致上类似于参考图17及图18所述的发光装置，并且还包括透明导电层62。
[0190]在根据本实施例的发光二极管中，基板51、发光单元S1、发光单元S2、缓冲层53、透明电极层61、电流阻挡层60a、绝缘层60b、绝缘保护层63及内连线65都类似于以上参考图17及图18所述的实施例的发光二极管的相同元件，因此其详细说明将予以省略。
[0191]透明导电层62配置在绝缘层60b与内连线65之间。透明导电层62的线宽比绝缘层60b的线宽窄，藉以避免由于透明导电层62造成上半导体层59与下半导体层55的短路。
[0192]另一方面，透明导电层62连接到第一透明电极层61，且透明导电层62可连接第一透明电极层61与第二发光单元S2。例如，透明导电层62的一端可电性连接到第二发光单元的下半导体层55。此外，当两个或更多个发光单元互相连接时，第二透明导电层62可从第二发光单元S2上的第二透明电极层61延伸。
[0193]在这实施例中，因为透明导电层62配置在内连线65与绝缘层60b之间，所以即使在不连接内连线65的情况下，电流仍可以流经透明导电层62，因而改善发光二极管的电稳定性。
[0194]图27至图30是示出根据图26的示范实施例的一种发光二极管的制造方法的示意剖面图。
[0195]参照图27，如同参考图19及图20所述的方法，在基板51上形成半导体堆叠结构56且藉由光刻及蚀刻来形成彼此隔开的多个发光单元S1、S2。然后，如同参考图21所述，覆盖第一发光单元SI的部分区域的电流阻挡层60a连同覆盖第一发光单元SI的侧表面的部分区域的绝缘层60b —起形成。
[0196]如同参考图21所述，电流阻挡层60a和绝缘层60b可藉由交替地堆叠具有不同折射率的分层(例如，S12层及T1Jl)而形成为分布式布拉格反射器。当绝缘层60b是多层形式的分布式布拉格反射器时，能够避免在绝缘层60b中形成例如针孔的缺陷，因而相较于现有技术而言，可形成较薄的绝缘层60b。
[0197]接着，透明电极层61形成于第一发光单元SI及第二发光单元S2上。如同参考图21所述，透明电极层61可由例如氧化铟锡(ITO)或氧化锌的导电材料或例如Ni/Au的金属层来形成。透明电极层61连接到上半导体层59且部分配置在电流阻挡层60a上。透明电极层61可藉由剥离制程来形成，并且不限于此。或者，透明电极层61可藉由光刻及蚀刻来形成。
[0198]在形成透明电极层61期间，也形成透明导电层62。透明导电层62可藉由相同的制程以相同于透明电极层61的材料的材料来形成。透明导电层62形成于绝缘层60b上，并且可连接到透明电极层61。此外，透明导电层62的一端可电性连接到第二发光单元S2的下半导体层55的倾斜侧表面。
[0199]参照图28，绝缘保护层63经形成以覆盖第一发光单元SI及第二发光单元S2。绝缘保护层63覆盖透明电极层61、透明导电层62及绝缘层60b。此外，绝缘保护层63可覆盖第一发光单元SI及第二发光单元S2的整个区域。绝缘保护层63可藉由化学气相沉积等等而形成为例如氧化硅层或氮化硅层的绝缘材料层。
[0200]参照图29，如同参考图23所述，具有开口的掩模图案70形成于绝缘保护层63上。掩模图案70的开口对应于内连线的区域。接着，利用掩模图案70作为掩模来蚀刻绝缘保护层63的一些区域。结果，在绝缘保护层63中形成开口，藉以曝露透明电极层61和透明导电层62的一部分、以及第二发光单元S2的下半导体层55的倾斜侧表面。经由此开口曝露绝缘层60b的一部分。并且，经由此开口曝露绝缘层60b的一部分。
[0201]参照图30，如同参考图24所述，利用留存在绝缘保护层63上的掩模图案70，在掩模图案70的开口中沉积导电材料以形成内连线65。
[0202]接着，如同参考图25所述，掩模图案70连同掩模图案70上的部分导电材料65a一起被移除。因此，最后形成使第一发光单元SI及第二发光单元S2互相电性连接的内连线65。
[0203]在参考图19至图25所述的实施例中，在蚀刻绝缘保护层63期间可能损坏绝缘层60bο例如，当利用例如氟酸的蚀刻溶液来蚀刻绝缘保护层63时，蚀刻溶液可能损坏包含氧化层的绝缘层60b。因此，绝缘层60b可能无法绝缘内连线65与第一发光单元SI,因而导致短路。
[0204]在本实施例中，因为透明导电层62配置在绝缘层60b上，所以可保护在透明导电层62底下的绝缘层60b免受蚀刻损坏。因此，能够避免由于内连线65所导致的短路。
[0205]在这实施例中，可藉由相同的制程来形成透明电极层61和透明导电层62。因此，可利用相同数目的曝光制程来制造发光二极管，同时增加透明导电层62。
[0206]虽然已经参考一些实施例连同附图来解说本发明，但是显然任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对本发明作各种修改及变化。并且，须知在不脱离本发明的精神和范围的情况下，特定实施例的一些特点也可应用于其他的实施例。因此，须知上述实施例藉由仅举例说明的方式提供，并且用以完整揭露本发明以及使任何本领域技术人员能够彻底理解本发明。因此，本发明倾向于包含改良及变化，且这些改良及变化落于后附的权利要求及其相等者的范围中。
【主权项】
1.一种发光二极管，包括: 第一发光单元和第二发光单元，配置在基板上，所述第一发光单元和所述第二发光彼此隔开； 第一透明电极层，配置在所述第一发光单元上，所述第一透明电极层电性连接到所述第一发光单元； 电流阻挡层，配置在所述第一发光单元的一部分与所述第一透明电极层之间； 内连线，用以电性连接所述第一发光单元与所述第二发光单元；以及 绝缘层，配置在所述内连线与所述第一发光单元的侧表面之间， 其中所述电流阻挡层与所述绝缘层互相连接。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述电流阻挡层和所述绝缘层包括分布式布拉格反射器。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中所述电流阻挡层和所述绝缘层在所述第一发光单元与所述内连线之间的整个重叠区域中配置于所述第一发光单元与所述内连线之间。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中所述绝缘层配置在所述内连线与所述第二发光单元的侧表面之间。5.根据权利要求4所述的发光二极管，还包括: 绝缘保护层，配置在所述第一发光单元和所述第二发光单元上，所述绝缘保护层配置在用以配置所述内连线的区域之外。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中所述绝缘保护层的侧表面在共平面的表面上接触所述内连线的侧表面。7.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括: 第一透明导电层，配置在所述绝缘层与所述内连线之间。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其中所述第一透明导电层连接到所述第一透明电极层。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一发光单元及所述第二发光单元的每一个包括下半导体层、上半导体层、及配置在所述下半导体层与所述上半导体层之间的主动层， 其中所述第一透明电极层电性连接到所述上半导体层，且 其中所述内连线的第一端接触所述第一透明电极层且所述内连线的第二端接触所述第二发光单元的所述下半导体层。10.根据权利要求9所述的发光二极管，其中所述内连线在所述内连线与所述第一透明电极层之间的整个重叠区域上直接连接到所述第一透明电极层。11.根据权利要求10所述的发光二极管，其中所述电流阻挡层至少配置在所述第一透明电极层与所述内连线之间的直接连接区域下方。12.根据权利要求9所述的发光二极管，其中所述第一发光单元和所述第二发光单元包括相同的结构。13.—种发光二极管，包括: 第一发光单元和第二发光单元，配置在基板上，所述第一发光单元与所述第二发光彼此隔开； 第一透明电极层，配置在所述第一发光单元上，所述第一透明电极电性连接到所述第一发光单元； 电流阻挡层，配置在所述第一发光单元的一部分与所述第一透明电极层之间； 内连线，用以电性连接所述第一发光单元与所述第二发光单元；以及 绝缘层，配置在所述内连线与所述第一发光单元的侧表面之间， 其中所述电流阻挡层和所述绝缘层包括结构及材料皆相同的分布式布拉格反射器。14.根据权利要求13所述的发光二极管，其中所述内连线在所述内连线与所述第一透明电极层之间的整个重叠区域上直接连接到所述第一透明电极层。15.根据权利要求13所述的发光二极管，其中所述分布式布拉格反射器在所述内连线的整个区域上配置于所述内连线的下方。16.根据权利要求13所述的发光二极管，还包括: 第一透明导电层，配置在所述绝缘层与所述内连线之间。17.根据权利要求16所述的发光二极管，其中所述第一透明导电层连接到所述第一透明电极层。18.根据权利要求17所述的发光二极管，其中所述透明导电层用以电性连接所述透明电极层与所述第二发光单元。19.根据权利要求13所述的发光二极管，还包括: 绝缘保护层，配置在用以配置所述内连线的区域之外。20.—种发光二极管，包括: 第一发光单元和第二发光单元，配置在基板上，所述第一发光单元与所述第二发光彼此隔开； 第一透明电极层，配置在所述第一发光单元上，所述第一透明电极电性连接到所述第一发光单元； 电流阻挡层，配置在所述第一发光单元的一部分与所述第一透明电极层之间； 内连线，用以电性连接所述第一发光单元与所述第二发光单元；以及 绝缘层，配置在所述内连线从所述第一发光单元的侧表面之间， 其中所述第二发光单元具有倾斜侧表面，且所述内连线包括连接到所述第一发光单元的第一连接部及连接到所述第二发光单元的第二连接部，所述第一连接部在所述电流阻挡层的上方区域内接触所述第一透明电极层，所述第二连接部接触所述第二发光单元的倾斜侧表面。
【专利摘要】本发明的示范实施例提供一种发光二极管，包括：第一发光单元和第二发光单元，配置在基板上且彼此隔开；第一透明电极层，配置在第一发光单元上且电性连接到第一发光单元；电流阻挡层，配置在第一发光单元的一部分与第一透明电极层之间；内连线，用以电性连接第一发光单元与第二发光单元；以及绝缘层，配置在内连线与第一发光单元的侧表面之间。电流阻挡层与绝缘层彼此连接。
【IPC分类】H01L33/36
【公开号】CN104885236
【申请号】CN201380066443
【发明人】李剡劤, 金钟奎, 尹余镇, 金在权, 金每恞
【申请人】首尔伟傲世有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2013年12月20日
【公告号】DE112013006123T5, US9093627, US20140175465, US20150311398, WO2014098510A1