用于处理晶片的方法和晶片结构的制作方法
【技术领域】
[0001]各种实施例总地涉及用于处理晶片的方法，并且涉及晶片结构。
【背景技术】
[0002]可将例如模版印刷或丝网印刷等的印刷方法用于半导体技术，以在晶片上例如在晶片背面上制作层。然而，使用当前的方法，难以制作薄于大约25μπι的层。当前的制作方法在层均匀性上具有较大变化。在各种常规方法中，使用例如丝网印刷、模版印刷或旋涂等技术对晶片的背面进行涂覆。通过模版印刷，难以在晶片的整个区域上获得均匀的涂覆厚度。材料在晶片上的这种不均匀排布可导致在晶片内形成额外的应力线，其可在划片期间导致晶片破裂，尤其在晶片极薄时。模版厚度可确定或限制沉积层的厚度，并且使用当前的技术，可能的最薄模版约为25 μ m。通过旋涂，可用给定材料覆盖整个晶片，但是旋涂比前述工艺慢得多，并且产生大量的废料。
【发明内容】
[0003]根据本公开的一个或多个实施例，提供一种用于处理晶片的方法。所述方法可包括:从晶片的内部部分去除晶片材料，以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构；以及，通过使用所述结构作为印刷掩模，将材料印刷到所述晶片的内部部分中。
[0004]根据本公开的一个或多个实施例，提供一种晶片结构。所述晶片结构可包括:晶片；形成于所述晶片的边缘区的结构，所述结构至少部分地包围所述晶片的内部部分，并且所述结构具有上表面；以及位于所述晶片的内部部分中的印刷的材料，其中所述印刷的材料的上表面和所述结构的上表面彼此齐平。
[0005]根据本公开的一个或多个实施例，提供一种用于处理晶片的方法。所述方法可包括:提供托架和晶片，所述晶片具有第一面和与所述第一面相对的第二面，其中所述晶片的所述第一面附着于所述托架，所述第二面具有位于所述晶片的边缘区的结构，所述结构至少部分地包围所述晶片的内部部分；以及将材料印刷到所述晶片的所述第二面的至少一部分上。
【附图说明】
[0006]在附图中，对于不同的视图，类似的参考符号通常表示相同的部件。所述附图未必按比例绘制，而是通常着重于说明本发明的原理。在下文的描述中，参照下列附图对本发明的各种实施例进行描述，其中:
[0007]图1示出根据各种实施例的附着于支撑结构的晶片；
[0008]图2示出从位于晶片背面的晶片内部部分去除材料之后的根据各种实施例的晶片;
[0009]图3示出根据各种实施例的晶片背面上的金属化层；
[0010]图4示出其中以给定材料填充晶片的内部部分的根据各种实施例的晶片；
[0011]图5A示出安装在印刷模版上的根据各种实施例的晶片以及可跨晶片表面涂刮或碾滚的可印刷材料，以将可印刷材料沉积到晶片的内部部分中；
[0012]图5B示出其中已将可印刷材料碾滚到晶片的内部部分中的、安装在印刷模版中的晶片；
[0013]图5C示出其中形成于晶片的边缘区的结构已被去除并且印刷的材料已被附着于托架的、具有印刷的材料的晶片；
[0014]图6示出根据各种实施例的附着于支撑结构的晶片，其中使用印刷丝网或模版将材料通过印刷丝网或模版的开口印刷到晶片的背面上，例如，印刷到晶片的背面的加强结构(例如，Taiko环结构)和/或其它部分上；以及
[0015]图7示出根据各种实施例的附着于支撑结构的晶片，其中使用印刷丝网或模版将材料印刷到晶片的背面的一部分上，使得划片道或切槽区不留有印刷的材料。
【具体实施方式】
[0016]下文的详细描述参考了附图，所述附图通过举例说明示出可实践本发明的给定细节和实施例。
[0017]本文所使用的用语“例示性”意为“充当例子、实例或说明”。本文所描述为“例示性”的任何实施例或设计未必优选于或优于其它实施例或设计。
[0018]在本文中，关于形成于面或表面“之上”的沉积材料所使用的用语“之上”可用于表示沉积材料可“直接”形成于暗指的面或表面“上”，例如，与其直接接触。在本文中，关于形成于面或表面“之上的”沉积材料所使用的用语“之上”可用于表示沉积材料可通过布置在所暗指的面或表面与所述沉积材料之间的一个或多个额外的层而“间接”形成于暗指的面或表面“上”。
[0019]本公开提供一种在晶片衬底上印刷材料的薄层的改良方法。根据各种实施例提供的方法可使印刷厚度小于?ο μ m的均匀层成为可能。
[0020]根据各种实施例提供的方法至少可减少或消除当前的晶片涂覆方法中存在的一些缺点。
[0021]根据本公开的各种实施例，提供一种用于处理晶片的方法。所述方法可包括，如图1所示，使用附着于支撑结构104的晶片102。支撑结构104可附着于晶片102的第一面102a。在一个或多个实施例中，第一面102a可为晶片102的正面。晶片102可包括适合于给定应用的材料或可由适合于给定应用的材料构成，例如半导体材料，如硅、锗、锗硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓或其它元素半导体和/或化合物半导体。晶片102还可包括其它材料或材料的组合，例如，适合于给定应用的各种电介质、金属和/或聚合物。支撑结构104可包括例如玻璃、硅和/或各种聚合物，或者可由例如玻璃、硅和/或各种聚合物构成。
[0022]如图2所示，所述方法可包括从晶片102的第二面102b处的内部部分206去除晶片材料，以形成具有厚度Tl的薄晶片结构以及位于晶片102的边缘区的至少部分地包围晶片102的内部部分206的突出结构208。根据各种实施例，结构208从在从内部部分206去除晶片材料之后获得的内部部分206的表面206a突出。在一个或多个实施例中，表面206a可包括或可为面向与晶片102的第二面102b相同或大体上相同的方向的表面。在一个或多个实施例中，晶片102的第二面102b可为晶片102的背面。在一个或多个实施例中，厚度Tl可为晶片102的第一面(例如，正面)102a与晶片102的内部部分206的表面206a之间的距离。根据一个实施例，位于晶片102的边缘区的突出结构208为环结构，其至少部分地包围晶片102的内部部分206。
[0023]根据又一实施例，位于晶片102的边缘区的突出结构208可为环结构，其完全封闭晶片102的内部部分206。
[0024]在一个或多个实施例中，位于晶片102的边缘区的突出结构208可为圆形环结构，其至少部分地包围但是可完全封闭晶片102的内部部分206。
[0025]在一个或多个实施例中，位于晶片102的边缘区的突出结构208可为非圆形环结构，其至少部分地包围但是可完全封闭晶片102的内部部分206。
[0026]在一个或多个实施例中，位于晶片102的边缘区的突出结构208可为多边形或大体上多边形结构，其至少部分地包围但是可完全封闭晶片102的内部部分206。
[0027]在一个或多个实施例中，位于晶片102的边缘区的突出结构208可为矩形或大体上矩形结构，其至少部分地包围但是可完全封闭晶片102的内部部分206。
[0028]在一个或多个实施例中，位于晶片102的边缘区的突出结构208可为正方形或大体上正方形结构，其至少部分地包围但是可完全封闭晶片102的内部部分206。
[0029]在一个或多个实施例中，位于晶片102的边缘区的突出结构208可为环形或大体上环形结构，其至少部分地包围但是可完全封闭晶片102的内部部分206。
[0030]在一个或多个实施例中，位于晶片102的边缘区的突出结构208可为椭圆形或大体上椭圆形结构，其至少部分地包围但是可完全封闭晶片102的内部部分206。
[0031]在一个或多个实施例中，位于晶片102的边缘区的突出结构208可为给定应用所需的任意形状。
[0032]根据一个实施例，位于晶片102的边缘区的突出结构208具有小于或等于25 μ m的高度H1、例如小于或等于20 μ m、如小于或等于10 μ m、如小于或等于5 μ m，例如介于范围5 μ m至25 μ m内、如约10 μ m或约5 μ m。根据各种实施例，高度Hl可为内部部分206的表面206a与突出结构208的顶表面208a之间的距离。在一个或多个实施例中，突出结构208的顶表面208a可包括或可为面向与晶片102的第二面102b和/或与晶片102的内部部分206的表面206a相同或大体上相同的方向的表面。
[0033]根据一个实施例，可通过所谓的Taiko工艺获得位于晶片102的边缘区的突出结构208，例如，所述工艺在晶片的边缘区上留下几毫米宽的环并通过