有机发光二极管显示器及其制造和检测方法_4

文档序号:8382512阅读:来源:国知局
度摆动的第三电压。
[0075]具体地说,施加给驱动薄膜晶体管DRT的漏极电极的电源电压ELVDD、施加给开关薄膜晶体管SWT的漏极电极的数据电压Vdata、以及施加给有机发光二极管EL的阴极电极的地电压ELVSS全都被控制为0V,即第一电压。
[0076]此外,通过采样薄膜晶体管SST施加的参考电压Vref被固定为3V,即第二电压,并且作为在-15V与20V之间摆动的波形,施加用于控制参考电压Vref的第三电压,即电压Vpul0
[0077]因此,根据有机发光二极管EL的发光形式,很容易使用任何单独的检测部件检测有机发光二极管EL与驱动薄膜晶体管DRT之间的开口缺陷的产生。
[0078]当因为有机发光二极管EL不发光或从有机发光二极管EL发射的光亮度相当低而根据检测方法确定产生了开口缺陷时,形成在与阳极金属层(图4的143)相邻的第一源极和漏极金属层(图4的122)或第二源极和漏极金属层(图4的127)上的绝缘结构被蚀亥IJ,从而暴露绝缘结构的部分区域,并进一步形成覆盖阳极金属层和所述暴露区域的短路图案,由此进行修复。可应用CVD轰击(CVD zapping)方法作为这种修复方法。
[0079]前述的实施方式和优点仅仅是示例性的,并不解释为限制本发明。本发明很容易应用于其他类型的装置。本说明书意在举例说明,并不限制权利要求的范围。一些替换、修改和变化对于本领域技术人员来说是显而易见的。这里所公开的示例性实施方式的特征、结构、方法和其他特性可以以各种方式组合,从而获得另外和/或可选择的示例性实施方式。
[0080]因为在不脱离其特性的情况下目前的特征可以以多种方式组合,所以应当理解,上述的实施方式并不限于前述说明书的任何细节,除非另有说明,而是应当在所附权利要求定义的范围内广义地解释,因此意在由所附的权利要求包含落在权利要求的边界和范围,或者这种边界和范围的等同物内的所有变化和修改。
【主权项】
1.一种有机发光二极管显示器,包括: 基板; 位于所述基板上的栅极金属层; 位于所述栅极金属层上以暴露一部分栅极金属层的栅极绝缘层和蚀刻阻止层; 位于所述蚀刻阻止层上的第一源极和漏极金属层; 位于所述第一源极和漏极金属层上以暴露所述第一源极和漏极金属层的预定区域的钝化层; 位于所述钝化层上的第二源极和漏极金属层,所述第二源极和漏极金属层与具有暴露的预定区域的第一源极和漏极金属层接触; 层间绝缘层,所述层间绝缘层具有第一接触孔和第二接触孔,第二源极和漏极金属层的第一区域和第二区域分别通过所述第一接触孔和第二接触孔暴露;和 位于所述层间绝缘层上以覆盖所述第一接触孔的阳极金属层,所述阳极金属层延伸覆盖所述第二接触孔。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,包括: 设置在与所述栅极金属层同一层中的栅极电极; 设置在所述栅极绝缘层上并与所述栅极电极重叠的半导体层; 设置在与所述第一源极和漏极金属层同一层中的源极电极和漏极电极,所述源极电极和漏极电极通过由蚀刻阻止层暴露的区域与所述半导体层接触;和 设置在与所述第二源极和漏极金属层同一层中并与所述半导体层重叠的辅助栅极电极。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述第一区域是所述栅极金属层与所述第一源极和漏极金属层构成电容器且所述第一源极和漏极金属层与所述第二源极和漏极金属层彼此绝缘的区域。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述第二区域是所述第一源极和漏极金属层与所述第二源极和漏极金属层彼此直接接触的区域。
5.一种制造有机发光二极管显示器的方法,所述方法包括: 制备基板; 在所述基板上形成栅极金属层; 在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层和蚀刻阻止层; 在所述蚀刻阻止层上形成第一源极和漏极金属层; 形成用于暴露所述第一源极和漏极金属层的预定区域的钝化层; 在所述钝化层上形成与所述第一源极和漏极金属层相接触的第二源极和漏极金属层; 形成具有第一接触孔和第二接触孔的层间绝缘层,第二源极和漏极金属层的第一区域和第二区域分别通过所述第一接触孔和第二接触孔暴露;和 在所述层间绝缘层上形成覆盖所述第一接触孔的阳极金属层,所述阳极金属层延伸覆盖所述第二接触孔。
6.根据权利要求5所述的方法,其中在所述基板上形成栅极金属层包括在与所述栅极金属层同一层中形成薄膜晶体管的栅极电极。
7.根据权利要求6所述的方法,其中形成所述栅极绝缘层和所述蚀刻阻止层包括: 在包括所述栅极金属层的基板的整个表面上形成所述栅极绝缘层; 与所述栅极电极重叠形成所述薄膜晶体管的半导体层;和 暴露半导体层的预定区域并在所述栅极绝缘层上形成所述蚀刻阻止层。
8.根据权利要求7所述的方法,其中形成所述第一源极和漏极金属层包括在与所述第一源极和漏极金属层同一层中形成源极电极和漏极电极,所述源极电极和漏极电极通过由蚀刻阻止层暴露的区域接触所述半导体层。
9.根据权利要求8所述的方法,其中形成所述第二源极和漏极金属层包括在与所述第二源极和漏极金属层同一层中形成与半导体层重叠的辅助栅极电极。
10.根据权利要求5所述的方法,其中所述第一区域是所述栅极金属层与所述第一源极和漏极金属层构成电容器且所述第一源极和漏极金属层与所述第二源极和漏极金属层彼此绝缘的区域。
11.根据权利要求5所述的方法,其中所述第二区域是所述第一源极和漏极金属层与所述第二源极和漏极金属层彼此直接接触的区域。
12.—种检测有机发光二极管显示器的方法,所述有机发光二极管显示器包括有机发光二极管,以及控制所述有机发光二极管的开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和采样薄膜晶体管,所述方法包括: 向开关薄膜晶体管的栅极电极和漏极电极施加DC波形的第一电压; 向驱动薄膜晶体管的漏极电极施加所述第一电压;和 向采样薄膜晶体管的漏极电极施加DC波形的第二电压,并向采样薄膜晶体管的栅极电极施加以预定宽度摆动的第三电压。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一电压为具有与地电压相等电位的电压。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述第二电压为电位至少比所述第一电压的电位高的电压。
15.根据权利要求12所述的方法,其中所述第三电压为电位在-15V与20V之间摆动的电压。
【专利摘要】本发明涉及一种有机发光二极管显示器以及有机发光二极管显示器的制造和检测方法,其可将由于在制造用薄膜晶体管作为控制元件的有机发光二极管显示器的工艺中导致的开口缺陷所造成的故障最小化。因此,通过相对于由于有机发光二极管显示器的基板上的台阶差而容易产生开口缺陷的区域来形成双栅极结构的上金属层从而进一步形成至少一个接触部,使得即使产生开口缺陷时仍能正常施加信号。
【IPC分类】H01L27-32
【公开号】CN104701348
【申请号】CN201410749505
【发明人】康任局, 尹圣埈, 郑宇喆
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2014年12月9日
【公告号】US20150162393
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