电子元件封装体及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种封装体及其制作方法，且特别是有关于一种电子元件封装体及其制作方法。
【背景技术】
[0002]随着电子元件工业技术的进步，电子元件已自硬质不可挠曲特性朝向软性可挠曲特性发展，此发展过程伴随着电子元件所使用的材质的改变。举例而言，可挠性基板已在许多应用中取代了硬质玻璃基板，同时电子元件中的各项构件也逐渐发展出以可挠性材料，例如有机材料，来制作。可挠性电子元件采用有机材料制作时，阻隔水气与氧气的能力一直是亟待解决的问题。为求有效延长可挠性电子元件的寿命，各种封装结构都着重于阻隔水气与氧气的技术手段。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种电子元件封装体，其具有良好的阻隔水气、氧气的能力，以延长电子元件的寿命。
[0004]本发明提供一种电子元件封装体的制作方法，可确保电子元件封装体具有良好的阻隔水气、氧气的能力。
[0005]本发明的电子元件封装体包括阻气基板、基底层、电子元件以及阻隔膜。基底层配置于阻气基板上。基底层的材质为光固化材料。电子元件配置于基底层上。阻隔膜配置于阻气基板上，其中阻隔膜与阻气基板包覆电子元件与基底层。
[0006]在本发明的一实施例中，上述的电子元件包括多个电子元件单元，各个电子元件单元彼此独立。
[0007]在本发明的一实施例中，上述的基底层包括多个阵列排列且彼此分离的基底层单元，而各个电子元件单元配置于对应的各个基底层单元上。
[0008]在本发明的一实施例中，上述阻隔膜包括多个阵列排列且彼此分离的阻隔膜单元，而各个阻隔膜单元覆盖其中一个电子元件单元以及其中一个基底层单元。
[0009]在本发明的一实施例中，上述阻隔膜同时覆盖这些电子元件单元以及这些基底层单元。
[0010]在本发明的一实施例中，上述阻气基板包括可挠性基板。
[0011]在本发明的一实施例中，上述阻气基板的材质包括无机材料。
[0012]在本发明的一实施例中，上述电子元件在上述阻气基板上的正投影面积暴露出基底层在上述阻气基板上的正投影面积的一部分。
[0013]在本发明的一实施例中，上述电子元件包括显示元件、发光元件、晶体管元件、太阳能元件或其组合。
[0014]在本发明的一实施例中，上述电子元件包括有机电子元件。
[0015]在本发明的一实施例中，上述基底层的材质包括紫外光可硬化树脂、光阻材料、可光固化材料或上述材料的组合。
[0016]本发明的电子元件封装体的制作方法，其包括以下步骤。于阻气基板上使用光固化材料形成基底层。在光固化材料固化成基底层后，将电子元件形成于基底层上。于阻气基板上形成阻隔膜，以使阻隔膜与阻气基板接合，而包覆电子元件与绝缘层。
[0017]在本发明的一实施例中，上述形成电子元件的方法包括在基底层上形成多个彼此独立的电子元件单元。
[0018]在本发明的一实施例中，上述形成基底层的方法包括将基底层图案化为多个基底层单元，而后将各个电子元件单元形成在其中一个基底层单元上。
[0019]在本发明的一实施例中，上述形成阻隔膜时，让阻隔膜同时覆盖这些电子元件单元以及基底层单元。
[0020]在本发明的一实施例中，上述形成阻隔膜时，让阻隔膜具有多个阻隔膜单元以分别覆盖这些电子元件单元以及基底层单元。
[0021]在本发明的一实施例中，上述电子元件封装体的制作方法还包括将阻气基板切割成多个基板单元，各个电子元件单元位于其中一个基板单元上。
[0022]在本发明的一实施例中，上述使用光固化材料形成基底层的方法包括微影法。
[0023]在本发明的一实施例中，上述基底层与电子元件在相同的机台中制作。
[0024]基于上述，由于本发明的电子元件封装体采用阻气基板来对电子元件进行封装，并且以光固化材料在阻气基板上形成基底层，其中电子元件配置于基底层上，阻隔膜包覆电子元件以及基底层并与阻气基板接合，因此有效提升了电子元件封装体的阻隔水气、氧气的能力，以延长电子兀件的寿命。
[0025]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0026]图1A至图1E是本发明第一实施例的电子元件封装体的制作方法的流程示意图。
[0027]图2A是图1B的俯视示意图。
[0028]图2B是图1D的俯视示意图。
[0029]图3A至图3E是本发明第二实施例的电子元件封装体的制作方法的流程示意图。
[0030]图4是图3D的俯视示意图。
[0031]图5是第一实施例的电子元件封装体的卷对卷连续制程的示意图。
[0032]其中，附图标记说明如下:
[0033]11:第一滚轮组
[0034]12:第二滚轮组
[0035]13:第三滚轮组
[0036]14:第四滚轮组
[0037]15:第五滚轮组
[0038]16:第六滚轮组
[0039]17:第七滚轮组
[0040]20:注料头
[0041]30:微影机台
[0042]40:沉积机台
[0043]40A:蚀刻机台
[0044]41:材料层
[0045]42:元件层
[0046]50:封装机台
[0047]100、100A:电子元件封装体
[0048]110:阻气基板
[0049]111:基板单元
[0050]120:基底层
[0051]120’:光固化材料
[0052]121:基底层单元
[0053]122:侧壁
[0054]121a:上表面
[0055]130:电子元件
[0056]131:电子元件单元
[0057]132:侧壁
[0058]140:阻隔膜
[0059]141:阻隔膜单元
[0060]C1、C2:切割线
[0061]D1、D2、D3、D4:距离
[0062]G:间距
[0063]S1、S2:结构卷
[0064]T1、T2、T3、T4:厚度
【具体实施方式】
[0065]图1A至图1E是本发明第一实施例的电子元件封装体的制作方法的流程示意图。图2Α是图1B的俯视不意图。图2Β是图1D的俯视不意图。请参考图1Α,首先,于阻气基板110上形成整层的光固化材料120’。在本实施例中，阻气基板110例如是可挠性基板，其材质可为金属(例如铝、铁)、不锈钢、玻璃或陶瓷等无机材料，亦或是聚乙烯(PE)系列的塑胶、聚甲基丙烯酸甲酯(ΡΜΜΑ)、聚羧酸酯(Polycarbonate, PC)或聚酰亚胺(Polyimide, PI )。阻气基板110可以是由有机材料与无机材料多层堆叠而成的多层式基板，又或者是硬质基板，本发明对此不加以限制。其中，阻气基板110的厚度Tl例如介于75微米至200微米之间，且其水气通过率(water vapor transmiss1n rate, WVTR)例如介于 0.01g/m2/day 至0.001g/m2/day 之间。
[0066]通常而言，光固化材料120’可通过涂布的方式形成于阻气基板110上，并于照光后固化成层，其中涂布于阻气基板I1上的光固化材料120’的厚度T2与材料浓度相关，厚度T2大约介于I微米至20微米之间。在本实施例中，光固化材料120’的材质例如是可经由紫外光照射后即固化成型的紫外光感光型树脂(ultrav1let photographic resin),也可以是其他感光性树脂(photosensitive resin)、光阻材料、可光固化材料或上述材料的组合，本发