专利名称：用于阳极氧化的设备及方法
技术领域：
本发明涉及对其上设有布线的基片进行阳极氧化的设备及方法。具体讲，本发明的阳极氧化适用于制造其上形成有薄膜半导体器件的电路基片。本发明还涉及能一个接一个地顺序处理多个基片的设备。
近年来，对在具有绝缘表面的基片上，例如玻璃基片，采用薄膜半导体器件，如薄膜晶体管(TFT)或薄膜二极管(TFD)，提供集成电路(IC)的技术的研究极为活跃。尤其是，有源矩阵液晶器件或图象传感器需要使用这类薄膜技术。具体地讲，期望有源矩阵液晶器件具有单片结构，其中用于转换象素的有源矩阵薄膜半导体元件和用于驱动有源矩阵器件的外围驱动电路均形成于一块公共基片之上。
阳极氧化经常用于在具有绝缘表面的基片上制造包含薄膜半导体器件的电路。阳极氧化是这样进行的待氧化的金属与直流电源的正极连接，作为阳极并浸入电解液，同时把另一电极也浸入电解液作为阴极，通过电解液在阳极与阴极之间加电流，从而使该金属表面阳极氧化。
阳极氧化大致可分为两类一种是阻挡式阳极氧化，另一种是多孔式阳极氧化，正如本申请人在早先的美国专利申请No.08/307167中所述。
阻挡式阳极氧化可采用含3至10％的酒石酸、乙二酸或乙酸的中性到弱酸电解溶液获得。这种阳极氧化具有致密的组成，并且是无气孔绝缘体，具有优异的绝缘性能和高的耐电压特性。而且是透明的。
在含有薄膜半导体器件的电路中，阻挡式阳极氧化形成于互连表面上，防止互连之间出现漏电流。此外，还被用做形成MIM(金属-绝缘体-金属)二极管的金属-绝缘体结的绝缘体。
多孔式阳极氧化，可采用含3至20％的柠檬酸、硝酸、磷酸、铬酸或硫酸的酸性水溶液作为阳极氧化溶液获得。由于这种阳极氧化是多孔的，因而易于进行蚀刻处理。此外，可在孔中染色，由此获得着色的阳极氧化。
上述阳极氧化可实际用于包含结晶半导体的绝缘栅薄膜晶体管的制造工艺中，如上述美国专利申请所述。
按照公开的技术，首先至少使栅的侧表面阳极氧化，然后再利用阳极氧化或者由阳极氧化形成的掩模，以自对准方式通过掺杂，在源/漏区与栅之间的有源层中，设置均匀宽度的高阻区。由此，可抑制在栅上加反向偏置电压时的泄漏电流。此外，改变阳极氧化的宽度(厚度)，可以获得具有所需性能的薄膜晶体管。
例如，在单一基片上包含有有源矩阵器件和用于驱动有源矩阵器件的驱动电路的单片电路中，通过把形成于栅极的侧表面上的阳极氧化膜的厚度设计成较大，从而扩展高阻区，可使有源矩阵器件的TFT具有较小的泄漏电流。在驱动电路中，由于译码电路、CPU(中央处理单元)、存储电路等要求高速运行，所以阳极氧化的宽度需要变窄，以便提供具有较窄的高阻区的薄膜晶体管。
阳极氧化所使用的传统设备如
图1所示。参看图1，参考标号1代表溶液容器，2是阳极氧化溶液，3是具有待氧化的薄膜金属布线的基片，4是阴极，5是夹子。基片3上的金属布线通过夹子3与直流电源的阳极连接，同时阴极与直流电源的负极连接。阴极可以与每个基片相对而置。
这种传统的设备存在的问题是，反应时阳极氧化溶液不能搅拌。
参看图1，可以看到，通过用夹子5夹持基片，把基片3置于阳极氧化溶液2中，从上边悬挂基片。随着具有高电阻率的阻挡式氧化层的形成用的阳极氧化工艺中的氧化进程，在导线表面开始形成具有高电阻率的阳极氧化层。因此，如果阳极上的夹子5被阳极氧化溶液弄湿，则夹子5与阴极4之间的电流将借助阳极氧化溶液而不是通过导线来流动。结果，加在导线上的电流下降，无法完成足够的阳极氧化。
为了避免上述问题，在阳极氧化过程中不能搅动电解液，以使电解液平面稳定。
但是，待阳极氧化的表面总是被旧的阳极氧化电解液覆盖，这是不期望的。亦即，氧化所产生的氢以及溶液中的离子或杂质会局部阻碍氧化，以致不能提高整个基片上的品质或厚度的均匀性。尤其是在多孔式阳极氧化膜的阳极氧化时，同一基片的上部的膜厚度趋向不同于下部的膜厚度。
为了防止夹子被弄湿，基片3，应放置成使夹子距溶液表面一定距离设置。图2是基片3的平面图，其中区域10接触阳极氧化溶液，而区域11不接触溶液。由于存在上述问题，区域11与整个基片的比例不能减少太多。
而且，在反应过程中，如果阳极氧化溶液偶然接触到尚未进行阳极氧化的区域，则电流将聚集在该区域，在其上形成阳极氧化，而已氧化的部位上的反应不能继续下去。因此，所加电压的提高将变得不稳定，而且高电阻率膜的形成变得困难。
通过按如下方式控制工艺，即稳定溶液表面，可以减少仍未氧化的区域面积，从而防止夹子被阳极氧化溶液弄湿。
当处理多个基片时会产生更严重的问题。在图1的已有技术的设备中，采用同一溶液电解槽一次处理多个基片。然而，如上所述，阳极氧化过程中不能搅拌阳极氧化溶液。因此，根据溶液电解槽中的位置，阳极氧化溶液的状态将变得不均匀。所以，即使在同一批处理的基片，其膜厚和品质的均匀性也不能得到改善。即使加以搅动，对所有基片要达到同样的氧化条件也是极为困难的。
而且，不同批处理的基片往往在膜厚及品质上产生变化。这是因为阳极氧化溶液的初始状态不能保持贯穿于整个处理过程。
从以上所述可知，即使在一批中仅处理一个基片，也不能改善各基片(批次)之间的均匀性。但是，在每一批之后更换电解槽中的阳极氧化溶液也是不现实的，因为这将浪费时间且降低了生产率。
以上所述的在单一基片中、在单一批中以及在不同批次之间产生的阳极氧化膜厚及品质的均匀性尤其是不适宜的，例如在有源矩阵液晶显示器件中，即使用几个至几平方厘米的大面积基片的情况，以及在单一基片和大批量中需要高度均匀性的情况，因为薄膜半导体器件的特性极易受上述膜厚及品质的非均匀性的影响。
此外，有源矩阵液晶显示器件的尺寸已经越来越大。而且，由于从一块基片制造出2至9个基片或甚至更多的基片，被处理的基片面积也在增大。因此重要的是位于减小设备的尺寸。
然而，当期望采用不同的电解液来完成两种类型的阳极氧化时，必须准备盛放两种电解液的两个容器，或者在改变溶液时必须彻底清洗容器。而且必须提供另一空间，以供用水清洗基片。所以，必须占用相当大的空间来安装设备。
在本发明的目的在于通过使阳极氧化溶液流动，并在薄膜与电源电极之间保持电接触，从而对形成于基片之上的可阳极氧化的薄膜进行阳极氧化处理。
本发明的又一目的在于对形成于基片之上的薄膜进行阳极氧化处理，同时改善形成在单一基片上的阳极氧化膜的品质及厚度的均匀性。
本发明的另一目的在于对形成于多个基片上的金属薄膜进行阳极氧化处理，同时不仅改善膜品质及厚度的均匀性，而且改善形成于单一基片上的阳极氧化膜的可控制性。
本发明的再一目的在于在单个容器内，用不同的阳极氧化溶液，进行不同类型的阳极氧化处理。
本发明的进一步目的在于采用单个容器，除了实施阳极氧化步骤之外，还实施以下步骤去除光刻胶、蚀刻、用水漂洗等。
本发明的再一步目的在于对与基片上的薄膜半导体器件连接的电极和互连线进行阳极氧化处理。
按照本发明的第一方案，能进行阳极氧化处理的设备包括用于夹住具有待阳极氧化表面的基片的支承部件；与所述表面电连接作为阳极的第一电极；作为阴极的第二电极，面对所述物体并与之相隔一间隙；用于在所述第一和第二电极之间施加电压的电源；在加电压期间，使电解液在所述第二电极与所述物体之间的间隙中流动的装置。特别是，夹持物体的支承部件上平面是水平设置的，阴极是与支承部件的上平面平行地设置的，如图3所示。
按照本发明的又一方案，阴极与支承部件中至少一个设置有旋转机构，以致阳极氧化过程中可以搅动电解液。
按照本发明另一方案，用于阳极氧化的电解液从一个喷嘴连续地导入，以使阴极与待氧化表面之间的间隙充满电解液。
以下将结合本发明的优选实施例，对本发明的上述和其它特征做详细说明。
图1是已有技术中阳极氧化设备的示意图。
图2是对应于在图1设备中处理的基片的平面图。
图3是根据本发明进行阳极氧化的设备的示意图。
图4是按照本发明处理的基片平面图。
图5A-5C是根据本发明的接线器的剖面图。
图6A-6D是根据本发明的阴极的示意图。
图7A和7B是根据本发明的阴极的示意图。
图8A-8F是展示根据本发明的半导体器件的制造工艺的剖面图。
图9A-9C是展示根据本发明的半导体器件的制造工艺的平面图。
图10是根据本发明的实施例的能进行阳极氧化的设备示意图。
图11是根据本发明的实施例的能进行阳极氧化的设备示意图。
图12是根据本发明的实施例的能进行阳极氧化的设备示意图。
图13是根据本发明的实施例的能进行阳极氧化的设备示意图。
图14是根据本发明的多功能设备的示意图。
图15A-15D是展示薄膜晶体管的制造工艺的剖面图。
图16是具有待氧化的布线的基片的平面图。
以下结合本发明的优选实施例进一步详细说明本发明。但是，应该明白，本发明并不限于下列实施例。
实施例1本实施例涉及对如图4所示的形成于基片之上的导线进行阳极氧化。
参看图4，基片上设置有由可阳极氧化材料如铝制成的导线41和42。导线41和42均设有与阳极互连接部分连接的区域43和44。
参看图3，阳极氧化溶液22被注入电解溶液槽21。本实施例中，为了在导线上形成阻挡型阳极氧化膜，用于阳极氧化的溶液是1，2-亚乙基二醇溶液，其中溶解含有3至10％的酒石酸、硼酸或磷酸，并用氨水使其中和(即pH值调至大约为7)。更具体地讲，本实施例使用含3％酒石酸的1，2-亚乙基二醇溶液。
在阳极氧化溶液22中，通过真空吸盘(未示出)把其上具有6000埃厚的铝导线41和42的基片23固定在平台24上。其它可替代铝作导线的材料包括钽、钛或硅。
阴极25平行于基片23设置。通过如此布置，可以改善阳极氧化膜的品质及厚度均匀性。阴极25可以与基片相距任意距离设置，但通常，可在相距1至50mm处设置，本实施例中在相距5mm处设置。阴极可以在阳极氧化溶液22中置于期望的位置。
而且，阴极应由能耐受阳极氧化溶液的材料制做。例如，可由铂、金、铅、碳、不锈钢、铝制做，也可由用金或铂涂覆铝、钛、镍或铜制做。
在基片23上，在采用接线器26和27的连接区43和44处，用互连线28和29把铝导线41和42与第一和第二阳极连接。每个互连线28和29与能单独地控制的不同直流电源的正极连接。阴极与直流电源的负极连接接线器26和27具有使每个互连线28和29与阳极氧化溶液22隔离的功能。
图3中，接线器26和27从电解溶液槽21下边延伸，并与待氧化的导线连接。根据本发明，可以按期望的方式构成基片上的导线与电源的电极之间的连接。例如，互连线28和29可从电解溶液槽的上部和侧部延伸。而且，互连线可穿过阴极25延伸。再者，可以在基片背面构成连接，而基片背面与待氧化的导线连接。
根据本发明的优选实施例，接线器26和27可具有图5A-5C所示构造。
参看图5A，接器包括圆筒体84，与抽真空装置(真空泵)连通的内空腔83，和接线端85。在圆筒体84前端与基片81之间还设有O形环82，以此确保气密空腔。如果能保持阳极氧化溶液22不接触接线端85，则可省略O形环，另外，可以使用图5C所示的抽气皮碗88代替O形环。可以使用如塑料、橡胶、乙烯基聚合物、陶瓷、金属或者聚四氟乙烯等材料用于O形环或抽气皮碗等，从而把接线器紧紧地固定于基片上。
可以通过用真空泵(未示出)来抽真空，使连接器内空腔8 3的内部压力降低，以使接线器能紧紧地固定于基片81上。而且，可以采用弹性体(未示出)如弹簧或橡胶，把接线端85压紧在基片上，以保证与导线的电接触。
释放接线器的内空腔83中的压力，即可简单地去除接线器。
在单个接线器体84内可设置多个接线端85，或者单个接线器可用于构成多个电连接。
而且，可以分别设置通过真空使接线器分开的接线器固定装置。例如，一个或多个通过真空对接在接线器的圆筒体84上的接线器固定装置。
再参看图5B，结构中不包括待抽真空的空腔，从而仅靠压力87把接线器固定于基片。可以从基片上部施加压力，使得接线器对着基片压紧于基片上。另外，可把与接线器构成在一起的部件朝着基片背面(图的下部)设置，以使基片被该部件以及螺钉、弹簧等所施加的力所夹持。
也可同时采用加压及抽气。
在本实施例中，按以下方式把基片23置于阳极氧化溶液22之中。
放置基片23之前，把平台24的上平面，接线器26和27和阴极25均移至阳极氧化溶液22的液平面的上部。通过传送装置把基片23置于平台24上之后，带着阳极互连线28和29的两个接线器26和27对准导线41和42的连接区43和44，并通过抽气固定于基片上，以使阳极互连线28和29与导线41和42连接。
然后，平台24与基片和接线器一起移入溶液。同时或稍后，至少使阴极25与基片相对的面移至阳极氧化溶液22的液平面之下。
氧化处理之后，按与上述相反的顺序实施各步骤。更具体地讲，向上移动阴极25之后，基片23和接线器26和27脱离阳极氧化溶液22，接线器内的减压状态被释放，从而使接线器26和27脱离导线的连接区43和44。然后把基片23移至进行下一个处理的位置。
在把基片传送至下一个处理点之前，最好以高速旋转基片23，从其表面除去阳极氧化溶液，并使所得基片干燥。在平台设置适当的旋转装置如马达可实现此目的。
在上述处理的同时或之后，可把下一个待氧化的基片置于平台上，以便对多个基片依次进行下一个阳极氧化。
把下一个基片置于平台上之前，最好以高速旋转平台24，除去平台上的阳极氧化溶液。
基片上的导线41和42然后分别被阳极氧化至不同的厚度。
在第一和第二互连线28和29同时施加恒定电流。把施加在互连线28和29上的电压升至V1，然后保持此电压达1小时。之后，在保持第一互连线28所加电压为V1的同时，在第二互连线29施加恒定电流，进一步把电压升至第二值V2，随后保持此状态达1小时。结果，在第一和第二导线41和42上，可以形成厚度不同的阳极氧化膜。例如，V1在50-150V的范围内选择，如100V，而V2在100-250V的范围内选择，如200V(V1＜V2)。由此，在与第一互连线28连接的导线41上获得厚1200埃的阳极氧化层，在与第二互连线29连接的导线42上获得厚2400埃的阳极氧化层。
在本发明中，由于互连线28和29完全与阳极氧化溶液隔离，所以可以使高度绝缘的阳极氧化膜形成至具有高可靠性的大厚度。而且，根据本发明，可以由设在电解液槽内的旋转叶片来搅动阳极氧化溶液22。因此，在阳极氧化期间，待氧化的表面能与新鲜的阳极氧化溶液接触。因而，可以提高整个基片上的膜厚及品质的均匀性。
本实施例中，把阴极和其上具有待氧化的导线的基片完全浸入阳极氧化溶液。但是，阳极氧化溶液至少应存在于阴极与待氧化的导线之间，以便通过溶液形成电连接。
例如，通过在与基片相对而置的阴极中穿出的一个或多个孔，使阳极氧化溶液在阴极与基片之间流动。阴极可以是网状电极，以使电解液能穿过其间。
参看图6A，展示了阴极平面的一种形状。设置了阳极氧化溶液可流过的多个孔50。图6B展示了另一种例子，其中与导线连接的接线器26和27设在阴极内。
如图7A和7B所示，阳极氧化溶液流过的孔50的形状可为特定的形状，以便确定在阴极与基片之间的流动方向。阴极也可以是任何一种形状，如图6C和6D所示。
可以任意地确定阳极氧化溶液流动孔的位置。但是，最好按以下方式布置各孔，即使阳极氧化溶液可在基片表面的范围内均匀流动。孔的设置可以是同圆心的或者辐射状的。
此外，阴极的设置不仅可以是平行于基片的平板式的，而且可以是管状或喷嘴状，使阳极氧化溶液穿过它而流动，以使基片上的互连线可借助阳极氧化溶液与阴极电连接。
基片可以与阳极氧化溶液平面成任意角度地设置。亦即，可以相对于溶液平面平行地、垂直地或倾斜地设置。例如，相互平行设置的基片和阴极可以是倾斜的，以使阳极氧化溶液在基片与阴极之间向下流动。
也可以旋转阴极或者基片，或者旋转两者。采用这种方式，可以进一步改善同一平面内的膜厚及品质的均匀性。
阴极的面积最好与基片相同或大于基片。然而，如果阴极面积是待氧化部分的20％以上，则可有效地进行阳极氧化处理。
本实施例中，阴极位于基片的上部。按此方式，可以避免由于氢的产生而导致的阳极氧化反应效率的下降，这是因为可以防止阳极氧化处理中产生的氢残留在待阳化的表面。
实施例2
本实施例涉及采用一个公共的容器(室)，进行包括阳极氧化在内的多种不同处理。本实施例还涉及在同一处理中形成厚度不同的阳极氧化层，这适用于在单一基片上制造性能不同的多个TFT。
图8A至8F是展示根据本发明的实施例，在玻璃基片上制造绝缘栅薄膜晶体管(TFT)的剖面图。图8A至8G是沿图9A至9C的点划线的剖面图，图9A至9C是待处理的基片平面图。
在300mm×400mm或者100mm×100mm的Corning 7059玻璃基片201的表面上，淀积氧化硅膜作为基膜，厚度为1000-3000埃，例如2000埃。该氧化硅膜是在氧气氛中通过溅射而淀积的。对于批量生产，可另外采用TEOS在等离子CVD中淀积该膜。
然后，采用等离子CVD或LPCVD淀积非晶硅膜，厚为300-5000埃，最好为500-1000埃，然后在550-600℃的温度下，于还原气氛中暴露24小时，从而获得结晶硅膜。此晶化步骤也可用激光照射来进行。把结晶硅膜刻成岛状有源层区203和204。之后，通过溅射淀积厚700-1500埃的氧化硅膜205。
采用电子束蒸发或者溅射，淀积厚1000埃-3μm，例如6000埃的铝膜，其中含1wt％的硅或者0.1-0.3wt％的钪。通过旋涂施加光刻胶(例如由Tokyo Ohka Kogyo Co.，Ltd.生产的OFPR 800/30cp)。在施加光刻胶之前，在铝膜整个表面上通过阳极氧化，形成厚100-1000埃的氧化铝膜是适宜的，以致光刻胶能紧密地附着于氧化铝膜表面。通过腐蚀把光刻胶和铝膜刻成互连线206和209、栅电极部分207、208和210(图8A)。
留在栅电极部分和互连线上的光刻胶，在后续步骤的阳极氧化时起掩模作用，防止铝膜上部产生阳极氧化。所得结构的平面图如图9A所示。栅电极部位207和208以及互连线209相互电气连接，并将称为第一导线，而互连线206和栅电极部位210相互电气连接，并将称为第二导线。第一和第二导线之间相互电绝缘。
图10是根据本发明实施例的阳极氧化设备。
参看图10，利用自动操纵臂(未示出)把上一步骤后传送来的基片201置于平台401上，并用真空吸盘固定其上。平台401是可旋转的，并可用做旋涂器。
低于平台401上表面而设置的钟罩400返回图中的位置。阴极402从上表面下降，设置在阴极402中的接线器404和405固定在基片201上的第一和第二布线的连接区。本例中连接区设置在基片201的对角线上。
与基片相对而置的阴极402的平面结构如图6D所示。阴极与基片相对的面具有孔403，阳极氧化溶液通过该孔流动，接线器404和405与第一阳极互连线406和第二阳极互连线407连接。
本实施例所用的接线器404和405具有图5A的结构，并做抽气固定。接线器404和405分别与第一阳极互连线406和第二互连线407电气连接。阴极402与阳极互连线406和407电绝缘。第一和第二阳极互连线406和407分别与直流电源的单独控制的正极连接。
平台401装有旋转用的马达。固定于基片201的阴极402也随平台401旋转。阴极402上也可装上另一马达。按此方式，平台和阴极绕同一轴按相同方法旋转。
采用电刷之类的连接，即使阴极旋转时，也能保证直流电源与第一和第二阳极互连线406和407之间的电连接。而且，基片201与阴极402面对基片的平面之间的距离取为例如150mm以下，最好在10mm以下，具体在本例中为2mm。减小此距离，可使阴极与基片之间的间隙易于被阳极氧化溶液充满。
随后，以100-500转/分钟(例如200rpm)旋转平台401、基片201和阴极402，同时通过设在阴极402上的孔403导入阳极氧化溶液408。阳极氧化溶液可采用含3-20％柠檬酸的酸性水溶液，或硝酸，磷酸，铬酸的酸性水流液。本例中，使用3％硫酸的水溶液。使阳极氧化溶液保持在30-80℃的温度范围，例如30℃。在阴极内设置陶瓷加热器、珀尔帖元件等，可控制溶液温度。
阳极氧化溶液408应足以充满基片与阴极之间的间隙的量来流动。由于平台旋转而产生离心力，阳极氧化溶液从基片和阴极的外围向钟罩400分散。被钟罩400收集的阳极氧化溶液通过排放出口409向下流到钟罩400的下部，并通过排放管排出设备。最好地，对处理中所用的不同种类的液体，设置不同的排放管系统。
起初，仅通过第二互连线向第二导线供电，以便进行阳极氧化。所加电压幅度是5-30V，例如8V，持续时间是5-240分钟，例如20分钟。由此，在包括导线206和栅部位210在内的第二导线的侧表面上形成多孔式的阳极氧化膜210和211，厚度为3000埃-25μm，例如0.5μm，如图8B和9B所示。通过控制阳极氧化的时间和温度，可以调节阳极氧化的厚度。由于包括导线/电极207、208和209在内的第一导线未加电压，所以此步骤中第一导线未阳极氧化。
在上述阳极氧化之后，停止旋转平台401和阴极402，同时使阴极氧化溶液停止流动。然后，松开处于固定状态(减压)的接线器404和405，拔起阴极402。
接着，以2500-4000转/分钟，例如3000转/分钟的速度使平台401和基片201旋转30秒，排除掉基片上残留的阳极氧化溶液，并使基片201干燥。
以100-1000转/分钟、例如300转/分钟的速度再次旋转平台401及其上设置的基片201，同时移动第一喷嘴410，使纯水通过旋转基片201的中央部位向下流。按此方法清洗基片201的上平面。
旋转2分钟之后，停止纯水的流动，第一喷嘴410返回其原位置。以2500-4000转/分钟例如3000转/分钟的速度再次旋转平台401和基片201，去除基片上残留的纯水，并使基片201干燥。被钟罩400收集的纯水通过排放口409流向钟罩400的下侧，并通过属于与排放阳极氧化溶液所用管道系统不同的管道系统的排放管排出设备。
之后，用液体剥离剂除去光刻胶掩模。以100-1000转/分钟、如500转/分钟的速度旋转平台及其上的基片201，同时移动第二喷嘴411，使剥离剂流向旋转基片201的中央部位。用加热器把剥离剂加热至50-80℃。
连续旋转5分钟后，停止流动剥离剂，第二喷嘴411返回其原始位置。以2500-4000转/分钟、如3000转/分钟的速度再次旋转平台和基片30秒，除去基片上残留的剥离剂，使基片201干燥。通过排放口排出的剥离剂，通过属于与排放阳极氧化溶液和纯水所用的管道系统不同的管道系统的排放管排出设备。
按前述方式，利用喷嘴410用纯水清洗基片201的上平面。
清洗之后，采用不同的阳极氧化溶液，按与形成多孔式阳极氧化相同的方式，在第一和第二导线上均再形成阻挡式阳极氧化。
此外，可以使用与形成多孔式阳极氧化所用的阴极相同的阴极，然而，为了防止残留在电极上的溶液混合，可以采用具有相同结构的另一电极作为阴极402。
基片201与阴极402面向基片的平面之间的距离设定为1-50mm，最好是10mm以下，例如2mm。
之后，以100-500转/分钟、例如200转/分钟旋转平台401，基片201和阴极402，同时从设在阴极402中的孔403供给阳极氧化溶液408，以便充满基片与阴极之间的间隙。阳极氧化溶液可采用1，2-亚乙基二醇溶液，其中溶解含有3-10％的酒石酸、硼酸或磷酸，并用氨水使其中和至pH值为7左右。旋转速度为100-500转/分钟，例如200转/分钟。
同时，在第一和第二导线上施加恒定电流。最好地，溶液温度保持在不高于室温，例如10℃或更低，以便改善氧化质量。通过在阴极内设置陶瓷加热器，珀尔帖元件等，可以控制溶液温度。
阳极氧化溶液的排放与多孔式阳极氧化的形成情况相同。
阳极氧化期间，施加电流直至电压升至100V。由此，在电极/导线206至210的上表面和侧表面上形成阻挡式阳极氧化膜213至217，如图8C所示。阳极氧化膜213至217的厚度与所加电压成比例。本例中，由于电压升至100V，所得阳极氧化的厚度为1200埃。阻挡式阳极氧化膜的厚度应在500埃以上。如果厚度小于500埃，在后续的蚀刻步骤中，存在电极材料(铝)被不希望地洗脱的危险。
应该注意，即使在形成多孔式阳极氧化膜之后进行阻挡式阳极氧化，后形成的氧化膜也是形成在导线与多孔阳极氧化膜之间。
在阳极氧化步骤之后，按与前述相同的方法，从基片表面完全去除阳极氧化溶液。
按上述方式完成阳极氧化步骤。把钟罩400向下移动之后，使用自动操纵臂等把基片201传送至运输盒或运输装置，送至下一步骤。通过把新的基片置于平台上，即可使多个基片连续地进行阳极氧化。
随后，参看图8D，采用离子掺杂方法，以栅电极部位(即栅电极和周围的阳极氧化膜)为掩模，按自对准方式把杂质离子注入TFT的有源层203和204，形成杂质(源/漏)区218、219和220。本例中，掺杂气体采用磷烷(PH3)和乙硼烷(B2H6)。注入剂量为5×1014-5×1015cm-2，加速电压为50-90KeV。由此，形成用于N-TFT228和230的N型杂质区218和220，以及用于P-TFT229的P型杂质区219。
由于两个TFT(互补TFT)228和229的栅极侧面的阳极氧化物214和215的厚度为1200埃左右，而且导入的离子根据条件而散布，所以偏置区X1和X3的宽度约为1000埃。而且，由于阳极氧化212和217的总厚度为6200埃，所以TFT230的偏置宽度X2约为6000埃，如图8E所示。
接着，采用磷酸、乙酸和硝酸组成的混合酸，仅对多孔阳极氧化层211和212进行腐蚀。腐蚀速率为600埃/分。阻挡式阳极氧化层213和至217以及氧化硅膜205均未被腐蚀。然后，用KrF激元激光(波长248nm，脉宽20nsec)照射杂质区，激活导入的杂质。
把第一和第二导线刻成希望的尺寸和形状，如图9C所示。
参看图8F，采用CVD在所得结构的整个表面上，淀积厚6000埃的氧化硅膜，作为层间绝缘221。通过溅射形成800埃厚的ITO(铟锡氧化物)膜，并刻成象素电极222。随后，通过对层间绝缘221和栅绝缘膜205进行蚀刻，在TFT的源/漏区形成接触孔。同时，在栅极和互连线上，对层间绝缘221和阳极氧化层213至217蚀刻，形成接触孔。最后，形成铝导线/电极223至226，之后在氢气氛中、200-400℃下对所得结构退火，以使有源层氢化。
参看图8F，互连接223把导线206与互补TFT的N沟道TFT228的源连接起来，互连线225把互补TFT的P沟道TFT229的源与导线209连接起来。而且，互连线224和226把互补TFT的输出(即N沟道和P沟道TFT的漏)与TFT230的漏连接起来。此外，互连线227把TFT230与象素电极222连接起来。由此制成包含TFT的集成电路。
因为偏置区较小，运行速度较高，所以NTFT228和PTFT229适于构成CMOS电路，用于组成驱动电路，如相移电阻器、CPU和存储器。另一方面，由于偏置区较大，泄漏电流较小。所以NTFT230适合用做象素TFT，来转换象素电极。
如上所述，为了控制阳极氧化膜厚，把导线分为两部分。然而，为了获得希望的阳极氧化层厚度，也可将导线分三部分或更多部分。
如上所述，在同一容器(室)中进行下列所有步骤多孔式阳极氧化、干燥、用纯水清洗基片、剥离光刻胶和阻挡式阳极氧化。亦即，无需从容器(室)中取出基片，即可完成多个处理步骤。可以看出，与传统的阳极氧化设备相比，本发明更为有效地利用了空间。而且，还可以在同一设备中，按阳极氧化所用的相同方法，进行电解腐蚀。
而且，在同一容器也可进行已知的湿法腐蚀处理。在这种情况，采用刻图光刻胶等，旋转平台及基片，并在基片中央施加蚀刻剂(即施加在基片的旋转轴上)。
阳极氧化溶液在阴极与基片上的与阳极互连线连接的导线之间的流动可以是连续地或间断地。
本实施例中，基片旋转所产生的离心力把阳极氧化的溶液散射至钟罩上，并且不会带入与基片背面(平台一侧)接触。这是本例的另一优点，因为几乎可以完全避免对基片背面发生腐蚀，这在传统工艺中常常成为一个问题，因为基片被浸入阳极氧化溶液(尤其是形成多孔阳极氧化所用的酸性阳极氧化溶液)。
此外，根据本发明连续处理多个基片时，在基片上可制成厚度及品质均匀的阳极氧化膜，因为供给基片的阳极氧化溶液总是新鲜的，即阳极氧化溶液中不含阳极氧化处理生产的杂质。
本例中，在阴极与基片之间流动的阳极氧化溶液均被作为废液排出。然而，通过使用过滤器等将废液净化时或净化之后，可循环回收部分或者全部废液。
在阴极面对基片的平面上的孔的布置可以是任意地。除了图6A至6D、图7A和7B的布置之外，也可以仅在阴极面对基片的平面上的旋转中心处，设置一个孔使溶液流出。
再有，作为替代第一和第二喷嘴410和411，可以使设在阴极的孔除了供给阳极氧化溶液之外，还供给水，光刻胶剥离剂等。此时，在使用了阳极氧化溶液(用于阻挡式或者多孔式两种阳极氧化)或者光刻胶剥离剂之后，最好使纯水等流动，从而清洗样孔内残留的化学物质。同时基片也得到清洗。
当然，也可以由与阴极无关的附加喷嘴来供给阳极氧化溶液。
而且，可以改变平台、基片、阴极等的构型，如图11-13所示。
参看图11，接线器404和405不是通过阴极来设置，而是设置在平台一侧。此时，阴极旋转的速度及方向可设定为与基片和平台无关。例如，可以使阴极静止，同时只旋转基片和平台。由此可简化设备的结构。另外也可旋转阴极而固定基片，或者基片和阴极以相互间以相反的方向旋转。
此外，一旦接线器固定于基片的连接区后，就无需在每次改变阳极氧化溶液时都移动接线管。
而且，如图12所示，可以在基片的背面进行待氧化导线与阳极互连线406和407之间的电气连接。
通过延伸待氧化的导线，在基片背表面设置连接区。此时，基片上表面无阳极互连线，而阳极互连线会不希望地干扰溶液的流动，从而进一步改善膜的品质及厚度的均匀性。
参看图13，还可以在基片的旋转中心，使基片上的导线与阳极互连线接触，以致阳极氧化溶液可以流到中心部位的外侧。按此结构，阳极氧化溶液被离心力所散布，但旋转中心仍未被阳极氧化溶液弄湿。因此，无需设置特别的结构，来把阳极互连线与基片上导线之间的连接区与阳极氧化溶液隔离开，即可便利地施加电流。
上述构型可与图12所示结构一样有效地改善氧化膜的厚度及品质的均匀性，因为在离心力的作用下，阳极氧化溶液可以不受阻碍地扩散。此时，阴极可以是静止的，而其内设的接线器和阳极互连线可以是旋转的。
在图13的结构中，连接区必须设在基片中央部位。因此，在处理用于有源矩阵液晶显示的基片时，例如，当基片最终要分离成多个基片时，这种结构特别适用于阳极氧化。基片上的连接区可设在最终产品(基片)的外边缘。
实施例3本实施例涉及平面式工艺类型的阳极氧化设备构成，如图14所示，其中安装有一个接一个地处理多个基片的多个容器(室)。本例还涉及使用本设备的工艺，包括对含有如例2所示TFT的集成电路进行阳极氧化。这里所述的每个工艺中，持续时间、温度、化学组成、膜厚及其它条件与例2相同。
图14是根据本例的设备示意图。设备500包括清洗室501，多孔式阳极氧化的形成室502，光刻胶剥离室503，阻挡式阳极氧化的形成室504，加热板505，冷却板506和机械臂507。
清洗室501和光刻胶剥离室503分别装有钟罩，其中设置带真空吸盘的旋转器和纯水或光刻胶剥离溶液从中流出的可移动喷嘴。除去第一和第二喷嘴之外，阳极氧化室502和504的其余结构与图10相同。每个室均装有独立的排放管，以致可以控制从室中排放的水或化学物质，不使其相互混合。
在基片盒508中装有多个基片201，其结构与图8A和9A相同。
通过机械臂507从基片盒508中一个接一个地取出基片201，并根据进行必需的步骤所要求的顺序输送至各室。基片最终的返回基片盒508。
以下说明根据第三实施例的阳极氧化工艺。
利用机械臂507从基片盒508取出基片201，首先传送至加热板505，在那里把基片加热至30℃，这是下一个形成多孔阳极氧化的步骤所需要的温度。
然后把基片201传送至多孔或阳极氧化的形成室502。仅在第二导线上进行阳极氧化，形成多孔式的阳极氧化膜，与例2相同。完成阳极氧化之后，通过高速旋转平台除去基片上的阳极氧化溶液并使之干燥。
然后把基片201从多孔式阳极氧化形成室502送至清洗室501。同时由旋转器旋转用纯水清洗过的基片，随后通过高速旋转除去基片表面残留的纯水并使之干燥。
把基片201从清洗室501送至加热板505，加热基片使其进一步干燥。再把基片201的温度升至下一步骤剥离光刻胶所需的温度，本例中例如为50℃。
基片201送入光刻胶剥离室503之后，同时用旋转器旋转基片用光刻胶剥离剂剥离光刻胶，高速转动基片除去光刻胶剥离剂并使基片干燥。
然后，再把基片201从光刻胶剥离室503送至清洗室501。用纯水清洗基片同时用旋转器旋转，并以高速旋转基片来除去残留的纯水，并使基片干燥。
在加热板505上进一步干燥基片，并传送至冷却板506，使基片温度降至下一个形成阻挡式阳极氧化步骤所需的温度。在本步骤中基片温度降至10℃。
随后把基片送入阻挡式阳极氧化的形成室504，在第一和第二导线上均形成阻挡式阳极氧化膜。完成阳极氧化之后，以高速旋转平台来除去基片上残留的阳极氧化溶液，并使基片干燥。
接着，把基片从阻挡式阳极氧化形成室504取出，送入清洗室501。用纯水清洗基片，同时用旋转器旋转，并以高速旋转基片来除去残留的纯水并使基片干燥。
在加热板505上进一步干燥基片201，并送至冷却板506降温。所得基片201存入片盒508。
按此方式完成阳极氧化工艺。处理了预定数量的基片后，用装有未处理基片的新基片盒整个替换基片盒508，重复上述工艺。完成阳极氧化的基片进一步处理，按例2相同的方式构成集成电路。
本例中，对单个基片说明了工艺流程。但是，对于批量生产，可以容易地改进本例的工艺，通过考虑各步骤的工艺流程及所需时间，使其能同时针对多个基片。由此，一个接一个地连续处理多个基片，能以有效地及良好控制的方式，在整个基片和在所有基片上，形成厚度及品质具有优异的均匀性的阳极氧化膜。
在图14的设备中也可设置腐蚀容器(室)。
通过设置多个室来进行相对费时的阳极氧化步骤，可以进一步节省整个工艺的时间。由于本发明的阳极氧化设备不使用大型的电解槽，所以可提供非常紧凑的结构。可容易地增加其它单元而无需占用更多的空间。
在成批处理的情形中，这常需要重新设定条件。但是，在本发明的设备中，每个处理都是独立的，因此，即使工艺中组合进了其它单元，也无需重新设定。
而且，由于基片几乎是在干态下传送的，所以无需担心由水等污染其它基片。此外，传送基片可使用结构简单的机械臂。
实施例4本实施例涉及根据本发明的实施例，制造反型绝缘栅TFT的情况。使用图13所示设备对基片上的铝导线进行阳极氧化。制造640×480矩阵的有源矩阵电路，它具有为每个象素设置的绝缘栅TFT。本例所周的阳极氧化设备除了图13所示结构外，其余部分基本上与图10相同。
待处理基片的尺寸为200mm×200mm，作为最终产品，它将分成四块基片，每个为100mm×100mm。
参看图15A-15D，以下说明在玻璃基片上制造绝缘栅TFT的工艺。尽管图中展示了一个TFT，但该TFT与其相连的象素电极构成一对，作为一个整体矩阵形成在基片上。
通过溅射，在Corning 7059玻璃基片701上，淀积氮化硅膜作为基膜702，厚度为1000-3000埃，例如2000埃。可以在氧气氛中通过溅射淀积氧化硅膜来代替氮化硅，厚度大致相同。另外，也可以采用TEOS通过等离子CVD来淀积。
之后用电子束蒸发或者溅射，淀积厚1000埃-2μm的铝膜，例如2800埃(含1wt％硅或者0.1-0.3wt％钪)。
采用磷酸、硝酸和乙酸的混合溶液，在湿法工艺中对所得铝膜进行光刻。由此制成具有台阶状剖面的栅电极部分703(图15A)在基片701上的铝膜刻图801，如图16所示。在栅电极部分703刻图同时，大致在基片701的中央部位形成连接区802，其中第一阳极互连线406和接线器404被形成相互连接，如图13所示。连接区与基片701上的所有的其它栅电极部分703电连接。
图13所示的接线器405和第二阳极互连线407在本例中不使用，仅仅使用一个阳极互连线。
采用具有图13所示结构的设备，按上述相同的方式，对栅电极部分703进行阳极氧化。参看图13，由机械臂传送的基片701置于平台401上，并用真空吸盘固定于其上。平台401设置成可旋转的，以提供所谓的旋转器。
位于图13所示平台401的上表面之下的钟罩400返回图中位置。阴极402从上边下降，设于阴极402之内的接线器404固定于设置在基片701中央部位的连接区。
本例所用的接线器404可以具有图5A-5C所示的任一种结构。
平台与马达连接并可旋转。固定在基片201的阴极402随平台401旋转。另一马达可装于阴极402。
即使在阴极旋转时，采用电刷连接等，也可保证直流电源与第一和第二阳极互连406之间的电连接。
基片201与阴极402面对基片的平面之间的距离取为如1-50mm，最好在10mm以内，具体在本例中为2mm。
之后，以100-500转/分钟、例如200转/分钟的速度，旋转平台401以及基片201、阴极402，同时通过设在阴极402上的孔403供给阳极氧化溶液408。阳极氧化溶液采用1，2-亚乙基二醇溶液，其中溶解有浓度为3％的酒石酸，并用氨水中和至pH约为7。把阳极氧化溶液408的温度控制在10℃以下，便获得更好的氧化膜。
阳极氧化溶液408的流量应足以充满基片与阴极之间的空隙。由于平台等旋转而产生离心力，阳极氧化溶液从基片和阴极边散向钟罩400。被钟罩收集的阳极氧化溶液通过排放口409向下流至钟罩400的下侧，并通过排放管排出设备。最好根据工艺所用液体的不同类型，来设置不同的排放系统。
在基片701上的铝互连接图形801与阴极402之间施加电流，从而启动阳极氧化。施加稳定电流，本例中具体为0.5mA/cm2的电流密度，直到电压达到120V。120伏的电压保持1-60分钟，例如10分钟。在停止平台401和阴极402的旋转后，以及停止阳极氧化溶液流动之后，拔起接线器404和阴极402。
由此，在第二栅电极部分703上平面和栅电极704侧面上，覆盖阻挡式阳极氧化铝膜705，厚度为1600埃。
接着，再次旋转平台401和基片701 30秒钟，转速为2500-4000转/分钟，本例中具体为3000转/分钟，除去基片上残留的阳极氧化溶液，并使基片701干燥。
进一步旋转平台401和其上的基片701，转速为100-1000转/分钟，例如300转/分钟，同时移动第一喷嘴410，并使纯水流下至旋转基片701的中央部位。以此方式清洗基片的上平面。
连续旋转2分钟后，停止纯水的流动，第一喷嘴410返回其原始位置。平台401和基片701再次旋转30秒，转速为2500-4000转/分钟，例如3000转/分钟，除去基片上残留的纯水，并使基片701干燥。纯水通过排放口409排出至钟罩400的下部，并通过属于与排放上述阳极氧化溶液所用系统不同的管道系统排放设备。
以上述方式完成阳极氧化步骤。在把钟罩400向下移动之后，利用机械臂等把基片701送至下一步骤的设备。在平台上放置下一个基片，由此可对一系列基片连续进行阳极氧化。
不仅阳极氧化步骤，而且清洗步骤也可以使纯水从设于阴极的孔403流出来进行。而且，可以在接线器留在基片的连接区的位置的同时，进行阳极氧化、清洗和干燥等步骤。
由此，形成含铝的栅极704和阳极氧化膜制成的栅绝缘膜705(图15B)。
在空气中、200-300℃温度、例如200℃下，对所得结构加热几分钟至几十分钟，有利于把阳极氧化膜的泄漏电路降低一个数量级以上。
接着，使用混合比例为1∶3-1∶8例如1∶5的硅烷和氨的混合物，通过等离子CVD淀积氮化硅膜作为第二栅绝缘膜706，厚度为1000-3000埃，例如2000埃。
可形成厚度为1000-3000埃的氧化硅膜，来代替形成氮化硅膜。在淀积氧化硅膜时，溅射或者等离子CVD均可使用。可采用TEOS与氧一起作为原始材料，来进行等离子CVD，对原始气体施加RF能量进行热分解，并使温度保持在150-400℃的，最好在200-250℃的基片上淀积氧化硅。TEOS和氧按1∶1-1∶10的压强比例混合，总压强为O.05-0.5乇，加100-250W的RF功率进行RF放电。另外，可采用TEOS与臭氧组合，通过减压CVD或常压CVD，形成氧化硅膜，同时加热基片至150-400℃，最好至200-250°。
可以省略栅绝缘膜706。然而，设置第二绝缘706，可以抑制电极之间的短路，并改善TFT的互导。
接着，在栅绝缘膜706上淀积I-型非晶硅膜707，厚度为200-2000埃，例如1000埃，以此提供沟道区。
进一步在其上淀积氮化硅膜，厚度为500-3000埃，例如1000埃。采用由纯化水稀释的氢氟酸，浓度为HF/水的比例在1/10-1/50，蚀刻所形成的氮化硅膜，以此提供保护膜708。
采用等离子CVD在其上淀积含磷的n+非晶硅膜709，厚度为200-1000埃，例如300埃(图15C)。
采用干法腐蚀之后，对工型非晶硅膜707和n+非晶硅膜709进行刻图。而且，再形成ITO膜并刻图构成象素电极(未示出)。通过电子束蒸发或者溅射，在其上形成厚1000埃-2μm、如3000埃的铝膜。利用干法腐蚀，把铝膜和其下面的n+硅膜刻图形成源电极710、漏电极711和源区、漏区。由此，制成TFT(图15D)。
由此制成的有源矩阵电路用于具有优异性能的液晶电光器件。
本例中，基片被分成四份。然而，本发明的实施例可用于基片分为六份以上的情况，只要基片上的导线能与阳极互连线在基片中央部分连接即可。
如上所述，对本发明的说明主要是对一个接一个地处理基片的结构。然而，当然可以在单个容器或电解槽中同时处理许多基片。
而且，对本发明的说明主要涉及了使用玻璃基片的情况。但是，也可使用其它基片如石英基片、硅晶片或金属基片，而无需考虑是导体还是绝缘体。对于基片的尺寸，厚度等无特殊限制。
根据本发明的结构，基片的一个表面可与阳极氧化溶液隔绝。因此，在基片由其自身易产生阳极氧化的金属制成时，例如使用铝或铜，或者采用的基片或材料易于被阳极氧化溶液所氧化时，可以仅使布图的表面阳极氧化，同时保持其它表面不被氧化。
上述说明主要涉及使用直流电源。但是，同样可使用含有直流成分的交流电源。
以上对本发明的说明具体地涉及到铝(Al)和铝阳极氧化后所得的氧化铝(Al2O2)。但是，本发明并不限于此，例如并可用于如钽(Ta)和氧化钽(Ta2O3)、钛(Ti)和氧化钛(TiO2)、硅(Si)和氧化硅(SiO2)，以及它们的多层膜。
本领域的技术人员应该明白，在不脱离本发明的精神及范围的条件下，可做出各种变化和改进。
权利要求
1.一种能进行阳极氧化的设备，包括用于夹住具有待阳极氧化表面的物体的支承部件；与所述表面电气连接的第一电极；通过其间的间隙而面对所述物体的第二电极；用于在所述第一和第二电极之间施加电压的电源；用于在所述电压施加期间，使电解液在所述第二电极和所述物体之间的间隙中流动的装置。
2.一种能进行阳极氧化的设备，包括用于夹住具有待阳极氧化表面的物体的支承部件；与所述表面电气连接的第一电极；通过其间的间隙而面对所述物体的第二电极；用于在所述第一和第二电极之间施加电压的电源；使电解液在所述第二电极与所述物体之间的间隙中流动的装置；其中所述支承部件安装有旋转所述物体的装置。
3.一种能进行阳极氧化的设备，包括用于夹住具有待阳极氧化表面的物体的支承部件；与所述表面电气连接的第一电极；通过其间的间隙而面对所述物体的第二电极；用于在所述第一和第二电极之间施加电压的电源；其中所述第二电极安装有用于在所述电压施加期间，使电解液在所述第二电极上与所述物体之间的间隙中流动的装置。
4.根据权利要求3的设备，其特征是所述支承部件安装有旋转所述物体的装置。
5.根据权利要求3的设备，其特征是所述使电解液流动的装置，能使所述电解液在所述物体上按规定的方向流动。
6.一种能进行阳极氧化的设备，包括一个具有上平面的夹具，将基片夹于其上，作为阴极的第一电极，通过其间的间隙与夹具的所述上平面相对；用于把电解液导入所述阴极与所述夹具之间的间隙的装置；第二电极，作为与所述基片连接的电极；用于在所述第一和第二电极之间施加电压的电源；其中所述上平面水平地设置。
7.根据权利要求6的设备，还包括使所述夹具和所述阴极中的至少一个旋转的装置。
8.根据权利要求6的设备，其特征是所述第二电极与所述基片的下表面相连接，该基片下表面对所述夹具。
9.根据权利要求8的设备，其特征是所述第二电极在所述基片的中央部位与所述基片电气连接。
10.根据权利要求6的设备，其特征是所述第二电极通过所述第一电极延伸，并在其上表面上与所述基片电气连接。
11.根据权利要求6的设备，其特征是所述夹具和所述第一电极能相对于同一旋转轴旋转。
12.根据权利要求11的设备，其特征是所述第二电极通过所述第一电极延伸，并在所述旋转轴处与所述基片的上表面电气连接。
13.一种能进行阳极氧化的设备，包括夹具，有夹持基片用的上平面，所述夹具是可旋转的；作为阴极的第一电极，以其间的间隙与所述夹具的上平面相对而置；用于把电解液导入所述阴极与所述夹具之间的间隙的装置；作为阳极的第二电极，它与所述基片连接；用于在所述第一和第二电极之间施加电压的电源；至少一个喷嘴，用于把液体导引至位于所述夹具上的所述基片的上表面。
14.一种能进行阳极氧化的设备，包括支承部件用于将至少具有第一和第二导线的物体夹于其上支承部件，所述第一和第二导线相互电绝缘；第一电极，与所述第一导线连接，并施加第一电压，用做阳极；第二电极，与所述第二导线连接，并施加第二电压，用做阳极，所述第二电极与所述第一电极相互隔离；第三电极，施加第三电压，用做阴极，与所述第一和第二电极相对应；其中所述第一和第二电压可被相互独立地控制。
15.一种设备，包括第一单元，用于在其中进行阳极氧化；第二单元，用于以水清洗；第三单元，用于用光刻胶剥离剂除去光刻胶，所述第一、第二和第三单元是相互独立的；机械臂，用于在所述第一、第二和第三单元之间按期望的顺序传送基片。
16.一种阳极氧化方法，包括以下步骤制备具有待氧化表面的物体；与所述待氧化表面相隔一定间隙地设置阴极；以所述表面作为阳极的，在所述表面与所述阳极之间施加电压，把进行阳极氧化的电解液导入所述表面与所述阴极之间的所述间隙，在所述电压施加期间，所述电解液在所述间隙中连续流动。
全文摘要
一种用于阳极氧化的设备及使用该设备的方法，不仅在单一基片中，而且在多个膜之间，改善阳极氧化膜的膜厚及品质均匀性，所述设备包括阴极，阳极互连线，与阳极互连线电气连接的金属薄膜，在阴极与金属薄膜之间流动的阳极氧化溶液，阳极氧化溶液必须与阴极和阳极互连线电气连接。金属薄膜可置于旋转表面上。
文档编号H01L21/00GK1124304SQ95104060
公开日1996年6月12日 申请日期1995年3月17日 优先权日1994年3月17日
发明者小沼利光, 菅原彰, 上原由起子 申请人:株式会社半导体能源研究所