连接面积彼此不同。
[0078]如图3中所示，互连件IC和第一导线P141之间的第一交叠区域OSl可不同于互连件IC和第二导线P142之间的第二交叠区域0S2。
[0079]例如，如图3中所示，第一交叠区域OSl可大于第二交叠区域0S2。
[0080]例如，在第二方向y上互连件IC和第一导线P141之间的交叠长度可与在第二方向I上互连件IC和第二导线P141之间的交叠长度相同。然而，如图4中所示，在第一方向X上互连件IC和第一导线P141之间的第一交叠宽度OSl可与在第一方向X上互连件IC和第二导线P142之间的第二交叠宽度0S2不同。例如，第一交叠宽度OSl可大于第二交叠宽度 0S2。
[0081]例如，第一交叠宽度OSl和第二交叠宽度0S2可以是0.5mm至3mm并且可在以上范围内被设置成彼此不同。
[0082]互连件IC和第一太阳能电池CEl中包括的半导体基板110之间的第一分开距离DCIl可不同于互连件IC和第二太阳能电池CE2中包括的半导体基板110之间的第二分开距离DCI2。
[0083]可使用互连件IC与第一太阳能电池CEl和第二太阳能电池CE2之间的整个交叠区域作为连接部分，通过互连件粘合剂ICA将互连件IC与第一太阳能电池CEl和第二太阳能电池CE2彼此连接。因此，连接到第一太阳能电池CEl的互连件IC的第一连接部分CSl的面积可与第一交叠区域OSl相同，连接到第二太阳能电池CE2的互连件IC的第二连接部分CS2的面积可与第二交叠区域0S2相同。因此，第一连接部分CSl的面积可不同于第二连接部分CS2的面积。
[0084]另外，在如上所述第一交叠区域OSl不同于第二交叠区域0S2的状态下，第一连接部分CSl和第二连接部分CS2中的每个可被分成多个部，如图1至图2B中所示。以下，参照图5对此进行描述。
[0085]图5示出根据本发明的太阳能电池模块的第三实施方式。
[0086]更具体地，图5示出在互连件IC与第一太阳能电池CEl和第二太阳能电池CE2之间的交叠面积不同的状态下各连接部分被分成多个部。
[0087]如图5中所示，在根据本发明的太阳能电池模块的第三实施方式中，在互连件IC和第一太阳能电池CEl之间的第一交叠区域OSl与互连件IC和第二太阳能电池CE2的第二交叠区域0S2彼此不同的状态下，第一连接部分CSl和第二连接部分CS2中的每个可被分成多个部。在这种情形下，多个第一连接部CSla、CSlb和CSlc的总面积可不同于多个第二连接部CS2a、CS2b和CS2c的总面积。
[0088]另外，第一交叠区域OSl中的多个第一连接部分中每个的面积可大于第二交叠区域0S2中的多个第二连接部分中每个的面积。在本发明的实施方式中，连接部分的部可不同于在第一方向X和第二方向I中的至少一个上与其相邻的部。例如，在图5中，从第一连接部分CSl的部CSla的角度看，第二连接部分CS2的部CS2a在第一方向x上与其相邻，第一连接部分CSl的部CSlb在第二方向y上与其相邻。因此，在图5中示出以下情形:连接部分的部不同于只在第一方向X上而不在第二方向I上与其相邻的部。
[0089]以下，详细描述根据本发明的实施方式的可应用于太阳能电池模块的太阳能电池的示例。
[0090]图6至图8示出可应用于图1至图5中示出的太阳能电池模块的太阳能电池的示例。
[0091]更具体地，图6是根据本发明的示例性实施方式的太阳能电池的部分立体图。图7是沿着图6的7-7线截取的截面图。图8示出在图6和图7中示出的太阳能电池中将彼此连接的半导体基板和绝缘构件中的每个的电极图案的示例。
[0092]在图8中，(a)示出设置在半导体基板110的后表面上的第一电极C141和第二电极C142的图案的示例；(b)是沿着图8的(a)的8(b)-8(b)线截取的截面图；(c)示出设置在绝缘构件200的前表面上的第一导线P141和第二导线P142的图案的示例；(d)是沿着图8的(c)的8(d)-8(d)线截取的截面图。
[0093]如图6和图7中所示，根据本发明的实施方式的太阳能电池的示例可包括半导体基板110、抗反射层130、发射极区121、后表面电场区172、多个第一电极C141、多个第二电极C142、第一导线P141、第二导线P142和绝缘构件200。
[0094]如有必要或需要，在本发明的实施方式中可省略抗反射层130和后表面电场区172。根据本发明的实施方式的太阳能电池还包括前表面电场区，前表面电场区设置在抗反射层130和半导体基板110的表面(光被入射到该表面上)之间。前表面电场区可以是用与半导体基板110相同的导电类型的杂质比半导体基板110被更重掺杂的区域。
[0095]在下面的描述中，使用包括抗反射层130和后表面电场区172的太阳能电池作为示例，描述本发明的实施方式。
[0096]半导体基板110可以是由第一导电类型(例如，η型)的硅形成的体型(bulktype)半导体基板，但并不要求。可通过用第一导电类型的杂质掺杂由硅材料形成的晶圆，形成半导体基板110。
[0097]半导体基板110的前表面可被形成纹理，以形成与具有多个不平坦部分或具有不平坦特性的不平坦表面对应的纹理化表面。抗反射层130可设置在半导体基板110的前表面(光被入射到所述前表面上)上，并且可包括一层或多层。抗反射层130可由氢化氮化硅(SiNx:H)形成。另外，可另外在半导体基板110的前表面上形成前表面电场区。
[0098]发射极区121可在半导体基板110的与前表面相对的后表面内彼此分开并且可在彼此平行的方向上延伸。即，发射极区121可以是多个。多个发射极区121可包括与半导体基板110的第一导电类型(例如，η型)相反的第二导电类型(例如，P型)的杂质。
[0099]更具体地，多个发射极区121可重包含与由晶体硅形成的半导体基板110的第一导电类型(例如，η型)相反的第二导电类型(例如，P型)的杂质并且可通过扩散处理形成。
[0100]多个后表面电场区172可设置在半导体基板110的后表面内。多个后表面电场区172可在与多个发射极区121平行的方向上彼此分开并且可在与发射极区121相同的方向上延伸。因此，如图6和图7中所示，多个发射极区121和多个后表面电场区172可交替地设置在半导体基板110的后表面上。
[0101]各后表面电场区172可以是用与半导体基板110相同的导电类型的杂质比半导体基板110被更重掺杂的区域(例如，η++型区域)。多个后表面电场区172可重包含与由晶体硅形成的半导体基板110相同的导电类型的杂质(例如，η++型杂质)并且可通过扩散处理或沉积处理形成。
[0102]多个第一电极C141分别物理且电连接到多个发射极区121，沿着多个发射极区121延伸并且彼此分开。因此，当发射极区121在第一方向X上延伸时，第一电极C141可在第一方向X上延伸。另外，当发射极区121在第二方向y上延伸时，第一电极C141可在第二方向Y上延伸。
[0103]多个第二电极C142通过多个后表面电场区172物理且电连接到半导体基板110并且沿着多个后表面电场区172延伸。
[0104]因此，当后表面电场区172在第一方向X上延伸时，第二电极C142可在第一方向x上延伸。另外，当后表面电场区172在第二方向y上延伸时，第二电极C142可在第二方向y上延伸。
[0105]第一电极C141和第二电极C142在半导体基板110的后表面上物理地彼此分开并且彼此电绝缘。
[0106]因此，形成在发射极区121上的第一电极C141可收集移向发射极区121的载流子(例如，空穴)，形成在后表面电场区172上的第二电极C142可收集移向后表面电场区172的载流子(例如，电子)。
[0107]如图8中所示，第一导线P141可包括多个第一连接件PC141和第一焊盘PP141。如图6和图7中所示，第一连接件PC141可连接到多个第一电极C141。另外，如图8中所示，第一焊盘PP141的一侧可连接到第一连接件PC141的端部，另一侧可连接到互连件1C。
[0108]多个第一连接件PC141可分别连接到多个第一电极C141。相反，第一连接件PC141可被构造为一个片电极。在这种情形下，多个第一电极C141可连接到片型第一连接件PC141。
[0109]当设置多个第一连接件PC141时，第一连接件PC141可在与第一电极C141相同的方向上形成并且还可在与第一电极C141交叉的方向上形成。第一连接件PC141和第一电极C141可在其间的交叠部分中彼此电连接。
[0110]如图8中所示，第二导线P142可包括多个第二连接件P142和第二焊盘PP142。如图6和图7中所示，第二连接件PC142可连接到多个第二电极C142。另外，如图8中所示，第二焊盘PP142的一侧可连接到第二连接件PC142的端部，另一侧可连接到互连件1C。
[0111]多个第二连接件PC142可分别连接到多个第二电极C142。相反，第二连接件PC142可被构造为一个片电极。在这种情形下，多个第二电极C142可连接到片型第二连接件PC142。
[0112]当设置多个第二连接件PC142时，第二连接件PC142可在与第二电极C142相同的方向上形成并且还可在与第二电极C142交叉的方向上形成。第二连接件PC142和第二电极C141可在其间的交叠部分中彼此电连接。
[0113]第一导线P141和第二导线P142可由铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)或铝(Al)中的至少一种形成。
[0114]如图7中所示，可使用由导电材料形成的电极粘合剂ECA将第一导线P141电连接到第一电极C141，可使用电极粘合剂ECA将第二导线P142电连接到第二电极C142。
[0115]电极粘合剂ECA的材料不受具体限制，只要它是导电材料即可。然而，可能优选但不是要求的，使用熔点是相对低温(例如，大约140°C至180°C )的导电材料。然而，本发明的实施方式不限于此。熔点可改变。
[0116]例如，电极粘合剂ECA可使用焊料膏、在绝缘树脂中包含导电金属颗粒的导电膏、或导电粘合剂膜。
[0117]另外，可在第一电极C141和第二电极C142之间以及在第一导线P141和第二导线P142之间设置绝缘层IL，从而防止短