Sram芯片引脚焊接不良的检测方法及系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及SRAM芯片检测技术领域，尤其涉及一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法及系统。
【背景技术】
[0002]SRAM芯片具有高速和不用刷新等优点，被广泛用于高性能计算机系统。由于半导体工艺技术的提高及存储系统多方面的需要，存储器件日益向高速、高集成度方向发展，在使系统功能更强大的同时，也增加了系统的复杂性，给电路的故障诊断带来了不小困难。存储器的低功耗、小型化、高度集成使得存储器芯片越来越小，导致存储器的管脚间距也越密集，对制造工艺的要求也越来越高，因此，良好的焊接是保证存储器正常、稳定工作的前提。
[0003]常见的SRAM芯片检测程序包括March算法、Walking算法、GalloPINg算法等，这些算法主要是检测SRAM芯片内部是否有坏块或数据反转的情况，主要用于SRAM芯片厂商自行测试，并非应用于生产阶段，并且不能够解决生产时芯片引脚的焊接情况。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是，针对传统的SRAM芯片检测程序不能检测芯片引脚焊接情况，提供一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法及系统。本发明是这样实现的:
[0005]一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法，包括如下步骤:
[0006]分别通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数据读写；如果各引脚读写都正确，则判定该SRAM芯片各引脚焊接良好，如果某一引脚读写错误，则判定该引脚焊接不良。
[0007]进一步地，所述SRAM芯片的各引脚按其功能被分为控制组、高低位组、数据组及地址组；
[0008]所述控制组包括使能芯片引脚、输出使能引脚、写入使能引脚和电源引脚；
[0009]所述高低位组包括高字节引脚及低字节引脚；
[0010]所述数据组包括各I/O引脚；
[0011 ] 所述地址组包括各地址引脚；
[0012]检测时，依次按照控制组、高低位组、数据组、地址组的顺序进行数据读写。
[0013]进一步地，所述检测方法包括如下步骤:
[0014]步骤A:对SRAM芯片的任意地址写入除低字节或高字节为全O或全I之外的任何数据并读取该数据，并判断通过各地址读取的数据与写入的数据是否都相同；如果是，则判定控制组、高低位组、数据组均焊接良好，并跳转到步骤D，否则跳转到步骤B ;
[0015]步骤B:判断读取的数据是否为全O或全1，如果是，则判定控制组焊接不良，否则跳转到步骤C ；
[0016]步骤C:将读取的数据的高字节及低字节分别与写入的数据的高字节及低字节比较，如果读取的数据的高字节为全O或全1，则判定高字节引脚焊接不良，如果读取的数据的低字节为全O或全1，则判定低字节引脚焊接不良，如果都不是，则跳转到步骤D ;
[0017]步骤D:通过数据组中各I/O引脚分别写入并读取该数据，并判断读取的数据与写入的数据是否相同，如果通过某一 I/o引脚读取的数据与写入的数据不相同，则判定该I/O引脚焊接不良，如果通过各I/o引脚读取的数据与写入的数据都相同，则跳转到步骤E ;
[0018]步骤E:通过地址组中各地址引脚及固定地址O分别写入并读取该数据，并判断读取的数据与写入的数据是否相同，如果通过某一地址引脚读取的数据与写入的数据不相同，则判定该地址引脚焊接不良，如果通过各地址引脚读取的数据与写入的数据都相同，则判定该SRAM芯片各引脚焊接良好。
[0019]一种SRAM芯片引脚焊接不良的检测系统，所述检测系统用于分别通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数据读写；如果各引脚读写都正确，则判定该SRAM芯片各引脚焊接良好，如果某一引脚读写错误，则判定该引脚焊接不良。
[0020]进一步地，所述SRAM芯片的各引脚按其功能被分为控制组、高低位组、数据组及地址组；
[0021]所述控制组包括使能芯片引脚、输出使能引脚、写入使能引脚和电源引脚；
[0022]所述高低位组包括高字节引脚及低字节引脚；
[0023]所述数据组包括各I/O引脚；
[0024]所述地址组包括各地址引脚；
[0025]检测时，所述检测系统依次按照控制组、高低位组、数据组、地址组的顺序进行数据读写。
[0026]进一步地，所述检测系统包括综合检测子系统、控制组检测子系统、高低位组检测子系统、数据组检测子系统、地址组检测子系统；
[0027]所述综合检测子系统用于对SRAM芯片的任意地址写入除低字节或高字节为全O或全I之外的任何数据并读取该数据，并判断通过各地址读取的数据与写入的数据是否都相同；如果是，则判定控制组、高低位组、数据组均焊接良好，并跳转到所述数据组检测子系统，否则跳转到所述控制组检测子系统；
[0028]所述控制组检测子系统用于判断读取的数据是否为全O或全1，如果是，则判定控制组焊接不良，否则跳转到所述高低位组检测子系统；
[0029]所述高低位组检测子系统用于将读取的数据的高字节及低字节分别与写入的数据的高字节及低字节比较，如果读取的数据的高字节为全O或全1，则判定高字节引脚焊接不良，如果读取的数据的低字节为全O或全1，则判定低字节引脚焊接不良，如果都不是，则跳转到所述数据组检测子系统；
[0030]所述数据组检测子系统用于通过数据组中各I/O引脚分别写入并读取该数据，并判断读取的数据与写入的数据是否相同，如果通过某一 I/o引脚读取的数据与写入的数据不相同，则判定该I/o引脚焊接不良，如果通过各I/O引脚读取的数据与写入的数据都相同，则跳转到所述地址组检测子系统；
[0031]所述地址组检测子系统用于通过地址组中各地址引脚及固定地址O分别写入并读取该数据，并判断读取的数据与写入的数据是否相同，如果通过某一地址引脚读取的数据与写入的数据不相同，则判定该地址引脚焊接不良，如果通过各地址引脚读取的数据与写入的数据都相同，则判定该SRAM芯片各引脚焊接良好。
[0032]与现有技术相比，本发明所采用的技术方案通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数据读写，并通过检测各引脚的数据读写是否正常来判断该SRAM芯片各引脚的焊接是否良好，可快速判断SRAM芯片各引脚的焊接是否正常，从而在芯片投入使用之前排除引脚焊接问题，这比在芯片使用中检测出问题有更高的效益。
【附图说明】
[0033]图1:本发明提供的SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法流程示意图；
[0034]图2:本发明提供的SRAM芯片引脚焊接不良的检测系统结构示意图。
【具体实施方式】
[0035]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。
[0036]本发明所提供的SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法是，分别通过SRAM芯片的各引脚对该SRAM芯片进行数据读写，如果各引脚读写都正确，则判定该SRAM芯片各引脚焊接良好，如果某一引脚读写错误，则判定该引脚焊接不良。具体检测时，可通过与该SRAM芯片连接的处理器对SRAM芯片的各引脚进行数据读写，并检测各引脚的数据读写情况。由于本发明是用于检测SRAM芯片各引脚是否焊接良好，因此，检测时，需保证SRAM芯片是良好的芯片。
[0037]SRAM芯片的各引脚按其功能可分为控制组、高低位组、数据组及地址组，其中，控制组包括CE引脚(使能芯片引脚)、OE引脚(输出使能引脚)、WE引脚(写入使能引脚)和POWER引脚(电源引脚)，高低位组包括UB引脚(高字节引脚)及LB引脚(低字节引脚)，数据组包括各I/O引脚(数据输入输出引脚)，地址组包括各地址引脚。根据SRAM芯片的工作原理，在检测时，可依次按照控制组、高低位组、数据组、地址组的顺序进行数据读与O
[0038]基于上述对SRAM芯片各引脚的分组，结合图1对SRAM芯片引脚焊接不良的检测方法进行具体描述。步骤A:对SRAM芯片的任意地址写入除低字节或高字节为全O或全I之外的任何数据并读取该数据，并判断通过各地址读取的数据与写入的数据是否都相同；如果是，则判定控制组、高低位组、数据组均焊接良好，并跳转到步骤D，否则跳转到步骤B。
[0039]步骤B:判断读取的数据是否为全O或全1，如果是，则判定控制组焊接不良，否则跳转到步骤C。
[0040]步骤C:将读取的数据的高字节及低字节分别与写入的数据的高字节及低字节比较，如果读取的数据的高字节为全O或全1，则判定高字节引脚焊接不良，如果读取的数据的低字节为全O或全1，则判定低字节引脚焊接不良，如果都不是，则跳转到步骤D。
[0041]步