Led显示面板及其制作方法、显示装置的制造方法

文档序号:9201816阅读:308来源:国知局
Led显示面板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种LED显示面板及其制作方法,以及一种包括该LED显示面板的显示装置。
【背景技术】
[0002]TFT-1XD显示屏是薄膜晶体管液晶显示屏,TFT-1XD显示屏中每个像素都设有一个薄膜晶体管,即TFT,使得其每个像素都可以通过点脉冲直接控制,因而每个节点都相对独立,并可以连续控制,从而不仅提高了显示屏的反应速度,还可以精确控制显示色阶,使得TFT-1XD显示屏的对比度高,层次感较强,色彩较为鲜艳。但是,TFT-1XD显示屏比较耗电,导致其功耗比较大。

【发明内容】

[0003]为解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种LED显示面板及其制作方法,以及一种包括该LED显示面板的显示装置,以降低显示屏的功耗。
[0004]为解决上述问题,本发明实施例提供了如下技术方案:
[0005]一种LED显示面板,包括:
[0006]衬底;
[0007]位于所述衬底表面的发光二极管,所述发光二极管包括:位于所述衬底表面的N型半导体层,位于所述N型半导体层表面的发光层,位于所述发光层表面的P型半导体层;
[0008]位于所述发光二极管表面的晶体管,所述晶体管的源极位于所述P型半导体层表面,漏极位于所述N型半导体层的表面,沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间,栅极位于所述沟道层表面。
[0009]优选的,所述发光层不完全覆盖所述N型半导体层,所述漏极位于所述N型半导体层朝向所述发光层一侧的表面。
[0010]优选的,所述栅极与所述沟道层之间形成有栅介质层。
[0011]优选的,所述栅极至少覆盖所述沟道层沿所述N型半导体层至P型半导体层方向的一个侧面。
[0012]优选的,所述沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间时,所述栅极的施加电压为负电压。
[0013]优选的,所述沟道层位于所述漏极与所述N型半导体层之间时,所述栅极的施加电压为正电压。
[0014]优选的,所述源极为单层金属结构,或多层金属结构,或掺杂半导体层与金属的复合结构。
[0015]优选的,所述漏极为单层金属结构,或多层金属结构,或掺杂半导体层与金属的复合结构。
[0016]优选的,所述发光层为多量子阱发光层;所述P型半导体层为P型In-GaN层或P型GaN层;所述N型半导体层为N型In-GaN层或N型GaN层。
[0017]优选的,所述LED显示面板还包括:位于所述P型半导体层表面的ITO电流扩展层。
[0018]优选的,所述LED显示面板还包括:绝缘层,所述绝缘层完全覆盖所述晶体管、发光二极管和衬底。
[0019]一种包括上述任一项所述的LED显示面板的显示装置。
[0020]一种LED显示面板制作方法,包括:
[0021]提供衬底;
[0022]在衬底表面形成发光二极管,所述发光二极管包括:位于所述衬底表面的N型半导体层,位于所述N型半导体层表面的发光层,位于所述发光层表面的P型半导体层;
[0023]在所述发光二极管表面形成晶体管,所述晶体管的源极位于所述P型半导体层表面,漏极位于所述N型半导体层的表面,沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间,栅极位于所述沟道层表面。
[0024]优选的,在所述衬底表面形成发光二极管包括:在所述衬底表面形成N型半导体层;在所述N型半导体层表面形成发光层;在所述发光层表面形成P型半导体层。
[0025]优选的,在所述N型半导体层表面形成发光层包括:在所述N型半导体层表面形成发光层,所述发光层不完全覆盖所述N型半导体层。
[0026]优选的,在所述N型半导体层表面形成发光层包括:在所述N型半导体层表面形成发光层,所述发光层完全覆盖所述N型半导体层;对所述发光层进行刻蚀,去除部分所述发光层,使得所述发光层不完全覆盖所述N型半导体层。
[0027]优选的,在所述发光二极管表面形成晶体管包括:在所述P型半导体层表面形成沟道层;在所述沟道层表面形成源极和栅介质层;在所述栅介质层表面形成栅极;在所述N型半导体朝向所述P型半导体一侧的表面形成漏极。
[0028]优选的,在所述发光二极管表面形成晶体管包括:在所述P型半导体层表面形成源极;在所述N型半导体朝向所述P型半导体一侧的表面形成沟道层;在所述沟道层表面形成漏极和栅介质层;在所述栅介质层表面形成栅极。
[0029]优选的,在所述发光二极管表面形成晶体管之前还包括:在P型半导体层表面形成ITO电流扩展层。
[0030]优选的,在所述发光二极管表面形成晶体管之后还包括:在所述晶体管背离所述发光二极管一侧形成绝缘层,所述绝缘层完全覆盖所述晶体管、发光二极管和衬底。
[0031]与现有技术相比,上述技术方案具有以下优点:
[0032]本发明实施例所提供的LED显示面板,包括:衬底;位于所述衬底表面的发光二极管,所述发光二极管包括:位于所述衬底表面的N型半导体层,位于所述N型半导体层表面的发光层,位于所述发光层表面的P型半导体层;位于所述发光二极管表面的晶体管,所述晶体管的源极位于所述P型半导体层表面,漏极位于所述N型半导体层的表面,沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间,栅极位于所述沟道层表面,从而使得本发明实施例所提供的LED显示面板在工作过程中,当所述晶体管处于打开状态时,其相应的发光二极管导通,开始发光,相应的像素进行显示,当所述晶体管处于关闭状态时,其相应的发光二极管不导通,不发光,相应的像素不显示。
[0033]由此可见,本发明实施例所提供的技术方案中,只有在晶体管打开时,其相应的发光二极管才导通发光,反之,其相应的发光二极管不导通,从而降低了所述显示屏的功耗。而且,发光二极管的工作电压很小,工作电流很低,从而使得所述发光二极管的功耗很小,进一步降低了本发明实施例所提供的LED显示面板的功耗。
【附图说明】
[0034]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1为本发明实施例所提供的LED显示面板的一种结构示意图;
[0036]图2为本发明实施例所提供的LED显示面板的另一种结构示意图。
【具体实施方式】
[0037]正如【背景技术】部分所述,现有技术中的TFT-1XD显示屏比较耗电,导致其功耗比较大。
[0038]发明人研究发现,这是由于TFT-1XD显示屏中一般采用背光技术,并对每个像素均设置有一个TFT,类似百叶窗的开关,当TFT打开时,背光发出的光线可以透过像素,其相应的像素可以进行相应的显示,当TFT关闭时,背光发出的光线无法透过像素,其相应的像素不显示。但是,在整个过程中,所述TFT-1XD的背光始终处于工作状态,从而导致现有技术中的TFT-1XD显示屏比较耗电,功耗较大。
[0039]有鉴于此,本发明实施例提供了一种LED显示面板,包括:
[0040]衬底;
[0041]位于所述衬底表面的发光二极管,所述发光二极管包括:位于所述衬底表面的N型半导体层,位于所述N型半导体
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