同轴式终端大功率电阻装置的制作方法

文档序号:6804931阅读:374来源:国知局
专利名称:同轴式终端大功率电阻装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种超导热超高频电阻片,紧贴在带散热片的同轴波导腔内的同轴式终端大功率电阻装置。
波导腔内用的电阻体是以氧化铝介质材料作基体;用氯化锡溶液在800℃高温下喷涂而制成箔膜电阻层,用电镀法在电阻体两端涂覆电极。但这一工艺过程有这样的问题,往往电阻体一端与波导腔壁紧贴着,而其余部位与波导腔壁之间的间隙,均按指数递增高达30厘米。这样常常影响电阻体的比功率指标。
为解决这个问题,通常的做法是扩大电阻体的表面尺寸,或注入冷却介质油。这对额定功率不超过100瓦、使用频率范围在40-250MHZ及450-880MHZ的装置来说就能有效地实现。但对于0-1000MHZ米波和分米波通用的装置来说,很难实施这一方案。因为扩大电阻体表面尺寸或注入冷却介质油,一方面要求机械结构和材料加工上可行,另一方面由于装置常常在不同温度和不同频率下工作,要求实现电阻体和冷却介质产生的高频电参量和装置的使用频率特性同步,将会发生很大困难。
本实用新型的目的是要提供一种不必扩大电阻体和注入冷却介质的新型同轴式终端大功率电阻装置,它能有效地在保证额定功率的前题下,防止因电阻体和冷却介质而影响使用频率的部分。
本实用新型的目的是这样实现的该装置有一个指数式的同轴波导腔,其特征在于在同轴波导腔内紧贴着超导热电阻片,该电阻片与散热片紧密相接。在超导热铍瓷片正面中央及两端区域,分别用电阻浆料和导电浆料,按特定的丝网印刷工艺印制电阻带和导电带,并在高温840℃下焙烧制成电阻片。电阻片正面紧贴在特定的同轴波导腔内,使导电带一端与同轴内芯相接,导电带另一端通过同轴波导腔接地。电阻片的反面紧贴在散热片上。当高频信号从同轴端输入时,在电阻片上产生的热容量,立即穿过电阻基片传导至散热片表面,从而实现了不扩大电阻片的尺寸和注入冷却介质的条件下,大大提高了装置的比功率。与此同时,通过控制电阻片对地的高频分布电参量的大小,有效地改善了装置的高频频率特性。
本实用新型因为只需要用氧化铍电阻片,代替氧化铝电阻体,所以结构特别简单不需鼓风机和冷却介质。同时由于着眼点不在于阻止电阻体和冷却介质所产生的高频分布电参量,所以它对结构尺寸的精度及装置的安装方式,没有任何特殊要求。另外由于电阻片紧贴在散热片上,所以装置的比功率从原有的0.43W/cm2提高到25.63W/cm2,以及使用频率从原有44MHZ-250MHZ及440MHZ-880MHZ范围扩展到0-1000MHZ任意频段,电压驻波不大于1.1达到国外同类产品的指标。
本实用新型的具体结构由以下的实施例及附图给出。


图1是根据本发明提出的同轴式终端大功率电阻装置的剖面图。
下面结合图1详细说明依据本发明提出的具体装置的细节及工作情况。
该装置包括一个装置主体4,主体内有一个指数式波导腔1,它经一个电阻片5的反面与散热片6相通,波导腔左侧有一个同轴头2,它的内芯沿通道3与电阻片的导电带一端相触,电阻片的导电带的另一端经波导腔接地。
高频信号从同轴头2输入被电阻片5的电阻带全部吸收,其产生的热容量穿过电阻片传至散热片。通道3有一个阶梯台阶,这阶梯深度是指数变化的,最大深度为12毫米。最小深度为0.8毫米。电阻片的最好尺寸为45.9×25.5×7毫米,并与散热片的接触凹凸而不能超过0.02毫米。
权利要求1.一种同轴式终端大功率电阻装置,该装置有一个指数式的同轴波导腔(1),其特征在于在同轴波导腔内紧贴着超导热电阻片(5),电阻片(5)与散热片(6)紧密相接。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征是电阻片(5)的导电带与同轴头(2)的内芯接触,它的导电带的另一端经波导腔接地。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征是电阻片(5)与散热片(6)的接触凹凸面不能超过0.02毫米。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征是波导腔的阶梯台阶深度是指数变化的,最大深度为12毫米,最小深度为0.8毫米。
5.根据权利要求1、2、3、4所述的装置,其特征是电阻片(5)的尺寸为45.9×25.5×7(毫米)。
专利摘要本实用新型涉及一种同轴式终端大功率电阻装置,该装置有一个指数式的同轴波导腔1,在同轴波导腔内紧贴着超导热超高频电阻片5,电阻片与散热片6紧密相连。电阻片的导电带与同轴头2的内芯接触,另一端经波导腔接地。该装置用氧化铍电阻片代替氧化铝电阻体,不需要鼓风机和冷却介质,其结构简单,制作容易。
文档编号H01P1/24GK2151541SQ9320317
公开日1993年12月29日 申请日期1993年2月18日 优先权日1993年2月18日
发明者李新坤 申请人:李新坤
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