一种制作太阳能电池的扩散工艺的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及晶体娃太阳能电池制造领域，具体为一种太阳能电池的扩散工艺。
【背景技术】
[0002] 目前，单、多晶娃太阳电池的主要制造工艺已经标准化，主要生产步骤为；清洗制 备娃片表面绒面，扩散形成PN结，干、湿法刻蚀去除周边及背面结，阳CVD形成减反射氮化 娃薄膜，丝网印刷形成电极，烧结形成欧姆接触电阻。
[000引太阳能电池的核屯、工序扩散形成的PN结一直是太阳能电池的屯、脏，针对本工序 的工艺实现技术的研究也很多，用于生产的基本的扩散步骤主要包括POCI3磯扩散步骤及 推进步骤。
[0004] POCI3是目前磯扩散用得较多的一种杂质源，在高温下分解生成五氯化磯（PC15) 和五氧化二磯任2〇5)，其反应式如下：
[0005] 5POCls= 3PC1 3+P205
[0006] 2P2O5巧Si = 5Si〇2+4P i
[0007] 在整个扩散工艺进行中，温度、流量、时间等因素影响着扩散的结果。扩散后形成 的薄层电阻的均匀性及结深对最终形成的电池效率有直接关系。制备的PN结既要考虑形 成很好的欧姆接触，又要顾及到表面死层的降低。死层会加重表面的载流子复合，影响载流 子的收集率，导致开路电压和短路电流的降低。
[000引传统的双步扩散工艺，就是通过在第一步通入较多的磯源，而在第二步磯扩散时 降低较多通入的携磯浓度，来降低最后的表面死层，即主要通过第一步扩散达到减少接触 电阻，第二步扩散降低发射结表面复合。而针对多晶娃，在第二步降低较多携磯浓度还是会 直接影响扩散薄层电阻的均匀性。因多晶娃表面的晶界较多，晶格内部和晶界处的吸收磯 源的差异，导致降低较多携磯浓度相较单晶娃而言，会影响薄层电阻的均匀性更严重些。
【发明内容】
[0009] 本发明为了解决现有技术中的不足而提供一种制作太阳能电池的扩散工艺，通过 改变第二步磯源扩散的携磯量和氧气量，及改变扩散后推进结深步骤的氧气量，实现在薄 层电阻均匀的情况下，降低扩散表面死层，从而达到降低复合提高电池片效率的目的。
[0010] 为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：
[0011] 一种制作太阳能电池的扩散工艺，包括：
[0012] 1)将炉内温度控制在840°C;
[001引 2)在该温度下，通入200-500ml/min的氧气和700-1000ml/min的小氮浓度，同时 通入10000-15000血/min的大氮，在多晶娃片上进行扩散，形成第一层扩散薄层，处理时间 8-12min;
[0014] 3)通入200-500ml/min的氧气和700-900ml/min的小氮浓度，同时通入 10000-15000血/min的大氮，再次进行扩散，处理时间ll-16min;
[00巧]4)停止磯源的流量通入，用25-40min的时间将温度降低至700-780。整个降温 过程中持续通入2000-2500ml/min的氧气，同时通入10000-15000mL/min的大氮，进行推进 作用，杂质向深处推动，降低表面杂质浓度，从而降低表面死层；
[0016] 5)扩散结束，进行后期取出娃片操作。
[0017] 传统的两步扩散工艺虽然解决了降低死层的目的，但因为其第二步扩散过程降低 了较多的磯浓度，故欧姆接触相较要差些，且因为多晶娃上晶界和晶格位置的吸收磯源的 差异而均匀性也差些。而本发明工艺在第二步扩散中仅降低很小的磯浓度，而是通过后面 的推进步骤中将氧气的浓度提高上来，从而达到了阻挡表面死层的目的，但又获得了较好 的欧姆接触。因为氧气的提高可W起到很好的阻挡和吸杂的作用，从而降低了多余磯的进 一步扩散，减少了死层。进一步地，所述的制作太阳能电池的扩散工艺可包括如下步骤： [001引 1)将炉内温度控制在840°C;
[0019] 2)在该温度下，通入300-400ml/min的氧气和800-900ml/min的小氮浓度，同时 通入11000-13000血/min的大氮，在多晶娃片上进行扩散，形成第一层扩散薄层，处理时间 9-llmin;
[0020] 3)通入300-400ml/min的氧气和800-850ml/min的小氮浓度，同时通入 11000-13000血/min的大氮，再次进行扩散，处理时间12-15min;
[002U 4)停止磯源的流量通入，用25-40min的时间将温度降低至700-780。整个降温 过程中持续通入2000-2500ml/min的氧气，同时通入11000-13000mL/min的大氮，进行推进 作用，杂质向深处推动，降低表面杂质浓度，从而降低表面死层；
[002引W扩散结束，进行后期取出娃片操作。
[0023] 传统的两步扩散工艺虽然解决了降低死层的目的，但因为其第二步扩散过程降低 了较多的磯浓度，故欧姆接触相较要差些，且因为多晶娃上晶界和晶格位置的吸收磯源的 差异而均匀性也差些。而本发明工艺在第二步扩散中仅降低很小的磯浓度，而是通过后面 的推进步骤中将氧气的浓度提高上来，从而达到了阻挡表面死层的目的，但又获得了较好 的欧姆接触。因为氧气的提高可W起到很好的阻挡和吸杂的作用，从而降低了多余磯的进 一步扩散，减少了死层。
【具体实施方式】[0024] 实施例1
[0025] 本发明实施例公开了一种制作太阳能电池的扩散工艺，包括如下步骤：
[0026] 1)将炉内温度控制在840°C;
[0027] 2)在该温度下，通入200ml/min的氧气和750ml/min的小氮浓度，同时通入 llOOOmL/min的大氮，在多晶娃片上进行扩散，形成第一层扩散薄层，处理时间8min;
[0028] 3)通入200ml/min的氧气和700ml/min的小氮浓度，同时通入11000血/min的大 氮，再次进行扩散，处理时间llmin;
[0029] 4)停止磯源的流量通入，用25min的时间将温度降低至700。整个降温过程中持 续通入2000ml/min的氧气，同时通入lOOOOmL/min的大氮，进行推进作用，杂质向深处推 动，降低表面杂质浓度，从而降低表面死层；
[0030]W扩散结束，进行后期取出娃片操作。
[0031] 实施例2
[0032] 本发明实施例公开了一种制作太阳能电池的扩散工艺，包括如下步骤：
[0033] 1)将炉内温度控制在840°C ;
[0034] 2)在该温度下，通入500ml/min的氧气和lOOOml/min的小氮浓度，同时通入 15000mL/min的大氮，在多晶娃片上进行扩散，形成第一层扩散薄层，处理时间8min ;
[0035]