双闭合高磁导率磁路永磁体磁场成型取向器的制作方法

文档序号:6809783阅读:331来源:国知局
专利名称:双闭合高磁导率磁路永磁体磁场成型取向器的制作方法
技术领域
一种双闭合高磁导率磁路永磁体磁场成型取向器,本实用新型属于水磁体磁场成型取向器。
目前国内外的永磁体磁场成型取向器均采用大电流无双闭合铁磁质磁路的永磁体磁场成型取向,均具有大磁化电流的水冷却系统。一般为下述两种结构1、一个大圆形空心线圈,永磁体模具在其中心处的结构。在采用该种结构时,由于不是闭合磁路,磁化线圈匝数又少,要想达到永磁体在成型压结时所需的定向磁场,如钡锶铁氧体湿压时所需H。值约为3000[oe]以上,其干压时H。值约为5000[oe]以上,稀土钴永磁体干压时H。值约为5000[oe]以上,通入线圈的磁化电流强度就必须很大,往往大大超过磁化线圈正常的工作电流密度,使磁化线圈经常被烧坏。为了避免磁化线圈的烧坏,有时不得不工作两个小时休息一个小时,而且磁化线圈在其中心处的永磁体模具内磁化场小而又不均匀,保证不了其永磁体产品的质量。
2、在一根轴上安装一双空芯铜管线圈的结构。在采用该种结构时,由于磁化线圈匝数少,并且是单一闭合磁路,为使稀土钴、钕铁硼等新型永磁材料饱和磁化,约需80安培以上的磁化电流强度通过线圈,为此,需冷却系统在空芯铜管线圈内通入大流量的水,以对线圈进行冷却。但,即使磁化电流强度大,由于两线圈的匝数少,磁化场仍然低,保证不了这些新型永磁体产品质量。一旦冷却系统出了毛病,则整个取向器就会被烧坏。
上述两种结构均耗电大,磁化场强低,不能使被取向的永磁体粉达到磁化饱和,且其工作可靠性差,使用寿命短,结构复杂,阻碍了新型永磁合金材料的磁性能提高和发展。
本实用新型的目的是设计一种铁磁质双闭合磁路的永磁体磁场成型取向器,用小磁化电流产生均匀强磁化场,将成型取向的永磁体饱合磁化。
本实用新型的特征在于A、B、C、D、E、F均为无剩磁高磁导率软磁材料,A、B、C、D为四方形框架结构,E、F在A、C的内侧,A、B、C、D、E、F之间为紧配合,B、D、E、F上共密绕数万匝磁化线圈,将这四个线包串联起来并被磁屏蔽后,接可调电子自控真流电源。
以下结合附图对本实用新型作具体说明

图1双闭合高磁导率磁路永磁体磁场成型取向器结构示意图。
A、B、C、D、E、F均为无剩磁高磁导率软磁材料,A、B、C、D为四方形框架结构,E、F在A、C的内侧,A、B、C、D、E、F之间为紧配合,B、D、E、F上共密绕数万匝磁化线圈,将这四个线包串联起来并被磁屏蔽后,接可调电子自控直流电源。永磁体模具G固定在E、F之间,并与E、F端面紧接触。当B、D、E、F四个线包有磁化电流通过时,就构成了AEGFCDA和AEGFCBA两个闭合磁路。由于对B、D、E、F四个线包进行了磁屏蔽,又由于A、B、C、D、E、F均为无剩磁高磁导率软磁材料,这样就促使永磁体模具G腔内的磁化场强均匀且成倍增加,已超过被取向的永磁体矫顽力的十倍以上。例如,当8安培的磁化电流通过这四个磁化线圈时,在E、F间固定的永磁体模具G腔内可产生2万(Gs)以上的磁化场强。
本实用新型由于磁化电流小,电路和线圈升温低,不需要水冷却系统。且通过可调电子自控电源,使永磁体的模具G内产生很强、均匀的磁化场强,保证了永磁体成型压结时有稳定的饱和磁化磁场,提高了新型永磁材料的磁性能。
权利要求一种双闭合高磁导率磁路永磁体磁场成型取向器,其特征在于(A)、(B)、(C)、(D)、(E)、(F)均为无剩磁高磁导率软磁材料,(A)、(B)、(C)、(D)为四方形框架结构,(E)、(F)在(A)、(C)的内侧,(A)、(B)、(C)、(D)、(E)、(F)之间为紧配合,(B)、(D)、(E)、(F)上共密绕数万匝磁化线圈,将这四个线包串联起来并被磁屏蔽后,接可调电子自控直流电源。
专利摘要一种双闭合高磁导率磁路永磁体磁场成型取向器,本实用新型属于永磁体磁场成型取向器,其特征在于A、B、C、D、E、F均为无剩磁高磁导率软磁材料,A、B、C、D为四方形框架结构,E、F在A、C的内侧,它们之间为紧配合,B、D、E、F上共密绕数万匝磁化线圈,将这四个线包串联起来并被磁屏蔽后,接直流电源。本实用新型由于采用了双闭合磁路,磁化电流小,永磁体模具内磁化场强且均匀,提高了永磁材料的磁性能。
文档编号H01F41/02GK2223864SQ9520085
公开日1996年4月3日 申请日期1995年1月7日 优先权日1995年1月7日
发明者盛步云, 单廷俊, 范德民, 王志修 申请人:武汉工学院
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1