多晶硅样品刻蚀装置的制造方法

文档序号:9218516阅读:474来源:国知局
多晶硅样品刻蚀装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及多晶硅检测领域,特别是涉及多晶硅检测样品的刻蚀装置。
【背景技术】
[0002]多晶硅晶粒大小的检测是晶化工艺的重要检测项目,而检测中使用的多晶硅样品的通常需要通过刻蚀的方法来刻蚀出明显的晶界,然后利用电子扫描显微镜(SEM)观察样品的晶粒大小。晶界刻蚀的好坏会严重影响检测的结果,使工艺结果的判断产生偏差。而晶界刻蚀对于时间的把控比较严格,根据不同的样品状况和溶液配比,有不同的时间限制,通常控制在几秒到几十秒之间。
[0003]目前通常使用镊子夹住样品放入溶液中进行浸泡,手动控制时间,但这种做法易出现问题:样品通常较小,不易拿捏,容易出现掉落至盛放溶液的烧杯内的状况,使样品浸渍超出设定时间,造成薄膜脱落样品损坏;由于使用的刻蚀液有强氧化性且剧毒易挥发,无保护的实验装置会损害操作人员的身体健康,造成严重实验事故。

【发明内容】

[0004]本发明的目的在于避免多晶硅样品制备过程中因刻蚀液的挥发对人体造成损害,为达到上述目的,本发明提供一种多晶硅样品刻蚀装置。
[0005]一种多晶硅样品刻蚀装置,包括密封桶体、连杆装置、样品支架以及样品载台,其特征在于,所述桶体中央设有保护塔,所述连杆装置垂直于桶体底部可转动地设置于所述保护塔内;所述多晶硅样品刻蚀装置还包括与所述保护塔的外壁连接且垂直于桶体底部的隔板,所述隔板将桶体内的空间隔开形成两个以上的工作区域;所述连杆装置、样品支架以及样品载台依次连接,所述保护塔的外壁开设有一圈窗口,以供样品支架从保护塔内伸进工作区域且可随连杆装置转动而不会被保护塔外壁阻碍;所述隔板上开设有隔板缺口,以供样品支架和样品载台随所述连杆装置转动时能从一个工作区域穿过所述隔板缺口至另一个工作区域,所述连杆装置可控制所述样品支架升降。
[0006]在其中一个实施例中,所述工作区域的数量为三个,分别设为储液槽,洗净槽和干燥槽,所述储液槽在桶体外壁上设有供溶液导入导出的通孔,所述洗净槽侧壁上设有清洗喷头以及液体排出口,所述干燥槽上设有气体喷头以及排气出口。
[0007]在其中一个实施例中,所述样品支架包括支架前端、连接所述连杆装置的支架后端及连接所述支架后端和支架前端的转轴,所述样品载台设于所述支架前端,所述连杆装置用于控制所述支架前端绕所述转轴升降,所述样品载台与所述支架前端的夹角呈45度到60度设置。
[0008]在其中一个实施例中,所述样品载台与所述支架前端为可拆卸式连接,所述桶体的顶部设有开合盖,用于取放所述样品载台。
[0009]在其中一个实施例中,开合盖设于所述干燥槽的顶部。
[0010]在其中一个实施例中,还包括设于所述保护塔内的旋转底座,所述连杆装置设于所述旋转底座上,所述旋转底座用于带动所述连杆装置转动。
[0011]在其中一个实施例中,所述连杆装置顶部还设有提拉手柄,用于向上拉升所述连杆装置带动所述样品支架提升以取放所述样品载台。
[0012]在其中一个实施例中,所述连杆装置包括定时单元和动力机构,所述定时单元用于在到达设定的时刻时控制所述动力机构带动所述转轴旋转,及控制所述旋转底座带动所述连杆装置转动。
[0013]在其中一个实施例中,所述桶体为圆柱形桶或多边形桶。
[0014]本发明还提供另一种多晶硅样品刻蚀装置。
[0015]一种多晶硅样品刻蚀装置,包括密封桶体、连杆装置、样品支架以及样品载台,其特征在于,所述桶体中央设有保护塔,所述连杆装置垂直于桶体底部可升降地设置于所述保护塔内;所述多晶硅样品刻蚀装置还包括与所述保护塔的外壁连接的隔板,所述隔板将桶体内的空间在竖直方向上隔开形成两个以上的工作区域,所述连杆装置、样品支架以及样品载台依次连接,所述保护塔的外壁开设有向桶体底部的延伸的窗口,以供样品支架从保护塔内伸进工作区域且可随连杆装置升降而不会被保护塔外壁阻碍,所述隔板上开设有隔板缺口,以供样品支架和样品载台随所述连杆装置升降时能从一个工作区域穿过所述隔板缺口至另一个工作区域,所述隔板缺口处相应设置有可开闭的盖板,用于在样品载台通过前后开闭所述隔板缺口。
[0016]上述多晶硅样品刻蚀装置,通过连杆装置控制样品支架升降,从而控制样品载台上的样品是否浸渍于刻蚀液中,当连杆装置抬升样品支架时,样品即离开刻蚀液,完成样品刻蚀。样品刻蚀过程发生在由密封桶体提供的全密封环境下,避免刻蚀液挥发等原因损害操作人员的人身健康,消除发生事故的风险。
【附图说明】
[0017]通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明,本发明的上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分,且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图,重点在于示出本发明的主旨。
[0018]图1为本发明实施例1中多晶硅样品刻蚀装置的结构示意图;
[0019]图2为本发明实施例1中多晶硅样品刻蚀装置的结构俯视图;
[0020]图3为本发明实施例1中多晶硅样品刻蚀装置的隔板结构示意图;
[0021]图4为本发明实施例1中样品支架的结构示意图;
[0022]图5为本发明实施例2中多晶硅样品刻蚀装置的俯视图;
[0023]图6为本发明实施例3中多晶硅样品刻蚀装置的结构示意图;
[0024]图7为本发明实施例3中多晶硅样品刻蚀装置的俯视图;
[0025]图8为本发明实施例3中多晶硅样品刻蚀装置的隔板结构示意图;
[0026]图9为本发明实施例4中多晶硅样品刻蚀装置的俯视图。
【具体实施方式】
[0027]为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
[0028]需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体,或者可能同时存在居中元件。当一个元件被认为是与另一个元件“相连通”,它可以是与另一元件在空间上看是彼此相通的。本文所使用的术语“设于”、“内”、“外”、“上下”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0029]除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0030]实施例1:
[0031]图1为实施例1中多晶硅样品刻蚀装置的结构示意图,如图1所示,多晶硅样品刻蚀装置包括密封桶体100、连杆装置110、样品支架130以及样品载台140,桶体100中央设有保护塔120,连杆装置110垂直于桶体100底部可转动地设置于保护塔120内。
[0032]如图2所示,多晶硅样品刻蚀装置还包括与保护塔120的外壁连接且垂直于桶体100底部的隔板300,将桶体100内的空间隔开形成两个以上的工作区域。在本实施例中,工作区域的数量为三个,分别设为储液槽400,洗净槽500和干燥槽600,储液槽400的在桶体外壁上开设有用于溶液导入导出的通孔410,洗净槽500内设有清洗喷头510以及液体排出口 520,干燥槽600内设有气体喷头610以及排气出口 620。参见图1,连杆装置110、样品支架130以及样品载台140依次连接,保护塔120的外壁开设有一圈窗口 170,以供样品支架130从保护塔120内伸进工作区域且可随连杆装置110转动而不会被保护塔120外壁阻碍。参见图3,隔板300上开设有隔板缺口 50,以供样品支架130和样品载台140随连杆装置110转动时能从一个工作区域穿过隔板缺口 50到达另一个工作区域。
[0033]请参照图4,样品支架130包括连接连杆装置110的支架后端136、支架前端132及连接支架后端136和支架前端132的转轴134。样品载台140设于支架前端132上,连杆装置110可控制支架前端132绕转轴134升降,从而控制样品载台140上的样品20是否位于刻蚀液液位线30之下(各工作区域溶液的液位要低于液位线30,防止液体溢出到其他工作区域中造成污染),样品支架130调整为平直状态时,样品载台140即离开刻蚀液,完成样
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