基板装置及其制造方法

文档序号:8386068阅读:394来源:国知局
基板装置及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及基板装置及其制造方法,特别是,涉及基板装置所具备的导电性图案的形成技术。
【背景技术】
[0002]在TFT(Thin Film TranSistor,薄膜晶体管)面板的制造中,一般来说,在数据配线/端子部配线上层叠较厚的绝缘性保护膜(一般是有机树脂膜)后,还在上层形成导电性膜(透明电极膜)的图案。
[0003]图20示出通过包含如上述这样的成膜/图案形成工序的制造方法理应制造出的理想的TFT面板300的截面图。另外,图21示出从正上方俯视TFT面板300时的概要图,图22是将TFT面板300在图21的A-B处截断时的截面图,可知多个数据配线/端子部配线7之间电绝缘。如图20?图22所示,理想的是,TFT面板300的多个数据配线/端子部配线7之间电绝缘。
[0004]但是,实际上,在与理想的TFT面板300具备相同构成的现有的TFT面板中,在数据配线/端子部配线7上层叠较厚的绝缘性保护膜8然后在上层形成透明电极膜9的图案时,在数据配线/端子部配线7之间有形成电流泄漏路径的倾向。
[0005]图23?图25与示出理想的TFT面板的状态的图20?图22分别对应,而示出通过层叠较厚的绝缘性保护膜8来实施的TFT阵列工序实际制造的现有的TFT面板200的一例。图23示出TFT面板200的截面图。另外,图24示出从正上方俯视TFT面板200时的概要图,图25是将TFT面板200在图24的A-B处截断时的截面图。
[0006]如图23?图25所示,当在数据配线/端子部配线7上层叠较厚的绝缘性保护膜8时,沿着绝缘性保护膜8的图案边缘81,有残留透明电极膜残余物91的倾向。并且,在未被绝缘性保护膜8覆盖的多个数据配线/端子部配线7之间存在透明电极膜残余物91的情况下,透明电极膜残余物91会形成电流泄漏回路,而在多个数据配线/端子部配线7之间发生电短路。
[0007]图26?图28是示出沿着绝缘性保护膜8的图案边缘81在多个数据配线/端子部配线7之间产生透明电极膜残余物91的原因的图。图26示出在较厚的绝缘性保护膜8上刚刚形成透明电极膜90之后的截面图,图27示出在图26所示的状态之后还在透明电极膜90上涂布了抗蚀剂的状态的截面图。另外,图28是示出所涂布的抗蚀剂的残滓沿着绝缘性保护膜8的图案边缘存在的情况的截面图。
[0008]如图26所示,在绝缘性保护膜8的图案边缘81形成透明电极膜90时,沿着高度方向H的部位的膜厚有形成得较大的倾向。在该高度方向H的膜厚较大的情况下,即使通过进行图案蚀刻,也无法将数据配线/端子部配线7间的多余的透明电极膜90完全除去,由于这一原因,在图案蚀刻后会产生透明电极膜残余物91。
[0009]或者,如图27所示,在形成透明电极膜图案的光刻工序中,所涂布的抗蚀剂与透明电极膜90同样是沿着绝缘性保护膜8的高度方向变厚。因此,如图28所示,曝光会不充分,而在显影后产生抗蚀剂残滓。由于上述抗蚀剂残滓部分的原因,在蚀刻后会产生透明电极膜残余物91。
[0010]使用图26说明的理由和使用图27和图28说明的理由会导致发生如下事态:在未被绝缘性保护膜8覆盖的多个数据配线/端子部配线7之间,透明电极膜残余物91形成电流泄漏回路。
[0011]至此,使用顶栅结构的TFT面板说明了沿着绝缘性保护膜8的图案边缘81产生的透明电极膜残余物91和透明电极膜残余物91所导致的数据配线/端子部配线7之间的电流泄漏路径的形成。
[0012]但是,沿着绝缘性保护膜8的图案边缘81产生的透明电极膜残余物91和透明电极膜残余物91所导致的数据配线/端子部配线7之间电流泄漏路径的形成的问题并非仅涉及顶栅结构的TFT面板。
[0013]图19是示出理想的底栅结构的TFT面板400的结构的截面图。
[0014]从TFT面板400中的绝缘性保护膜8的形状也可知,在底栅结构的TFT面板400中,沿着绝缘性保护膜8的图案边缘81,也有产生透明电极膜残余物91的倾向。即,透明电极膜残余物91的产生和透明电极膜残余物91所导致的数据配线/端子部配线7之间的电流泄漏路径的形成,在底栅结构的TFT面板中也是问题。
[0015]因此,已进行用于即使在将绝缘性保护膜堆积得较厚时也会防止多个数据配线/端子部配线之间的电短路的各种尝试。
[0016]在下面列举的专利文献I中公开了如下技术:通过将安装端子间的层间绝缘膜的端部设为凸形状,来抑制图案边缘部分的像素电极材料残滓,防止安装端子间的短路。
[0017]另外,在专利文献2中公开了如下技术:对于用于形成层间绝缘膜的光掩模,在将曝光机的照射光遮蔽的遮光部图案与使照射光通过的开口部图案之间设置具有比曝光机的分辨率小的间距的边界部图案。通过使用上述光掩模,来使绝缘膜端部的倾斜角平缓,在栅极绝缘膜的端部,防止像素电极的残滓所导致的相邻安装端子间的电短路。
[0018]而且,在专利文献3中公开了如下基板装置:其具备图案膜,该图案膜形成在基板上,具有侧面部并且由单层构成,该侧面部形成为相对于基板的表面具有多个倾斜角度或者形成为台阶状。
_9] 现有技术文献
[0020]专利文献
[0021]专利文献1:日本公开专利公报“特开平11-24101号公报(1999年I月29日公开),,
[0022]专利文献2:日本公开专利公报“特开平11-153809号公报(1999年6月8日公开),,
[0023]专利文献3:日本公开专利公报“特开2009-128761号公报(2009年6月11日公开),,

【发明内容】

[0024]发明要解决的问题
[0025]然而,在如上所述的现有技术中,有不能实现可靠的电流泄漏路径的切断的问题。
[0026]S卩,在专利文献I的技术中,有机绝缘膜上的图案是通过光刻技术形成的,因此,有如下问题:在使有机绝缘膜较厚的情况下,难以准确地分辨图案,凸型的形状有可能走样。即,专利文献I所公开的在有机绝缘膜的图案边缘形成凸形状的方法是利用上部电极的膜容易残留于图案边缘的凹部分而不易残留于凸部分这一倾向来降低产生导电性膜残余物的概率,并不是可靠地将电流泄漏路径切断。
[0027]另外,专利文献2所公开的技术是通过利用设置了具有比曝光机的分辨率小的间距的边界部图案的光掩模,使层间绝缘材料膜的蚀刻的轮廓再现精度变差,使绝缘膜端部的倾斜角平缓。并且,通过使绝缘膜端部的倾斜角平缓,抑制在层间绝缘膜端部的附近产生抗蚀剂残滓。然而,虽然通过上述光掩模,很可能可以抑制轮廓再现精度,缓和绝缘膜端部的倾斜角,抑制产生抗蚀剂残滓,并且抑制产生像素电极的残滓,但电流泄漏路径的切断的可靠性不详。
[0028]而且,在专利文献3所述的发明中,图案膜的侧面部所形成的多个倾斜角度或者台阶也并非能可靠地抑制产生膜残滓。
[0029]本发明是鉴于上述的问题而完成的,其目的在于,即使是在数据配线间产生了导电性膜残余物的情况下,也能可靠地切断电流泄漏路径。
[0030]用于解决问题的方案
[0031]为了解决上述的问题,本发明的一方式所涉及的基板装置包含:第I绝缘膜;多条配线,其在上述第I绝缘膜的表面上以规定的间隔相邻地延伸;第2绝缘膜,其以将上述多条配线的各全长的一部分一并覆盖的方式设置,从而在上述多条配线上形成有法面;以及导电性图案,其形成在上述第2绝缘膜的表面上,上述基板装置的特征在于,在上述第I绝缘膜的上述表面,在与上述第2绝缘膜的上述法面相应的位置中的(I)与上述多条配线中的相邻地延伸的2条配线中的至少一方相应的位置或者(2)上述多条配线中的相邻地延伸的2条配线之间的位置形成有开口部。
[0032]为了解决上述的问题,本发明的一方式所涉及的基板装置的制造方法是如下基板装置的制造方法,上述基板装置包含:第I绝缘膜;多条配线,其在上述第I绝缘膜的表面上以规定的间隔相邻地延伸;第2绝缘膜,其以将上述多条配线的各全长的一部分一并覆盖的方式设置,从而在上述多条配线上形成有法面;以及导电性图案,其形成在上述第2绝缘膜的表面上,上述基板装置的制造方法的特征在于,包含:开口步骤,在上述第I绝缘膜的上述表面,在与上述第2绝缘膜的上述法面相应的位置中的(I)与上述多条配线中的相邻地延伸的2条配线中的至少一方相应的位置或者(2)上述多条配线中的相邻地延伸的2条配线之间的位置形成开口部;配线形成步骤,在上述第I绝缘膜上,形成以规定的间隔相邻地延伸的多条配线;以及第2绝缘膜形成步骤,以使得上述第2绝缘膜将上述多条配线的各全长的一部分一并覆盖,在上述多条配线上形成上述第2绝缘膜的法面且该法面也形成在上述开口部内的方式,形成上述第2绝缘膜。
[0033]发明效果
[0034]根据本发明的一方式,取得如下效果:使得沿着上述第2绝缘膜的上述法面产生的上述配线间的上述残滓向上述开口部的底部移动,因该残滓而可能形成的上述配线间的电流泄漏路径被上述开口部的台阶可靠地切断。
【附图说明】
[0035]图1是示出本发明的一方式所涉及的基板装置的截面图,图1的A-B与图2的A-B对应。
[0036]图2是从正上方俯视图1所示的基板装置时的概要图,图2的A-B与图1的A-B对应,图2的C-D与图3的C-D对应。
[0037]图3是将图1所示的基板装置在图2的C-D处截断时的截面图。
[0038]图4是关于图1所示的基板装置,示出沿着绝缘性保护膜的图案边缘产生的透明电极膜残余物积存在层间绝缘膜开口部的底部的情况的截面图。
[0039]图5是关于图1所示的基板装置,示出利用层间绝缘膜开口部可靠地切断了透明电极膜残余物在数据配线/端子部配线之间形成的电流泄漏回路的情况的截面图。
[0040]图6是示出制造图1所示的基板装置的工序的一部分的流程图。
[0041]图7是不出图6所不的制造工序的后续工序的流程图。
[0042]图8是不出图7所不的制造工序的后续工序的流程图。
[0043]图9是示出本发明的另一方式所涉及的制造基板装置的工序的一部分的流
当前第1页1 2 3 4 5 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1