真空断路器的制造方法

文档序号:8432020阅读:253来源:国知局
真空断路器的制造方法
【专利说明】
[0001]技术领域:
本发明涉及一种真空断路器。
[0002]【背景技术】:
真空断路器要向高电压使用领域发展,提高真空灭弧室断口极间绝缘耐受能力制成额定电压较高的单独断口真空灭弧室的经济意义是巨大的,不但可减少串联断口的数量,而且使断路器结构简单,从而提高了设备可靠性并使设备造价亦相应降低。提高单断口真空灭弧室的绝缘耐受能力主要在下列三方面采取措施。
[0003]传统的真空断路器,当其气路压力表出现问题时,必须将系统阀门关闭,让压力表与系统隔离后才能够拆下检修。在拆下压力表的同时,管路内残留的气体会排向大气,一方而会造成大气污染,另一方面,会导致气体密度开关禁止断路器任何操作,如果此时线路发生故障,将会造成越级跳闸,导致事故范围的扩大,后果极其严重。
[0004]
【发明内容】
:
本发明的目的是提供一种真空断路器。
[0005]上述的目的通过以下的技术方案实现:
一种真空断路器,其组成包括:底架,所述的底架与弹簧操作机构连接,所述的弹簧操作机构与电流互感器连接,所述的电流互感器与分闸弹簧连接,所述的分闸弹簧与传动装置连接,所述的底架上安装有一组外壳,所述的外壳与吸附器连接,所述的外壳的上方安装有电流互感器,所述的电流互感器与瓷套连接,所述的瓷套与出线帽连接。
[0006]所述的真空断路器,所述的底架上具有铭牌、分合指示装置、气体管道、起吊环。
[0007]所述的真空断路器,所述的电流互感器与互感器连接套管连接,所述的互感器连接套管与所述的底架连接。
[0008]所述的真空断路器,所述的底架上具有一组可开启门、弹簧操作机构门。
[0009]有益效果:
1.本发明开断性能优良,采用压气式灭弧室,燃弧时间短,电寿命长,在额定电压下连续开断31.5kA短路电流达21次不检修,不更换SF6气体;机械可靠性高。机械寿命达3000次以上;能频繁操作。
2.本发明能够安装12只电流互感器,供用户选择。该产品采用新型MKZ型SF6指针式密度表,压力表读数不受温度变化的影响,使用方便。
【附图说明】:
附图1是本发明的结构示意图。
[0010]附图2是附图1的左视图。
[0011]【具体实施方式】:
实施例1:
一种真空断路器,其组成包括:底架7,所述的底架与弹簧操作机构15连接,所述的弹簧操作机构与电流互感器3连接,所述的电流互感器与分闸弹簧12连接,所述的分闸弹簧与传动装置11连接,所述的底架上安装有一组外壳6,所述的外壳与吸附器5连接,所述的外壳的上方安装有电流互感器3,所述的电流互感器与瓷套2连接,所述的瓷套与出线帽I连接。
[0012]实施例2:
根据实施例1所述的真空断路器,所述的底架上具有铭牌10、分合指示装置9、气体管道8、起吊环14。
[0013]实施例3:
根据实施例1或2所述的真空断路器,所述的电流互感器与互感器连接套管4连接,所述的互感器连接套管与所述的底架连接。
[0014]实施例4:
根据实施例1或2所述的真空断路器,所述的底架上具有一组可开启门16、弹簧操作机构门17。
【主权项】
1.一种真空断路器,其组成包括:底架,其特征是:所述的底架与弹簧操作机构连接,所述的弹簧操作机构与电流互感器连接,所述的电流互感器与分闸弹簧连接,所述的分闸弹簧与传动装置连接,所述的底架上安装有一组外壳,所述的外壳与吸附器连接,所述的外壳的上方安装有电流互感器,所述的电流互感器与瓷套连接,所述的瓷套与出线帽连接。
2.根据权利要求1所述的真空断路器,其特征是:所述的底架上具有铭牌、分合指示装置、气体管道、起吊环。
3.根据权利要求1或2所述的真空断路器,其特征是:所述的电流互感器与互感器连接套管连接,所述的互感器连接套管与所述的底架连接。
4.根据权利要求1或2所述的真空断路器,其特征是:所述的底架上具有一组可开启门、弹簧操作机构门。
【专利摘要】真空断路器。传统的真空断路器,在拆下压力表的同时,管路内残留的气体会排向大气,一方而会造成大气污染,另一方面,会导致气体密度开关禁止断路器任何操作,如果此时线路发生故障,将会造成越级跳闸,后果极其严重。本发明的组成包括:底架(7),所述的底架与弹簧操作机构(15)连接,所述的弹簧操作机构与电流互感器(3)连接,所述的电流互感器与分闸弹簧(12)连接,所述的分闸弹簧与传动装置(11)连接,所述的底架上安装有一组外壳(6),所述的外壳与吸附器(5)连接,所述的外壳的上方安装有电流互感器(3),所述的电流互感器与瓷套(2)连接,所述的瓷套与出线帽(1)连接。本发明用于高压断路保护。
【IPC分类】H01H33-664, H01H33-66
【公开号】CN104752092
【申请号】CN201310736237
【发明人】张明秀, 孔祥朋
【申请人】哈尔滨理大晟源科技开发有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月29日
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