内连线。在此，内连线的一端电性连接到第一透明电极层。
[0043]根据这实施例，可藉由相同的制程来形成电流阻挡层和绝缘层。因此，能够藉由形成电流阻挡层来避免增加曝光制程的数目。
[0044]内连线的一端可连接到电流阻挡层的上方区域中的第一透明电极层。因此，能够藉由电流阻挡层达成电流散布。
[0045]上述发光二极管的制造方法可还包括在形成内连线之前形成绝缘保护层。绝缘保护层经形成而具有开口，藉以曝露被分配用于形成内连线的区域。
[0046]此外，形成绝缘保护层可包括:形成覆盖第一发光单元和第二发光单元的绝缘材料层；在被分配用于形成绝缘材料层的区域上形成具有开口的掩模图案；以及利用掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻绝缘材料层。
[0047]上述发光二极管的制造方法可还包括形成配置在绝缘层上的第一透明导电层。第一透明导电层可连同第一透明电极层一起形成。第一透明导电层在形成绝缘保护层期间避免绝缘层损坏。第一透明导电层可连接到第一透明电极层，且第一透明导电层可用以电性连接第一透明电极层与第二发光单元。
[0048]并且，在形成绝缘保护层之后可藉由使用掩模图案的剥离制程(lift-offprocess)来形成内连线。因此，可利用相同的掩模图案来形成绝缘保护层和内连线，藉以减少曝光制程的数目。
[0049]第一发光单元及第二发光单元的每一个可包括下半导体层、上半导体层、以及配置在下半导体层与上半导体层之间的主动层。在此，内连线的另一端电性连接到第二发光单元的下半导体层。
[0050]此外，绝缘层可延伸以部分覆盖第二发光单元的下半导体层的侧表面。并且，除了内连线的一部分电性连接到第二发光单元的下半导体层之外，内连线可配置在电流阻挡层及绝缘层的上方区域内。因此，能够最小化内连线所吸收的光。
[0051]电流阻挡层可连接到绝缘层，并且电流阻挡层和绝缘层可分别包括分布式布拉格反射器。
[0052]本发明的一示范实施例提供一种发光二极管，其包含:第一发光单元和第二发光单元，配置在基板上且彼此隔开；第一透明电极层，配置在第一发光单元上且电性连接到第一发光单元；电流阻挡层，配置在第一发光单元的一部分与第一透明电极层之间；内连线，用以电性连接第一发光单元与第二发光单元；以及绝缘层，用以分隔内连线与第一发光单元的侧表面。此外，第二发光单元具有倾斜侧表面，内连线包括连接到第一发光单元的第一连接部和连接到第二发光单元的第二连接部，其中第一连接部在电流阻挡层的上方区域内接触第一透明电极层且第二连接部接触第二发光单元的倾斜侧表面。
[0053]因为第二连接部接触第二发光单元的倾斜侧表面，所以不需要为了曝露用以接触第二连接部的区域而部分移除主动层，因而增加第二发光单元的有效发光区域。
[0054]第二连接部可接触沿着第二发光单元的周边的第二发光单元的倾斜侧表面。因此，根据本发明的发光二极管可增加第二连接部的接触区域且不会减少有效发光区域，因而可降低第二连接部的接触电阻，并且能够减少发光二极管的正向电压。
[0055]第一及第二发光单元的每一个包括下半导体层、上半导体层、以及配置在下半导体层与上半导体层之间的主动层。下半导体层的整个上表面可被主动层覆盖，且第二连接部连接到下半导体层的侧表面。
[0056]电流阻挡层可连接到绝缘层。因此，可藉由相同的制程一起形成用以分隔内连线与发光单元的侧表面的绝缘层及电流阻挡层。
[0057]此外，电流阻挡层和绝缘层可包括分布式布拉格反射器。因此，发光二极管可显著减少内连线所吸收的光量。并且，绝缘层经形成为多层形式的分布式布拉格反射器，因而有效地避免形成例如针孔的缺陷。
[0058]并且，电流阻挡层及绝缘层可在第一发光单元与内连线之间的整个重叠区域上配置于第一发光单元与内连线之间。
[0059]发光二极管可还包括覆盖第一发光单元及第二发光单元的绝缘保护层。绝缘保护层配置在用以形成内连线的区域之外。此外，绝缘保护层的侧表面可面向在共平面的表面上的内连线的侧表面。绝缘保护层的侧表面可接触内连线的侧表面。然而，本发明并未局限于此，且绝缘保护层的侧表面可与内连线的侧表面隔开。
[0060]在一些实施例中，发光二极管可还包括配置在绝缘层与内连线之间的第一透明导电层。此外，第一透明导电层可连接到第一透明电极层。并且，第一透明导电层的构成材料可与第一透明电极层的构成材料相同。
[0061]内连线可在整个其间的重叠区域上直接连接到第一透明电极层且无绝缘材料插置其间。因此，相较于相关技术中的技术，根据本发明的发光二极管可增加内连线与第一透明电极层之间的连接区域，或者可减少配置在第一透明电极层上的内连线的区域。
[0062]电流阻挡层可至少配置在第一透明电极层与内连线之间的连接区域的下方。结果，能够避免内连线的连接区域下方的电流聚集。
[0063]此外，第一发光单元和第二发光单元可具有相同的结构。
[0064]本发明的一示范实施例提供一种发光二极管的制造方法，所述方法包括:在基板上形成彼此隔开且各自包含倾斜侧表面的第一发光单元和第二发光单元；形成覆盖第一发光单元的上部的部分区域的电流阻挡层；形成电性连接到第一发光单元的第一透明电极层，使得第一透明电极层的一部分形成于电流阻挡层上；以及形成用以电性连接第一发光单元与第二发光单元的内连线。此外，内连线包括用以电性连接到第一发光单元的第一连接部及用以电性连接到第二发光单元的第二连接部，其中第一连接部在电流阻挡层的上方区域内接触第一透明电极层且第二连接部接触第二发光单元的倾斜侧表面。
[0065]因为第二连接部接触第二发光单元的倾斜侧表面，所以根据本发明的方法相较于现有方法可增加有效发光区域。
[0066]上述发光二极管的制造方法可还包括形成部分覆盖第一发光单元的侧表面的绝缘层。此外，绝缘层可连同电流阻挡层一起形成。因此，可藉由相同的制程来形成电流阻挡层和绝缘层。
[0067]并且，电流阻挡层可连接到绝缘层，而电流阻挡层和绝缘层的每一个可包括分布式布拉格反射器。
[0068]上述发光二极管的制造方法可还包括在形成内连线之前形成绝缘保护层。绝缘保护层经形成而具有开口，藉以曝露被分配用于形成内连线的区域。
[0069]此外，形成绝缘保护层可包括:形成覆盖第一发光单元和第二发光单元的绝缘材料层；在被分配用于形成绝缘材料层的区域上形成具有开口的掩模图案；以及利用掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻绝缘材料层。
[0070]上述发光二极管的制造方法可还包括形成配置在绝缘层上的第一透明导电层。第一透明导电层可连同第一透明电极层一起形成。第一透明导电层在形成绝缘保护层期间避免绝缘层损坏。第一透明导电层可连接到第一透明电极层。
[0071]并且，在形成绝缘保护层之后可藉由使用掩模图案的剥离制程来形成内连线。因此，可利用相同的掩模图案来形成绝缘保护层和内连线，藉以减少曝光制程的数目。
[0072]第一发光单元及第二发光单元的每一个可包括下半导体层、上半导体层、以及配置在下半导体层与上半导体层之间的主动层。在此，内连线的第二连接部电性连接到第二发光单元的下半导体层。
[0073]本发明的示范实施例提供一种容许藉由相同的制程来形成电流阻挡层和侧绝缘层的发光二极管。因为藉由相同的制程来形成电流阻挡层和侧绝缘层，所以即使在采取电流阻挡层的情况下也能够避免增加曝光制程。此外，电流阻挡层和绝缘层经形成为分布式布拉格反射器，藉以最小化内连线所吸收的光。
[0074]并且，内连线的一连接部电性连接到发光单元的倾斜侧表面，因而可增加发光单元的有效发光区域。此外，因为藉由相同的制程来形成电流阻挡层和侧绝缘层，所以即使在采取电流阻挡层的情况下也能够避免增加曝光制程。并且，电流阻挡层和绝缘层经形成为分布式布拉格反射器，藉以最小化内连线所吸收的光。
[0075]须知前面的一般说明和下面的详细说明都是示范性和解释性的，并且旨在对所要求保护的本发明提供进一步的解释。
【附图说明】
[0076]用来进一步理解本发明且予以并入及构成本说明书的一部分的附图将示出本发明的实施例，并将连同说明一起用以解释本发明的原理。
[0077]图1是相关技术中的一种发光二极管的示意平面图。
[0078]图2及图3是沿着图1的线A-A所截取的示意剖面图。
[0079]图4是根据本发明的一示范实施例的一种发光二极管的示意剖面图。
[0080]图5至图11是示出根据图4的示范实施例的一种发光二极管的制造方法的示意剖面图。
[0081]图12是根据本发明的一示范实施例的一种发光二极管的示意剖面图。
[0082]图13至图16是示出根据图12的示范实施例的一种发光二极管的制造方法的示意剖面图。
[0083]图17是根据本发明的一示范实施例的一种发光二极管的示意平面图。
[0084]图18是沿着图17的线B-B所截取的示意剖面图。
[0085]图19至图25是示出根据图18的示范实施例的一种发光二极管的制造方法的示意剖面图。
[0086]图26是根据本发明的一不范实施例的一种发光二极管的不意平面图。
[0087]图27至图30是示出根据图26的示范实施例的一种发光二极管的制造方法的示意剖面图。
【具体实施方式】
[0088]以下将参考示出本发明的实施例的附图更完整地说明本发明。然而，本发明可能以许多不同的形式来实施，因此不应视为局限于在此所述的实施例。更确切地说，提供这些实施例将使本发明的揭露更齐全，且将更完整地传达本发明的观念给任何本领域技术人员。在图中，为了清楚起见可能夸大分层及区域的尺寸及相对大小。图中相同的元件符号表示相同的元件。
[0089]须知当一元件或分层被称为“在另一元件或分层上”或“连接到另一元件或分层”时，其可能直接在此另一元件或分层上或直接连接到此另一元件或分层，或可能存在中介的元件或分层。相反地，当一元件被称为“直接在另一元件或分层上”或“直接连接到另一元件或分层”时，则不存在中介的元件或分层。须知就本揭露而言，“x、Y、及Z的至少一个”可视为只有X、只有Y、只有Ζ、或两项或更多项X、Y、及Z的任何组合(例如，ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ、ZZ)。
[0090]为了方便说明，在此可能使用例如“底下”、“低于”、“下”、“高于”、“上”之类的空间关系术语来描述图中所示出的一元件或特点与另一(多个)元件或特点之间的关系。须知除了图中所指的方位以外，上述空间关系术语意欲包含使用或操作中的装置的不同方位。例如，若翻转