一种基于cob封装技术的led铝基板制造工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体照明领域，具体而言，它涉及一种的基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺。
【背景技术】
[0002]LED作为冷光源，是一种高效节能光源，其工作寿命长，这样的优势使LED照明产品成为照明行业的发展方向。但是作为光源的LED产品，在工作过程中只有10% — 20%的电能转换为光能，其余的电能全部转换为热能，而对于LED产品每升高10摄氏度，其产品使用寿命就会缩短两倍，因此，对于LED产品而言，良好的散热成为LED产品的关键，现有的LED产品的散热不好，散热的层级较多，一般为LED芯片一LED底角一LED底角与铝基板导电层焊接层一铝基板导电层一铝基板导电层与绝缘层的粘合层一绝缘层一绝缘层和铝基板的粘合层一招基板一招基板与散热体粘合层一散热体。LED芯片所产生的热量通过9层结构传递到散热体，散热效果自然不好。
[0003]针对这一问题，一些LED生产厂商，采用了一种COB的封装技术，就是把LED的芯片直接封装到LED铝基板的绝缘层，这样，LED芯片的散热结构为LED芯片一LED芯片与铝基板绝缘层的粘合层一绝缘层一绝缘层与铝基板粘合层一铝基板一铝基板与散热体粘合层一散热体。LED芯片的热量通过6层结构传递到散热体，提高了散热效果，但是，这对于LED产品的散热效果来说，是远远不够的，必须改进LED铝基板的制造工艺，减少散热传递的层结构，才能达到更好的散热效果。
【发明内容】
[0004]本发明的目的，就是提供一种基于COB封装技术的LED铝基板的制造工艺，来减少散热传递层级，达到更好的散热效果。
[0005]一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺，采用了铝基板阳极氧化成膜技术，它包括(I)铝基板预处理；(2)将铝基板不加工面贴上保护膜；(3)将铝基板放入草酸电解液，阳极氧化，铜片为阴极；(4)去掉铝基板不加工面保护膜；(5)对氧化铝层抛光，并使氧化铝层保持一定的厚度；(6)用去离子水清洗；(7)自然干燥。
[0006]一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺，采用了 AA6061厚度为Imm的铝板。
[0007]一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺，采用了浓度为40g/l的草酸溶液为电解液，恒流0.5A，不控制湿度的条件下，工作温度为20摄氏度一32摄氏度，氧化时间为30分钟。
[0008]一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺，采用阳极氧化成膜技术，所得到的氧化铝绝缘层厚度为35um，导热系数为22.4W/mK。
[0009]一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺，采用阳极氧化成膜技术，其氧化铝绝缘层耐压实验>2000v。
【附图说明】
[0010]图1为一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺流程图；图2为一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺散热结构层示意图。
[0011]附图标记说明:1 LED芯片2 LED芯片与铝基板氧化铝绝缘层粘合层3氧化铝绝缘层4铝基板5铝基板和散热器粘合层。
【具体实施方式】
[0012]一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺，见图1，采用了铝基板阳极氧化成膜技术，它包括(I)铝基板预处理；(2 )将铝基板不加工面贴上保护膜；(3 )将铝基板放入草酸电解液，阳极氧化，铜片为阴极；(4)去掉铝基板不加工面保护膜；(5)对氧化铝层抛光，并使氧化铝层保持一定的厚度；(6)用去离子水清洗；(7)自然干燥。
[0013]实例1:采用AA6061的Imm厚铝板
步骤1.铝基板预处理，它包括:脱脂(H2S04，9.6%，60摄氏度，2分钟)一水洗一碱蚀(Na0H，9.6%，50摄氏度，25秒)水洗一酸蚀(HN03，130g/L,室温，3分钟)一水洗一消光(NaOH, 9.6%，60摄氏度，I分钟)一7K洗一抛光(HN03+H3P04，4%，80摄氏度，I分钟)一水洗。
[0014]步骤2.将预处理好的铝基板不加工面贴好保护膜。
[0015]步骤3.将铝基板放入浓度为40g/l的草酸溶液电解，恒流0.5A，不控制湿度的条件下，工作温度为20摄氏度一32摄氏度，氧化时间为30分钟，使AA6061铝板表面生成35um
厚度的氧化铝绝缘层。
[0016]步骤4.去掉铝基板不加工面保护膜。
[0017]步骤5.把带有氧化铝绝缘层的铝基板放入抛光机抛光，抛光后氧化铝绝缘层厚度为20um。
[0018]步骤6.用去离子水清洗铝基板。
[0019]步骤7.自然干燥。
[0020]步骤8.用导热系数测量仪表测试AA6061氧化铝绝缘层系数为22.4W/mK。
[0021]步骤9.用耐压测试仪表，对氧化铝绝缘层的耐压测试结果为>2000v。
[0022]一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺，通过采用了铝基板阳极氧化成膜技术使氧化铝绝缘层和铝基板成为一体，简化了散热传递的层级结构，见图2。使采用COB封装技术的的LED产品由原来的从LED芯片到散热体的6层散热传递结构变为3层传递结构，氧化铝绝缘层和铝基板成为一体，大大提高了散热效果。
【主权项】
1.一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺，其特征在于，采用了铝基板阳极氧化成膜技术，它包括(I)铝基板预处理；(2)将铝基板不加工面贴上保护膜；(3)将铝基板放入草酸电解液，阳极氧化，铜片为阴极；(4)去掉铝基板不加工面保护膜；(5)对氧化铝层抛光，并使氧化铝层保持一定的厚度；(6)用去离子水清洗；(7)自然干燥。
2.在根据权利要求1所述的一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺，采用了AA6061厚度为Imm的铝板。
3.根据权利要求1所述的一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺，采用了浓度为40g/l的草酸溶液为电解液，恒流0.5A，不控制湿度的条件下，工作温度为20摄氏度一32摄氏度，氧化时间为30分钟。
4.根据权利要求1所述的一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺，采用阳极氧化成膜技术，所得到的氧化铝绝缘层厚度为35um，导热系数为22.4W/mK。
5.根据权利要求1所述的一种基于COB封装技术的LED铝基板制造工艺，采用阳极氧化成膜技术，其氧化铝绝缘层耐压实验>2000v。
【专利摘要】本发明公开了一种基于COB封装技术的LED铝基板的制造工艺，减少散热传递层级，达到更好的散热效果。它采用了铝基板阳极氧化成膜技术，它包括：（1）铝基板预处理；（2）将铝基板不加工面贴上保护膜；（3）将铝基板放入草酸电解液，阳极氧化，铜片为阴极；（4）去掉铝基板不加工面保护膜；（5）对氧化铝层抛光，并使氧化铝层保持一定的厚度；（6）用去离子水清洗；（7）自然干燥。通过铝基板阳极氧化成膜技术在铝基板表面得到氧化铝绝缘层，减少散热传递层级，达到更好的散热效果。
【IPC分类】H01L33-48, H01L33-64
【公开号】CN104733586
【申请号】CN201310721516
【发明人】黄刚
【申请人】天津榛发科技有限责任公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2013年12月24日