集成电路硅片划片方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路芯片封装领域，特别是涉及一种集成电路硅片划片方法。
【背景技术】
[0002]目前硅片的划片技术有金刚刀划片和激光划片，均是对整个硅片进行切割，然后整张硅片进行固晶邦定封装。随着硅片制造工艺的不断发展，集成电路硅片越做越大，从4-1nch — 6-1nch — 8-1nch — 12-1nch — 18-1nch —…，单位面积上芯片的数量越来越多，单位面积芯片制作的成本越来越低。随着硅片尺寸变大，封装中固晶设备也需要不断进行更新换代，而封装厂固有的旧设备就无法适应大尺寸硅片固晶，往往处于闲置状态，或者只能接受小尺寸硅片固晶加工，大尺寸硅片的芯片推广受到限制。
[0003]无论金刚刀划片或者激光划片，量产前均需要进行工艺的优化和定型，目前划片厂均是对整片晶圆(Wafer)进行一个工艺条件划片，多个工艺条件需要多张硅片，工艺的优化和定型需消耗多张硅片。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种集成电路硅片划片方法，能够适应旧封装设备(固晶)生产需求，提高机台利用率。
[0005]为解决上述技术问题，本发明的集成电路硅片划片方法，包括如下步骤:
[0006]步骤一、将大于8-1nch (英寸)的娃片减薄至适合封装的厚度；
[0007]步骤二、通过划片工艺方法将所述硅片切割成多个小块硅片；
[0008]步骤三、通过划片工艺方法将各小块硅片分别切割分开每颗芯片；
[0009]步骤四、将所述各小块硅片转贴到带UV膜或蓝膜的小尺寸绷架上；
[0010]步骤五、将所述小尺寸绷架放置到固晶设备上进行正常固晶。
[0011]米用本发明的方法，将大于8-1nch的娃片划片成多个小块娃片，多个小块娃片尺寸较小可以装配到小尺寸绷架上，这样能够满足现有旧固晶设备需求，最终提高旧固晶设备利用率。尤其是对于12-1nch以上硅片，目前12-1nch以上固晶设备还未普及，市场上固晶设备还是以8-1nch为主，有利于在现有固晶设备条件下推广大尺寸硅片芯片(大于8_inch)0
[0012]米用本发明的方法，将大于8-1nch的娃片划片成多个小块娃片后,对每小块娃片可以采用不同划片工艺条件，实现工艺条件的优化和定型，节省硅片资源。
【附图说明】
[0013]下面结合附图与【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0014]附图是所述集成电路硅片划片方法实施例示意图。
【具体实施方式】
[0015]参见附图所示，所述集成电路硅片划片方法在下面的实施例中，具体步骤如下:
[0016]步骤一、将大尺寸娃片(8-1nch)减薄至适合封装的厚度,如100?300 μ m。
[0017]步骤二、采用划片工艺方法将所述硅片切割成多个小块硅片；例如每个小块硅片可以是1/2块,1/4块,1/9块。
[0018]步骤三、采用划片工艺方法将各小块硅片分别切割分开每颗芯片；切割每小块硅片的划片工艺条件可以相同，也可以不相同，以实现工艺条件的优化和定型，节省硅片资源。
[0019]步骤四、将所述各小块硅片转贴到带UV膜或蓝膜的小尺寸绷架上；
[0020]所述小尺寸绷架，例如4-1nch、6_inch或8-1nch,符合固晶设备需求，如8_inch固晶机。
[0021]步骤五、将带UV膜或蓝膜的小尺寸绷架(含芯片)放置到现有旧的固晶设备上进行正常固晶。各小尺寸绷架小块硅片如1/2 ±夹，1/4 ±夹，1/9块。
[0022]附图是将12-1nch硅片一划4划片的具体实施例，图中，I表示绷架，2表示UV膜或者蓝膜，Φ为绷架类型(适合12-1nch或者8-1nch直径晶圆)，单位英寸(inch)。
[0023]以上通过【具体实施方式】对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种集成电路硅片划片方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤一、将大于8-1nch的娃片减薄至适合封装的厚度； 步骤二、通过划片工艺方法将所述硅片切割成多个小块硅片； 步骤三、通过划片工艺方法将各小块硅片分别切割分开每颗芯片； 步骤四、将所述各小块硅片转贴到带UV膜或蓝膜的小尺寸绷架上； 步骤五、将所述小尺寸绷架放置到固晶设备上进行正常固晶。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述小块硅片为1/2块、1/4块或1/9块。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述小尺寸绷架为4-1nch、6-1nch或8-1ncho
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于:实施步骤三时，切割每小块硅片的划片工艺条件可以相同，也可以不相同，以实现工艺条件的优化和定型。
【专利摘要】本发明公开了一种集成电路硅片划片方法，包括如下步骤：步骤一、将大于8-inch的硅片减薄至适合封装的厚度；步骤二、通过划片工艺方法将所述硅片切割成多个小块硅片；步骤三、通过划片工艺方法将各小块硅片分别切割分开每颗芯片；步骤四、将所述各小块硅片转贴到带UV膜或蓝膜的小尺寸绷架上；步骤五、将带UV膜或蓝膜的小尺寸绷架（含芯片）放置到旧的固晶设备上进行正常固晶。本发明能够适应旧封装设备（固晶）生产需求，提高机台利用率。
【IPC分类】H01L21-78
【公开号】CN104637875
【申请号】CN201310561327
【发明人】肖海滨, 金玮, 孙卫红
【申请人】上海华虹集成电路有限责任公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月12日