透明导体、制备其的方法以及包括其的光学显示器的制造方法
【专利说明】透明导体、制备其的方法从及包括其的光学显示器
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 在2013年12月04日于韩国知识产权局申请的韩国专利申请第10-2013-0150230 号W全文引用的方式并入本文中。
技术领域
[0003] 本发明设及一种透明导体、用于制备所述透明导体的方法及包含所述透明导体的 光学显示器。
【背景技术】
[0004] 透明导体用于各种领域，例如包含在显示器、柔性显示器等等中的触摸屏面板。透 明导体应展现优选特性，例如透明度、薄层电阻等等，并且还需要弯曲特性，因为其应用范 围近年来已延伸到柔性显示器。尽管包含含有银纳米线的透明导电层的透明导体展现极好 的弯曲特性，但所述透明导电层进一步包含用于改良耐久性和到基层的粘着力的基质。然 而，由于基质增加透明导电层的透射b*值（在色差系数中），因此透明导体可能遭受色彩失 真和例如透射比、雾度等等的光学特性的退化。此外，由于银纳米线，含有银纳米线的透明 导电层可能看上去呈黄色。在该点上，韩国专利公开第2012-0053724A号公开一种透明导 电薄膜和用于制备所述透明导电薄膜的方法。
【发明内容】
[0005] 本发明提供了透明导体、制备其的方法W及包括其的光学显示器。所述透明导体 可展现良好的光学特性。
[0006] 本发明提供了透明导体、制备其的方法W及包括其的光学显示器。所述透明导体 可防止色彩失真。
[0007] 本发明的一个实施例设及一种透明导体，其包含；基层W及形成于所述基层上并 且包含金属纳米线和基质的导电层，其中所述基质由包含无机中空粒子、氣单体或其混合 物的基质组合物形成。
[000引在本发明的一个实施例中，所述透明导体具有1. 0或小于1. 0的透射b*值。
[0009] 在本发明的一个实施例中，所述无机中空粒子具有1. 4或小于1. 4的折射率。
[0010] 在本发明的一个实施例中，就固体含量而言，所述无机中空粒子W lOwt%到 70wt%的量存在于所述基质组合物中。
[0011] 在本发明的一个实施例中，所述无机中空粒子由娃、侣、儀、裡、错W及锋中的至少 一个的氧化物、碳化物或氮化物形成。
[001引在本发明的一个实施例中，所述基质组合物包括6wt%或小于6wt%的氣。
[0013]在本发明的一个实施例中，就固体含量而言，所述基质组合物包括40wt%到 80wt%的所述无机中空粒子、所述氣单体或其混合物；15wt%到55wt%的粘合剂；W及 0.Iwt%到5wt%的引发剂。
[0014] 在本发明的一个实施例中，所述金属纳米线包括银纳米线。
[0015] 在本发明的一个实施例中，所述透明导体进一步包括防蚀层、防眩光涂层、粘着促 进层W及寡聚物洗提防止层中的至少一个，形成于所述基层的上表面或下表面上。
[0016] 在本发明的一个实施例中，所述基质组合物进一步包括多官能单体，所述多官能 单体包括五官能单体或六官能单体、W及=官能单体。
[0017] 在本发明的一个实施例中，所述S官能单体包括基于（甲基）丙締酸醋的单体。 [001引在本发明的一个实施例中，所述S官能单体包括烷氧基化的基于（甲基）丙締酸 醋的单体。
[0019] 在本发明的一个实施例中，所述基质进一步包括粘着力促进剂、UV吸收剂、增稠剂W及分散剂中的至少一个。
[0020] 本发明的另一实施例设及一种用于制备透明导体的方法，其包含；在基层上形成 金属纳米线网络层；W及使用包含无机中空粒子、氣单体或其混合物的基质组合物在金属 纳米线网络层上形成导电层。
[0021] 在本发明的一个实施例中，所述基质组合物进一步包括多官能单体，所述多官能 单体包括五官能单体或六官能单体、W及=官能单体。
[0022] 本发明的另一实施例设及一种光学显示器，其包含；显示面板；形成于所述显示 面板上的透明导体；W及形成于所述透明导体上的窗口，其中所述透明导体是根据如上文 所述的本发明实施例的透明导体。
[0023] 在本发明的一个实施例中，所述显示面板包括LCD、OLED或LED。
[0024] 本发明提供了透明导体、制备其的方法W及包括其的光学显示器。所述透明导体 可通过确保低雾度和高透射比展现良好的光学特性。
[0025]本发明提供了透明导体、制备其的方法W及包括其的光学显示器。所述透明导体 可通过确保低透射b*值防止色彩失真。
【附图说明】
[0026] 图1说明根据本发明的一个实施例的透明导体的截面图。
[0027] 图2说明根据本发明的另一个实施例的透明导体的截面图。
[002引图3说明根据本发明的一个实施例的光学显示器的截面图。
[0029] 图4说明根据本发明的另一个实施例的光学显示器的截面图。
[0030] 图5说明根据本发明的另一实施例的光学显示器的截面图。
[0031] 图6说明根据本发明的又一实施例的光学显示器的截面图。
[0032] 图7说明根据本发明的又一实施例的光学显示器的截面图。
[0033] 图8说明根据本发明的又一实施例的光学显示器的截面图。
[0034] 图9说明根据本发明的又一实施例的光学显示器的截面图。
【具体实施方式】
[0035]现将参考附图详细描述本发明的实施例。应理解，本发明不限于W下实施例并且 可不同的方式实施。在附图中，为清楚起见将省去与本说明书无关的部分。在本说明 书通篇中，相似组件将由相似参考数字表示。如本文所用，例如"上侧面（表面）"和"下侧 面（表面）"的定向术语参考附图经定义。因此，应理解，"上侧面（表面）"可w与"下侧面 (表面）"互换使用。术语"（甲基）丙締酸醋"可W指丙締酸醋和/或甲基丙締酸醋。
[0036] 本发明的实施例提供一种透明导体，其可W包含；基层；W及形成于所述基层的 上表面上并且包含金属纳米线和基质的透明导电层，其中所述基质可W由包含无机中空粒 子、氣单体或其混合物的组合物形成。透明导体可W增加总透射比，同时通过允许反射自基 质的光被反射自透明导电层的光偏移来减小雾度，由此增强光学特性。
[0037] 基质可W由包含无机中空粒子、氣单体或其混合物的基质组合物形成。无机中空 粒子、氣单体或其混合物具有低折射率并且因此可W减小基质的折射率。因此，可W校正透 明导电层的色差，由此防止由透明导体的透射b*值降低所造成的色彩失真。在此情况下， 在通过图案化透明导体形成透明电极薄膜之后，在经图案化部分与非图案化部分之间存在 改良的图案可见度的效果。此外，无机中空粒子增加透明导电层的表面硬度，由此改良透明 导体的处理特性。
[003引透明导体可W通过减小透射b*值防止色彩失真。举例来说，透明导体可W具有 1. 0或小于1. 0,确切地说0. 85或小于0. 85,更确切地说0. 1到0. 85,更确切地说0. 4到 0. 85的透射b*值。在此透射b*值范围内，透明导体可W防止色彩失真。
[0039] 如本文所用，"透射b*值"可W通过使用CM3600D分光光度计（柯巧卡美能达有 限公司化onicaMinoltaCo.，Ltd.))在400纳米到700纳米的可见光波长下于透明导体 上测量，所述透明导体包含聚碳酸醋基底薄膜和堆叠在所述基底薄膜上并且包含金属纳米 线和基质的导电层。在该里，应理解，通过改变基底薄膜的材料和厚度、导电层的厚度和测 量波长而测量的透射b*值也属于本发明的范围内。
[0040] 接下来，将参考图1描述根据本发明的一个实施例的透明导体100。图1说明根据 本发明的一个实施例的透明导体的截面图。参考图1，根据该一实施例的透明导体100包含 基层110 ;和形成于基层110的一个表面上并且包含金属纳米线121和基质122的透明导 电层120。基质包含无机中空粒子、氣单体、或其混合物W减小其折射率同时校正透明导电 层的色差。因此，可W通过减小透明导体的透射b*值来防止透明导体的色彩失真。因此， 透明导体具有包含透射比、雾度等等的改良光学特性。
[0041] 基层110是透明薄膜并且可W在550纳米的波长下具有85%到100%，确切地说 88%到99%的透射比。另外，基层可W具有1.5到1.65的折射率。在此范围内，透明导体 可W展现改良的光学特性。
[0042] 基层110可W是柔性绝缘薄膜。举例来说，基层110可W包含但不限于至少一种 选自由W下各种组成的群组的材料；包含聚对苯二甲酸己二醇醋（PET)、聚蒙二甲酸己二 醇醋等等的聚醋树脂；聚碳酸醋；环締姪聚合物；聚締姪树脂；聚讽树脂、聚酷亚胺树脂、娃 酬树脂、聚苯己締树脂、聚丙締树脂、聚氯己締树脂，W及其混合物。另外，基层110可W由 单个层或至少两个通过粘合剂彼此结合的树脂薄膜所组成的堆叠结构构成。
[0043] 基层110可W具有10微米到200微米、确切地说30微米到150微米，或40微米 至IJ125微米、更确切地说50微米到125微米的厚度。在此范围内，基层可W有利地用于显 示器，例如柔性显示器。
[0044] 透明导电层120可W形成于基层110的上表面上。
[0045] 透明导电层120包含金属纳米线121和基质122。透明导电层120包含由金属纳 米线121构成的导电网络，由此确保导电性、良好的柔性和弯曲性。所述透明导电层可W通 过例如蚀刻等等的图案化方法形成电极，并且可W用于柔性装置W便确保柔性。在一些实 施例中，电极可W在第一方向和第二方向中W多条线形成。
[0046] 由于纳米线的形状，金属纳米线121与金属纳米粒子相比展现更好的分散性。另 夕F，由于粒子形状与纳米线形状之间的不同，金属纳米线121可W大大减小透明导电薄膜 的薄层电阻。金属纳米线121具有具特定横截面的超细线形状。在一些实施例中，金属纳 米线121的长度（L)与横截面直径（d)的比率（L/d，纵横比）可W在10到2, 000的范围 内。举例来说，金属纳米线可W具有500到1，000的纵横比，例如500到700。在此范围内， 透明导体即使在低密度纳米线下仍可W实现高导电网络，并且展现减少的薄层电阻。