一种三层结构记忆层的磁电阻元件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储器件领域，具体而言，涉及一种垂直式磁电阻元件。
【背景技术】
[0002]磁性隧道结(MTJ，Magnetic Tunnel Junct1n)是由绝缘体或半导体构成的磁性多层膜，它在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层磁化强度的相对取向，当此相对取向在外磁场的作用下发生改变时，可观测到大的隧穿磁电阻(TMR)。人们利用MTJ的特性做成的磁性随机存取记忆体，即为非挥发性的磁性随机存储器(MRAM, Magnetic Random Access Memory)。MRAM是一种新型固态非易失性记忆体，它有着高速读写、大容量、低功耗的特性。
[0003]自旋转移力矩(STT，Spin Transfer Torque)可以用于磁电阻元件的写操作，即自旋极化的电流通过磁电阻元件时，可以通过STT改变记忆层的磁化方向。当记忆层的磁性物体体积变小时，所需的极化电流也会同样变小，这样就可以同时达到小型化与低电流。
[0004]垂直式磁性隧道结(PMTJ，PerpendicularMagnetic Tunnel Junct1n)即磁矩垂直于衬底表面的磁性隧道结，在这种结构中，由于两个磁性层的磁晶各向异性比较强(不考虑形状各向异性)，使得其易磁化方向都垂直于层表面。在同样的条件下，器件的尺寸可以做得比平面式磁性隧道结(即易磁化方向在面内的)器件更小，易磁化方向的磁极化误差可以做的很小。因此，如果能够找到具体有更大的磁晶各向异性的材料的话，可以在保持热稳定性的同时，满足使得器件小型化与低电流要求。
[0005]现有技术得到高的磁电阻(MR)率的方法为:在非晶态磁性膜与其紧邻的晶态隧道势皇层的界表面形成一层晶化加速膜。当此层膜形成后，晶化开始从隧道势皇层一侧开始形成，这样使得隧道势皇层的表面与磁性表面形成匹配，这样就可以得到高MR率。然而，这种技术和结构在后续的工艺中对非晶态的CoFeB进行退火时，在磁性膜另一侧的基础层的晶格无法与晶化后得到CoFe的晶体形成良好的匹配，使得CoFe晶体无法在垂直方向产生强调的磁各向异性，导致得到的MR率较低，并且热稳定性较差。
[0006]中国专利200810215231.9(日本优先权)公开了一种磁阻元件，包含:基底层，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层，其被设置在上述基底层上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有LlO构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层，其被设置在上述第一磁性层上；以及第二磁性层，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且包含Pd或Pt、Au元素而具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。该技术方案利用LlO构型和Pd等元素可以实现较高的垂直磁各向异性和磁电阻率，但磁记录层的阻尼系数高，写入功耗高，制造成本高，难以规模应用，且热稳定性也较差。
[0007]中国专利201210097760.X (日本优先权)公开一种磁阻元件和磁存储器，包括:存储层，其具有垂直且可变的磁化；参考层，其具有垂直且恒定的磁化；偏移调整层，其具有沿与所述参考层的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化；第一非磁性层，其在所述存储层与所述参考层之间；以及第二非磁性层，其在所述参考层与所述偏移调整层之间。该技术方案解决了存储层的磁滞曲线的偏移问题，但也未解决MR率低，热稳定性差的问题。
【发明内容】
[0008]为克服上述现有技术中的问题，本发明提供了一种三层结构记忆层的磁电阻元件，可以显著减小阻尼系数、增大电流自旋极化率、增强磁晶垂直各向异性，进而减小写电流及得到更高的MR率。
[0009]本发明的一种三层结构记忆层的磁电阻元件，包括:
[0010]参考层，所述参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；
[0011]记忆层，所述记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面；
[0012]势皇层，所述势皇层位于所述参考层和所述记忆层之间且分别与所述参考层和所述记忆层相邻(本文中的层与层的“相邻”是指层与层紧贴设置，其间未主动设置其它层)；
[0013]晶格优化层，所述晶格优化层是具有NaCl晶格结构的材料层且其(100)晶面平行于基底平面；所述晶格优化层还包含至少一种掺杂元素；以及
[0014]非磁性的基础层，所述基础层与所述晶格优化层相邻；
[0015]并且，所述记忆层由第一记忆子层、第二记忆子层以及介于所述第一记忆子层和所述第二记忆子层之间的插入层的三层膜组成，其中所述第一记忆子层和所述第二记忆子层是磁性材料层，所述插入层是非磁性材料层，所述第一记忆子层与所述势皇层相邻，所述第二记忆子层与所述晶格优化层相邻。
[0016]进一步地，所述晶格优化层的NaCl晶格材料是金属氧化物、氮化物或氯化物且其中的金属是Na、L1、Mg、Ca、Zn或Cd中的至少一种，所述掺杂元素包括Cr、Al、B、S1、P、S、Cu、Zn、Cd、In、Sn、Ag、Be、Ca、L1、Na、Sc、T1、Rb、V、Mn、Ta、Hf、W、Nb 和 N。
[0017]进一步地，所述掺杂元素在所述晶格优化层中的含量小于或等于5%。
[0018]进一步地，所述第一记忆子层和所述第二记忆子层的材料是Co合金，优选CoFeB或CoB ;所述第一记忆子层也可以是CoFeB和CoB的复合层，即CoFeB/CoB、CoB/CoFeB ;所述插入层至少包括Ta、Hf、Zr、T1、Mg、Nb、W、Mo、Ru、Al、Cu和Si中的一种，并且所述插入层的厚度小于0.5nm，优选厚度是0.3?0.5nm。
[0019]进一步地，所述势皇层的材料是非磁性金属氧化物或氮化物，优选MgO、ZnO或MgZnO0
[0020]进一步地，所述基础层是单层或多层结构，各层材料可以是非磁性金属，如Ta、T1、W、Nb、Mo、V、Ru、Cu、Al 或 Zr ;也可以是非磁性氮化物，如 A1N、NbN, ZrN, IrN, TaN, TiN 或SiN ;还可以是非晶态合金，如CoFeB、CoB, FeB, CoNiFeB, CoNiB, NiFeB或NiB，其中B含量优选大于20%。
[0021]进一步地，在所述晶格优化层和所述基础层之间增设磁性校正层，所述磁性校正层分别与所述晶格优化层和所述基础层相邻；所述磁性校正层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；所述磁性校正层的磁化方向与所述参考层的磁化方向相反，即两者反平行。
[0022]进一步地，所述磁性校正层具有与所述参考层相匹配或近似匹配的净磁矩；或者所述磁性校正层的磁各向异性值至少1.2倍于所述参考层的磁各向异性值，或者所述参考层的磁各向异性值至少1.2倍于所述磁性校正层的磁各向异性值。
[0023]进一步地，所述磁性校正层是多层结构，其中与所述晶格优化层距离最近的子层的材料是CoB、CoFeB或FeB。
[0024]进一步地，在所述磁性校正层和所述晶格优化层之间增设自旋极化稳定层，所述自旋极化稳定层分别与所述磁性校正层和所述晶格优化层相邻；所述自旋极化稳定层的材料是过渡金属元素的非晶氧化物或非晶氮化物。
[0025]进一步地，所述自旋极化稳定层的材料具体可以是MnAs、CrAs> CrSb> Cr02、NiMnS