一种用于oled背光源的高折射率玻璃基板的制作方法

文档序号:8397175阅读:490来源:国知局
一种用于oled背光源的高折射率玻璃基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示屏背光源领域,尤其涉及一种用于OLED背光源的高折射率玻璃基板。
【背景技术】
[0002]目前,OLED背光源为多层结构,包括金属阴极,电子传输层,发光层,空穴传输层,ITO镀膜,以及玻璃基板。其中电子传输层,发光层和空穴传输层都为电致发光的有机材料。有机材料和ITO的折射率nd值在1.7到1.9之间。通常使用的玻璃基板为厚度在Imm左右的平板玻璃,折射率nd值在1.5左右。当OLED工作时,大概有50%的光无法穿透玻璃基板,而是在有机材料层之间纵向传播,最终被吸收掉。主要原因是电致发光的有机材料和ITO镀膜的折射率通常远大于玻璃基板的折射率,导致光线在玻璃基板和ITO镀膜之间产生了全反射效应,这样入射角小于全反射角的光线就会反射会有机材料层,并在其间反复传播,最终消散并转化为热量。根据有机电致发光的原理,在发光层产生的光线方向是随机并杂乱无章的,这样就会有相当一部分光线由于玻璃基板的全反射而无法被利用,从而影响了OLED背光源的发光效率。

【发明内容】

[0003]为了克服现有OLED背光源发光效率不理想的问题,本发明的提供了一种高折射率玻璃基板用于ITO镀膜,以减小玻璃基板和ITO界面的全反射现象,从而使更多的光线穿透玻璃基板。其所采用的玻璃基板折射率nd值大于1.90。
[0004]本发明所提供的高折射率平板玻璃的主要成分为氧化铅(PbO)和二氧化硅(Si02),其中PbO所占重量比例为70%?80%,Si02所占重量比例为20%?30%。
【附图说明】
[0005]图1是OLED背光源的刨面结构示意图其中附图标记
I为金属阴极;
2为电子传输层;
3为发光层;
4为空穴传输层;
5为ITO镀膜;
6为高折射率玻璃基板。
【具体实施方式】
[0006]下面结合实施例和附图,对发明作详细说明。附图中类似标记表示相同或类似部件。然而,为了更好的理解,附图中所示的部件是示意性表示,它们不是按比例绘制的,即该附图的部件不表示真实尺寸。这些真实尺寸对本领域普通技术人员来说都是公知的,因此无需进行详细描述。
[0007]下面参考图1,OLED背光源的刨面结构示意图。其中包括金属阴极1,电子传输层(ETL) 2,发光层3,空穴传输层(HTL) 4,ITO镀膜5,以及玻璃基板6。
[0008]发光层产生的光线一部分穿透电子传射层2,被金属阴极I反射回来。另一部分穿透空穴传输层4和ITO镀膜5,到达玻璃基板6。空穴传射层的折射率nd值为1.7,ITO镀膜的折射率为1.9,大于空穴传输层折射率,所以光线在空穴传输层与ITO镀膜界面无全反射现象,所有光线都可以到达ITO镀膜与玻璃基板的界面。玻璃基板的折射率Nd值大于
1.90,与ITO镀膜折射率非常接近,所以光线在二者界面产生的全反射极少。这样大部分发光层产生的光线都可以进入玻璃基板,并最终成为背光源的有效光被发射出去。
[0009]OLED工作时,当施加一正向外加偏压后,电子和空穴克服界面的势垒分别由阴极和阳极注入电子有机层,分别进入电子传输层(ETL)的LUMO能级和空穴传输层(HTL)的HOMO能级。载流子在外部电场的驱动下传递ETL和HTL的界面,即发光层,由于界面的能级差,使得界面会有电荷的积累。电子与空穴在有发光特性的有机物内复合,形成处于激发态的激子,此激发态的激子在一般的环境中是不稳定的,能量将以光或热的形式释放出来而回到稳定的基态。不同于光激发产生的是单重激发态,有机分子经过电子、空穴复合产生的激发态理论上只有25%的单重激发态,以荧光形式回归基态,其余75%为三重激发态,将以磷光或热的形式回归基态。
【主权项】
1.一种用于OLED背光源的高折射率玻璃基板,其特征在于,这种高折射率玻璃基板作为ITO镀膜基板,可以减小玻璃基板和ITO界面的全反射现象,从而使更多的光线穿透玻璃基板,成为OLED背光源的有效光。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板,其特征在于,玻璃中PbO所占重量比例为70%?80%,Si02所占重量比例为20%?30%。
3.根据权利要求1所述的玻璃基板,其特征在于,玻璃的折射为nd>l.90。
4.根据权利要求1所述的OLED背光源,其特征在于,OLED背光源为多层结构,包括金属阴极,电子传输层,发光层,空穴传输层,ITO镀膜,以及玻璃基板。
【专利摘要】一种用于OLED背光源的高折射率玻璃基板,其特征在于,这种高折射率玻璃基板作为ITO镀膜基板,可以减小玻璃基板和ITO界面的全反射现象,从而使更多的光线穿透玻璃基板,成为OLED背光源的有效光。
【IPC分类】H01L51-52
【公开号】CN104716267
【申请号】CN201310691702
【发明人】郭作超
【申请人】郭作超
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2013年12月17日
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