一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
【背景技术】
[0002]氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是以金属氧化物半导体作为有源层，具有超薄、重量轻、低耗电等优势，氧化物TFT与非晶硅TFT相比，其载流子浓度是非晶硅TFT的十倍；氧化物TFT还具有均匀性好、透明、制作工艺简单等优点，应于显示面板的阵列基板时，能够很好的满足液晶(Liquid Crystal Display，IXD)显示面板和有机发光二极管(Organic Light Emitting D1de，OLED)显示面板的需求。
[0003]但是，现有的应用氧化物TFT的阵列基板还存在如下问题:
[0004]由于水、氧和氢基团会由氧化物TFT上方的钝化层渗透至氧化物TFT的有源层，并使氧化物TFT的阈值电压发生较大的漂移，影响氧化物TFT性能甚至会导致产品失效，因此，采用氧化物TFT的阵列基板的稳定性和信赖性还有待进一步提高。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以解决由于水、氧和氢基团会由氧化物TFT上方的钝化层渗透至氧化物TFT的有源层，使氧化物TFT的阈值电压发生较大的漂移，所导致的氧化物TFT性能降低甚至会失效的问题。
[0006]本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
[0007]本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板、形成于衬底基板上的氧化物薄膜晶体管TFT，所述氧化物TFT的上方设置有钝化层，所述钝化层包括第一膜层，所述第一膜层为氧化硅薄膜；
[0008]所述钝化层还包括形成于所述第一膜层之上的第二膜层，所述第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层，所述第二膜层的靠近所述第一膜层的底层为氮化硅薄膜；
[0009]其中，所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度。
[0010]本实施例中，所述钝化层的所述第一膜层由氧化硅薄膜形成，所述第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层，且所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度，因此所述第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜均为较薄的膜层，所述第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜相互弥补，既降低了氮化硅薄膜的纵向渗透特性带来的不良影响，又降低了氧化硅薄膜质密性低所带来的不良影响，从而使所述钝化层能够提供较好的防止水、氧和氢基团渗透的性能，氧化物TFT的有源层不会被水、氧和氢基团所影响，确保氧化物TFT的性能。
[0011]优选的，所述第二膜层的远离所述第一膜层顶层为氮化硅薄膜。
[0012]优选的，所述第二膜层中的各层氮化硅薄膜的厚度相等，所述第二膜层中的各层氧化硅薄膜的厚度相等，且所述第二膜层中的氧化硅薄膜的厚度大于或等于所述第二膜层中的氮化硅薄膜的厚度。本实施例中，所述第二膜层中的各层氮化硅薄膜厚度均匀，所述第二膜层中的各层氧化硅薄膜厚度均匀，提供稳定的防止水、氧和氢基团渗透的性能。
[0013]优选的，所述第二膜层的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层，由底层至顶层，各层薄膜的厚度递减。本实施例中，所述第二膜层中的各层氮化硅薄膜和各层氧化硅薄膜厚度由底层至顶层递减，能够更好的提供防止水、氧和氢基团渗透的性能。
[0014]优选的，所述第一膜层的厚度范围为1500?4000埃。
[0015]优选的，所述第二膜层中每一层氧化硅薄膜的厚度为100?300埃，所述第二膜层中第一层氮化硅薄膜的厚度为100?300埃。本实施例中，所述第二膜层的氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的厚度较薄，二者的交替叠层可以实现较高质密性和较好的纵向的防护性。
[0016]优选的，所述第二膜层中的各层氧化硅薄膜和各层氮化硅薄膜的厚度之和小于1000 埃。
[0017]本发明实施例有益效果如下:所述氧化物TFT上方的所述钝化层的所述第一膜层由氧化硅薄膜形成，所述第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层，且所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度，因此所述第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜均为较薄的膜层，所述第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜相互弥补，既降低了氮化硅薄膜的纵向渗透特性带来的不良影响，又降低了氧化硅薄膜质密性低所带来的不良影响，从而使所述钝化层能够提供较好的防止水、氧和氢基团渗透的性能，氧化物TFT的有源层不会被水、氧和氢基团所影响，确保氧化物TFT的性能并防止所述氧化物TFT失效。
[0018]本发明实施例提供一种显示面板，包括如上实施例提供的所述阵列基板。
[0019]本发明实施例有益效果如下:所述显示面板的阵列基板设置有氧化物TFT，所述氧化物TFT上方的所述钝化层的所述第一膜层由氧化硅薄膜形成，所述第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层，且所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度，因此所述第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜均为较薄的膜层，所述第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜相互弥补，既降低了氮化硅薄膜的纵向渗透特性带来的不良影响，又降低了氧化硅薄膜质密性低所带来的不良影响，从而使所述钝化层能够提供较好的防止水、氧和氢基团渗透的性能，氧化物TFT的有源层不会被水、氧和氢基团所影响，确保氧化物TFT的性能并防止所述氧化物TFT失效。
[0020]本发明实施例提供一种显示装置，包括如上实施例提供的所述显示面板。
[0021]本发明实施例有益效果如下:所述显示面板的阵列基板设置有氧化物TFT，所述氧化物TFT上方的所述钝化层的所述第一膜层由氧化硅薄膜形成，所述第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层，且所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度，因此所述第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜均为较薄的膜层，所述第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜相互弥补，既降低了氮化硅薄膜的纵向渗透特性带来的不良影响，又降低了氧化硅薄膜质密性低所带来的不良影响，从而使所述钝化层能够提供较好的防止水、氧和氢基团渗透的性能，氧化物TFT的有源层不会被水、氧和氢基团所影响，确保氧化物TFT的性能并防止所述氧化物TFT失效。
[0022]本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括:
[0023]在衬底基板上形成氧化物TFT ;
[0024]在所述氧化物TFT的上方形成钝化层的第一膜层，在所述第一膜层之上交替形成氮化硅薄膜和氧化硅薄膜，交替形成的各层氮化硅薄膜和各层氧化硅薄膜的交替叠层作为第二膜层，所述第二膜层的靠近所述第一膜层的底层为氮化硅薄膜；其中，所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度。
[0025]优选的，所述第二膜层的远离所述第一膜层顶层为氮化硅薄膜。
[0026]优选的，所述在所述第一膜层之上交替形成氮化硅薄膜和氧化硅薄膜，包括:
[0027]以预定的厚度交叠形成所述第二膜层中的各层氮化硅薄膜和各层氧化硅薄膜；其中，所述第二膜层中的各层氮化硅薄膜的厚度相等，所述第二膜层中的各层氧化硅薄膜的厚度相等，且所述第二膜层中的氧化硅薄膜的厚度大于或等于所述第二膜层中的氮化硅薄膜的厚度。
[0028]优选的，所述在所述第一膜层之上交替形成氮化硅薄膜和氧化硅薄膜，包括:
[0029]由所述第二膜层的底层至顶层，以递减的厚度交叠形成所述第二膜层中的各层氮化硅薄膜和各层氧化硅薄膜。
[0030]优选的，所述第一膜层的厚度范围为1500?4000埃。
[0031]优选的，所述第二膜层中每一层氧化硅薄膜的厚度为100?300埃，所述第二膜层中第一层氮化硅薄膜的厚度为100?300埃。
[0032]优选的，所述第二膜层中的各层氧化硅薄膜和各层氮化硅薄膜