热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种能够在非烧成条件下直接成膜在薄膜等上的热敏电阻用金属氮 化物材料及其制造方法W及薄膜型热敏电阻传感器。
【背景技术】
[0002] 使用于温度传感器等的热敏电阻材料为了高精度、高灵敏度而要求较高的B常 数。W化该种热敏电阻材料通常为Mn、Co、化等的过渡金属氧化物（参考专利文献1及 2)。并且，在该些热敏电阻材料中，为了得到稳定的热敏电阻特性，需要60(TCW上的烧成。
[0003] 并且，除了由如上述的金属氧化物构成的热敏电阻材料，例如在专利文献3中，提 出由W通式：MxAyNz(其中，M表示Ta、佩、Cr、Ti及Zr中的至少一种，A表示A1、Si及B中 的至少一种。0. 1《X《0. 8、0 <y《0. 6、0. 1《Z《0. 8、x+y+z= 1)表示的氮化物构成 的热敏电阻用材料。而且，在该专利文献3中，作为实施例仅记载有如下材料，即为化-A1-N 系材料，且设定为0. 5《X《0. 8、0. 1《y《0. 5、0. 2《Z《0. 7、x+y+z= 1。该h-Al-N 系材料通过将含有上述元素的材料用作祀，且在含氮气气氛中进行瓣射而制作。并且，根据 需要，对所得的薄膜W350~600°C进行热处理。
[0004] 并且，作为与热敏电阻材料不同的一例，例如在专利文献4中，提出由W通式： 化loo-x-yNxMy(其中，M为选自Ti、V、Nb、Ta、化、Zr、Hf、Si、Ge、C、0、P、Se、Te、Zn、Cu、Bi、化、 Mo、W、As、Sn、Sb、Pb、B、Ga、In、Tl、Ru、化、Re、Os、Ir、Pt、Pd、Ag、Au、Co、Be、Mg、化、Sr、Ba、 Mn、A1及稀±类元素的1种或2种W上的元素，结晶结构主要为bcc结构或主要为bcc结 构与A15型结构的混合组织。0. 0001《X《30、0《y《30、0. 0001《x+y《50)表示的 氮化物构成的应变传感器用电阻膜材料。该应变传感器用电阻膜材料在将氮量X、副成分元 素M量y均设为30原子％W下的组成中，根据化-N基应变电阻膜传感器的电阻变化，用于 应变和应力的测量W及变换。并且，该&-N-M系材料用作含有上述元素的材料等的祀，且 在含有上述副成分气体的成膜气氛中进行反应性瓣射而被制作。并且，根据需要，对所得的 薄膜W200~1000°C进行热处理。
[0005] 专利文献1;日本专利公开2003-226573号公报
[0006] 专利文献2 ;日本专利公开2006-324520号公报
[0007] 专利文献3;日本专利公开2004-319737号公报
[0008] 专利文献4 ;日本专利公开平10-270201号公报
[0009] 上述W往的技术中，留有W下课题。
[0010] 近年来，对在树脂薄膜上形成热敏电阻材料的薄膜型热敏电阻传感器的开发进行 研讨，期望开发出能够直接成膜在薄膜上的热敏电阻材料。目P，期待通过使用薄膜而得到可 提性热敏电阻传感器。进而，期望开发出具有0. 1mm左右厚度的非常薄的热敏电阻传感器， 但W往常常使用采用了氧化侣等陶瓷材料的基板材料，若厚度例如变薄到0. 1mm，则存在非 常脆弱且容易破碎等问题，但期待通过使用薄膜而得到非常薄的热敏电阻传感器。
[0011] 然而，由树脂材料构成的薄膜通常耐热温度较低为150°cw下，即使是已知为耐热 温度比较高的材料的聚酷亚胺，由于也只有200°C左右的耐热性，因此在热敏电阻材料的形 成工序中施加热处理时难W适用。上述W往的氧化物热敏电阻材料，为了实现所希望的热 敏电阻特性，需要60(TCW上的烧成，存在无法实现直接成膜在薄膜上的薄膜型热敏电阻传 感器的问题。因此，期望开发出能够在非烧成条件下直接成膜的热敏电阻材料，而即使是上 述专利文献3中记载的热敏电阻材料，为了得到所希望的热敏电阻特性，必须根据需要将 所得的薄膜W350~600°C进行热处理。并且，该热敏电阻材料在化-A1-N系材料的实施例 中，虽然得到了B常数；500~3000K左右的材料，但没有有关耐热性的记述，且氮化物系材 料的热可靠性不明确。
[0012] 并且，专利文献4的化-N-M系材料是B常数较小为500W下的材料，并且，若不实 施200°CW上l〇〇〇°CW下的热处理，则无法确保200°CW内的耐热性，因此存在无法实现直 接成膜在薄膜上的薄膜型热敏电阻传感器的问题。因此，期望开发出能够在非烧成条件下 直接成膜的热敏电阻材料。
【发明内容】
[0013] 本发明是鉴于所述课题而完成的，其目的在于提供一种能够在非烧成条件下直接 成膜在薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高的热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方 法W及薄膜型热敏电阻传感器。
[0014] 发明人在氮化物材料中着眼于A1N系进行了深入研究，发现作为绝缘体的A1N难 W得到最佳的热敏电阻特性炬常数；1〇〇〇~6000K左右），但是通过W提高导电的特定的 金属元素来置换A1位置，并且设为特定的结晶结构，从而在非烧成条件下得到良好的B常 数和耐热性。
[0015] 因此，本发明是根据上述研究结果而得到的，为了解决所述课题而采用W下的结 构。
[0016] 目P，第1发明所设及的热敏电阻用金属氮化物材料为用于热敏电阻的金属氮化物 材料，其特征在于，由W通式；CTyAlyNz化70《y/(x+y)《0. 95、0. 4《Z《0. 5、x+y+z= 1)表示的金属氮化物构成，其结晶结构为六方晶系的纤锋矿型的单相。
[0017] 该热敏电阻用金属氮化物材料由W通式；化xAlyNz化70《7八义+7)《0. 95、 0. 4《Z《0. 5、x+y+z= 1)表示的金属氮化物构成，且其结晶结构为六方晶系的纤锋矿型 的单相，因此在非烧成条件下得到良好的B常数，并且具有高耐热性。
[001引另外，若上述"y/(x+y)"(即，Al/Kr+Al))小于0. 70,则得不到纤锋矿型的单相， 会变成与化C1型相的共存相或仅化C1型相的相，且无法得到充分的高电阻和高B常数。
[0019] 并且，若上述"y/(x+y)"(即，Al/Kr+Al))大于0.95,则电阻率非常高，且显示极 高的绝缘性，因此无法作为热敏电阻材料而适用。
[0020] 并且，若上述"Z"(即，N/Kr+Al+N))小于0.4,则金属的氮化量较少，因此得不到 纤锋矿型的单相，且得不到充分的高电阻和高B常数。
[002U而且，若上述"Z"(即，N/Kr+Al+脚）大于0. 5,则无法得到纤锋矿型的单相。该 是因为在纤锋矿型的单相中，没有氮位置的缺陷时的化学计量比为N/Kr+Al+N) = 0.5。
[0022] 第2发明所设及的热敏电阻用金属氮化物材料的特征在于，在第1发明中，形成为 膜状，且为沿垂直于所述膜的表面的方向延伸的柱状结晶。
[0023]目P，该热敏电阻用金属氮化物材料中，由于为沿垂直于膜的表面的方向延伸的柱 状结晶，因此膜的结晶性较高，得到高耐热性。
[0024] 第3发明所设及的热敏电阻用金属氮化物材料的特征在于，在第1或第2发明中， 形成为膜状，且在垂直于所述膜的表面的方向上，C轴的取向强于a轴的取向。
[0025]目P，该热敏电阻用金属氮化物材料中，由于在垂直于膜的表面的方向上C轴的取 向强于a轴的取向，因此与a轴取向较强的情况相比得到较高的B常数，而且对耐热性的可 靠性也优异。
[0026] 第4发明所设及的薄膜型热敏电阻传感器的特征在于，具备；绝缘性薄膜；薄膜热