加工对象物切断方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于将具备单晶蓝宝石基板的加工对象物切断成各发光元件部来制造多个发光元件的加工对象物切断方法。
【背景技术】
[0002]作为上述技术领域中的现有的加工对象物切断方法，在专利文献I中记载了如下方法:通过切割或者划片在蓝宝石基板的表面和背面形成分离槽，并且通过激光的照射在蓝宝石基板内形成多段加工变质部，并沿着分离槽和加工变质部切断蓝宝石基板的方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献I日本特开2006-245043号公报
【发明内容】
[0006]本发明所要解决的技术问题
[0007]然而，为了将具备具有与c面形成达偏角的角度的表面和背面的单晶蓝宝石基板的加工对象物切断成各个发光元件部，通过激光的照射在单晶蓝宝石基板内形成改质区域，从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂会到达发光元件部，由此有应制造的发光元件的成品率下降的情况。
[0008]在此，本发明的目的是提供一种能够防止从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部的加工对象物切断方法。
[0009]解决技术问题的手段
[0010]本发明人等为了达到上述目的而反复专心研宄的结果，彻底查明:从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部的事实起因于单晶蓝宝石基板中的m面与r面的关系。即，从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的切断预定线形成的改质区域所产生的龟裂的伸展方向相比于m面的影响，更强烈受到相对于m面倾斜的r面的影响，朝r面的倾斜方向拉引，其结果，有该龟裂到达发光元件部的情况。本发明人等基于该认识进一步反复检讨，从而完成本发明。
[0011]即，本发明的一侧面的加工对象物切断方法，是用于将具备具有与c面形成达偏角的角度的表面和背面的单晶蓝宝石基板、以及在表面上包含矩阵状排列的多个发光元件部的元件层的加工对象物切断成各个发光元件部来制造多个发光元件的加工对象物切断方法，具备:以背面作为单晶蓝宝石基板中的激光的入射面，将激光的聚光点对准于单晶蓝宝石基板内，使聚光点沿着以与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的方式设定的多条第I切断预定线的各条相对地移动，由此沿着各条第I切断预定线在单晶蓝宝石基板内形成第I改质区域，并且使从第I改质区域产生的第I龟裂到达表面的第I工序；以及在第I工序之后，沿着各条第I切断预定线使外力作用于加工对象物，由此使第I龟裂伸展，并沿着各条第I切断预定线切断加工对象物的第2工序，在第I工序中，在以从将聚光点对准的位置至表面为止的容许最小距离为e、单晶蓝宝石基板的厚度为t，从背面至将聚光点对准的位置为止的距离为Z，在相邻接的发光元件部之间在与m面平行的方向上延伸的格线区域的宽度为d、表面的第I龟裂的蛇行量为m、与背面垂直的方向与第I龟裂伸展的方向所形成的角度为α的情况下，以满足t-[(d/2)_m]/tana <Z〈t_e的方式，以背面作为入射面，将聚光点对准于单晶蓝宝石基板内，使聚光点沿着各条第I切断预定线相对地移动。
[0012]在该加工对象物切断方法中，在以与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的方式设定的多条第I切断预定线的各条中，以满足t-[(d/2)-m]/tana <Z〈t-e的方式将激光照射在加工对象物，在单晶蓝宝石基板内形成第I改质区域，并且使从第I改质区域产生的第I龟裂到达单晶蓝宝石基板的表面。由此，可以防止起因于激光的照射而导致发光元件部的特性劣化，并且即使从第I改质区域产生的第I龟裂的伸展方向朝r面的倾斜方向拉引，也可以在单晶蓝宝石基板的表面将第I龟裂收在格线区域内。因此，根据该加工对象物切断方法，可以防止从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部。另外，偏角包含0°的情况。在该情况下，单晶蓝宝石基板的表面和背面与c面平行。
[0013]在此，在第2工序中，可以沿着各条第I切断预定线从背面侧将刀缘抵接在加工对象物，由此沿着各第I切断预定线使外力作用于加工对象物。由此，外力以到达单晶蓝宝石基板的表面的第I龟裂裂开的方式作用于加工对象物，因而能够沿着第I切断预定线容易地且精度高地切断加工对象物。
[0014]另外，加工对象物切断方法也可以进一步具备:在第2工序之前，以背面作为入射面，将聚光点对准于单晶蓝宝石基板内，并使聚光点沿着以与单晶蓝宝石基板的a面和背面平行的方式设定的多条第2切断预定线的各条相对地移动，由此沿着各条第2切断预定线在单晶蓝宝石基板内形成第2改质区域的第3工序；以及在第I工序和第3工序之后，沿着各条第2切断预定线使外力作用于加工对象物，由此使从第2改质区域产生的第2龟裂伸展，并沿着各条第2切断预定线切断加工对象物的第4工序。由此，能够沿着第I切断预定线和第2切断预定线容易地且精度高地切断加工对象物。另外，如果第3工序是在第2工序之前，则可以在第I工序之前实施，也可以在第I工序之后实施。另外，如果第4工序是在第I工序和第3工序之后，则可以在第4工序之前实施，也可以在第4工序之后实施。
[0015]发明的效果
[0016]根据本发明，可以提供一种能够防止从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部的加工对象物切断方法。
【附图说明】
[0017]图1是改质区域的形成所使用的激光加工装置的概略结构图。
[0018]图2是成为改质区域的形成的对象的加工对象物的平面图。
[0019]图3是沿着图2的加工对象物的II1-1II线的截面图。
[0020]图4是激光加工后的加工对象物的平面图。
[0021]图5是沿着图4的加工对象物的V-V线的截面图。
[0022]图6是沿着图4的加工对象物的V1-VI线的截面图。
[0023]图7是成为本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法的对象的加工对象物的平面图。
[0024]图8是图7的加工对象物的单晶蓝宝石基板的单位晶格图。
[0025]图9是用于说明本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。
[0026]图10是用于说明图7的加工对象物的格线区域的加工对象物的平面图。
[0027]图11是用于说明本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。
[0028]图12是用于说明本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。
[0029]图13是用于说明本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。
[0030]图14是用于说明本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。
[0031]图15是用于说明本发明的其他的实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。
[0032]图16是用于说明本发明的其他的实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。
[0033]符号的说明:
[0034]I...加工对象物，10...发光兀件，31...单晶蓝宝石基板，31a...表面，31b...背面，32...发光元件部，33...元件层，38...格线区域，44...刀缘，51...切断预定线(第2切断预定线)，52…切断预定线(第I切断预定线)，71…改质区域(第2改质区域)，72…改质区域(第I改质区域)，81…龟裂(第2龟裂)，82…龟裂(第I龟裂)，L...激光，P…聚光点P。
【具体实施方式】
[0035]以下，对于本发明的优选实施方式，参照附图详细说明。另外，在各图中对于相同或相当部分赋予相同符号，并省略重复的说明。
[0036]在本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法中，通过沿着切断预定线将激光照射于加工对象物，从而沿着切断预定线在加工对象物的内部形成改质区域。在此，首先，就该改质区域的形成，参照图1?图6进行说明。
[0037]如图1所示，激光加工装置100具备将激光L脉冲振荡的激光光源101、以将激光L的光轴(光路)的方向改变90°的方式配置的分色镜103、以及用于将激光L聚光