用于有源装置的嵌入式管芯再分布层的制作方法
【专利说明】用于有源装置的嵌入式管芯再分布层
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求享有2014年2月21日提交的题为“EMBEDDED DIE REDISTRIBUT1NLAYERS FOR ACTIVE DEVICE”的美国临时申请N0.61/942，845的权益。美国临时申请N0.61/942，845以其整体通过引用被包含在本文中。
【背景技术】
[0003]消费性电子装置，特别是诸如智能手机、平板电脑等移动电子装置越来越多地采用更小、更紧凑的部件来为其使用者提供所需的特征。这些装置通常采用三维集成电路装置(3D 1C)。三维集成电路装置是采用两层或更多层有源电子部件的半导体装置。穿透基板的过孔(through-substrate via，TSV)将装置的不同层(例如，不同基板)上的电子部件互连，从而允许装置被竖直和水平地集成。因此，三维集成电路装置可以在比传统二维集成电路装置更小、更紧凑的占用区域内提供增加的功能。
[0004]半导体装置的制造中使用的传统制造方法采用显微光刻法将集成电路图案化到由诸如硅、砷化镓等半导体形成的圆晶片上。通常，图案化的晶片被分割成单独的集成电路芯片或管芯，以将各集成电路彼此分开。各单独的集成电路芯片使用多种封装技术被组装或封装，以形成可以安装到印刷电路板或其它基板上的半导体装置。
【发明内容】
[0005]描述了采用一个或多个基板再分布层(RDL)来布局电极节点和/或用于电流再分布的嵌入式管芯封装件。在一或多个实现方式中，集成电路管芯被嵌入到基板中。基板RDL为下述至少之一:与嵌入式集成电路管芯的表面接触、或间接结合到嵌入式集成电路管芯的表面上，其中至少一个过孔(例如，热过孔)与基板RDL接触以提供电互连。附加的基板RDL或WLP RDL可以被包含到封装件中以在嵌入式管芯和外部触头之间提供变化的电流分布。
[0006]根据本发明的一个方面，一种嵌入式集成电路封装件，其包括:基板组件；嵌入在所述基板组件内的集成电路管芯；至少一个基板再分布层，其为下述至少之一:与所述嵌入式集成电路管芯的表面接触、或间接结合到所述嵌入式集成电路管芯的表面上；和与所述基板再分布层接触的过孔。
[0007]可选地，所述基板组件包括铜基板。
[0008]可选地，所述至少一个基板再分布层与所述嵌入式集成电路管芯的表面接触。
[0009]可选地，所述嵌入式集成电路封装件不含焊料球互连件。
[0010]可选地，所述嵌入式集成电路封装件还包括:结合到所述嵌入式集成电路管芯的表面上的晶片级封装再分布层，其中所述至少一个基板再分布层通过至少一个过孔被间接地结合到所述嵌入式集成电路管芯的表面上。
[0011]可选地，所述晶片级封装再分布层比所述至少一个基板再分布层薄。
[0012]可选地，所述至少一个基板再分布层包括与所述嵌入式集成电路管芯的表面接触的第一基板再分布层，并包括通过至少一个过孔可操作地结合到所述第一基板再分布层上的第二基板再分布层。
[0013]可选地，所述嵌入式集成电路封装件，还包括:结合到所述基板组件上的散热器组件。
[0014]根据本发明的另一方面，一种电子装置，其包括:印刷电路板；和结合到所述印刷电路板上的嵌入式集成电路封装件，所述嵌入式集成电路封装件包括:
[0015]基板组件；嵌入在所述基板组件内的集成电路管芯；至少一个基板再分布层，其为下述至少之一:与所述嵌入式集成电路管芯的表面接触、或间接结合到所述嵌入式集成电路管芯的表面上；和与所述基板再分布层接触的过孔。
[0016]可选地，所述基板组件包括铜基板。
[0017]可选地，所述至少一个基板再分布层与所述嵌入式集成电路管芯的表面接触。
[0018]可选地，所述嵌入式集成电路封装件不含焊料球互连件。
[0019]可选地，所述嵌入式集成电路封装件还包括:结合到所述嵌入式集成电路管芯的表面上的晶片级封装再分布层，其中所述至少一个基板再分布层通过至少一个过孔被间接地结合到所述嵌入式集成电路管芯的表面上。
[0020]可选地，所述晶片级封装再分布层比所述至少一个基板再分布层薄。
[0021]可选地，所述至少一个基板再分布层包括与所述嵌入式集成电路管芯的表面接触的第一基板再分布层，并包括通过至少一个过孔可操作地结合到所述第一基板再分布层上的第二基板再分布层。
[0022]可选地，所述电子装置还包括:结合到所述基板组件上的散热器组件。
[0023]根据本发明的又一方面，一种嵌入式集成电路封装件，其包括:第一再分布层，其形成多个伸出部，所述多个伸出部中的每个包括一个或多个嵌入式电路封装件，所述一个或多个嵌入式电路封装件具有与嵌入式管芯可操作地结合的一个或多个过孔；第二再分布层，其形成第二多个伸出部，所述第二多个伸出部中的每个包括一个或多个嵌入式电路封装件，所述一个或多个嵌入式电路封装件具有与嵌入式管芯可操作地结合的一个或多个过孔；其中第一再分布层的所述多个伸出部中的一个或多个被定位成邻近所述第二多个伸出部的相应部分中的一个或多个。
[0024]可选地，所述嵌入式集成电路封装件还包括:一个或多个长条过孔，其被定位在所述第一再分布层和所述第二再分布层中的一个或多个的表面上，所述一个或多个长条过孔中的每个连接所述一个或多个过孔中的至少两个。
[0025]可选地，所述多个伸出部的各部分相对于所述第二多个伸出部的各部分以交错构造进行布置。
[0026]可选地，所述第一再分布层和所述第二再分布层中的一个或多个包括外露的焊垫部分，所述外露的焊垫部分露出到所述封装件的外部。
[0027]本
【发明内容】
被提供以便以简化形式介绍下文在【具体实施方式】中进一步描述的概念的精选者。本
【发明内容】
并不打算用来标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不打算用来帮助确定所要求保护的主题的范围。
【附图说明】
[0028]详细说明将参照附图进行描述。说明书和附图的不同实例中可以使用相同的附图标记表示相似或相同的项目。
[0029]图1是示出了根据本发明实施例的具有基板再分布层的嵌入式集成电路封装件的示意剖视图。
[0030]图2是示出了根据本发明实施例的具有基板再分布层和晶片级封装再分布层的嵌入式集成电路封装件的示意剖视图。
[0031]图3是示出了根据本发明实施例的具有基板再分布层的多个层的嵌入式集成电路封装件的示意剖视图。
[0032]图4是示出了根据本发明实施例的结合到外部散热器的图1的嵌入式集成电路封装件的示意剖视图。
[0033]图5是根据本发明实施例的嵌入式集成电路封装件的布局构造的示意俯视图。
[0034]图6是图5的布局构造的示意俯视图，具有分布在根据本发明实施例的封装件的表面上的长条过孔。
【具体实施方式】
[0035]概沭
[0036]封装技术，例如包含引线框封装的封装技术，被用来将电路装置与封装件集成，以便于该集成电路与外部电触头(例如，印刷电路板(PCB)的电触头)相接。例如，晶片级封装(WLP)可以与晶片凸点技术一起利用来提供IC装置，由此IC装置的取向被翻转到引线框或基板上来产生封装件。在封装件组装期间，焊料连接件(例如，焊料球或凸块)可用来使IC装置的电连接器和引线框或基板匹配。然而，这样的构造可能由于使用焊料合金作为互连件而引起电迀移有关的故障，可能引起灵活性和可布局的设计能力问题，可能引起板级可靠性问题，并且可能需要相对厚的外形因子，从而增加了产品封装件的整体尺寸。
[0037]因此，描述了