Igbt器件的散热结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种IGBT器件的散热结构。
【背景技术】
[0002]随着中国经济的高速发展，高铁、地铁、城市轨道交通、风电、太阳能、清洁能源等领域均在不断发展，在这些领域中，IGBT模块被广泛的应用于这些领域的逆变装置中。同时，由于科学技术的进步和发展，高技术含量、结构复杂的变流装置专业化分工极强、更加趋于模块化。如此大规模的模块化部件生产，对IGBT模块在产品一致性及可靠性等方面要求极高。IGBT模块一般包括底板以及散热结构，其中上述底板和散热结构对模块的稳定工作所起的作用尤为重要，但是IGBT模块为了满足标准化等需求，其长宽尺寸通常是保持不变，因此在固定尺寸的要求下，无法采用较大尺寸的底板和散热结构，从而提高产品散热效果则变的非常困难。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，本发明提供了一种IGBT器件的散热结构，以克服现有的IGBT器件的散热结构散热效果不佳的问题。
[0004]为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下:
[0005]一种IGBT器件的散热结构，其设置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、设置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件还包括底板，所述基板通过所述底板设置于所述散热结构上，所述散热结构与所述底板相对的表面设置有若干凹槽，所述底板上设置有与所述若干凹槽相配合的若干凸起，所述底板与所述散热结构相配合时，所述若干凸起收容于所述凹槽中。
[0006]作为本发明的进一步改进，所述若干凹槽为锥形槽，所述若干凸起为形状与所述锥形槽相配合的锥形凸起。
[0007]作为本发明的进一步改进，所述若干凹槽等间距且平行设置于所述散热结构的表面。
[0008]作为本发明的进一步改进，所述基板为DBC板，所述IGBT芯片通过焊料焊接于所述DBC板上。
[0009]作为本发明的进一步改进，所述底板与所述散热结构之间设置有导热硅脂。
[0010]作为本发明的进一步改进，所述凹槽的底面为弧形面，所述若干具有弧形面的凹槽形成波形结构。
[0011]为实现上述发明目的，本发明还提供一种IGBT器件的散热结构，其设置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、设置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件还包括底板，所述基板通过所述底板设置于所述散热结构上，所述散热结构与所述底板相对的表面设置有若干盲孔，所述底板上设置有与所述若干盲孔相配合的若干凸起，所述底板与所述散热结构相配合时，所述若干凸起收容于所述盲孔中。
[0012]与现有技术相比，本发明的有益效果是:本发明的IGBT器件的散热结构在IGBT器件尺寸固定的情况下，具有良好的散热效果，保证了产品的可靠性、稳定性、以及安全性，同时延长了产品的使用寿命。
【附图说明】
[0013]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1为本发明的IGBT器件的散热结构一【具体实施方式】的平面结构示意图；
[0015]图2为本发明的IGBT器件的散热结构另一【具体实施方式】的平面结构示意图；
[0016]图3为本发明的IGBT器件的散热结构再一【具体实施方式】的平面结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]本发明公开一种IGBT器件的散热结构，其设置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、设置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件还包括底板，所述基板通过所述底板设置于所述散热结构上，所述散热结构与所述底板相对的表面设置有若干凹槽，所述底板上设置有与所述若干凹槽相配合的若干凸起，所述底板与所述散热结构相配合时，所述若干凸起收容于所述凹槽中。
[0018]作为本发明的进一步改进，所述若干凹槽为锥形槽，所述若干凸起为形状与所述锥形槽相配合的锥形凸起。
[0019]作为本发明的进一步改进，所述若干凹槽等间距且平行设置于所述散热结构的表面。
[0020]作为本发明的进一步改进，所述基板为DBC板，所述IGBT芯片通过焊料焊接于所述DBC板上。
[0021]作为本发明的进一步改进，所述底板与所述散热结构之间设置有导热硅脂。
[0022]作为本发明的进一步改进，所述凹槽的底面为弧形面，所述若干具有弧形面的凹槽形成波形结构。
[0023]本发明还公开另一种在相同发明构思下的IGBT器件的散热结构，其设置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、设置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件还包括底板，所述基板通过所述底板设置于所述散热结构上，所述散热结构与所述底板相对的表面设置有若干盲孔，所述底板上设置有与所述若干盲孔相配合的若干凸起，所述底板与所述散热结构相配合时，所述若干凸起收容于所述盲孔中。
[0024]为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
[0025]如图1所示，本发明的IGBT器件的散热结构40设置于IGBT器件中，该IGBT器件包括基板10、以及设置于基板10上的IGBT芯片20。具体地，上述IGBT芯片20通过焊料焊接于基板10上，本实施方式中，上述基板10为DBC板。上述IGBT器件还包括底板30，上述基板10通过底板30设置于散热结构40上，从而IGBT芯片20产生的热量依次通过基板10、底板30传递至散热结构40上，并通过散热结构40散发出去。
[0026]进一步地，上述散热结构40与底板30相对的表面设置有若干凹槽401，底板30上设置有与上述若干凹槽401相配合的若干凸起301。从而，如此设置，底板30与散热结构40之间具有较大的接触面积，从而增大了散热结构40的散热面积，提高了散热的效果。为了使底板30与散热结构40能够稳固连接，上述底板30与散热结构40之间还设置有导热娃脂。
[0027]配合参照图2所示，具体地，上述若干凹槽401为锥形槽，优选地，上述若干锥形槽等间距平行排列于上述散热结构40的表面。作为一种等效的替代实施方式，上述若干凹槽401的底面为弧形面，且上述若干具有弧形面的凹槽401形成波形结构。上述波形结构具体指上述若干凹槽401呈高低起伏形式排列，即上述两相邻凹槽401的连接处形成波峰，弧形面底部形成波谷。相应地，上述底板30上设置有与上述具有弧形面的凹槽401相配合的弧形凸起301。
[0028]如图3所示，基于上述发明构思，本发明还提供一种IGBT器件的散热结构204，其设置于IGBT器件中，该IGBT器件包括:基板201、设置于基板201上的IGBT芯片202，上述IGBT器件还包括底板203，其中，基板201通过底板203设置于散热结构204上。进一步地，散热结构204与底板203相对的表面设置有若干盲孔2041，且底板203上设置有与上述若干盲孔2041相配合的若干凸起2031，当上述底板203与散热结构204相配合时，若干凸起2031相应地收容于盲孔2041中。如此，同样可增大底板与散热结构之间的接触面积，进而增大散热结构的散热面积，提高散热效果。
[0029]综上所述，本发明的IGBT器件的散热结构在IGBT器件尺寸固定的情况下，具有良好的散热效果，保证了产品的可靠性、稳定性、以及安全性，同时延长了产品的使用寿命。
[0030]对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0031]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种IGBT器件的散热结构，其设置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、设置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件还包括底板，所述基板通过所述底板设置于所述散热结构上，其特征在于，所述散热结构与所述底板相对的表面设置有若干凹槽，所述底板上设置有与所述若干凹槽相配合的若干凸起，所述底板与所述散热结构相配合时，所述若干凸起收容于所述凹槽中。2.根据权利要求1所述的IGBT器件的散热结构，其特征在于，所述若干凹槽为锥形槽，所述若干凸起为形状与所述锥形槽相配合的锥形凸起。3.根据权利要求1所述的IGBT器件的散热结构，其特征在于，所述若干凹槽等间距且平行设置于所述散热结构的表面。4.根据权利要求1所述的IGBT器件的散热结构，其特征在于，所述基板为DBC板，所述IGBT芯片通过焊料焊接于所述DBC板上。5.根据权利要求1所述的IGBT器件的散热结构，其特征在于，所述底板与所述散热结构之间设置有导热硅脂。6.根据权利要求1所述的IGBT器件的散热结构，其特征在于，所述凹槽的底面为弧形面，所述若干具有弧形面的凹槽形成波形结构。7.—种IGBT器件的散热结构，其设置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、设置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件还包括底板，所述基板通过所述底板设置于所述散热结构上，其特征在于，所述散热结构与所述底板相对的表面设置有若干盲孔，所述底板上设置有与所述若干盲孔相配合的若干凸起，所述底板与所述散热结构相配合时，所述若干凸起收容于所述盲孔中。
【专利摘要】本发明公开了一种IGBT器件的散热结构，其设置于IGBT器件中，所述IGBT器件包括基板、设置于所述基板上的IGBT芯片，所述IGBT器件还包括底板，所述基板通过所述底板设置于所述散热结构上，所述散热结构与所述底板相对的表面设置有若干凹槽，所述底板上设置有与所述若干凹槽相配合的若干凸起，所述底板与所述散热结构相配合时，所述若干凸起收容于所述凹槽中。本发明的IGBT器件的散热结构在IGBT器件尺寸固定的情况下，具有良好的散热效果，保证了产品的可靠性、稳定性、以及安全性，同时延长了产品的使用寿命。
【IPC分类】H01L23/367
【公开号】CN104882421
【申请号】CN201410073570
【发明人】吴磊
【申请人】西安永电电气有限责任公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2014年2月28日