用于制造光电子器件的方法和用于对有机光电子器件进行结构化的方法

文档序号:8227676阅读:210来源:国知局
用于制造光电子器件的方法和用于对有机光电子器件进行结构化的方法
【技术领域】
[0001]在不同的实施方式中,提供一种用于制造光电子器件的方法和用于对有机光电子器件进行结构化的方法。
【背景技术】
[0002]光电子器件、例如有机发光二极管(organic light emitting d1de-OLED)能够具有多个电组件和电子组件,例如具有带有发射体层、载流子传输层、电极、接触盘等的有机功能层结构。
[0003]OLED的供电能够借助于OLED的接触盘与供电装置的端子电连接来构成。
[0004]为了抵御有害物质,光电子器件通常借助薄膜来封装,其中也借助薄膜封装接触盘。
[0005]封装通常在没有掩膜的情况下进行。换言之:光电子器件的整个表面被封装。
[0006]封装件通常能够具有多个进行封装的层,例如SiN、Zr02、Al2O3等。
[0007]通常借助于化学气相沉积进行薄膜封装件在光电子器件上的构成。
[0008]在常规的方法中,通过将薄膜封装件借助于机械地刮掉薄膜封装件或激光剥离薄膜封装件从接触盘移除,露出用于电连接的接触盘。
[0009]然而,在将薄膜封装件从接触盘激光剥离或刮掉时,能够部分地损坏接触盘和/或仅能够将薄膜封装件不完全地从接触盘移除。
[0010]接触盘的损坏的程度和/或在接触盘上残留的薄膜封装件的份额能够与薄膜封装件的质量相关。
[0011]损坏的接触盘或具有残留的薄膜封装件的接触盘能够损害OLED的功能,例如导致接触电压的改变和/或电流电压特征曲线的改变。
[0012]在另一种常规的方法中,能够将薄膜封装件借助于掩膜工艺以结构化的方式化学地从气相沉积到光电子器件上。然而,在掩膜工艺期间,能够造成薄膜封装件的颗粒污染和/或薄膜封装件的刮伤。由此,能够损害对有机发光二级管进行保护以抵御有害物质,由此能够降低光电子器件的使用寿命。
[0013]在另一种常规的方法中,能够借助于原子层沉积(atomic layer deposit1nALD)薄膜封装件的材料在有机发光二极管上构成薄膜封装件。
[0014]借助ALD,在此例如能够构成薄层、例如多层结构。与接触盘的电连接能够借助于穿过薄膜封装件进行接触构成。然而,穿过薄膜封装件进行接触能够导致损坏光电子器件的电特性和/或光电子特性。

【发明内容】

[0015]在不同的实施方式中,提出一种用于制造光电子器件的方法和用于对有机光电子器件进行结构化的方法,借助所述方法可以提高光电子特性的可复现性。
[0016]在本说明书的范围中,能够不考虑相应的聚集态将有机材料理解成以化学一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化学特性的碳化合物。此外,在本说明书的范围中,能够不考虑相应的聚集态将无机材料理解成以化学一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化学特性的不具有碳的化合物或单碳化合物。在本说明书的范围中,能够不考虑相应的聚集态将有机-无机材料(杂化材料)理解成以化学一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化学特性的具有包含碳的化合物部分和不具有碳的化合物部分的化合物。在本说明书的范围中,术语“材料”包括全部上述材料,例如有机材料、无机材料和/或杂化材料。此外,在本说明书的范围中,能够如下理解材料混合物:组成部分由两种或更多种不同的材料构成,其组成部分例如非常精细地分布。将由一种或多种有机材料、一种或多种无机材料或一种或多种杂化材料组成的材料混合物或材料理解成作为材料类。术语“物质”能够与术语“材料”同义地应用。
[0017]在本说明书的范围内,能够将基底理解成部分完成的有机光电子器件。
[0018]在不同的实施例中,提供一种用于制造有机光电子器件的方法。方法能够具有:在基底上或上方形成第一层,其中基底具有有机光电子器件的至少一个接触盘,其中有机光电子器件的至少一个电极与至少一个接触盘电连接;在基底上或上方形成第二层;在基底的在至少一个接触盘上或上方具有第一层的至少一个区域中至少移除第二层。
[0019]在一个设计方案中,第一层能够相对于第二层的厚度构成为具有在大约10% (换言之,第一层厚度/第二层厚度=0.1)至大约400 % (换言之,第一层厚度/第二层厚度=4)的范围中的厚度。
[0020]在又一个设计方案中,第一层的材料或材料混合物与基底的粘性小于第二层的材料或材料混合物与基底的粘性。
[0021]在又一个设计方案中,能够借助于一种工艺构成第一层与基底的较小的粘性。
[0022]在又一个设计方案中,工艺能够具有选自下述工艺步骤组中的至少一个工艺步骤:分离第一层的和/或第二层的区域;用电子、离子、光子等弹道轰击第一层和/或第二层;和/或化学方法,例如湿法化学工艺、干法化学工艺、例如化学机械抛光、刻蚀等。
[0023]在本说明书的范围内,能够将分离层的区域理解成借助于弹道轰击或化学方法从层中构成相同或相似材料组分的至少两个区域。分离的区域在分离之后能够更少地具有至少一个物理接触部,例如不再彼此物理连接。
[0024]用光子进行弹道轰击例如能够是用电磁辐射、例如UV辐射、红外辐射或微波进行辐照。
[0025]UV辐射能够引起有机化合的裂开,由此能够更容易地移除相应的层。
[0026]在红外照射的情况下,第一层的材料或材料混合物能够具有与第二层的材料或材料混合物不同的红外波段。吸收的红外辐射在此能够转换成光子,即引起相应的层的加热。加热的层例如能够具有温度相关的溶度积和/或温度相关的表面应力;和/或变得热学不稳定。由此,能够将吸收辐射的层例如相对于不吸收辐射的层分离,例如湿法化学地冲洗。
[0027]在又一个设计方案中,能够在移除第二层之后构成第一层的较小的粘性。
[0028]在又一个设计方案中,能够在移除第二层之前构成第一层的较小的粘性。
[0029]在又一个设计方案中,能够借助于移除至少一个区域中的第一层来移除至少一个区域中的第二层,即能够将第二层连同第一层一起移除,其中第一层与第二层的物理的接触能够稳定构成。
[0030]在又一个设计方案中,能够在改变至少一个区域中的第一层之后移除至少一个区域中的第一层和第二层,其中改变至少一个区域中的第一层能够具有用电磁辐射在至少一个区域中辐照第一层。
[0031]在又一个设计方案中,第一层在移除第二层时能够是稳定的,即没有由移除第二层的工艺受到损坏。
[0032]在又一个设计方案中,在移除第二层时能够移除第一层的一部分。
[0033]然而,第一层的这部分应当在至少一个区域中残留在基底上并且构成闭合的表面。第一层与基底的物理接触能够在移除第二层期间稳定地构成。
[0034]如果第一层与第二层相比应借助移除第二层的工艺更容易地或更快地移除,那么第一层的厚度应当是相应更大的,以便确保第一层与基底的物理接触的稳定性。
[0035]第一层的厚度能够与第一层相对于用于移除第二层的工艺的灵敏性、第二层的厚度和用于移除、例如剥蚀第二层的动力学相关。
[0036]在又一个设计方案中,移除第二层能够具有选自下述工艺组的至少一个工艺:弹道移除;机械移除;和/或化学移除。
[0037]弹道移除例如能够借助于用颗粒、分子、原子、离子、电子和/或光子轰击要移除的区域来实现。
[0038]用光子轰击例如能够作为具有在大约200nm至大约1700nm的范围中的波长的激光辐射进行,例如以聚焦的方式,例如具有在大约10 μ m至大约2000 μ m的范围中的聚焦直径,例如以脉冲的方式,例如具有在大约10fs至大约0.5ms的范围中的脉冲持续时间,例如具有大约50mW至大约100mW的功率,例如具有大约100kW/cm2至大约10GW/cm2的功率密度,并且例如具有在大约10Hz至大约1000Hz的范围中的重复率。
[0039]用光子弹道移除例如能够是激光剥离,例如借助波长大约为248nm、聚焦直径大约为400 μm、脉冲持续时间大约为15ns并且能量大约为18mJ的激光。
[0040]机械移除例如能够具有刮除、磨除、磨蚀或者擦除。
[0041]化学移除例如能够具有湿法化学刻蚀或冲洗。
[0042]然而,第二层的移除也能够具有各个工艺的组合,例如化学机械抛光。
[0043]在又一个设计方案中,第二层能够构成为光电子器件的封装层。
[0044]在又一个设计方案中,第二层能够构成为光电子器件的有机功能层结构。
[0045]在又一个设计方案中,第一层能够构成为光电子器件的有机功能层结构。
[0046]在又一个设计方案中,第一层作为材料能够具有选自下述材料组的一种或多种材料或由其形成:铬、铝、聚酰亚胺、钼、铜。
[0047]第一层例如能够构成为光刻胶,其中光刻胶例如能够具有聚酰亚胺(PI)或者由其形成。
[0048]在又一个设计方案中,基底能够具有载体或在载体上或上方的至少一个另外的层O
[0049]在又一个设计方案中,至少一个另外的层能够构成为电极或有机功能层结构。
[0050]在又一个设计方案中,该方法还能够具有在第二层上或上方构成光电子器件的其他的层。
[0051]在又一个设计方案中,第一层的材料或材料混合物与第二层的材料或材料混合物构成为是相似的或相同的,其中移除第一层与移除第二层相比具有不同的工艺或不同的工艺参数。
[0052]在又一个设计方案中,该方法能够构建用于未损坏地露出光电子器件的至少一个电极。
[0053]在不同的实施方式中,提供一种用于对有机光电子器件进行结构化的方法,所述方法具有:在有机光电子器件的有机功能层结构上或上方形成第一层,在第一层上或上方形成第二层;在有机功能层结构上或上方的具有第一层的至少一个区域中至少移除第二层O
[0054]在方法的一个设计方案中,第一层相对于第二层的厚度构成为具有在大约10%至大约400%的范围中的厚度。
[0055]在方法的一个设计方案中,第一层的材料或材料混合物与有机功能层结构的粘性能够小于第二层的材料或材料混合物与有机功能层结构的粘性。
[0056]在方法的一个设计方案中,能够借助于一种工艺构成第一层与有机功能层结构的较小的粘性。
[0057]在方法的一个设计方案中,工艺能够具有选自下述工艺步骤组的至少一个工艺步骤:分离第一层的和/或第二层的区域;用电子、离子、光子等轰击第一层和/或第二层。
[0058]在方法的一个设计方案中,能够在移除第二层之后构成第一层的较小的粘性。
[0059]在方法的一个设计方案中,能够在移除第二层之前构成第一层的较小的粘性。
[0060]在方法的一个设计方案中,能够借助于移除至少一个区域中的第一层来移除至少一个区域中的第二层。
[0061]在方法的一个设计方案中,能够在改变至少一个区域中的第一层之后移除第二层和第一层,其中改变能够具有用电磁辐射在至少一个区域中辐照第一层。
[0062]在方法的一个设计方案中,第一层在移除第二层时能够是稳定的,换言之,在移除第二层之后还完整地存在。
[0063]在方法的一个设计方案中,在移除第二层时能够移除第一层的一部分。
[0064]在方法的一个设计方案中,移除第二层具有选自下述工艺组的至少一个工艺:弹道移除;机械移除;和/或化学移除。
[0065]在方法的一个设计方案中,第二层能够构成为光电子器件的封装层。
[0066]在方法的一个设计方案中,第二层能够构成为光电子器件的有机功能层结构的层O
[0067]在方法的一个设计方案中,第一层能够构成为光电子器件的有机功能层结构的层O
[0068]在方法的一个设计方案中,第一层作为材料能够具有选自下述材料组的一种或多种材料或由其形成:铬、铝、聚酰亚胺、铜、钼。
[0069]在方法的一个设计方案中,第一层的材料或材料混合物与第二层的材料或材料混合物构成为是相似的或相同的,其中移除第一层与移除第二层相比具有不同的工艺或不同的工艺参数。
[0070]在方法的一个设计方案中,该方法能够构建用于对光电子器件的表面、例如有机发光二极管的光场进行横向的结构化。
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