嵌埋有晶片的封装结构的制法
【技术领域】
[0001] 本发明提供一种封装结构的制法，尤指一种嵌埋有晶片的封装结构的制法。
【背景技术】
[0002] 由于行动运算装置的普及，越来越多的电子装置都需要讲求轻薄短小，尤其是扮 演核心角色的半导体元件与其封装结构，更是不断追求更小更轻薄的设计，因此，嵌埋有晶 片的封装结构也从而发展出来。
[0003] 请参照图IA至图1H，其为现有的嵌埋有晶片的封装结构的制法的剖视图，其中， 该封装结构的制法的各步骤将参照各图而于以下详细说明。
[0004] 请参照图1A，首先，提供一承载板10,其上具有图案化导电层11，图案化导电层11 包括第一导电膜111及第二导电膜112，而承载板10及图案化导电层11上形成有第一阻层 12,其中，第一阻层12具有第一阻层开孔12a，以露出第一导电膜111。
[0005] 请参照图IB及图1C，其次，在第一阻层开孔12a内的第一导电膜111上以电镀方 式形成电性连接垫13,并随后去除第一阻层12。
[0006] 请参照图1D，在承载板10、图案化导电层11及电性连接垫13上形成第二阻层14， 其中，第二阻层14具有第二阻层开口 14a，以露出第二导电膜112。
[0007] 请参照图IE及图1F，之后，在第二阻层开口 14a内的第二导电膜112上以电镀方 式形成导电通孔15,并去除第二阻层14,此时，若第二阻层14并未完全清除干净，则容易在 电性连接垫13上残留第二阻层14。
[0008] 请参照图1G，而后，在电性连接垫13上以覆晶方式接置晶片16,详细而言，晶片16 藉由其表面上的凸块（bump) 161上的焊料162而使用回焊方式将焊料162电性连接电性连 接垫13,从而使晶片16电性连接至电性连接垫13。然而，若是电性连接垫13上残留有第 二阻层14,则焊料162与电性连接垫13之间的焊接将会产生不沾锡（non-wetting)的问 题，从而发生冷焊、空焊或假焊的状况，并导致晶片16的电性连接失效或信赖性测试（如热 循环测试及高温储存测试）不佳的良率下降问题。
[0009] 请参照图1H，最后，于承载板10上形成覆盖图案化导电层11、电性连接垫13、导电 通孔15、凸块161、焊料162及晶片16的介电层17,其中，介电层17具有开口 17a以露出导 电通孔15,并且在介电层17形成后移除承载板10。
[0010] 因此，如何克服现有的嵌埋有晶片的封装结构的制法中因电性连接垫上的阻层材 料未完全清除干净所导致的不沾锡问题，从而避免晶片的电性连接失效或信赖性测试不佳 的良率下降问题，实为本领域技术人员的一大课题。
【发明内容】
[0011] 有鉴于上述现有技术的缺失，本发明提供一种嵌埋有晶片的封装结构的制法，能 提高晶片的电性连接或信赖性测试的良率。
[0012] 本发明的嵌埋有晶片的封装结构的制法包括：准备一其上形成有第一线路层的承 载板，该第一线路层具有多个第一电性连接垫及第二电性连接垫；以覆晶方式接置至少一 晶片于该第一电性连接垫上；将介电层形成在该承载板上以包覆该晶片及该第一线路层， 并令该介电层具有连接该承载板的第一表面与其相对的第二表面；将贯穿该介电层且连接 该第二电性连接垫的多个导电通孔形成；将电性连接该导电通孔的第二线路层形成在该介 电层的第二表面上；以及移除该承载板。
[0013] 本发明另提供一种嵌埋有晶片的封装结构的制法，包括：准备一其上形成有第一 线路层的承载板，该第一线路层具有多个第一电性连接垫及第二电性连接垫；以覆晶方式 接置至少一晶片于该第一电性连接垫上；在该承载板上形成覆盖该晶片及该第一线路层的 介电层，令该介电层具有连接该承载板的第一表面与其相对的第二表面；形成贯穿该介电 层且对应露出该第二电性连接垫的多个通孔并于该第二表面上形成具有多个图案化阻层 开口的图案化阻层，以令该通孔外露于该图案化阻层开口； 一体形成导电通孔及第二线路 层，其中，该导电通孔形成在该通孔中且连接该第二电性连接垫，而该第二线路层形成在该 图案化阻层开口中且电性连接该导电通孔；以及移除该承载板及该图案化阻层。
[0014] 本发明的嵌埋有晶片的封装结构的制法可藉由先在承载板上形成电性连接垫并 随后直接在电性连接垫上接置晶片，从而避免现有技术中先在电性连接垫上形成阻层后再 将阻层移除所造成的电性连接垫上残留有阻层的情况，从而防止晶片与电性连接垫焊接时 所产生的不沾锡问题，以提高晶片的电性连接及信赖性测试的良率。
【附图说明】
[0015] 图IA至图IH为现有技术的嵌埋有晶片的封装结构的制法的剖视图。
[0016] 图2A至图2J为本发明的嵌埋有晶片的封装结构的制法的剖视图，图2J'为图2J 的另一实施例，图2F"及图2G"分别为图2F及图2G的另一实施例。
[0017] 图3A至图3D为图2A至图2C的另一实施例的剖视图。
[0018] 主要组件符号说明
[0019] 10 20 承载板 11 图案化导电层 111 第一导电膜 112 第二导电膜 12 第一阻层 12a 第一阻层开孔 13 电性连接垫 14 第二阻层 Hc 第二阻层开口 15、 25 导电通孔 16、 23 晶片 161、 231 凸块 162、 232 焊料
[0020] 17、24 介电层 17a 开口 21 第一线路层 211 第一电性连接垫 212 第二电性连接垫 22 阻层 221 阻层开孔 24 a 第一表面 24 b 第二表面 241 通孔 26 第二线路层 261 第三电性连接垫 27 第一绝缘保护层 271 第一绝缘保护层开孔 28 第二绝缘保护层 281 第二绝缘保护层开孔 29 电子元件 291 导电元件 292 电极垫 293 焊线 30 封装胶体 31 图案化阻层 311 图案化阻层开口 32 金属膜。
【具体实施方式】
[0021] 以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明 书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。本发明也可藉由其它不同的具体实 施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明 的精神下进行各种修饰与变更。
[0022] 请参照图2A至图2J，该等图为本发明的嵌埋有晶片的封装结构的制法的剖视图， 其中，该嵌埋有晶片的封装结构的制法的各步骤将参照各图而于以下详细说明。
[0023] 请参照图2A至2C，首先，准备一其上形成有第一线路层21的承载板20,该第一线 路层21具有多个第一电性连接垫211及第二电性连接垫212。
[0024] 详细而言，如图2A所示，提供一承载板20并在其上形成阻层22,阻层22具有多个 阻层开孔221，以露出承载板20的部分表面。其次，请参照图2B，在阻层开孔221中的承载 板20上形成第一线路层21，第一线路层21具有多个第一电性连接垫211及第二电性连接 垫212。接着，请参照图2C，移除阻层22。
[0025] 请参照图2D，以覆晶方式接置至少一晶片23于第一电性连接垫211上，详而言之， 晶片23的表面上具有凸块231，但本发明不限于此，而凸块231上具有焊料232,但本发明 不限于此，晶片23可藉由回焊方式将焊料232与第一电性连接垫211电性连接，从而使晶 片23与第一电性连接垫211电性连接。
[0026] 请参照图2E，接着，在承载板20上形成覆盖晶片23及第一线路层21的介电层24， 介电层24的材质可为ABF (Ajinomoto Build-up Film),但本发明不限于此，其中，介电层 24具有连接承载板20的第一表面24a及与其相对的第二表面24b。而在本发明的非限定 实施例中，介电层24与承载板20之间可具有不限于离型层的层。
[0027] 请参照图2F及图2G，之后，形成多个贯穿介电层24并露出第二电性连接垫212的 通孔241，并在形成该等通孔241后，在该等通孔241中形成多个贯穿介电层24且连接第二 电性连接垫212的导电通孔25。
[0028] 请参照图2H，而后，在介电层24的第二表面24b上形成电性连接导电通孔25的第 二线路层26,其中，第二线路层26具有多个第三电性连接垫261。
[0029] 请参照图21，随后，从第一表面24a上移除承载板20,然而，本发明也可在形成第 二线路层26后，在介电层24的第二表面24b上形成第一绝缘保护层27,以覆盖第二线路层 26,第一绝缘保护层27的材质可为防焊材料，但本发明不限于此，而第一绝缘保护层27具 有多个第一绝缘保护层开孔271，以对应露出各第三电性连接垫261。因此，本发明可在移 除承载板20的前或后形成第一绝缘保护层27。另外，本发明可在移除承载板20后，在介 电层24的第一表面24a上形成第二绝缘保护层28,以覆盖第一线路层21，第二绝缘保护层 28的材质可为防焊材料，但本发明不限于此，而第二绝缘保护层28具有多个第二绝缘保护 层开孔281，以露出部分第一线路层21。
[0030] 请参照图2J，最后，本发明可在各第二绝缘保护层开孔281中形成电性连接第一 线路层21的导电元件291，随后，可使用回焊方式将电子元件29电性连接导电元件291，以 使电子元件29接置在第一电性连接垫211上，但本发明不限于此，其中，电子元件29可为 晶片或封装结构，并且，在接置电子元件29后，可在第二绝缘保护层28上形成封装胶体30， 以包覆电子元件29,然而，在未形成第二绝缘保护层28的情况下（未图示此情况），封装胶 体30形成在第一表面24a上，以包覆电子元件29。而在本发明的另一实施例中，电子元件 29的表面上可形成有导电元件291，因此，电子元件29可藉由使用回焊方式而将其上的导 电元件291电性连接第一线路层21，从而使电子元件29接置在第一线路层21上。再者， 当各第二绝缘保护层开孔281