一种酸槽背面硅腐蚀方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种酸槽背面硅腐蚀方法。
【背景技术】
[0002]简易酸槽(Wet Bench)不同于旋转式腐蚀机(SEZ之类)，作业DM0S/IGBT/肖特基产品的背面硅腐蚀工艺时经常遇见一系列的表观异常，比如背面水痕、白条、色差等。硅腐蚀酸液由硝酸、氢氟酸、冰乙酸按照一定比例配置而成，溶液浓度较高，硅腐蚀速率较快。简易酸槽无搅拌装置，水槽无鼓泡，很容易导致硅腐蚀和冲水不均匀，在硅片背面形成色差、水痕、片架印等表观缺陷。
[0003]如图1所示，减薄机完成减薄后，硅片01的背面残留大量的硅屑硅粉02，如减薄完成的硅片01直接放入酸槽进行腐蚀，大量的硅屑硅粉02与硅腐蚀液的混合物残留在硅片01表面，影响硅腐蚀的均匀性；冲水时硅屑硅粉02与硅腐蚀液的混合物沿硅片01背面的表面流下，流动中又腐蚀已完成腐蚀的硅表面，形成流水状水痕03异常，如图2所示。如图4所示，现有技术中片架外壁06与片架内夹层04的位置关系，片架内的槽位较多且片架内夹层04与硅片的接触面积较大，则硅片腐蚀面与槽位接触处易产生残留(印记)05，如图3所示。
[0004]如图5所示，简易酸槽的冲水槽07无氮气鼓泡功能，只有快排和溢流功能，冲水时(利用去离子水09)很难及时带走硅片背面的酸液及片架08上的酸液，残留酸液在溢流-快排过程中二次腐蚀硅片背面形成凹凸不平的表观异常。且原冲水模式，在第一次快排时虽能带走了硅片表面大量的酸液，但硅片表面酸的浓度仍然很高，第一次快排后残留酸液受重力影响沿硅片表面向下流形成流水痕迹。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种酸槽背面硅腐蚀方法，使简易酸槽背面硅腐蚀满足品质要求，降低硅片背面形成色差、水痕、片架印等表观缺陷的可能性，提高了生产的经济效.、/■
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[0006]为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种酸槽背面硅腐蚀方法，包括:
[0007]将减薄后的硅片放入通入兆声波的去离子水中；
[0008]将经过所述通入兆声波的去离子水的硅片放入酸槽进行腐蚀；
[0009]将所述经过腐蚀的硅片放入冲水槽中进行冲水清洗，完成硅腐蚀。
[0010]其中，所述将减薄后的硅片放入通入兆声波的去离子水中的具体步骤包括:
[0011 ]减薄机对硅片进行减薄；
[0012]将所述减薄后的硅片放在酸槽内的片架上；
[0013]在所述酸槽内加入所述通入兆声波的去离子水。
[0014]其中，将经过所述通入兆声波的去离子水清洗的硅片放入酸槽进行腐蚀的具体步骤包括:
[0015]将经过所述通入兆声波的去离子水的硅片放在酸槽内的片架上；
[0016]在所述酸槽内加入腐蚀所述硅片的溶液，进行腐蚀。
[0017]进一步的,所述片架内包括一个或多个槽位。
[0018]进一步的，所述槽位包括所述片架的内夹层，所述片架的内夹层与所述硅片接触，用于卡住所述硅片。
[0019]其中，将所述经过腐蚀的硅片放入冲水槽中进行冲水清洗，完成硅腐蚀的具体步骤包括:
[0020]将所述经过腐蚀的硅片放在冲水槽内的片架上；
[0021]在所述冲水槽中加入通入氮气泡的去离子水进行冲水清洗，完成硅腐蚀。
[0022]进一步的，所述冲水清洗的步骤包括:
[0023]对所述经过腐蚀的硅片进行溢流；
[0024]排出所述溢流使用的去离子水后，对所述经过溢流的硅片进行喷淋，完成冲水清洗。
[0025]本发明的上述技术方案至少具有如下有益效果:
[0026]本发明实施例的酸槽背面硅腐蚀方法中，通过改善工艺流程、改造片架结构，增加氮气鼓泡及改进冲水方式的方法，使简易酸槽背面硅腐蚀满足品质要求，降低硅片背面形成色差、水痕、片架印等表观缺陷的可能性，提高生产的经济效益。
【附图说明】
[0027]图1表示现有技术中减薄后硅片背面硅屑硅粉残留示意图；
[0028]图2表不现有技术中娃表面的流水状水痕不意图；
[0029]图3表示现有技术中硅片腐蚀面与槽位接触处产生的残留(印记)示意图；
[0030]图4表示现有技术中片架内夹层与片架外壁的位置关系示意图；
[0031]图5表示现有技术中简易酸槽的冲水示意图；
[0032]图6表示本发明实施例中利用去离子水与兆声波清洗硅片的示意图；
[0033]图7表不本发明实施例中改造后的片架内夹层不意图；
[0034]图8表示本发明实施例中增加氮气鼓泡后的冲水示意图；
[0035]图9表示本发明实施例的酸槽背面硅腐蚀方法的基本步骤示意图。
【具体实施方式】
[0036]为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0037]本发明针对现有技术中在简易酸槽中进行硅腐蚀时，容易在硅片背面形成色差、水痕、片架印等表观缺陷的问题，提供一种酸槽背面硅腐蚀方法，通过改善工艺流程、改造片架结构，增加氮气鼓泡及改进冲水方式的方法，使简易酸槽背面硅腐蚀满足品质要求，降低硅片背面形成色差、水痕、片架印等表观缺陷的可能性，提高生产的经济效益。
[0038]如图9所示，本发明实施例提供一种酸槽背面硅腐蚀方法，包括:
[0039]步骤10，将减薄后的硅片放入通入兆声波的去离子水中；
[0040]步骤20，将经过所述通入兆声波的去离子水的硅片放入酸槽进行腐蚀；
[0041]步骤30，将所述经过腐蚀的硅片放入冲水槽中进行冲水清洗，完成硅腐蚀。
[0042]本发明的上述实施例中，去离子水是指除去了呈离子形式杂质后的纯水。国际标准化组织IS0/TC147规定的“去离子”定义为:去离子水完全或不完全地去除离子物质，只要指采用离子交换树脂处理方法。现在的工艺主要采用RO反渗透的方法制取。去离子水经常用于微电子工业、半导体工业、发电工业、制药行业和实验室。本发明的具体实施例中，如图6所示，硅片进行腐蚀之前，利用通入兆声波的去离子水，将减薄后硅片背面的硅屑硅粉残留清除，提高硅腐蚀的均匀性，同时解决因硅屑硅粉而形成流水状水痕的表观异常，提高了硅腐蚀的良率。
[0043]其中，兆声波清洗不仅保持了超声波清洗的优点，还克服了超声波清洗的不足；兆声波清洗的机理是由高频(850kHz)振效应并结合化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗的。在清洗时，由换能器发出波长为I μ m频率为0.8兆赫的高能声波。溶液分子在这种声波的推动下作加速运动，最大瞬时速度可达到30cm/s。因此，形成不了超声波清洗那样的气泡，而只能以高速的流体波连续冲击晶片表面，使硅片表面附着的污染物的细小微粒被强制除去并进入到清洗液中。兆声波清洗抛光片可去掉晶片表面上小于0.2μπι的粒子，起到超声波起不到的作用。这种方法能同时起到机械擦片和化学清洗两种方法的作用。进一步的，减薄后硅片背面的硅屑硅粉的清洗不仅限于上述方法，所有能够达到去除硅片上残留硅渣的方法在本发明中均适用。
[0044]本发明的上述实施例中，步骤10的具体步骤包括:
[0045]步骤101，减薄机对硅片进行减薄；
[0046]步骤102，将所述减薄后的硅片放在酸槽内的片架上；
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