专利名称：半导体器件的清洗装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件的清洗装置，特别是，涉及为了清洗浸入浴槽的圆片采用一种使清洗液喷管的喷射压力均匀，能增加圆片腐蚀速率一致性的半导体器件的清洗装置。
一般，在半导体工业中，随着高集成度和由半导体器件的尺寸缩小而引起的圆片直径扩大，圆片及其周边部分的微细图形的清洗效果，以及湿式反应的均匀度正变得十分重要。
因此，为了增大湿式清洗效果而提供了许多辅助的工艺技术。
常规的半导体器件的清洗装置包括内浴槽12，用于清洗多个圆片10；清洗液供给管15，位于内浴槽12内用于供给清洗液；以及清洗液喷管18，安装于浴槽底部用于通过形成于其表面的多个孔，喷射清洗液，该喷管的一端连接到清洗液供给管15且该喷管的另一端为密封。该装置还包括排出管14，安装在浴槽下；和外浴槽13，用于排出内浴槽12内的溢流清洗液。
下面，说明有关常规半导体器件的清洗装置。
若液泵变成为开动方式，则送给清洗液供给管15的清洗液经过滤器过滤，然后流入内浴槽12。
如
图1A和1C所示，通过清洗液供给管15送出的清洗液从内浴槽12底部的中心注入内浴槽12里，或通过连接于清洗液供给管15一端的清洗液喷管18喷到圆片10的下边缘或下侧面。
这就是说，该清洗液通过位于内浴槽12(A方向)中心的清洗液供给管15，或者通过位于内浴槽12底部并连接到位于内浴槽12侧面的清洗液供给管15的清洗液喷管18流到内浴槽12里(B方向)，并在圆片与净化之间进行循环，使清洗液与圆片的表面产生化学反应。
亦即，通过多个孔18-1喷射的清洗液清洗圆片的边缘和侧面，而该多个孔18-1的大小则以相同的间隔分布在清洗液喷管18的表面上，且该喷管18位于内浴槽12底部沿圆片盒中存放圆片的方向。
另外，如果清洗液流入内浴槽12中去超过了规定的水位，就溢流到外浴槽13内，通过位于外浴槽13底部的排出管14把它从装置中排出，或通过连接于清洗液供给管15的循环管并在其中过滤了杂质后回流到内浴槽12内。
但是，如图1D所描绘，通过常规清洗装置的喷管表面上的多个孔，把清洗液喷射到圆片10上的清洗液喷管18的喷射压力，随喷管的位置而变化。
也就是，清洗液的喷射压强的偏差从供给清洗液的清洗液喷管的一端到其密封的另一端增大了起来。这是由于反压作用于喷管密封的另一端的缘故。
因此，存在圆片盒内所存放的圆片不能得到均匀地清洗的问题。
所以，本发明是针对半导体器件的清洗装置，以便实质上消除由于相关技术的限制和缺点造成的若干问题。
本发明的目的是提供一种通过清洗液喷管均匀地把清洗液喷射到圆片的下边缘或侧面，以提高清洗液速率的半导体器件的清洗装置。
本发明的其他特点和优点在下述的描述中将得以显示，部分地从描述中会变得更清楚、或通过本发明的实施可以知道。通过在已写入说明书及其权利要求书和附图中特别指出的结构将可实现并达到本发明的目的和其它优点。
为了达到这些和其它优点，并根据本发明的目的，作为概要和概括性说明，一种半导体器件的清洗装置包括一个浴槽，其中具有存放多个圆片的圆片盒；一个清洗液供应管，位于浴槽的下部；以及一个清洗液喷管，其一端连接到清洗液供应管而其另一端被密封，用于通过其表面上的许多孔喷射清洗液，具有的该清洗液喷管的孔的面积从该清洗液流过的一端到喷管密封的另一端是减小的；该清洗液喷管具有转变角度的部分，使清洗液流过的一端高于喷管密封的另一端，或该清洗液喷管使截面积从清洗液流经的一端到喷管密封的另一端是逐渐减小的。
应该知道，上述的一般性描述和下述的详细描述是举例说明性的，并且意在作为权利要求而提供本发明的进一步说明。
包括了提供对本发明的进一步理解，结合并构成了本说明书的一部分的附图，图解性地说明本发明的实施例，并与说明书一起用作阐述本发明的工作原理。
图1A是常规半导体器件的清洗装置的右侧剖视图。
图1B说明常规半导体器件的清洗装置的清洗液喷管，用于喷射清洗液。
图1C是示出了清洗液流动情况的半导体器件的清洗装置的剖面图。
图1D示出了经由常规半导体器件清洗装置的清洗液喷管表面上的孔，从清洗液流出的清洗液喷管的一端到其密封的另一端的清洗液喷射压力强度。
图2A到2F示出了本发明的清洗液喷管的优选实施例(箭头指示清洗液流动的方向)。
图2G示出了通过本发明的清洗液喷管表面上的孔，从清洗液流过的清洗液喷管的一端到其密封的另一端的清洗液喷射压力强度。
图3和4示出了本发明的其他各实施例的清洗液喷管。
现在将详细地涉及本发明的优选实施例，并对附图中所示的实施例进行说明。
如图2A和2B所示本发明的第一优选实施例，在喷管上的孔的面积从清洗液流经喷管的一端到该喷管密封的另一端是减小的。
为了减小孔的面积，该孔的直径从该清洗液流过的一端到喷管密封的另一端逐渐变小，如图2A所示，或该孔的个数从清洗液流经喷管的一端到喷管密封的另一端逐渐减少，如图2B所示，由此使孔的面积总和根据每个孔的位置逐渐减小。
本发明的第二优选的实施例表示出，通过喷管上该孔的清洗液的喷射压力是均匀地施加于圆片上而与喷管的位置无关，因为喷管密封端的清洗液的压力由于喷管的转变角度部分而减小了。
如图2C所示，该喷管具有多于一个转变角度的部分，清洗液流经喷管的一端高于喷管密封的另一端，使得能以均匀的压力把清洗液喷射到圆片上。
也就是，本发明的清洗装置，借助于分配从清洗液流经喷管的一端到喷管密封的另一端增加的压力，从而能以均匀的压力把清洗液喷射到圆片盒中所存放的圆片的边缘。
本发明的第三优选的实施例示出，借助于从清洗液流经喷管的一端到喷管密封的另一端使孔的截面积和深度不同，从而通过该喷管上的孔的清洗液的喷射压力可均匀地施加于圆片上而与喷管的位置无关。
如图2D、2E和2F所示，使喷管截面积从清洗液流经它的一端到其密封的另一端逐渐减小，能以均匀的压力把清洗液喷射到圆片上去。
图2D示出了该喷管孔的深度以及它的截面积，该截面积是从清洗液流经喷管的一端到喷管密封的另一端逐渐减小的。
如图2G所描绘那样，图2A到2F的本发明，该密封喷管28本身和喷管上的孔是变化的，所以能以均匀的压力均匀地把清洗液喷射到圆片上去而与喷管的位置无关。
图3说明本发明的第四优选的实施例。该喷管包括一个开口端、一个相对的局部开口端以及一个固定在局部开口端用于把规定量的清洗液排出到连接于外浴槽的排出管的连接管30，该连接管被插入内浴槽中。
因此，在清洗液流经喷管的一端和喷管的相对端产生的反压与常规的开口面积比较减小得如此之多，以至受反压直接作用的喷管表面的孔处的清洗液喷射强度降低了，并且以均匀的压力喷射该清洗液而与喷管的位置无关。
图4示出了本发明的第五实施例。该喷管包括一个开口端、一个相对的局部开口端，以及一个安装于局部开口端的流量控制抑制器40用于控制分别通过引入喷管表面或从喷管表面抽出的排出清洗液总量，而该流量控制抑制器是带有固定厚度的空心管。
如图3和4所描绘的那样，对清洗液喷管38和48局部开口端起作用的反压，采用规定清洗液到局部开口端的总流量来进行控制，使得该喷管能以均匀的压力把清洗液喷射到圆片面上去。
本领域的技术人员都清楚，本发明的半导体器件的清洗装置还可以作出各种各样的修改和变换而不会脱离本发明的构思范围。因此，这意味着，本发明包括落入权利要求书及其等同物范围的本发明的修改和变换。
权利要求
1.一种半导体器件的清洗装置，该装置包括一个浴槽，于其中对圆片进行清洗；以及一个清洗液喷射管，安装于该浴槽的底部用于通过在其表面上以相同的间隔形成的多个规定尺寸的孔喷射清洗液，该喷管的一端连接于清洗液供给管而喷管的另一端被密封，其中，该溶液流通的孔面积从通过引入清洗液的喷管的一端到已密封的另一端是逐渐减小的，使得能以均匀的压力喷射溶液。
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其中，该孔的个数是以规定的尺寸从通过引入清洗液的喷管的一端到已密封的另一端逐渐减少，使得该孔面积的和按照各孔的位置逐渐减小。
3.根据权利要求1所述的清洗装置，其中，该孔的直径从通过引入清洗液的喷管的一端到已密封的另一端逐渐变小，使得该孔的面积逐渐减小。
4.一种半导体器件的清洗装置，该装置包括一个浴槽，于其中对圆片进行清洗；以及一个清洗液喷射管，安装于该浴槽的底部用于通过在其表面上以相同的间隔形成的多个规定尺寸的孔喷射清洗液，该喷管的一端连接于清洗液供给管而喷管的另一端被密封，其中，该喷管具有至少一个转变角度的部分，并且通过引入清洗液的喷管的一端高于已密封的另一端，使得能以均匀的压力喷射溶液。
5.一种半导体器件的清洗装置，该装置包括一个浴槽，在其中对圆片进行清洗；以及一个清洗液喷射管，安装于该浴槽的底部用于通过在其表面上以相同的间隔形成的多个规定尺寸的孔喷射清洗液，该喷管的一端连接于清洗液供给管而喷管的另一端被密封，其中，该喷管本身的面积从通过引入清洗液的喷管的一端到已密封的另一端是逐渐减小的，使得能以均匀的压力喷射溶液。
6.一种半导体器件的清洗装置，该装置包括一个浴槽，于其中对圆片进行清洗；以及一个清洗液喷射管，安装于该浴槽的底部用于通过在其表面上以相同的间隔形成的多个规定尺寸的孔喷射清洗液，该喷管的一端连接于清洗液供给管而喷管的另一端已被密封，其中，该喷管在其密封端一侧具有一个释放孔。
7.根据权利要求6所述的清洗装置，其中，该释放孔的大小采用类似管道构成的连接器进行调节，其外径小于释放孔的内径。
全文摘要
一种半导体器件的清洗装置包括浴槽,于其中对圆片进行清洗;以及清洗液喷射管,安装于该浴槽的底部用于通过在其表面上以相同的间隔形成的多个规定尺寸的孔喷射清洗液,该喷管的一端连接于清洗液供给管而喷管的另一端已被密封,其特征是,该溶液流通的孔面积从清洗液流过该喷管的一端到已密封的另一端是逐渐减小的,使得能以均匀的压力喷射溶液。
文档编号H01L21/00GK1176485SQ9711604
公开日1998年3月18日 申请日期1997年8月15日 优先权日1996年8月16日
发明者韩石彬, 许允 申请人:Lg半导体株式会社