专利名称：抗蚀剂剥离液控制装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种在半导体制造工艺或液晶基板制造工艺中用于剥离抗蚀剂的抗蚀剂剥离液的控制装置，更具体地说，本发明涉及的抗蚀剂剥离液控制装置具有在循环使用抗蚀剂剥离液时使用的连续自动补给装置、羟胺浓度调节装置、水分浓度调节装置、液位调节装置或溢流装置、以及在由于抗蚀剂剥离而溶解出的抗蚀剂浓缩化时使用的溶解的抗蚀剂浓度调节装置。
在半导体或液晶基板的制造工艺中，可用于影印工序中的抗蚀剂材料，包括在曝光后可溶化的正片型材料和在曝光后不溶化的负片型材料，但多数是使用正片型材料。
作为正片型抗蚀剂的代表例，可以举出以萘醌二叠氮化物类感光剂和碱溶性树脂(酚醛清漆树脂)为主成分的抗蚀剂。
在影印工序的最终阶段，必须有一个将抗蚀剂从基板上完全剥离的工序。
在半导体或液晶基板的抗蚀剂剥离工艺中，可以把使用氧等离子体的干式灰化工序和使用抗蚀剂剥离液的湿式剥离工序合并使用。
这是因为，经过使用氧等离子体的干式灰化工序处理的基板，其表面上已生成硅氧化物和铝氧化物，然后使用湿式剥离工序，不仅可以剥离抗蚀剂，而且可以完全除去这些金属氧化物，所以这些措施是必要的。
在特开平7-235487号公报中记载了一种抗蚀剂剥离液控制装置，该控制装置具有一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂的浓度并将抗蚀剂剥离液排出的抗蚀剂剥离液排出装置；一个用于通过液位计测定抗蚀剂剥离液的液位并据此补给有机溶剂和链烷醇胺或者由有机溶剂和链烷醇胺预先调配好的抗蚀剂剥离新液的第一补给装置；一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂中链烷醇胺的浓度并据此补给有机溶剂和链烷醇胺中的至少一种的第二补给装置。
另外，本申请人也开发了一种抗蚀剂剥离液控制装置，该控制装置具有一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂的浓度并将抗蚀剂剥离液排出的抗蚀剂剥离液排出装置；一个用于通过液位计测定抗蚀剂剥离液的液位并据此补给抗蚀剂剥离原液和纯水或者由抗蚀剂剥离原液和纯水预先调配好的抗蚀剂剥离新液的第一补给装置；一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离液的水分浓度并据此补给抗蚀剂剥离原液和纯水中的至少一种的第二补给装置。并将此控制装置申请了专利(特愿平8-193005号)。
在半导体或液晶基板的抗蚀剂剥离工艺中，如上所述，作为抗蚀剂剥离液，主要是使用由有机碱和有机溶剂组合而成的溶液，另外，添加有适量水的溶液也可以使用，但是已经查明，添加有适量羟胺的溶液具有更佳的效果。
也就是说，含有适量羟胺的抗蚀剂剥离液所具有的效果是，可以将基板的处理温度从过去所需的约80℃降低至约65℃以下，例如40℃左右，这样就可以在形成基板或半导体线路时减少对底层金属的损害，同时可以除去硅氧化物和铝氧化物。
例如，可以按喷雾方式、盒装方式或浸渍方式等使用由二甲亚砜类与羟胺组成的溶液、由N-甲基吡咯烷酮类与羟胺组成的溶液、由链烷醇胺与羟胺组成的溶液、由链烷醇胺和乙二醇醚与羟胺组成的溶液，或者是向这些溶液中加入纯水或各种添加剂而形成的溶液等。
过去采用间歇式操作的方式，也就是在开始时向抗蚀剂剥离处理槽中加入一定量规定浓度的抗蚀剂剥离新液，然后根据经验，以处理的基板数等作为指标，随着抗蚀剂剥离液逐渐减少而使其达到规定的劣化浓度范围时，一次性地全部更换为预先准备好的新液。该剥离液的更换时间随处理槽的容量和基板的种类、基板处理数等条件的不同而异，但是一般的更换次数约为每4日换一次。
当抗蚀剂剥离液发生劣化时，不能达到一定的剥离速度，并且产生剥离残渣和金属氧化物残渣，从而引起合格率的降低。
在作为影印工序的最后阶段的抗蚀剂剥离工序中，如果产生劣质品，将会造成大的损失。
含有羟胺的抗蚀剂剥离液通常在30～65℃的温度下使用。
用于抗蚀剂剥离液中的各种成分的沸点，有机碱或有机溶剂约为160～250℃，羟胺约为160℃，水为100℃。
在使用抗蚀剂剥离液时，为了将抗蚀剂剥离槽与大气隔开而使用氮气清洗，与此同时，低沸点的水分优先蒸发，使水分浓度下降，从而导致浓度发生变化。因此，抗蚀剂剥离性能逐渐降低，但是过去没有对水分进行实时测定，并且也没有将水分恒定地控制在规定的浓度。
当水分浓度进一步降低时，由于剥离液具有闪点而有发生爆炸的危险性。
另外，在使用抗蚀剂剥离液时，为了将抗蚀剂剥离槽与大气隔开而使用氮气清洗，与此同时，仅次于水的低沸点羟胺蒸发，使羟胺的浓度下降，从而导致浓度发生变化。因此，抗蚀剂剥离性能逐渐降低，但是过去没有对羟胺浓度进行实时测定，并且也没有将水分恒定地控制在规定的浓度。
另外，在对抗蚀剂进行剥离处理时，溶解于抗蚀剂剥离液中的抗蚀剂逐渐浓缩，这是造成剥离速度降低和产生剥离残渣等抗蚀剂剥离性能劣化的原因之一，但是过去没有对溶解的抗蚀剂浓度进行实时测定，并且也没有将抗蚀剂恒定地控制在规定的浓度。
因此，这时的水分浓度、羟胺浓度和溶解的抗蚀剂浓度随着时间而变化，不能保持一定，导致产生抗蚀剂的剥离残渣或金属氧化物残渣，从而难以对液晶基板进行高精度尺寸的精度控制，使制品的质量不稳定并使合格率降低。
另外，由于更换溶液时需要停止操作(停机时间)，从而导致实动率大幅度地降低，并且伴随着抗蚀剂剥离液的更换作业，必须多花费一笔运行费用。
鉴于上述的种种问题，本发明的目的是要解决上述现有技术存在的问题，既能在液晶基板制造工艺中适合于大量生产，可以发挥按照简便的现有技术进行在线输送方式的优点，而且又能在半导体的制造工序中发挥硅晶片盒装处理方式的优点。
也就是说，本发明的目的是，只要准备好具有规定成分比例的原液，就能按照规定的水分浓度、羟胺浓度和溶解的抗蚀剂浓度自动地控制抗蚀剂剥离液，并且能够对抗蚀剂剥离处理槽的溶液补给进行适当的控制，而且能将抗蚀剂剥离性能长时间保持恒定，削减原液的使用量，确保安全，大幅度地缩短操作的停止时间，可以降低综合的生产成本。
本发明通过实验确认，抗蚀剂剥离处理槽的抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度，如
图11所示，与溶液的吸光度有密切的关系(高度的线性关系)，因此溶解的抗蚀剂浓度可以通过测定吸光度的方法来调整和控制。另外，通过实验确认，抗蚀剂剥离液中的水分浓度，如图7所示，与溶液的吸光度之间也有密切的关系(高度的线性关系)，因此，水分浓度也可通过测定吸光度的方法来调整和控制。进而，本发明还通过实验确认，抗蚀剂剥离液中羟胺的浓度，如图8所示，与溶液的吸光度也有密切的关系(高度的线性关系)，因此，羟胺的浓度也可通过测定吸光度的方法来调整和控制，因此，在水分浓度、羟胺浓度和抗蚀剂浓度这3种成分的浓度中，至少可以将其中的一种单独地控制，或者对这几种成分的浓度同时地控制。
也就是说，为了达到上述目的，本发明的抗蚀剂剥离液控制装置的特征在于，该控制装置具有一个用于将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水和预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种，通过液面调节机构供给到抗蚀剂剥离处理槽中，从而保持恒定液位的液面调节·液体补给装置；以及一个用于通过吸光光度计测定该抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中的羟胺浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的测定羟胺浓度·液体补给装置(以下称为第二补给装置)(参考图1)。
另外，本发明的抗蚀剂剥离液控制装置的特征在于，该控制装置具有一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度，并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水以及预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的测定抗蚀剂浓度·液体补给装置(以下称为第一补给装置)；以及一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中的羟胺浓度，并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的第二补给装置(参见图2)。
另外，本发明的抗蚀剂剥离液控制装置的特征在于，该控制装置具有一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水以及预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的第一补给装置；以及一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中的水分浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的测定水分浓度·液体补给装置(以下称为第三补给装置)。(参见图3)。
另外，本发明的抗蚀剂剥离液控制装置的特征在于，该控制装置具有一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中的羟胺浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的第二补给装置；以及一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中的水分浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的第三补给装置(参见图4和图6)。
另外，本发明的抗蚀剂剥离液控制装置的特征在于，该控制装置具有一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水以及预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的第一补给装置；一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中的羟胺浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的第二补给装置；以及一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中的水分浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的第三补给装置(参见图5)。
作为抗蚀剂剥离原液，例如可以使用二甲亚砜类原液、N-甲基吡咯烷酮类原液、二甘醇类原液、链烷醇胺和乙二醇醚类溶剂的混合原液，或者向这些原液中加入纯水或各种添加剂后形成的原液等。
作为链烷醇胺，可以举出单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、氨乙基乙醇胺、N-甲基-N,N-二乙醇胺、N,N-二丁基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、3-氨基-1-丙醇等。
作为乙二醇醚类溶剂，可以举出丁基二甘醇、二甘醇单甲醚、二甘醇单乙醚、二甘醇单丙醚等。
作为各种添加剂，可以举出邻苯二酚、还原剂、金属防蚀剂、螯合剂等。
下面参照附图详细地说明本发明的较佳实施方案。但是，在这些实施方案中记载的构成设备的形状，它们的相对配置等不限于这些特定记载的情况，这些实施方案不能作为对本发明范围的限定，它们只不过是一些说明例。
图1是表示本发明第1实施方案的抗蚀剂剥离液控制装置的系统图。图中的参考编号1～13是构成已往已知抗蚀剂剥离处理装置的设备。也就是说，已往的抗蚀剂剥离处理装置由下列设备构成，包括用于贮存抗蚀剂剥离液的抗蚀剂剥离处理槽1、溢流槽2、液位计3、抗蚀剂剥离室罩4、抗蚀剂剥离液喷雾器7、用于向抗蚀剂剥离液喷头供液的送液泵8、用于除去抗蚀剂剥离液中细微粒子等固体物的过滤器9、用于载置基板并将其连续地移动以便将抗蚀剂剥离的辊式传送机5、基板6、用于使抗蚀剂剥离液清净化并进行搅拌的循环泵11、用于除去细微粒子的过滤器13、以及N2气、纯水等的输送配管类等。
根据本发明，在上述抗蚀剂剥离处理装置中设置的设备有用于测定羟胺浓度的吸光光度计15、排液泵19、抗蚀剂剥离原液供应罐20、用于供应抗蚀剂剥离原液的流量调节阀24、羟胺溶液供应罐21、用于供应羟胺溶液的流量调节阀25、抗蚀剂剥离新液供应罐22、用于供应抗蚀剂剥离新液的流量调节阀26、用于供应纯水的流量调节阀27、以及用于连接各个设备的配管类和电气仪表类或空气计量仪表类等。
作为补给液的有抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、抗蚀剂剥离新液和纯水，但是这些补给液未必全部都需要，可以根据抗蚀剂剥离液的组成、浓度变化的程度、设备条件、运输条件、补给液的获得条件等来选择最适合的补给液和供给装置。另外，下述有关图2～6的参考编号与上述相同。
作为羟胺溶液，可以使用羟胺的水溶液(例如50％的水溶液)，但是羟胺与其他溶剂的混合液、100％的羟胺液体等也可以使用。
贮存在抗蚀剂剥离处理槽1中的液体量应足够供给抗蚀剂剥离液喷雾器7所需的数量，从控制工艺的稳定性考虑，该条件是必要的。如图1所示，在通常情况下，抗蚀剂剥离处理槽1的液位应在未满溢流的液位计附近位置运转。
液位计3用于测定在抗蚀剂剥离处理工艺中由于液体附着在基板上而被带出系统之外所引起的自然减量所造成的液位降低值，或者用于测定强制地排出那些抗蚀剂剥离性能已劣化的溶液时所造成的液位降低值，这是为了将抗蚀剂剥离处理槽1的液量控制在一定的范围内。这时，通过驱动排出泵19而使抗蚀剂剥离劣化液从排放用配管流出。另外，有时也可使劣化液不经由排放用配管而直接抽出到系统之外。
例如，用于贮存由单乙醇胺(以下简称为MEA)与基基二甘醇(以下简称为BDG)按规定浓度形成的混合液的抗蚀剂剥离原液供应罐20，接受来自配管23的N2气而被加压至1～2kgf/cm2的压力，这时只要打开抗蚀剂剥离原液流量调节阀24即能将抗蚀剂剥离原液压送出来。
用于贮存羟胺溶液的羟胺溶液供应罐21接受来自配管23的氮气而被加压至1～2kgf/cm2的压力，这时只要打开羟胺溶液流量调节阀25即将羟胺溶液压送出来。
用于贮存抗蚀剂剥离新液的抗蚀剂剥离新液供应罐22接受来自配管23的氮气而被加压至1～2kgf/cm2的压力，这时只要打开抗蚀剂剥离新液流量调节阀26即能将抗蚀剂剥离新液压送出来。
纯水在打开纯水流量调节阀27时即通过处于配管上的支管而被送出来。
这些补给液通过各自的调节阀而进行自动调节和送液，然后在管路28中合流并接着流入管路12，这些补给液在循环流动中混合，然后流入抗蚀剂剥离处理槽1中。
另外，这些补给液也可以不合流而是各自与管路12或抗蚀剂剥离处理槽1相连接。
另外，来自管路14的试料液被导入在抗蚀剂剥离液喷雾用管路10线上设置的吸光光度计15中并连续测定其吸光度，经过测定的料液经由管路18而返回管路10中。
图2是表示本发明第2实施方案的装置系统图。按照本实施方案，来自管路14的试料液被导入在抗蚀剂剥离液喷雾用管路10线上设置的用于测定羟胺浓度的吸光光度计15和用于测定溶解的抗蚀剂浓度的吸光光度计16(例如，两器构成一体)中，分别地连续测定该试料液的吸光度，测定出的试料液经由管路18而返回管路10中。
另外，也可将吸光光度计15和吸光光度计16分开地设置，并使用一种测定用的循环泵将料液导入吸光光度计15和吸光光度计16中。
另外，如图2所示，在通常情况下，抗蚀剂剥离处理槽1的液位在溢流堰的位置附近运转。在补给新鲜补给液的情况下，来自溢流堰的劣化抗蚀剂剥离液自动地进行溢流排出。另外，排出泵19并不是必要的，可以设置一个阀来代替排出泵19。
其他的构成等与图1的情况相同。
图3是表示本发明第3实施方案的装置系统图。按照本实施方案，来自管路14的试料液被导入在抗蚀剂剥离液喷雾用管路10线上设置的用于测定溶解的抗蚀剂浓度的吸光光度计16和用于测定水分浓度的吸光光度计17(例如，两器构成一体)中，分别地连续测定该试料液的吸光度，测定过的试料液经由管路18而返回管路10中。
另外，如图3所示，在通常情况下，抗蚀剂剥离处理槽1的液位在溢流堰的位置附近运转。其他的构成等与图1和图2的情况相同。
图4是表示本发明第4实施方案的装置系统图。按照本实施方案，来自管路14的试料液被导入在抗蚀剂剥离液喷雾用管路10线上设置的用于测定羟胺浓度的吸光光度计15和用于测定水分浓度的吸光光度计17(例如，两器构成一体)中，分别地连续测定该试料液的吸光度，测定过的试料液经管路18而返回管路10中。
另外，如图4所示，在通常情况下，抗蚀剂剥离处理槽1的液位在溢流堰的位置附近运转。其他的构成等与图1和图2的情况相同。
图5是表示本发明第5实施方案的装置系统图。按照本实施方案，来自管路14的试料液被导入在抗蚀剂剥离液喷雾用管路10线上设置的用于测定羟胺浓度的吸光光度计15和用于测定溶解的抗蚀剂浓度的吸光光度计16以及用于测定水分浓度的吸光光度计17(例如，3器构成一体)中，分别地连续测定该试料液的吸光度，测定过的试料液经由管路18而返回管路10中。
另外，如图5所示，在通常情况下，抗蚀剂剥离处理槽1的液位在溢流堰的位置附近运转。其他的构成等与图1和图2的情况相同。
图6是表示本发明第6实施方案的装置系统图。本实施方案是一种盒装处理方式，其中，使用一种用于代替图4中辊式传送机5的装载机进行盒子33的搬入和搬出，在盒子33中排列着基板34(例如，排列着用于制造半导体的硅晶片20片)。
按照本实施方案，来自管路14的料液被导入在抗蚀剂剥离液喷雾用管路10线上设置的用于测定羟胺浓度的吸光光度计15和用于测定水分浓度的吸光光度计17(例如，两器构成一体)中，分别地连续测定该料液的吸光度，测定过的料液经由管路18而返回管路10中。
另外，如图6所示，在通常情况下，抗蚀剂剥离处理槽1的液位在溢流堰的位置附近运转。其他的构成等与图4的情况相同。
下面对图1～6中所示实施方案的装置的控制系统进行说明。
液位计3与抗蚀剂剥离处理槽1的液位、吸光光度计15与抗蚀剂剥离液的羟胺浓度、吸光光度计16与抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度、吸光光度计17与抗蚀剂剥离液中的水分浓度；基本上以它们各自的独立功能起作用，但是本发明的特征在于，由这些功能中两种以上的功能相互补充而实现本发明的功能。
另外，必须根据操作的实际情况或计算值把制品基板的质量控制上所必须的抗蚀剂剥离液中羟胺浓度的目标值、抗蚀剂剥离液中水分浓度的目标值、溶解的抗蚀剂浓度的浓缩极限值等预先设定在各个控制器中。
以下解释使用一种由MEA、BDG、羟胺和纯水形成的混合溶液作为抗蚀剂剥离液的实施例。
通常，主要由于伴随吹氮气引起的水分蒸发以及随着基板处理数的增加，使得保持在约65℃恒定液温下的抗蚀剂剥离液的水分浓度逐渐降低，因此导致抗蚀剂剥离液的抗蚀剂剥离性能劣化。
因此，必须将水分浓度控制在规定的目标值，例如在24.0±1.0％的范围内。过去都是根据按经验得知的与基板处理片数的关系或化学分析等来判断抗蚀剂剥离液劣化的程度，但是这样难以迅速而正确地把握。
本发明人通过实验来研究抗蚀剂剥离液中的水分浓度与吸光度之间的关系，吸光度的测定波长适宜在近红外线区域的950nm～1010nm的范围，特别是在976nm附近具有良好的灵敏度。
另外，在从近红外线区域选择测定波长时，可以根据剥离液和抗蚀剂的种类和浓度分别地选用。
如图7所示，测定波长λ=976nm时的吸光度与水分浓度之间存在高度的线性关系，由于测出了吸光度，从而能够正确地测出水分浓度。
如图3、4、5、6所示，在管路10线上设置的吸光光度计17(吸光光度计15和/或吸光光度计16可以按一体式或分体式，或者单独地设置)具有用于使测定误差成为最小值的各种补偿功能，和吸光度控制器32。把由管路10导入的试料液的吸光度测定值输入吸光度控制器32，将该数值作为目标值，然后根据输出信号和在自动控制流量调节阀24、25、27的条件下补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种，以便将水分浓度调整到目标值。
另外，抗蚀剂剥离液中的羟胺具有仅次于水的低沸点，由于与水分的共沸蒸发而使其浓度逐渐减少，从而使抗蚀剂剥离液的抗蚀剂剥离性能劣化。
因此，必须将羟胺浓度控制在规定的目标值，例如在6.0±1.0％的范围内。过去都是根据按经验得知的与基板处理片数的关系或化学分析等来判断抗蚀剂剥离液劣化的程度，但是这样难以迅速而正确地把握。
本发明人通过实验来研究抗蚀剂剥离液的羟胺浓度与吸光度之间的关系，吸光度的测定波长适且在近红外线区域的1050nm～1090nm的范围，特别是在其他成分影响较小的1074nm附近具有很优良的灵敏度。
另外，在从近红外线区域选择测定波长时，可以根据剥离液和抗蚀剂的种类和浓度分别地选用。
如图8所示，测定波长λ=1074nm时的吸光度与羟胺浓度之间存在高度的线性关系，由于测出了吸光度，从而能够正确地测出羟胺的浓度。
如图1、2、4、5、6所示，在管路10线上设置的吸光光度计15具有用于使测定误差成为最小值的各种补偿功能和吸光度控制器30。把由管路10导入的试料液的吸光度测定值输入吸光度控制器30，将该数值作为目标值，然后根据输出信号和在自动控制流量调节阀24、25、27的条件下补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种，以便将羟胺浓度调整到目标值。
抗蚀剂剥离性能的劣化除了与上述的水分浓度和羟胺浓度有关之外，还与溶解的抗蚀剂浓度有关。基板处理用的抗蚀剂剥离液通过送液泵8而从抗蚀剂剥离槽1取出，再经过抗蚀剂剥离液喷雾器7而循环使用，因此，被溶解的物质在抗蚀剂剥离液中逐渐浓缩。其中，主要的溶解物质是抗蚀剂，如图9中作为操作例示出的那样，抗蚀剂的浓度随着基板处理数目的增加而逐渐浓缩，结果是抗蚀剂剥离性能显著劣化。过去没有对这种浓度变化进行实时测定，而且没有将抗蚀剂剥离性能控制在一定数值。图9的曲线表示使用由MEA、BDG、羟胺和纯水组成的混合液时获得的曲线。
也就是说，虽然可以将基板的处理数目作为劣化指标，但是，由于基板的形状或抗蚀剂的膜厚或抗蚀剂的剥离方式不一定，所以从每种基板上溶解下来的抗蚀剂的量是不相同的，因此以处理的基板数作为判定的主要因素是不合理的。
本发明人为了对由于抗蚀剂剥离液中的抗蚀剂浓缩引起的污染状态进行研究，主要是对抗蚀剂浓度与吸光度的关系进行测定，通过实验，获得了如图10和图11所示的结果。由图11可以看出，溶解的抗蚀剂浓度与吸光度之间呈高度的线性关系，不受水分浓度等的影响，因此可以不根据基板处理的数目就能判断由溶解的抗蚀剂浓度本身所决定的抗蚀剂剥离性能的极限值。作为测定溶解的抗蚀剂浓度的适当的测定波长，使用λ=560nm。另外，当从可见光区域的400nm至近红外区域的800nm的范围内选择测定波长时，可以根据抗蚀剂的种类或浓度分别地选择使用。
如图2、3、5所示，在管路10线上设置的吸光光度计16具有用于使测定误差成为最小值的各种补偿功能和吸光度控制器31。吸光光度计16连续地测定抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度，并据此测出是否超出了劣化极限值，根据吸光度控制器31的输出信号补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水和预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种并通过流量调节阀24、25、26、27自动控制补给量以便将溶解的抗蚀剂浓度调整至目标值。补给新鲜补给液的结果是将溶解的抗蚀剂的浓度稀释到劣化的极限值，从而使其恢复了抗蚀剂的剥离性能。
如图1所示，液位计3与液位控制器29相连接(虽然只有图1示出了液位控制器29，但是图2～6也同样安装有液位控制器)，其作用是测出由于抗蚀剂剥离液附着在基板上并被带到后续的工序中而造成的自然减量所引起的液位降低值，并根据液位控制器29的输出信号补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水和预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种，同时通过流量调节阀24、25、26、27自动控制各种补给液，从而使液位恢复到原来状态。
其结果是补给了新鲜的补给液，稀释了溶解的抗蚀剂的浓度，从而恢复其抗蚀剂剥离性能。
下面描述图1中所示的第1实施方案的装置与所希望的控制系统的功能之间的关系。
本实施方案主要适用于使用一种在抗蚀剂剥离液中的水分浓度较小的剥离液的情况，或者，在抗蚀剂剥离处理时对羟胺浓度的控制很重要的情况等。
当抗蚀剂剥离处理槽1处于空槽还原浴时，液位计3测出处理槽是空的，根据液位控制器29的输出信号送入抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水和预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种，并通过流量调节阀24、25、26、27分别进行自动控制送液，从而使液位达到设定位置。
通常是根据液位控制器29的输出信号送入预先调配好的抗蚀剂剥离新液。另外，根据液面控制器29的输出信号可以调节流量调节阀24、25、27的阀开度，按照适当的流量比来送液，以便使抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水达到与抗蚀剂剥离新液大体上同等的浓度。
然后，吸光光度计15连续地测定还原浴时抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器30的输出信号，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种，在适当微小流量和调节流量调节阀24、25和27中至少一个调节阀的阀开度的条件下送液，据此进行自动控制以便使羟胺浓度符合目标值。
接着，在开始进行抗蚀剂剥离处理后，发生水分浓度的下降、羟胺浓度的下降、由于处理液被基板带出而导致溶液量的减少以及溶解的抗蚀剂浓缩。
在羟胺的浓度下降时，吸光光度计15连续地测定抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器30的输出信号，在适当微小流量和调节流量调节阀25的阀开度的条件下送入羟胺溶液，据此进行自动控制以便使羟胺浓度符合目标值。另外，在羟胺的浓度下降时，水分浓度也随之下降，因此，根据吸光度控制器30的输出信号，在适当微小流量和调节流量调节阀27的阀开度的条件下送入纯水，也可以附加一个自动控制机构，以便将水分浓度调节到规定范围内。
在由于液体被基板带出而使溶液量减少的情况下，液位计3测出下降的液位，根据液位控制器29的输出信号，通过流量调节阀26送入预先调配好的抗蚀剂剥离新液。另外，也可以不送入抗蚀剂剥离新液而是根据液位控制器29的输出信号，按照适当的流量比和在调节流量调节阀24、25、27的阀开度的条件下送入抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水，以使其达到所需的浓度。
下面描述图2中所示的第2实施方案的装置与所希望的控制系统的功能之间的关系。
本实施方案主要适用于使用一种在抗蚀剂剥离液中水分浓度较小的剥离液的情况，或者，在抗蚀剂剥离处理时对羟胺浓度的控制很重要的情况等。
当抗蚀剂剥离处理槽1处于空槽还原浴时，例如，按照手动操作，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水和预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种，通过流量调节阀24、25、26、27分别送液，使液位达到规定位置。
通常按照手动操作送入预先调配好的抗蚀剂剥离新液。另外，也可以在按照适当的流量比和调节流量调节阀24、25、27的阀开度的条件下送入抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水，以便使它们达到与抗蚀剂剥离新液大体上同等的浓度。
然后，吸光光度计15连续地测定还原浴时抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器30的输出信号，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种，在适当微小流量和调节流量调节阀24、25和27中至少一个调节阀的阀开度的条件下送液，据此进行自动控制以便使羟胺浓度符合目标值。
随着抗蚀剂剥离处理的进行，发生水分浓度的下降、羟胺浓度的下降、由于处理液被基板带出而导致溶液量的减少以及溶解的抗蚀剂浓缩。
在羟胺的浓度下降时，吸光光度计15连续地测定抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器30的输出信号，在适当微小流量和调节流量调节阀25的阀开度的条件下送入羟胺溶液，据此进行自动控制以便使羟胺浓度符合目标值。另外，在羟胺的浓度下降时，水分浓度也随之下降，因此，根据吸光度控制器30的输出信号，在适当微小流量和调节流量调节阀27的阀开度的条件下送入纯水，也可以附加一个自动控制机构，以便将水分浓度调节到规定范围内。
当溶解的抗蚀剂浓缩而使其浓度达到劣化的极限值时，吸光光度计16连续地测定抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度，当测得抗蚀剂浓度超过劣化极限值时，根据吸光度控制器31的输出信号通过流量调节阀26送入预先调配好的抗蚀剂剥离新液。
另外，也可以不送入抗蚀剂剥离新液而是根据吸光度控制器31的输出信号，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水，按照适当的流量比和在调节流量调节阀24、25、27的阀开度的条件下送液，以便使上述成分达到规定的浓度。
其结果，由于补给了新鲜的补给液，将溶解的抗蚀剂浓度稀释到劣化极限值，从而恢复了抗蚀剂剥离性能。
由于液位于溢流用堰的位置附近，所以在补给入补给液时，已劣化的抗蚀剂剥离液就从溢流用堰处溢流出来。
当由于基板将溶液带出而使液量减少时，液位要比溢流用堰的位置略低一些。
下面描述图3中所示的第3实施方案的装置与所希望的控制系统的功能之间的关系。
本实施方案主要适用于使用一种在抗蚀剂剥离液中水分浓度较大的剥离液的情况，或者，在抗蚀剂剥离处理时对水分浓度的控制很重要的情况等。
当抗蚀剂剥离处理槽1处于空槽还原浴时，例如，按照手动操作，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水和预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种，通过流量调节阀24、25、26、27分别送液，使液位达到规定位置。
通常按照手动操作送入预先调配好的抗蚀剂剥离新液。另外，也可以在按照适当的流量比和调节流量调节阀24、25、27的阀开度的条件下送入抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水，以便使它们达到与抗蚀剂剥离新液大体上同等的浓度。
然后，吸光光度计17连续地测定还原浴时抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器32的输出信号，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种，在适当微小流量和调节流量调节阀24、25和27中至少一个调节阀的阀开度的条件下送液，据此进行自动控制以便使水分浓度等符合目标值。
随着抗蚀剂剥离处理的进行，发生水分浓度的下降、羟胺浓度的下降、由于处理液被基板带出而导致溶液量的减少以及溶解的抗蚀剂浓缩。
在水分浓度下降时，吸光光度计17连续地测定抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器32的输出信号，在适当微小流量和调节流量调节阀27的阀开度的条件下送入纯水，据此进行自动控制以便使水分浓度符合目标值。另外，在水分浓度下降时，羟胺浓度也随之下降，因此，根据吸光度控制器32的输出信号，在适当微小流量和调节流量调节阀25的阀开度的条件下送入羟胺溶液，也可以附加一个自动控制机构，以便将羟胺浓度调节到规定范围内。
当溶解的抗蚀剂浓缩而使其浓度达到劣化极限值时，吸光光度计16连续地测定抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂的浓度，当测得抗蚀剂浓度超过劣化极限值时，根据吸光度控制器31的输出信号通过流量调节阀26送入预先调配好的抗蚀剂剥离新液。
另外，也可以不送入抗蚀剂剥离新液而是根据吸光度控制器31的输出信号，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水，按照适当的流量比和在调节流量调节阀24、25、27的阀开度的条件下送液，以便使上述成分达到规定的配合浓度。
其结果，由于补给了新鲜的补给液，将溶解的抗蚀剂浓度稀释到劣化极限值，从而恢复了抗蚀剂剥离性能。
由于液位处于溢流用堰的位置附近，所以在补给入补给液时，已劣化的抗蚀剂剥离液就从溢流用堰处溢流出来。
当由于基板将溶液带出而使液量减少时，液位要比溢流用堰的位置略低一些。
下面描述图4中所示的第4实施方案的装置与所希望的控制系统的功能之间的关系。
本实施方案主要适用于处理一种抗蚀剂溶解量小的基板的情况，或者，在补给液量大而使得溶解的抗蚀剂浓度没有上升的情况等。
当抗蚀剂剥离处理槽1处于空槽还原浴时，例如，按照手动操作，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水和预先是调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种，通过流量调节阀24、25、26、27分别送液，使液位达到规定位置。
通常按照手动操作送入预先调配好的抗蚀剂剥离新液。另外，也可以在按照适当的流量比和调节流量调节阀24、25、27的阀开度的条件下送入抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水，以便使它们达到与抗蚀剂剥离新液大体上同等的浓度。
然后，吸光光度计15连续地测定还原浴中抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器30的输出信号，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种，在适当微小流量和调节流量调节阀24、25和27中至少一个调节阀的阀开度的条件下送液，据此进行自动控制以便使羟胺浓度符合目标值。
另外，吸光光度计17连续地测定还原浴中抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器32的输出信号，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种，在适当微小流量和调节流量调节阀24、25和27中至少一个调节阀的阀开度的条件下送液，据此进行自动控制以便使水分浓度符合目标值。
随着抗蚀剂剥离处理的进行，发生水分浓度的下降、羟胺浓度的下降、由于处理液被基板带出而导致溶液量的减少以及溶解的抗蚀剂浓缩。
在水分浓度下降时，吸光光度计17连续地测定抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器32的输出信号，在适当微小流量和调节流量调节阀27的阀开度的条件下送入纯水，据此进行自动控制以便使水分浓度符合目标值。
在羟胺的浓度下降时，吸光光度计15连续地测定抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器30的输出信号，在适当微小流量和调节流量调节阀25的阀开度的条件下送入羟胺溶液，据此进行自动控制以便使羟胺浓度符合目标值。
下面描述图5中所示的第5实施方案的装置与所希望的控制系统的功能之间的关系。
本实施方案主要适用于水分浓度、羟胺浓度和溶解的抗蚀剂浓度中任一项皆为重要的控制项目的情况等。
当抗蚀剂剥离处理槽1处于空槽还原浴时，例如，按照手动操作，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水和预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种，通过流量调节阀24、25、26、27分别送液，使液位达到规定位置。
通常按照手动操作送入预先调配好的抗蚀剂剥离新液。另外，也可以在按照适当的流量比和调节流量调节阀24、25、27的阀开度的条件下送入抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水，以便使它们达到与抗蚀剂剥离新液大体上同等的浓度。
然后，吸光光度计15连续地测定还原浴中抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器30的输出信号，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种，在适当微小流量和调节流量调节阀24、25和27中至少一个调节阀的阀开度的条件下送液，据此进行自动控制以便使羟胺浓度符合目标值。
另外，吸光光度计17连续地测定还原浴中抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器32的输出信号，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种，在适当微小流量和调节流量调节阀24、25和27中至少一个调节阀的阀开度的条件下送液，据此进行自动控制以便使水分浓度符合目标值。
随着抗蚀剂剥离处理的进行，发生水分浓度的下降、羟胺浓度的下降、由于处理液被基板带出而导致溶液量的减少以及溶解的抗蚀剂浓缩。
在水分浓度下降时，吸光光度计17连续地测定抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器32的输出信号，在适当微小流量和调节流量调节阀27的阀开度的条件下送入纯水，据此进行自动控制以便使水分浓度符合目标值。
在羟胺的浓度下降时，吸光光度计15连续地测定抗蚀剂剥离液的吸光度，根据吸光度控制器30的输出信号，在适当微小流量和调节流量调节阀25的阀开度的条件下送入羟胺溶液，据此进行自动控制以便使羟胺浓度符合目标值。
当溶解的抗蚀剂浓缩而使其浓度达到劣化极限值时，吸光光度计16连续地测定抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂的浓度，当测得抗蚀剂浓度超过劣化极限值时，根据吸光度控制器31的输出信号通过流量调节阀26送入预先调配好的抗蚀剂剥离新液。
另外，也可以不送入抗蚀剂剥离新液而是根据吸光度控制器31的输出信号，将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水，按照适当的流量比和在调节流量调节阀24、25、27的阀开度的条件下送液，以便使上述成分达到规定的配合浓度。
其结果，由于补给了新鲜的补给液，将溶解的抗蚀剂浓度稀释到劣化极限值以下，从而恢复了抗蚀剂剥离性能。
由于液位处于溢流用堰的位置附近，所以在补给入补给液时，已劣化的抗蚀剂剥离液就从溢流用堰处溢流出来。
当由于基板将溶液带出而使液量减少时，液位要比溢流用堰的位置略低一些。
下面描述图6中所示的第6实施方案的装置。
本实施方案主要适用于在一般情况下按盒式排列来处理一种抗蚀剂溶解量小的硅晶片的情况等。
关于与该控制系统的功能有关的情况与图4中所示的情况相同。
本发明人通过实验确认，如上所述，如果按照相互补充的关系来运用基于各种控制功能的结果，即可以容易地实现抗蚀剂剥离性能的恢复、连续作业以及抗蚀剂剥离液使用量的削减。
下面，为了获得对概念的理解，在图12～图17中示出了本发明与现有技术方法作业模式的效果对比。按照现有技术的方法，如图12所示那样，在开始时的水分浓度例如为25.0重量％，该浓度随着时间的经过而逐渐下降，例如在降低到10.0重量％(化学分析值)时进行溶液更换。在该情况下，水分浓度随时间的变化呈锯齿状，也就是在水分浓度方面存在变化较大的情况，所以抗蚀剂剥离性能不恒定。
但是，如果使用本发明的装置，正如图13所示那样，即使随着时间的经过，水分浓度也恒定在例如24.0±1.0重量％，因此其抗蚀剂剥离性能恒定，同时也不必进行溶液更换作业。
另外，按照现有技术的方法，如图14所示那样，在起动时的羟胺浓度例如为7.0重量％，该浓度随着时间的经过而逐渐下降，例如在降低到2.0重量％(化学分析值)时进行溶液更换。在该情况下，羟胺浓度随时间的变化呈锯齿状，也就是在羟胺浓度方面存在变化较大的情况，所以抗蚀剂剥离性能不恒定。
但是，如果使用本发明的装置，正如图15所示那样，即使随着时间的经过，羟胺浓度也恒定在例如6.0±1.0重量％，因此其抗蚀剂剥离性能稳定，同时也不必进行溶液更换作业。
另外，按照现有技术的方法，如图16所示那样，在开始时的抗蚀剂浓度随着时间的经过而逐渐增加，当该浓度达到会导致抗蚀剂剥离性能降低的数值范围时就需进行溶液更换。在该情况下，如图16所示那样，溶解的抗蚀剂的浓度随时间的变化呈锯齿状，也就是溶解的抗蚀剂的浓度存在变化较大的情况，所以抗蚀剂剥离性能不恒定。
但是，如果使用本发明的装置，正如图17所示那样，溶解的抗蚀剂浓度在经过某一段时间之后仍保持恒定，抗蚀剂剥离性能稳定，同时也不必进行溶液更换作业。
另外，本发明不仅限于在上面述及的使用MEA、BDG、羟胺和纯水组成的溶液作为抗蚀剂剥离液的情况，同时，在使用由有机碱和羟胺和纯水组成的溶液、由有机溶剂和羟胺和纯水组成的溶液、由有机碱和有机溶剂和羟胺和纯水组成的溶液、由有机碱和有机溶剂和羟胺和纯水和添加剂组成的溶液、或者在这些溶液中几乎不含纯水的溶液作为抗蚀剂剥离液的情况下也适用于本发明。
本发明具如上所述的构成，因此具有如下所述的效果。
(1)本发明适用于半导体或液晶基板的抗蚀剂剥离工序，能够实时地连续监视抗蚀剂剥离液中的水分浓度、羟胺浓度和/或溶解的抗蚀剂浓度，能够将这些浓度稳定而且精确地分别控制在规定的浓度范围。
因此，基板的抗蚀剂剥离性能也达到稳定化，从而大幅度地提高了制品的合格率。
另外，抗蚀剂剥离液在通常的使用状态下没有闪点，因此确保了安全性，同时可以按照稳定的液位进行长时间的连续作业。
(2)由于使用廉价的抗蚀剂剥离液，并能将该剥离液的质量保持恒定以及可以进行连续作业，因此达到了没有用于更换溶液的停机时间和无用的废弃物，溶液使用量和剥离液的成本都大幅度地减少，由于实动率的提高而使生产率大幅度地提高，由于无人化而使劳务费用降低等各方面综合的效果。
(3)由于将羟胺浓度控制在规定值，因此可以确实地除去附着在基板上的硅氧化物和铝氧化物等。
因此，不会产生剥离残渣和金属氧化物残渣，而且几乎不会产生劣质品。
(4)在使用已往的由有机碱和有机溶剂组合而成的抗蚀剂剥离液的情况下，作为基板的处理温度必须达到80℃左右，但是在使用本发明装置的情况下，由于含有适量的羟胺，因此可以将基板的处理温度降低到40℃左右。
因此，可以减轻对用于形成基板或半导体线路的底层金属所造成的损害。
对附图的简单说明图1是表示本发明第1实施方案的抗蚀剂剥离液控制装置的系统图。
图2是表示本发明第2实施方案的抗蚀剂剥离液控制装置的系统图。
图3是表示本发明第3实施方案的抗蚀剂剥离液控制装置的系统图。
图4是表示本发明第4实施方案的抗蚀剂剥离液控制装置的系统图。
图5是表示本发明第5实施方案的抗蚀剂剥离液控制装置的系统图。
图6是表示本发明第6实施方案的抗蚀剂剥离液控制装置的系统图。
图7是表示本发明中所用的剥离液中水分浓度与吸光度的关系的曲线图。
图8是表示本发明中所用的剥离液中羟胺浓度与吸光度之间关系的曲线图。
图9是表示在使用本发明的抗蚀剂剥离液时，抗蚀剂剥离处理的基板数与溶解的抗蚀剂浓度之间的关系的曲线图。
图10是表示本发明中抗蚀剂剥离处理的基板数与溶解的抗蚀剂浓度测定用吸光度之间关系的曲线图。
图11是表示本发明的抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度与吸光度之间关系的曲线图。
图12是表示在现有技术方法中的水分浓度与作业时间之间关系的曲线图。
图13是表示在使用本发明的装置时水分浓度与作业时间关系的曲线图。
图14是表示在现有技术方法中的羟胺浓度与作业时间关系的曲线图。
图15是表示在使用本发明的装置时羟胺浓度与作业时间关系的曲线图。
图16是表示在现有技术方法中溶解的抗蚀剂浓度与作业时间关系的曲线图。
图17是表示在使用本发明的装置时溶解的抗蚀剂浓度与作业时间关系的曲线图。
对符号的说明1．抗蚀剂剥离处理槽3．液位计5．辊式传送器6．基板7．抗蚀剂剥离液喷雾器8．送液泵11．循环泵15．吸光光度计16．吸光光度计17．吸光光度计19．排出泵20．抗蚀剂剥离原液供应罐21．羟胺溶液供应罐22．抗蚀剂剥离新液供应罐24．原液流量调节阀25．羟胺溶液流量调节阀
26．新液流量调节阀27．纯水流量调节阀29．液位控制器30．吸光度控制器31．吸光度控制器32．吸光度控制器33．盒子34．基板(硅晶片)
权利要求
1．一种抗蚀剂剥离液控制装置，其特征在于，该控制装置具有一个用于将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水和预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种，通过液面调节机构供给到抗蚀剂剥离处理槽中，从而保持恒定液位的液面调节·液体补给装置；以及一个用于通过吸光光度计测定该抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中的羟胺浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的羟胺浓度测定·液体补给装置。
2．一种抗蚀剂剥离液控制装置，其特征在于，该控制装置具有一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度，并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水以及预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的抗蚀剂浓度测定·液体补给装置；以及一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中的羟胺浓度，并据此将抗蚀剂剥离原液。羟胺深液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的羟胺浓度测定·液体补给装置。
3．一种抗蚀剂剥离液控制装置，其特征在于，该控制装置具有一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水以及预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的抗蚀剂浓度测定·液体补给装置；以及一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液的水分浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的水分浓度测定·液体补给装置。
4．一种抗蚀剂剥离液控制装置，其特征在于，该控制装置具有一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中的羟胺浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的羟胺浓度测定·液体补给装置；以及一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液的水分浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的水分浓度测定·液体补给装置。
5．一种抗蚀剂剥离液控制装置，其特征在于，该控制装置具有一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水以及预先调配好的抗蚀剂剥离新液中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的抗蚀剂浓度测定·液体补给装置；一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中的羟胺浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的羟胺浓度浓度测定·液体补给装置；以及一个用于通过吸光光度计测定抗蚀剂剥离处理槽内抗蚀剂剥离液中的水分浓度并据此将抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中的至少一种补给到抗蚀剂剥离处理槽中的水分浓度测定·液体补给装置。
全文摘要
一种在半导体制造工艺或液晶基板制造工艺中对用于剥离抗蚀剂的抗蚀剂剥离液进行控制的装置,其目的是将抗蚀剂剥离液的质量控制恒定,而且削减溶液使用量,减少停机时间并降低成本。该控制装置具有一个用于通过吸光光度计16测定抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度并补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水以及预先调配好的抗蚀剂剥离新液中至少一种的抗蚀剂浓度测定·液体补给装置;以及一个用于通过吸光光度计15测定抗蚀剂剥离液中的羟胺浓度并补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中至少一种的羟胺浓度测定·液体补给装置。
文档编号H01L21/306GK1215850SQ9810831
公开日1999年5月5日 申请日期1998年5月12日 优先权日1997年10月27日
发明者中川俊元, 中川光元, 小川修, 西嶋佳孝, 宝山隆博 申请人:株式会社平间理化研究所, 长濑产业株式会社