具有结构简单、设计紧凑的优点，结构设计不影响板上芯片封装工艺；另一方面具有良好的散热性能，有利于在保证正常照明寿命的前提下提高密集度且提升照明亮度；再一方面采用了两路电路配合至少三焊盘的设计，焊盘极性可以实现共阴或者共阳，易于配合驱动电源通过调节两路电路的电流大小及时间，实现对于照明的色温变化控制，可以应用于led照明领域如led筒灯、led射灯、led防火灯等所需的led光源，避免出现光斑不均匀问题。

在其中一个实施例中，一种板上芯片封装发光二极管结构，其包括以下实施例的部分结构或全部结构；即，板上芯片封装发光二极管结构包括以下的部分技术特征或全部技术特征。在其中一个实施例中，一种板上芯片封装发光二极管结构，其包括焊盘、线路层、96％瓷的氧化铝基板、围坝结构、led芯片及填充体，所述线路层设置在所述氧化铝基板上，所述焊盘设置在所述线路层及所述氧化铝基板上，所述围坝结构、所述led芯片及所述填充体均设置在所述氧化铝基板上。在其中一个实施例中，如图1所示，一种板上芯片封装发光二极管结构，其包括焊盘300、线路层200及96％瓷的氧化铝基板100，所述线路层200设置在所述氧化铝基板100上，所述焊盘300设置在所述线路层200上；所述板上芯片封装发光二极管结构还包括设置在所述氧化铝基板100上的围坝结构400、led芯片500及填充体700；所述围坝结构400包括内围坝410及外围坝420，所述外围坝420围绕所述内围坝410设置，所述内围坝410围合形成内围区411，所述外围坝420与所述内围坝410之间围合形成外围区421；所述led芯片500包括内芯片510及外芯片520，所述内芯片510设置于所述内围区411，所述外芯片520设置于所述外围区421；所述线路层200在所述氧化铝基板100上形成连接线路600，所述连接线路600包括至少部分位于内围区411中的所述内连接线路610及至少部分位于外围区421中的外连接线路620，所述内连接线路610连接所述内芯片510，所述外连接线路620连接所述外芯片520；所述填充体700包括内填充体710及外填充体720，所述内填充体710填设于所述内围区411，所述外填充体720填设于所述外围区421；其中，所述焊盘300的数量为至少三个，所述内芯片510及所述外芯片520的第一电极共同连接第一个所述焊盘300，所述内芯片510的第二电极连接第二个所述焊盘300，所述外芯片520的第二电极连接第三个所述焊盘300。

为了实现对线路层的保护，在其中一个实施例中，所述线路层为银浆厚膜电路，所述板上芯片封装发光二极管结构还包括沉镀镍钯金层，所述沉镀镍钯金层覆盖在所述线路层上，且采用所述沉镀镍钯金层的预设位置作为所述焊盘。即所述焊盘采用沉镀镍钯金层实现，以焊盘的设计位置为所述预设位置，采用预设位置的沉镀镍钯金层，即沉镀镍钯金层在预设位置的部分，作为所述焊盘。在其中一个实施例中，所述线路层为银浆厚膜电路，且所述板上芯片封装发光二极管结构还包括玻璃釉层，所述玻璃釉层覆盖在所述线路层上且露出所述线路层的连接所述焊盘的位置。这样的设计，可以采用具有玻璃釉的玻璃釉层以保护线路层。在其中一个实施例中，所述线路层为银浆厚膜电路，所述板上芯片封装发光二极管结构还包括玻璃釉层，所述玻璃釉层覆盖在所述线路层上且露出所述线路层的连接所述焊盘的位置，且所述焊盘为沉镀镍钯金层。这样的设计，有利于提升焊盘的连接寿命。在其中一个实施例中，所述线路层为铜箔镀金电路，所述板上芯片封装发光二极管结构还包括双马来酰亚胺三嗪树脂(bismaleimidetriazineresin)层，所述双马来酰亚胺三嗪树脂层设置在所述氧化铝基板上，所述线路层设置在所述双马来酰亚胺三嗪树脂层上。双马来酰亚胺三嗪树脂层所形成的板材亦称bt板。

为了解决在小面积即小体积的cob封装体实现混光调色的线路连接设计，在其中一个实施例中，所述内芯片的数量为多个，所述外芯片的数量为多个。在其中一个实施例中，如图2所示，所述内芯片510的数量为多个，所述外芯片520的数量为多个。本实施例中，所述焊盘300的数量为四个，分别为第一焊盘至第四焊盘，本实施例中，所述内芯片510及所述外芯片520的第一电极共同连接所述第一焊盘，所述内芯片510的第二电极连接所述第二焊盘及第四焊盘，所述外芯片520的第二电极连接所述第三焊盘；或者，所述内芯片510及所述外芯片520的第一电极共同连接所述第一焊盘，所述内芯片510的第二电极连接所述第二焊盘及第四焊盘，所述外芯片520的第二电极连接所述第三焊盘及第四焊盘。在其中一个实施例中，如图3所示，所述焊盘300的数量为三个。在其中一个实施例中，如图3所示，所述焊盘300的数量为三个，分别为第一焊盘310、第二焊盘320及第三焊盘330，本实施例中，所述内芯片510及所述外芯片520的第一电极共同连接所述第一焊盘310，所述内芯片510的第二电极连接所述第二焊盘320，所述外芯片520的第二电极连接所述第三焊盘330。在其中一个实施例中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；或者，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。亦即，焊盘极性可以实现共阴或者共阳，这样的设计，易于配合驱动电源通过调节两路电路的电流大小及时间，实现对于照明的色温变化控制。

为了便于实现在两个区域即内围坝及外围坝的结构设计，在其中一个实施例中，所述内围区的形状为环形、圆形、椭圆形或正多边形。在其中一个实施例中，多个所述内芯片排列为完整或非完整的矩形阵列，或者至少一圆环形；多个所述外芯片排列为至少一圆环形。在其中一个实施例中，如图2所示，所述内围区411的形状为环形，所述外围区421的形状为环形；相应的，本实施例中，多个所述内芯片510排列为一圆环形，多个所述外芯片520排列为一圆环形。在其中一个实施例中，如图3、图4或图5所示，所述内围区411的形状为圆形，所述外围区421的形状为环形。在其中一个实施例中，如图3所示，多个所述内芯片510排列为一圆环形，多个所述外芯片520排列为一圆环形。在其中一个实施例中，如图4所示，多个所述内芯片510排列为非完整的矩形阵列，多个所述外芯片520排列为同心的三个圆环形。在其中一个实施例中，如图5所示，多个所述内芯片510排列为非完整的矩形阵列及圆环形的组合，多个所述外芯片520排列为一圆环形。其余实施例以此类推，不做赘述。这样的设计，有利于将led芯片合理分成两个区域，对相异区域的内芯片及外芯片分别连接相异电路，即可分别控制内芯片及外芯片的发光时长，即通电时间，从控制方式而言即为采用pwm(pulsewidthmodulation，脉冲宽度调制)控制，通过内芯片及外芯片的发光配合，从而调节板上芯片封装发光二极管结构的整体色温。

为了便于区分及控制两个部分发光，从而实现整体色温控制及调整，在其中一个实施例中，所述围坝结构包括内围坝及外围坝，所述外围坝围绕所述内围坝设置，所述内围坝围合形成内围区，所述外围坝与所述内围坝之间围合形成外围区；所述led芯片包括内芯片及外芯片，所述内芯片设置于所述内围区，所述外芯片设置于所述外围区；可以理解的是，在其中一个实施例中，所述内芯片及所述外芯片的发光波长相同或相异设置，当所述内芯片及所述外芯片的发光波长相同时，则两者发光相同，此时需要通过荧光粉等外部因素进行调节，以使内围区及外围区这两个区域的出光颜色不同，这样才能实现色温控制；当所述内芯片及所述外芯片的发光波长相异时，此时可以有荧光粉，亦可无荧光粉，即使没有外部因素进行调节，内围区及外围区这两个区域的出光颜色亦已不同，足以实现色温控制；且具有良好的散热性能，有利于在保证正常照明寿命的前提下提高密集度且提升照明亮度。

为了便于实现两路线路分别连接内芯片及外芯片，在其中一个实施例中，所述线路层在所述氧化铝基板上形成连接线路，所述连接线路包括至少部分位于内围区中的所述内连接线路及至少部分位于外围区中的外连接线路，所述内连接线路连接所述内芯片，所述外连接线路连接所述外芯片；在其中一个实施例中，所述内连接线路及所述外连接线路分别具有圆弧形结构。在其中一个实施例中，所述内连接线路具有至少二段相连接或者非连接的圆弧形结构；及/或，所述外连接线路具有至少二段相连接或者非连接的圆弧形结构。在其中一个实施例中，所述内连接线路具有相隔离的两段c形结构，即两段c形结构非连接设置；在其中一个实施例中，所述外连接线路具有一段c形结构。这样的设计，有利于分别对内芯片及外芯片提供相异的供电，通过电信号控制内芯片及外芯片的发光及其发光时间，从而配合实现对于所述板上芯片封装发光二极管结构的整体色温控制，且具有结构简单、设计紧凑的优点，结构设计不影响板上芯片封装工艺。

为了便于封闭led芯片及其线路，在其中一个实施例中，所述填充体包括内填充体及外填充体，所述内填充体填设于所述内围区，所述外填充体填设于所述外围区；在其中一个实施例中，所述填充体可以采用硅胶；在其中一个实施例中，所述填充体中设有荧光粉；或者，所述填充体外涂设有荧光粉。在其中一个实施例中，所述内填充体及所述外填充体的荧光粉相异设置，即所述内填充体的荧光粉，与所述外填充体的荧光粉相异设置。这样的设计，既有利于实现对于led芯片的保护作用，又有利于实现出光颜色的设计。

在其中一个实施例中，所述焊盘的数量为至少三个，所述内芯片及所述外芯片的第一电极共同连接第一个所述焊盘，所述内芯片的第二电极连接第二个所述焊盘，所述外芯片的第二电极连接第三个所述焊盘。在其中一个实施例中，所述焊盘的数量为三个，包括第一焊盘、第二焊盘及第三焊盘；所述内芯片及所述外芯片的第一电极共同连接所述第一焊盘，所述内芯片的第二电极连接所述第二焊盘，所述外芯片的第二电极连接所述第三焊盘。在其中一个实施例中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；即所述内芯片及所述外芯片的阳极共同连接所述第一焊盘，所述内芯片的阴极连接所述第二焊盘，所述外芯片的阴极连接所述第三焊盘，亦即实现了所述内芯片及所述外芯片的共阳设计。或者，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；即所述内芯片及所述外芯片的阴极共同连接所述第一焊盘，所述内芯片的阳极连接所述第二焊盘，所述外芯片的阳极连接所述第三焊盘，亦即实现了所述内芯片及所述外芯片的共阴设计。这样的设计，采用了两路电路配合至少三焊盘的设计方式，焊盘极性可以实现共阴或者共阳，易于配合驱动电源通过调节两路电路的电流大小及时间，实现对于照明的色温变化控制，可以避免出现光斑不均匀问题。

为了便于在细微空间实现线路接，在其中一个实施例中，相邻所述内芯片通过连接金线连接，相邻所述外芯片通过连接金线连接。即所述板上芯片封装发光二极管结构具有多段连接金线，相邻的两个内芯片通过一段连接金线连接，相邻的两个外芯片通过一段连接金线连接。在其中一个实施例中，如图1所示，相邻所述内芯片510通过连接金线630连接，相邻所述外芯片520通过连接金线630连接。可以理解的是，在其中一个实施例中，可以删除如图1所示实施例中的连接金线630，作为另一个实施例。

为了便于对板上芯片封装发光二极管结构进行色温控制，在其中一个实施例中，所述内芯片分为至少二内芯片组，每一所述内芯片组中的内芯片相互串联且各所述内芯片组中的内芯片相互并联；或者，每一所述内芯片组中的内芯片相互并联且各所述内芯片组中的内芯片相互串联；及/或，所述外芯片分为至少二外芯片组，每一所述外芯片组中的外芯片相互串联且各所述外芯片组中的外芯片相互并联；或者，每一所述外芯片组中的外芯片相互并联且各所述外芯片组中的外芯片相互串联。在其中一个实施例中，所述内芯片510及所述外芯片520的发光波长相异设置，即所述内芯片510及所述外芯片520的发光颜色不同；或者，所述内填充体710及所述外填充体720的荧光粉相异设置，即所述内填充体710及所述外填充体720中设有荧光粉，或者所述内填充体710及所述外填充体720外设有荧光粉，且所述内填充体710及所述外填充体720的荧光粉不同，以使所述内芯片510及所述外芯片520的发光经过荧光粉激发后，所述内围区与所述外围区的出光颜色不同。在其中一个实施例中，所述内芯片510分为至少二内芯片组，每一所述内芯片组中的内芯片510相互串联且各所述内芯片组中的内芯片510相互并联；或者，每一所述内芯片组中的内芯片510相互并联且各所述内芯片组中的内芯片510相互串联；及/或，所述外芯片520分为至少二外芯片组，每一所述外芯片组中的外芯片520相互串联且各所述外芯片组中的外芯片520相互并联；或者，每一所述外芯片组中的外芯片520相互并联且各所述外芯片组中的外芯片520相互串联。这样的设计，通过调节两路驱动电源的电流大小，就可以调节cob内外圈即所述内围区与所述外围区的色温变化，从而实现板上芯片封装发光二极管结构即cob光源的色温可调。

为了便于连接布线，在其中一个实施例中，所述内连接线路610及所述外连接线路620分别具有圆弧形结构。在其中一个实施例中，所述内连接线路610具有至少二段相连接或者非连接的圆弧形结构；及/或，所述外连接线路620具有至少二段相连接或者非连接的圆弧形结构。在其中一个实施例中，如图6所示，内连接线路610分段连接线路层的第一焊盘位置线路210及第三焊盘位置线路230，外连接线路620分别邻近第一焊盘位置线路210及第二焊盘位置线路220，这样的设计，通过连接线等设计，可以将外芯片520分别连接于第一焊盘位置线路210上的焊盘及第二焊盘位置线路220上的焊盘，将内芯片510分别连接于第一焊盘位置线路210上的焊盘及第三焊盘位置线路230上的焊盘。在生产制造时，如图7所示，先在氧化铝基板上制备规则排列的板上芯片封装发光二极管结构中的内连接线路610、外连接线路620、第一焊盘位置线路210、第二焊盘位置线路220及第三焊盘位置线路230，然后如图8所示增设焊盘，即在第一焊盘位置线路210、第二焊盘位置线路220及第三焊盘位置线路230处一一对应地形成第一焊盘310、第二焊盘320及第三焊盘330，然后如图9所示上玻璃釉保护线路，再如图10所示进行固晶，连接上外芯片520，其余以此类推，不做赘述。

在其中一个具体应用的实施例中，采用96％瓷的氧化铝基板，通过在氧化铝基板上印刷一层银浆或者采用银浆厚膜电路作为线路层，银浆上覆设玻璃釉以进行保护，线路层使根据不同的基板大小，cob发光面的大小，使用晶片数量以及晶片串并数量的要求而不同，并通过高温烧结，使银浆可以跟氧化铝基板形成结合，最后通过化学镀金，使得线路层表面形成一层含金属金的结构。通过不同的线路结构，可以制得不同尺寸大小的发光面，通过改变led晶片的串并结构可以制得多种使用不同电压，不同电流进行驱动的cob光源。该cob封装结构中有两路电路，其中一路即内连接线路，连接固定在内圆的晶片即内芯片，并使用金线即连接金线对内圆的晶片进行电连接，另一路即外连接线路，连接固定在外圆的晶片即外芯片，并使用金线对内圆的晶片进行电连接。本实施例中，该cob封装结构中共有三个外接焊盘，其中一个焊盘可以连接所有晶片的正极或者负极，使其实现共用，这样cob的焊盘极性可以实现共阴或者共阳，另外两个焊盘分别接内圈的晶片，以及外圈的晶片，这样就可以实现内圈、外圈各一组电路。这样的设计，通过驱动电源的正极或者负极接入共用焊盘，同时用相反的极性的负极或者正极接入另外两个非共用的焊盘，这样通过调节两路驱动电源的电流大小，就可以调节cob内外圈的色温变化，从而实现cob光源的色温可调。且通过调整led晶片的数量、串并结构，以及陶瓷板表面的线路层结构，即可实现使用不同驱动电压以及电流的cob结构，再在cob表面进行使用高反光率的白色硅胶进行围坝，形成两个同心圆，再从固有晶片的位置进行荧光粉的涂布，然后进行烘烤固化即可实现可调色温的cob封装。

下面再给出一个具体实施例，说明本申请板上芯片封装发光二极管结构的具体制备，首先使用到氧化铝陶瓷基板，通过对陶瓷基板使用玻璃银浆进行印刷特定图形以形成不同的电子线路，并固化烧结成型，最后使用化学镀金工艺，将氧化铝基板上的银层表面覆盖，防止银层氧化或者硫化等破坏线路性能的反应。将制作好的含有线路层的陶瓷基板进行烘烤除湿，在led基板上方根据不同尺寸要求使用白色的硅胶进行围坝，围成两个同心圆，然后烘烤，将围坝固化。然后在基板内部特定位置使用led固晶胶水进行晶片的固定，然后进行烘烤固化将晶片固定在led陶瓷基板上方。通过焊线机使用金线将固定在基板上方的晶片进行连接，让晶片与晶片之间形成电互通，然后连接到基板的线路层上，这样就与cob基板的焊盘形成了电互通连接。通过点胶机在围坝内部进行不同配方的荧光胶的涂布，然后进行烘烤固化，得到不同色温的cob光源。将cob光源进行外观挑选后，然后进行分光分色，最后将符合要求的进行包装入库，形成了一个完整的生产过程，即可入市销售。

本申请的实施例还包括，一种照明装置，其包括规则排列的至少二个任一实施例所述板上芯片封装发光二极管结构。在其中一个实施例中，多个所述板上芯片封装发光二极管结构排列形成矩阵形状。在其中一个实施例中，所述照明装置包括led筒灯、led射灯、led防火灯等。上述照明装置，很好地解决了光混合以及调光光色的问题，一方面具有结构简单、设计紧凑的优点，结构设计不影响板上芯片封装工艺；另一方面有利于提升集成度的同时具有良好的散热性能，从而在保证正常照明寿命的前提下提高密集度且提升照明亮度；再一方面采用了两路电路配合至少三焊盘的设计，焊盘极性可以实现共阴或者共阳，易于配合驱动电源通过调节两路电路的电流大小及时间，实现对于照明的色温变化控制。

需要说明的是，本申请的其它实施例还包括，上述各实施例中的技术特征相互组合所形成的、能够实施的板上芯片封装发光二极管结构及照明装置。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的专利保护范围应以所附权利要求为准。