一种高储能电子电容器的制造方法

文档序号:8382184
一种高储能电子电容器的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及电容器领域,尤其涉及一种高储能电子电容器。
【背景技术】
[0002]众所周知,电容器的基本作用就是充电与放电,但由这种基本充放电作用所延伸出来的许多电路现象,使得电容器有着种种不同的用途,例如在电动马达中,我们用它来产生相移;在照相闪光灯中,用它来产生高能量的瞬间放电等等;而在电子电路中,电容器不同性质的用途尤多,这许多不同的用途,虽然也有截然不同之处,但因其作用均来自充电与放电。
[0003]如今,由于物理化学的特性的限制,即使最先进技术水平研制的高性能蓄电池在放电功率和连续充放电寿命等特性方面也存在较大的限制和不足,主要表现在耐压耐大电流性能上,现有的电容器难以达到电动汽车所需要的要求。

【发明内容】

[0004]本发明实施例提供了一种移动装置存储备忘的方法,用于在通话过程中将通话方信息存储到备忘录中,提高移动装置与用户的智能交互能力。
[0005]一种高储能电子电容器,包括:第一供电单元和第二供电单元;以及串联在第一供电单元与第二供电单元之间的至少两个大容量电容器;大容量电容器被布置在基板上的所述MOS电容器上方;大容量电容器是堆叠式电容器,所述堆叠式电容器包括:依次堆叠的下部电极导电层、电介质层和上部电极导电层。
[0006]所述至少两个大容量电容器包括:第一大容量电容器,所述第一大容量电容器具有与第一供电单兀相连接的第一电极、在第一电极上方形成的第一电介质、以及在第一电介质上方形成的第二电极;以及第二大容量电容器,所述第二大容量电容器具有与第二供电单元相连接的第三电极、在第三电极上方形成的第二电介质、以及在第二电介质上方形成的第四电极。
[0007]第一电极和第三电极通过对沉积在基板上方的由相同材料构成的导电层进行图案化而被分离。
[0008]第二电极和第四电极共同地通过单个导电图案来形成。
[0009]所述大容量电容器具有在UF范围内的电容。
[0010]所述MOS电容器具有在η F范围内的电容。
[0011]从以上技术方案可以看出,本发明实施例具有以下优点:
本发明在形成具有堆叠式结构的单元电容器时,可以在外围电路区域中相同地形成大容量电容器。也就是说,可以在外围电路区域中形成大容量电容器而没有金属接点,并且可以将所述大容量电容器布置在MOS电容器上方。
【附图说明】
[0012]图1为本发明高储能电子电容器的示意图;
图2为本发明高储能电子电容器另一示意图。
【具体实施方式】
[0013]请参阅图1、图2,为本发明实施例一种高储能电子电容器的实施例,包括:
一种高储能电子电容器,包括:第一供电单元和第二供电单元;以及串联在第一供电单元与第二供电单元之间的至少两个大容量电容器;大容量电容器被布置在基板上的所述MOS电容器上方;大容量电容器是堆叠式电容器,所述堆叠式电容器包括:依次堆叠的下部电极导电层、电介质层和上部电极导电层。
[0014]所述至少两个大容量电容器包括:第一大容量电容器,所述第一大容量电容器具有与第一供电单兀相连接的第一电极、在第一电极上方形成的第一电介质、以及在第一电介质上方形成的第二电极;以及第二大容量电容器,所述第二大容量电容器具有与第二供电单元相连接的第三电极、在第三电极上方形成的第二电介质、以及在第二电介质上方形成的第四电极。
[0015]第一电极和第三电极通过对沉积在基板上方的由相同材料构成的导电层进行图案化而被分离。
[0016]第二电极和第四电极共同地通过单个导电图案来形成。
[0017]所述大容量电容器具有在UF范围内的电容。
[0018]所述MOS电容器具有在η F范围内的电容。
[0019]方向y的母线20的平面图。另外,示出取自中方向y的母线30的平面图。母线20具有梯形的形状,其长底边对应于母线20的连接端子22侧端部,并且其短底边对应于与连接端子22相对的母线20的端部。母线20的较长底边的长度为Wl,而其较短底边的长度为W2。另外,母线30具有梯形的形状,其较长底边对应于母线30的连接端子32侧端部,并且其较短底边对应于与连接端子32相对的母线30的端部。母线30的较长底边的长度为W1,并且其较短底边的长度为W2。在这个实施例的电容器装置100中,由于母线20和30被给定了前述形状,使得电容器元件之间的母线20和30的每一个的电感彼此不同。
[0020]上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明,但是本发明并不限于上述实施方式,在本领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化。以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质,在本发明的精神和原则之内,对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等,均仍属于本发明技术方案的保护范围之内。
【主权项】
1.一种高储能电子电容器,包括:第一供电单元和第二供电单元;以及串联在第一供电单元与第二供电单元之间的至少两个大容量电容器;大容量电容器被布置在基板上的所述MOS电容器上方;大容量电容器是堆叠式电容器,所述堆叠式电容器包括:依次堆叠的下部电极导电层、电介质层和上部电极导电层。
2.根据权利要求1所述的一种高储能电子电容器,其中所述至少两个大容量电容器包括:第一大容量电容器,所述第一大容量电容器具有与第一供电单兀相连接的第一电极、在第一电极上方形成的第一电介质、以及在第一电介质上方形成的第二电极;以及第二大容量电容器,所述第二大容量电容器具有与第二供电单元相连接的第三电极、在第三电极上方形成的第二电介质、以及在第二电介质上方形成的第四电极。
3.根据权利要求2所述的一种高储能电子电容器,其中第一电极和第三电极通过对沉积在基板上方的由相同材料构成的导电层进行图案化而被分离。
4.根据权利要求4所述的一种高储能电子电容器,其中第二电极和第四电极共同地通过单个导电图案来形成。
5.根据权利要求1所述的一种高储能电子电容器,其中所述大容量电容器具有在UF范围内的电容。
6.根据权利要求2所述的一种高储能电子电容器,其中所述MOS电容器具有在nF范围内的电容。
【专利摘要】本发明公开了一种高储能电子电容器,包括:第一供电单元和第二供电单元;以及串联在第一供电单元与第二供电单元之间的至少两个大容量电容器;大容量电容器被布置在基板上的所述MOS电容器上方;大容量电容器是堆叠式电容器,所述堆叠式电容器包括:依次堆叠的下部电极导电层、电介质层和上部电极导电层,本发明在形成具有堆叠式结构的单元电容器时,可以在外围电路区域中相同地形成大容量电容器,也就是说,可以在外围电路区域中形成大容量电容器而没有金属接点,并且可以将所述大容量电容器布置在MOS电容器上方。
【IPC分类】H01G4-005, H01G4-38, H01G4-40
【公开号】CN104701015
【申请号】CN201410651535
【发明人】周科豆
【申请人】周科豆
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2014年11月17日
再多了解一些
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