一种太阳能硅片的清洗方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及太阳能技术领域，尤其涉及一种太阳能硅片的清洗方法。
【背景技术】
[0002] 随着太阳能电池系统平衡部件成本比例的增大，提高太阳能电池的转换效率变得 尤为重要。目前，太阳能电池主要市场份额由晶硅电池占据，典型的晶硅高效技术有：选择 性发射极技术，背接触高效技术、金属穿孔卷绕技术和晶硅/非晶硅异质节技术等。其中， 晶硅/非晶硅异质节电池技术具有低温制备、低温度系数和高效特点，被认为是最有竞争 力的晶娃1?效技术。
[0003] 晶硅/非晶硅异质节电池的核心点在于晶硅表面的钝化技术，其性能与界面清洗 方法直接相关，通常用少子寿命表征，硅片表面的金属污染越少，硅片的少子寿命越长，晶 硅/非晶硅异质节电池的性能越好。
[0004] 目前，常用的晶硅/非晶硅清洗技术一般为RCA清洗技术，即首先对硅片进行去 除硅片表面杂质的清洗，以去除硅片表面的有机物、颗粒和金属元素等；然后对硅片进行氧 化和络合处理，以去除硅片表面的金属原子；最后利用氢氟酸溶液，对硅片表面进行刻蚀处 理，以去除硅片表面的氧化层。但是，目前现有的硅片清洗方法不能达到更高效的异质节电 池需求，因此，如何降低清洗后硅片表面的金属污染已成为本领域技术人员亟需解决的问 题。
【发明内容】
[0005] 本发明实施例提供了一种太阳能硅片的清洗方法，用以降低硅片表面的金属污 染，从而提1?娃片的少子寿命。
[0006] 本发明实施例提供的一种太阳能硅片的清洗方法，包括对太阳能硅片进行RCA清 洗，其中，所述RCA清洗包括：
[0007] 对太阳能硅片进行预清洗使得硅片表面产生氧化后，进行刻蚀处理；其中，
[0008] 采用双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对太阳能硅片进行刻蚀处理。
[0009] 本发明实施例提供的上述太阳能硅片的清洗方法，在对太阳能硅片进行RCA清洗 时，采用双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对经过预清洗后的太阳能硅片进行刻蚀处 理，利用硅片与双氧水、氢氟酸和水的混合溶液的界面化学变化，促进对硅片表面进行微刻 蚀，从而降低硅片表面的金属污染，进而降低硅片表面的金属原子与硅片中的少子的复合， 提商太阳能娃片中少子的寿命，从而提商太阳能电池的效率。
[0010] 较佳地，为了进一步地提高硅片少子的寿命，在本发明实施例提供的上述清洗方 法中，在对太阳能硅片进行所述刻蚀处理之后，还包括：
[0011] 对所述太阳能硅片进行氧化处理；
[0012] 采用双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对所述氧化处理后的太阳能硅片进行 刻蚀处理。
[0013] 较佳地，为了进一步地提高硅片少子的寿命，在本发明实施例提供的上述清洗方 法中，所述氧化处理和所述刻蚀处理交替执行，重复1-3次。
[0014] 较佳地，为了达到较好的清洗效果，在本发明实施例提供的上述清洗方法中，在所 述双氧水、氢氟酸和水的混合溶液中，浓度为30%的双氧水、浓度为49%的氢氟酸和水的体 积比为〇· 1~1:1:20~500。
[0015] 较佳地，为了达到较好的清洗效果，在本发明实施例提供的上述清洗方法中，采用 双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对太阳能硅片进行一次刻蚀处理的时间为30秒至5 分钟。
[0016] 较佳地，为了达到较好的清洗效果，在本发明实施例提供的上述清洗方法中，对所 述太阳能硅片进行氧化处理，具体包括：
[0017] 采用双氧水的水溶液对太阳能硅片进行氧化处理。
[0018] 较佳地，为了达到较好的清洗效果，在本发明实施例提供的上述清洗方法中，在双 氧水的水溶液中，浓度为30%的双氧水和水的体积比为0. 1~10:20。
[0019] 较佳地，为了达到较好的清洗效果，在本发明实施例提供的上述清洗方法中，采用 双氧水的水溶液对太阳能硅片进行一次氧化处理的时间为30秒至5分钟。
[0020] 较佳地，为了达到较好的清洗效果，在本发明实施例提供的上述清洗方法中，所述 预清洗包括：
[0021] 采用硫酸和双氧水的混合溶液或者氢氧化铵、双氧水和水的混合溶液对太阳能硅 片进行去除硅片表面杂质的清洗；
[0022] 和/或采用盐酸、双氧水和水的混合溶液对经过前述去除硅片表面杂质的清洗后 的太阳能硅片进行氧化和络合处理。
[0023] 较佳地，在本发明实施例提供的上述清洗方法中，在对太阳能硅片进行RCA清洗 之前，还包括：
[0024] 对所述太阳能硅片进行制绒处理。
【附图说明】
[0025] 图1为本发明实施例提供的太阳能硅片的清洗方法的流程图之一；
[0026] 图2为本发明实施例提供的太阳能硅片的清洗方法的流程图之二；
[0027] 图3为本发明实施例提供的太阳能硅片的清洗方法的流程图之三；
[0028] 图4为本发明实施例提供的清洗槽的结构示意图；
[0029] 图5为本发明实例一提供的太阳能硅片的清洗方法的流程图。
【具体实施方式】
[0030] 下面结合附图，对本发明实施例提供的太阳能硅片的清洗方法的【具体实施方式】进 行详细地说明。
[0031] 本发明实施例提供的一种太阳能硅片的清洗方法，包括对太阳能硅片进行RCA清 洗，如图1所示，RCA清洗具体包括以下步骤：
[0032] S101、对太阳能硅片进行预清洗使得硅片表面产生氧化；
[0033] 具体地，在RCA清洗中，对太阳能硅片进行预清洗是要去除硅片表面的有机沾污、 颗粒和部分金属污染等，在这过程中，硅片表面产生了氧化。在具体实施时，对太阳能硅片 进行去除硅片表面杂质的清洗可以包括：
[0034] 采用硫酸H2SO4和双氧水H2O 2的混合溶液或者氢氧化铵ΝΗ40Η、双氧水H2O2和水H 2O 的混合溶液对太阳能硅片进行去除硅片表面杂质的清洗；
[0035] 和/或采用盐酸、双氧水和水的混合溶液对经过前述去除硅片表面杂质的清洗后 的太阳能硅片进行氧化和络合处理。
[0036] 具体地，采用H2SO4和H2O 2的混合溶液对太阳能硅片进行去除硅片表面杂质的清 洗，由于H2SOjP H2O2的混合溶液有很高的氧化能力，不仅可以将附着在硅片表面的金属污 染物氧化后溶于该混合溶液中，并且能将附着在硅片表面的有机物氧化成CO 2和H20,从而 去除硅片表面的有机物沾污和部分金属污染。
[0037] 具体地，采用NH40H、H2O2和H 2O的混合溶液对太阳能硅片进行去除硅片表面杂质 的清洗，由于H202的氧化作用，硅片的表面会生成一层氧化硅薄膜层（Si02)，使硅片的表 面呈亲水性，从而使硅片的表面和粒子之间可被NH 40H、H2O2和H2O的混合溶液浸透；同时， 由于硅片表面的氧化硅薄膜层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此可以使附着在硅片表面 的颗粒易于落入NH40H、H2O 2和H2O的混合溶液中，从而达到去除硅片表面的颗粒的目的。
[0038] 具体地，采用盐酸、双氧水和水的混合溶液对经过前述去除硅片表面杂质的清洗 后的太阳能硅片进行氧化和络合处理，主要用于去除硅片表面的钠 Na、铁Fe、镁Mg等金属 沾污。
[0039] S102、对进行预清洗之后的太阳能硅片进行刻蚀处理；具体采用双氧水、氢氟酸和 水混合后的刻蚀溶液对太阳能硅片进行刻蚀处理。<