电子阵列和芯片封装的制作方法
【技术领域】
[0001]各种实施例通常涉及电子阵列和芯片封装。
【背景技术】
[0002]为了提供在两个电子部件或零件之间(例如在衬底和安装在衬底上的半导体管芯或安装在另一半导体管芯上的半导体管芯之间)的电隔离，电隔离应显示电化学迀移效应和部分放电效应的低趋向。
[0003]电化学迀移(ECM)通常是金属离子穿过聚合物基体或沿着聚合物基体的界面的迀移。ECM—般由电场和湿度加速。此外，ECM可伴随有在聚合物基体内的化学效应。在聚合物基体中的某些微量材料(诸如例如Cl或S)加速了该效应。ECM最终可能甚至导致在高和低电压电子部件之间的短路的形成。有ECM效应的倾向的一般物质是导电胶，即，填充有金属微粒(一般Ag、Au、N1、Sn、Pt、Pd或其合金)的聚合物。材料不仅穿过胶的聚合物基体而且穿过相邻的材料(例如模塑料或其它封装材料)迀移。导电路径的ECM引起的生长可导致在隔离性质(击穿电压(break-through-voItage))中的退化，且因此导致电子产品的寿命的减小。
[0004]部分放电(PD)通常是在非均匀性附近(例如孔隙中)的电荷的局部再布置。这样的效应可导致对应材料的部分退化，并可降低击穿隔离性质和因而产品的寿命。
[0005]为了避免ECM和/或ro，可使用非导电胶，其中这样的胶可具有有限的隔离性质，其可导致低击穿电压和部分放电。可替换地，可在两个电子部件之间使用包括例如玻璃、氧化硅、陶瓷和/或有机材料的胶合隔离小板。然而，可使用可导致上面的ro问题的非导电胶或使用导电胶再次胶合这个小板，其中小板本身可被配置成提供足够的隔离，其可解决PD挑战，但可能有上述ECM问题的倾向。
【发明内容】
[0006]电子阵列可包括:具有第一操作电压的第一电子部件；具有第二操作电压的第二电子部件，其中第二操作电压不同于第一操作电压，且其中第一电子部件和第二电子部件被布置在彼此之上；在第一电子部件和第二电子部件之间的隔离层，其中隔离层使第一电子部件与第二电子部件电隔离；至少部分地在隔离层和第一电子部件之间或在隔离层和第二电子部件之间中的至少一个形成的至少一个连接层，其中连接层包括第一部分和第二部分，其中第一部分和第二部分均从对应的电子部件延伸到隔离层，其中第一部分包括将隔离层固定到对应的电子部件的电隔离材料，且其中第二部分包括将对应的电子部件电耦合到隔离层的导电材料。
【附图说明】
[0007]在附图中，相同的参考字符通常遍及不同的视图指的是相同的部分。附图不一定按比例，相反通常将重点放在说明本发明的原理上。在下面的描述中，参考下面的附图描述了本发明的各种实施例，其中:
图1示出常规电子阵列的侧视图；
图2示出常规电子阵列的侧视图；
图3示出电子阵列的实施例的侧视图；
图4示出电子阵列的实施例的侧视图；以及图5示出用于制造电子阵列的方法的实施例的流程图。
【具体实施方式】
[0008]下面的详细描述指的是附图，其作为例证示出特定的细节和其中本发明可被实践的实施例。
[0009]词“示例性”在本文用于意指“用作例子、实例或例证”。在本文被描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定应被解释为超过其它实施例或设计的优选的或有利的。
[0010]关于在侧面或表面“之上”形成的所沉积的材料使用的词“在…之上”可在本文用于意指所沉积的材料可“直接在”暗指的侧面或表面上形成，例如与暗指的侧面或表面直接接触。关于在侧面或表面“之上”形成的所沉积的材料使用的词“在…之上”可在本文用于意指所沉积的材料可“间接在”暗指的侧面或表面上形成，其中一个或多个附加的层被布置在暗指的侧面或表面和所沉积的材料之间。
[0011 ] 在各种实施例中，可提供电子阵列。电子阵列可包括第一电子部件和第二电子部件。第一电子部件可具有第一操作电压。第二电子部件可具有第二操作电压。第二操作电压可不同于第一操作电压。第一电子部件和第二电子部件可被布置在彼此之上。隔离层可在第一电子部件和第二电子部件之间形成。隔离层可使第一电子部件与第二电子部件电隔离。至少一个连接层可至少部分地在隔离层和第一电子部件之间形成。替换地或附加地，至少一个连接层可至少部分地在隔离层和第二电子部件之间形成。连接层可包括第一部分和第二部分。第一部分和第二部分可从对应的电子部件延伸到隔离层。第一部分可包括可将隔离层固定到对应的电子部件的电隔离材料。第二部分可包括可将对应的电子部件电耦合到隔离层的导电材料。
[0012]操作电压可以是可在对应部件的正常操作期间施加到对应的电子部件的电压。第一操作电压可不同于第二操作电压。
[0013]在各种实施例中，电子阵列可包括作为连接层的可至少部分地在隔离层和第一电子部件之间形成的第一连接层。第一连接层可包括第一连接层的第一部分和第二部分。第一连接层的第一部分和第二部分可从第一电子部件延伸到隔离层。第一连接层的第一部分可包括可将隔离层固定到第一电子部件的电隔离材料。第一连接层的第二部分可包括可将第一电子部件电耦合到隔离层的导电材料。
[0014]替换地或附加地，在各种实施例中，电子阵列可包括作为连接层的第二连接层。第二连接层可至少部分地在隔离层和第二电子部件之间形成。第二连接层可包括第二连接层的第一部分和第二部分。第二连接层的第一部分和第二部分可从第二电子部件延伸到隔离层。第二连接层的第一部分可包括可将隔离层固定到第二电子部件的电隔离材料。第二连接层的第二部分可包括可将第二电子部件电耦合到隔离层的导电材料。
[0015]在各种实施例中，第一电荷分布层可在第一连接层和隔离层之间形成。第一连接层的第一和第二部分可从第一电子部件延伸到第一电荷分布层。替换地或附加地，第二电荷分布层可在第二连接层和隔离层之间形成。第二连接层的第一和第二部分可从第二电子部件延伸到第二电荷分布层。
[0016]在各种实施例中，第一电荷分布层可(物理地，换句话说，直接)接触隔离层。附加地或替换地，第二电荷分布层可(物理地，换句话说，直接)接触隔离层。
[0017]在各种实施例中，第一连接层的第二部分可在横向方向上嵌入第一连接层的第一部分中。替换地或附加地，第二连接层的第二部分可在横向方向上嵌入第二连接层的第一部分中。
[0018]在各种实施例中，第一连接层的第一部分和/或第二部分可部分地在第一电子部件和隔离层之间的空间之外形成。替换地或附加地，第二连接层的第一部分和/或第二部分可部分地在第二电子部件和隔离层之间的空间之外形成。
[0019]例如，第一连接层和/或第二连接层的第一部分和/或第二部分可分别从在第一和/或第二电子部件和隔离层之间的空间突出。例如，第一连接层和/或第二连接层的第一部分和/或第二部分可至少部分地在第一电子部件和/或第二电子部件和/或隔离层的外侧表面处形成。
[0020]在各种实施例中，第一连接层的第一部分和/或第二连接层的第一部分可包括粘合剂和/或模塑材料和/或嵌入材料。例如，第一连接层的第一部分和/或第二连接层的第一部分可包括隔离树脂。
[0021]在各种实施例中，第一连接层的第二部分和/或第二连接层的第二部分可包括导电粘合剂、导电隔板、固体金属和/或一个或多个导电微粒。导电粘合剂、导电隔板、固体金属和/或一个或多个导电微粒可从对应的电子部件延伸到隔离层。导电树脂可包括填充有导电微粒或导电涂覆的隔离微粒(例如金属涂覆的聚合物微粒)的隔离树脂。
[0022]在各种实施例中，第一电荷分布层和/或第二电荷分布层可包括氮化钛和/或掺杂硅。
[0023]在各种实施例中，第二电压可高于第一电压。
[0024]在各种实施例中，第一电子部件可包括第一芯片或管芯。
[0025]在各种实施例中，第二电子部件可包括载体、第二芯片或管芯和/或衬底和/或载体。
[0026]在各种实施例中，可提供用于制造电子阵列的方法。该方法可包括:形成在第一电子部件和第二电子部件之间的隔离层，其中隔离层可被配置成使第一电子部件与第二电子部件电隔离；形成至少部分地在第一电子部件或第二电子部件之间的至少一个连接层；其中连接层可由至少一个第一部分和至少一个第二部分形成，其中连接层的第一部分和第二部分可从对应的电子部件延伸到隔离层，其中连接层的第一部分可包括可将隔离层固定到对应的电子部件的电隔离材料，且其中连接层的第二部分可包括提供从对应的电子部件到隔离层的电桥的导电材料。
[0027]在各种实施例中，第一连接层可至少部分地在隔离层和第一电子部件之间形成。第一连接层可被形成为使得它可包括第一连接层的第一部分和第二部分。第一连接层的第一部分和第二部分可被配置成从第一电子部件延伸到隔离层。第一连接层的第一部分可包括将隔离层固定到第一电子部件的电隔离材料。第一连接层的第二部分可包括可将第一电子部件电耦合