层叠型陶瓷电子部件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及内部电极层与陶瓷层交替层叠的层叠型陶瓷电子部件。
【背景技术】
[0002] 近年来，电子设备的小型化、薄型化进展中要求搭载于这些电子设备的电子部件 也是小型的电子部件。尤其关于层叠陶瓷电容器，根据薄型消费性设备的需要，电子部件的 安装面积受到限制，要求小型品的高电容化。
[0003] 出于这样的市场需求，层叠陶瓷电容器必需确保容量并且小型化。在此，层叠电容 器的静电电容由式1表示。
【主权项】
1. 一种层叠型陶瓷电子部件，其特征在于， 是具有以ABO3S主要成分的第1陶瓷部分与内部电极层交替形成的层叠结构的层叠 体，并且是具有与所述内部电极连接的外部电极的层叠型陶瓷电子部件， 内部电极层的除了与所述外部电极连接的一端以外的端缘部分与第2陶瓷部分连接， 所述第2陶瓷部分含有氧化铝作为主要成分， 其中，ABO3表示A晶位含有至少Ba且B晶位含有至少Ti的钙钛矿型晶体。
2. 如权利要求1所述的层叠型陶瓷电子部件，其特征在于， 所述第2陶瓷部分中所含有的Al量在构成所述第2陶瓷部分的金属元素中为40mol% 以上且80mol%以下的范围内，作为副成分包含选自Si、Ti、Zr、Ce、Ba、Ca、Y、Mg当中的元 素中至少I种以上。
3. 如权利要求1或2所述的层叠型陶瓷电子部件，其特征在于， 相对于IOOmol的主要成分的A1，作为所述第2陶瓷部分的副成分而含有的Si的含量 为IOmol以上且90mol以下。
【专利摘要】本发明所要解决的技术问题是改善具有0.5μm以下的电介质陶瓷层的层叠型陶瓷电子部件的绝缘不良。本发明的解决手段是提供一种层叠型陶瓷电子部件，其特征在于，是具有以ABO3(其中，ABO3表示A晶位含有至少Ba且B晶位含有至少Ti的钙钛矿型晶体)为主要成分的第1陶瓷部分与内部电极层交替形成的层叠结构的层叠体，并且是具有与所述内部电极连接的外部电极的层叠型陶瓷电子部件，内部电极层的除了与所述外部电极连接的一端以外的端缘部分与第2陶瓷部分连接，所述第2陶瓷部分含有氧化铝作为主要成分。
【IPC分类】H01G4-30, H01G4-005, H01G4-12
【公开号】CN104779051
【申请号】CN201510018672
【发明人】石田庆介, 山口孝一, 远藤诚, 田边新平
【申请人】Tdk株式会社
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年1月14日
【公告号】US20150200055